JPH04315308A - 電流シンク - Google Patents

電流シンク

Info

Publication number
JPH04315308A
JPH04315308A JP3341454A JP34145491A JPH04315308A JP H04315308 A JPH04315308 A JP H04315308A JP 3341454 A JP3341454 A JP 3341454A JP 34145491 A JP34145491 A JP 34145491A JP H04315308 A JPH04315308 A JP H04315308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
current sink
transistor
sink
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3341454A
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Benz
パウル・ベンツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent NV
Original Assignee
Alcatel NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alcatel NV filed Critical Alcatel NV
Publication of JPH04315308A publication Critical patent/JPH04315308A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/06—Dc level restoring means; Bias distortion correction ; Decision circuits providing symbol by symbol detection
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/46—One-port networks

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、制御端子および低イン
ピーダンス状態に切替え可能で電流をシンクするように
作用するスイッチ電流路を有する電子装置を具備する電
流シンクに関する。
【０００２】
【従来の技術】電流源のような電流シンクは任意の電気
回路の１部分である。それは多くは負荷によって形成さ
れ、それ自体そのように呼ばれるため、そのような負荷
機能が十分でないときのみ、例えば異なる電流は互いに
分離され、例えば直流に重畳される交流信号は直流回路
から容量的に結合して分離され、別々に処理されるとき
のみ、用語「電流リンク」が一般に使用されている。こ
の場合において、直流シンクは直流の流れを維持するた
めに出力キャパシタパンスに並列に位置されなければな
らない。
【０００３】そのような直流リンクは抵抗または誘導リ
アクタンスとして作用する抵抗、チョーク、または半導
体回路によって形成されることができる。
【０００４】例えば、ドイツ特許ＤＥ−ＯＳ　３６　２
９　９３８　号公報では直流シンクとして制御された半
導体（ダーリントン回路）を使用する電話私設構内交換
機の閉ループを構成する電子チョーク（ジャイレータ回
路）について説明されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光受信機において、光
−電気変換器、ＰＩＮダイオードまたは電子雪崩フォト
ダイオード（ＡＰＤ）からの電気出力信号は増幅され、
評価される場合に、電流シンクは特に必要である。光−
電気変換器は有用な無線周波数信号が重畳される大きい
直流成分を有する電気信号を供給する。光−電気変換器
に後続する広帯域増幅器は直流信号を供給されるならば
、過負荷されるか或いは、その増幅器段の動作点がシフ
トされるのでそのダイナミック範囲は減少される。
【０００６】増幅器入力を横切って接続された抵抗また
は抵抗として動作されるトランジスタのような通常の電
流シンクの使用は、交流信号に対する増幅器の入力抵抗
を減少させ、雑音に影響を与えるので、広帯域増幅器の
感度を減少させる。これは例えば光ファイバ伝送リンク
に必要な中継器の数を増加させるので、そのようなリン
クのコストを付加する。増幅器入力を横切る高インダク
タンスチョークはまた避けられない巻回キャパシタパン
スによって有用な無線信号に対する低抵抗を生じさせる
。
【０００７】したがって、本発明の目的は、必要な回路
網が小型の電流シンクを提供し、予め定められた周波数
範囲の電流に対する高抵抗を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この本発明の目的は、ス
イッチ電流路の入力は周波数依存パスバンドを有する部
品または電気回路を介して制御端子に接続されている電
流シンクによって達成される。
【０００９】本発明は、例えば電流シンクとしてトラン
ジスタ（請求項４）のスイッチ電流路を使用し、このス
イッチ電流路を制御することを可能にするので、交流に
対して高インピーダンスを与えながら、直流のみの電流
シンクとして作用する。
【００１０】これはトランジスタのベースとエミッタの
間にキャパシタを配置することによって（請求項２にし
たがい）達成される。キャパシタは交流専用の短絡回路
を形成するので、トランジスタのエミッタに現れる交流
電圧はトランジスタのベース端子にほぼ完全に伝送され
る。ベースエミッタ電圧およびベース電流、並びにトラ
ンジスタのコレクタ−エミッタ路を流通する電流（直流
）は変化しないまま維持される。したがって、直流に対
する低抵抗を与えるトランジスタのスイッチ電流路はエ
ミッタ電圧に重畳された交流電圧信号に影響を与えない
。したがって、電流シンクは交流電圧に対する高インピ
ーダンスを与える。
【００１１】請求項３のように、フィルタがキャパシタ
に代って使用されるならば、電流シンクは周波数を選択
することが可能である。それから、フィルタにより決定
された範囲外の全ての周波数は例えば電流シンクによっ
て減衰されることが可能であるので、ろ波動作を改良で
きる。
【００１２】本発明の別の有効な特徴によると、請求項
５に記載されているように、高抵抗制御入力を有するト
ランジスタが通常のトランジスタに代って使用される。 特に、電界効果トランジスタはそのような高い制御入力
抵抗を有する。電流をシンクする電子装置はまた請求項
６のように演算増幅器のような複数のトランジスタ機能
を有する回路によって構成されることができる。制御端
子を流れる電流はこの場合極少量なので、制御電圧を設
定するのに必要な電圧分割器は非常に高い抵抗を有する
ことができる。したがって、スイッチ電流路と制御端子
の間に挿入された装置は低コストで設計されることが可
能である。
【００１３】本発明の別の有効な概念は請求項７に記載
され、スイッチ電流路と制御端子の間の装置が２つの目
的のためにすなわち電流シンクの１部分として使用され
ると共に、電流シンクを含む回路から有用な信号を結合
することを可能にする。
【００１４】請求項８および請求項９は例えば光通信に
対する光変換器に共同して使用されるときの本発明の電
流シンクの広帯域増幅器と共にする使用に関する。請求
項９によると、電流シンクは過負荷から広帯域増幅器を
保護されるために付加的に使用される。
【００１５】
【実施例】図１では、バイポーラトランジスタＴは回路
に接続され、直流電圧源ＵＢ　の正の端子からトランジ
スタＴおよび信号源Ｓを通って電圧源ＵＢ　の負の端子
に接続されているスイッチ電流路ＣＥを有する。抵抗Ｒ
１，Ｒ２から構成される電圧分割器は電圧源ＵＢ　と並
列に接続され、トランジスタＴの所定のベース電位を設
定し、そのタップはトランジスタＴのベース端子Ｂに接
続される。 信号源Ｓはそれ程低くない抵抗を有し、トランジスタの
コレクタ−エミッタ路から電圧源ＵＢ　の負の端子に流
れる直流を伝送することが可能である。
【００１６】したがって、安定した状態において、信号
源のオーム抵抗およびトランジスタＴのベース電位およ
び電流利得により決定された電流Ｉ０　は回路に流れる
。 トランジスタＴのベースとエミッタの間に接続されたキ
ャパシタＣ１は短時間後トランジスタのベース−エミッ
タ電圧に充電されるため、トランジスタＴのベース−エ
ミッタ電圧は固定した値と考えられる。トランジスタの
コレクタ−エミッタ路（スイッチ電流路）は信号源Ｓか
ら流れる電流に対する電流シンクとして作用する。
【００１７】しかしながら、信号源Ｓが音響−電気また
は光−電気変換器からのように交流信号を供給するなら
ば、電圧変化は信号源の出力、すなわちトランジスタの
エミッタに生じる。キャパシタＣ１が存在しないとき、
この変化は信号源のインピーダンスが負のフィードバッ
クを導入するのでトランジスタに著しく減衰される。し
たがって、トランジスタにより形成された電流シンクは
また交流に影響を与える。
【００１８】本発明によると、キャパシタＣ１がトラン
ジスタＴのエミッタとベース端子の間に設けられ、交流
短絡回路を形成し、トランジスタのエミッタに現れる交
流電圧がトランジスタのベースにほぼ完全に伝送される
ことを保証するので、ベース−エミッタ電圧およびコレ
クタ−エミッタ路の抵抗は変化せず、負のフィードバッ
クは交流電圧に影響がなくなる。結果的に、ほぼ完全な
レベルの交流電圧信号はトランジスタのエミッタ端子ま
たはベース端子に現れ、図１に示されているように、さ
らに処理するために出力Ａから得られることが可能であ
る。交流電圧信号はトランジスタのベース端子から結合
されて取出されるので、キャパシタＣ１はまた出力キャ
パシタパンスとして使用される。もし信号がエミッタ端
子から結合して取出されるならば、別の出力キャパシタ
パンスが設けられなければならない。バイポーラトラン
ジスタの動作は少なくとも小さいベース電流を必要とす
る。それ故、電圧分割器抵抗Ｒ１，Ｒ２は任意に高い値
を有することはできない。したがって、ベース電流およ
び有限の分割器抵抗にもかかわらずできるだけ充分に交
流電圧信号をエミッタ端子からベース端子に伝送するた
めに、比較的大きいキャパシタＣ１が必要である。さら
に、信号源のインピーダンスはあまり高くてはならない
。これらの制限は電界効果トランジスタがバイポーラト
ランジスタに代って使用されるならば回避されることが
可能である。
【００１９】交流に対する高抵抗を与える直流シンクと
しての電界効果トランジスタの使用は光受信機を例とし
て図２に示されている。信号源は例えば光導波体から現
れる光を無線周波数電気信号に変換するＰＩＮダイオー
ドＤ１である。ＰＩＮダイオードのカソードは電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）ＦＴのソース端子に接続される
。ソースゲート路はキャパシタＣ２によって側路される
。トランスインピーダンス増幅器Ｖの入力はＦＥＴのゲ
ート端子Ｇに接続され、その出力Ａは増幅された無線周
波数信号を出力する。トランスインピーダンス増幅器Ｖ
の入力および出力はトランスインピーダンス抵抗ＲＴ　
を介して互いに接続される。
【００２０】ＰＩＮダイオードに対する動作電流は２つ
の直列接続された電圧源＋ＵＢ　，−ＵＢ　から生じ、
それら電源の中心タップは基準電位（接地）に接続され
、ＦＥＴのドレイン端子を通ってＰＩＮダイオードＤ１
に供給される。ＰＩＮダイオードＤ１はアノード端にお
いて抵抗Ｒ３およびキャパシタＣ３から構成されるフィ
ルタセクションが接続されている。ＦＥＴのドレイン端
子への導線は２つの直列接続された抵抗Ｒ４，Ｒ５を含
み、その接続点はスプリアス電圧をフィルタして除去し
、無線周波数に対する接地への通路を設けるためにキャ
パシタＣ４によって接地され、その機能については以下
説明される。フィルタセクションのキャパシタＣ３はＲ
Ｆ短絡回路を形成し、無線周波数の通路をＰＩＮダイオ
ードのアノードから接地に設ける。
【００２１】図１の関して説明された回路中の信号源Ｓ
と同様にＰＩＮダイオードは直流成分および交流成分を
有する信号を供給する。直流は直流に対して低抵抗を与
えるＦＥＴのスイッチ電流路からはずれて流れるが、Ｆ
ＥＴが非常に高いインピーダンスを与える交流成分は減
衰しないまま維持する。もし直流成分はまたトランスイ
ンピーダンス増幅器に供給されるならば、そのダイナミ
ック範囲を減少させる。直流シンクとしてのＦＥＴの使
用は約６デシベルだけダイナミック範囲を改良する。
【００２２】図２に示された抵抗Ｒ４，Ｒ５はＦＥＴが
トランスインピーダンス増幅器に対する過電圧保護を付
加的に与えることを可能にする。光信号の高周波数成分
が増加するので、ＰＩＮダイオードを流通する直流が増
加する利点がある。この直流は抵抗Ｒ４，Ｒ５を横切る
電圧降下を生成し、低い値の電流制限抵抗Ｒ４はわずか
ながら電圧降下に影響があり、この直流はＦＥＴの動作
点をＦＥＴのグループ特性のオーム領域にシフトする。 抵抗Ｒ５の値は動作点が過負荷条件下でこのオーム領域
に大きくシフトされるように選定されるならば、ソース
−ドレイン路はトランスインピーダンス増幅器の入力に
おいて低い値のシャントとして作用し、したがって、ト
ランスインピーダンス増幅器の過負荷を阻止できるよう
に選択される。
【００２３】抵抗Ｒ４，Ｒ５はまたＦＥＴのドレイン電
位に作用する閉ループによって効果を生じる。制御され
た値はトランスインピーダンス増幅器Ｖからの出力信号
である。ＦＥＴは閉ループ中の制御素子として動作する
。
【００２４】図３に示されるように、本発明の電流シン
クは直流シンクだけではなく直流および交流の両方のシ
ンクとして使用されることが可能である。図２に示され
ているものと同様に、ＦＥＴＦＴ２　のソース端子は信
号源に接続される。この信号源は抵抗Ｒ８および、それ
と並列に接続され、インピーダンスＲＥ　を有し、周波
数混合を供給するソースから構成される。ＦＥＴのドレ
イン端子は電圧源ＵＢ　の正の端子に接続され、この電
圧源ＵＢ　はＦＥＴのゲート電位を設定する抵抗Ｒ６，
Ｒ７から構成される電圧分割器によってシャントされて
いる。
【００２５】結合キャパシタの代りにバンドパスフィル
タＢＰがＦＥＴのソース端子とゲート端子の間に接続さ
れている。したがって、ＦＥＴのスイッチ電流路はバン
ドパスフィルタのパスバンドに位置する周波数の交流電
流以外の全ての電流用の電流シンクとして作用する。高
抵抗はバンドパスフィルタによって通過される交流にの
み与えられる。したがって、ＦＥＴはバンドパスフィル
タの動作を改良できる。バンドパスフィルタの代りに周
波数依存パスバンドを有する他の装置もまた使用され、
それらの動作を改良できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施例の直流シンクの回路図。
【図２】本発明の電流シンクを使用する光受信機の回路
図。
【図３】バンドパスフィルタの周波数特性を改良する本
発明の実施例の回路図。
【符号の説明】
Ｃ１，Ｃ２…キャパシタ、ＢＰ…バンドパスフィルタ、
ＣＥ…電流路、Ｔ…トランジスタ、Ｖ…増幅器、ＥＴ，
ＥＴ２…電界効果トランジスタ。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　制御端子および低インピーダンス状態
    に切替え可能で電流をシンクするように作用するスイッ
    チ電流路を有する電子装置を具備する電流シンクにおい
    て、スイッチ電流路の入力は周波数依存パスバンドを有
    する部品または電気回路を介して制御端子に接続されて
    いることを特徴とする電流シンク。
  2. 【請求項２】　　周波数依存パスバンドを有する部品は
    キャパシタであることを特徴とする請求項１記載の電流
    シンク。
  3. 【請求項３】　　周波数依存パスバンドを有する電気回
    路は能動または受動フィルタであることを特徴とする請
    求項１記載の電流シンク。
  4. 【請求項４】　　低インピーダンス状態に切替え可能な
    スイッチ電流路を有する電子装置はトランジスタである
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の
    電流シンク。
  5. 【請求項５】　　トランジスタは電界効果トランジスタ
    のような高抵抗制御入力を有するトランジスタであるこ
    とを特徴とする請求項４記載の電流シンク。
  6. 【請求項６】　　低インピーダンス状態に切替え可能な
    スイッチ電流路を有する電子装置は演算増幅器であるこ
    とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の電
    流シンク。
  7. 【請求項７】　　周波数依存パスバンドを有する部品は
    また交流電圧信号を直流回路から結合して除去するよう
    に作用することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
    １項記載の電流シンク。
  8. 【請求項８】　　光−電気変換器の出力に含まれた直流
    成分を生成する請求項１乃至７のいずれか１項記載の電
    流シンク。
  9. 【請求項９】　　さらに電流シンクの入力に接続された
    広帯域増幅器を過負荷から保護する電流シンクであって
    、電流または広帯域増幅器の出力信号の流れにしたがっ
    て電流をシンクするスイッチ電流路の出力端子の電位を
    変化する手段が設けられていることを特徴とする請求項
    １乃至７のいずれか１項記載の電流シンク。
  10. 【請求項１０】　　フィルタの周波数特性を改良し、フ
    ィルタの過負荷のリスクを減少させるために使用される
    請求項１乃至７のいずれか１項記載の電流リンク。
JP3341454A 1990-12-24 1991-12-24 電流シンク Pending JPH04315308A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4041761A DE4041761A1 (de) 1990-12-24 1990-12-24 Stromsenke
DE4041761:1 1990-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04315308A true JPH04315308A (ja) 1992-11-06

Family

ID=6421429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3341454A Pending JPH04315308A (ja) 1990-12-24 1991-12-24 電流シンク

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5339019A (ja)
EP (1) EP0494420B1 (ja)
JP (1) JPH04315308A (ja)
AT (1) ATE139069T1 (ja)
CA (1) CA2058369C (ja)
DE (2) DE4041761A1 (ja)
ES (1) ES2090223T3 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3445041B2 (ja) * 1995-11-13 2003-09-08 三菱電機株式会社 半導体集積回路
US5734260A (en) * 1996-08-26 1998-03-31 Telcom Semiconductor, Inc. Short-circuit protection circuit
US6115466A (en) * 1998-03-12 2000-09-05 Westell Technologies, Inc. Subscriber line system having a dual-mode filter for voice communications over a telephone line
US6144735A (en) * 1998-03-12 2000-11-07 Westell Technologies, Inc. Filters for a digital subscriber line system for voice communication over a telephone line
US6137880A (en) * 1999-08-27 2000-10-24 Westell Technologies, Inc. Passive splitter filter for digital subscriber line voice communication for complex impedance terminations
US6414214B1 (en) * 1999-10-04 2002-07-02 Basf Aktiengesellschaft Mechanically stable hydrogel-forming polymers
DE19950531A1 (de) * 1999-10-20 2001-05-10 S. Siedle & Soehne,Telefon- Und Telegrafenwerke Stiftung & Co Anlage für die Hauskommunikation
DE50307951D1 (de) * 2003-04-01 2007-09-27 Optosys Ag Rauscharmer Lichtempfänger
JP2004336320A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信増幅装置
TWI332136B (en) * 2006-10-11 2010-10-21 Chimei Innolux Corp Voltage stabilizing circuit
US8044654B2 (en) * 2007-05-18 2011-10-25 Analog Devices, Inc. Adaptive bias current generator methods and apparatus
US10436843B2 (en) 2014-11-21 2019-10-08 General Electric Company Programmable current sink for contact input circuits

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3671770A (en) * 1970-08-17 1972-06-20 Motorola Inc Temperature compensated bias circuit
US4240039A (en) * 1979-06-11 1980-12-16 National Semiconductor Corporation MOS Differential amplifier
US4339729A (en) * 1980-03-27 1982-07-13 Motorola, Inc. Analog integrated filter circuit
US4586000A (en) * 1982-02-10 1986-04-29 Ford Aerospace & Communications Corporation Transformerless current balanced amplifier
US4498001A (en) * 1982-07-26 1985-02-05 At&T Bell Laboratories Transimpedance amplifier for optical receivers
FR2566966B1 (fr) * 1984-06-29 1986-12-12 Radiotechnique Compelec Circuit de polarisation reglable et de liaison hyperfrequence
US4644254A (en) * 1984-08-28 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Switch controller having a regulating path and an auxiliary regulating path parallel thereto
US4623786A (en) * 1984-11-07 1986-11-18 At&T Bell Laboratories Transimpedance amplifier with overload protection
US4634894A (en) * 1985-03-04 1987-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Low power CMOS reference generator with low impedance driver
DE3530064A1 (de) * 1985-08-22 1987-03-05 Nixdorf Computer Ag Schaltungsanordnung zum anschliessen von fernmelde- insbesondere fernsprecheinrichtungen an ein fernmeldenetz
DE3629938A1 (de) * 1986-09-03 1988-03-10 Standard Elektrik Lorenz Ag Schaltungsanordnung mit einer elektronischen drossel
US4716358A (en) * 1986-11-12 1987-12-29 Northern Telecom Limited Constant current circuits
US4736117A (en) * 1986-11-14 1988-04-05 National Semiconductor Corporation VDS clamp for limiting impact ionization in high density CMOS devices
US4771228A (en) * 1987-06-05 1988-09-13 Vtc Incorporated Output stage current limit circuit
NL8701472A (nl) * 1987-06-24 1989-01-16 Philips Nv Geintegreerde schakeling met meegeintegreerde, voedingsspanningsverlagende spanningsregelaar.
DE3722337A1 (de) * 1987-07-07 1989-01-19 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zum uebertragen elektrischer energie
US4794247A (en) * 1987-09-18 1988-12-27 Santa Barbara Research Center Read-out amplifier for photovoltaic detector
US4853610A (en) * 1988-12-05 1989-08-01 Harris Semiconductor Patents, Inc. Precision temperature-stable current sources/sinks

Also Published As

Publication number Publication date
ATE139069T1 (de) 1996-06-15
ES2090223T3 (es) 1996-10-16
CA2058369C (en) 1995-11-07
DE4041761A1 (de) 1992-06-25
US5339019A (en) 1994-08-16
EP0494420B1 (de) 1996-06-05
EP0494420A1 (de) 1992-07-15
CA2058369A1 (en) 1992-06-25
DE59107893D1 (de) 1996-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5911116A (en) Transmitting-receiving switch-over device complete with semiconductors
US6243566B1 (en) Impedance matching for a dual band power amplifier
JPH0680989B2 (ja) インピ−ダンス変換増幅器
KR100322989B1 (ko) 고주파증폭기
US6504449B2 (en) Phase compensated switched attenuation pad
JPH04315308A (ja) 電流シンク
US4158814A (en) Automatic overload protection system
JPH0728180B2 (ja) 増幅器
US20200091881A1 (en) Differential trans-impedance amplifier
KR100408796B1 (ko) 고대역폭증폭기용입력보호장치
US2760007A (en) Two-stage transistor feedback amplifier
US20080232822A1 (en) Optical receiver
CN111200405A (zh) 放大装置
US5642080A (en) Low noise amplifier in monolithic integrated circuit
JP2007312003A (ja) アッテネータ
US4249137A (en) Amplifier system with AGC, as for an AM radio
US20210203283A1 (en) High-frequency circuit
CN110249523B (zh) 放大器
JP2002246934A (ja) テレビジョンチューナの静電破壊防止回路
EP1401097A1 (en) Fm antenna amplifier
NO780077L (no) Elektronisk anordning for telefonapparat
US5705953A (en) Device bias based supplemental amplification
KR100933259B1 (ko) 신호 처리 시스템
JP3560900B2 (ja) パワーアンプ
KR810001212B1 (ko) 안테나 스위치