JPH04315308A - 電流シンク - Google Patents
電流シンクInfo
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- JPH04315308A JPH04315308A JP3341454A JP34145491A JPH04315308A JP H04315308 A JPH04315308 A JP H04315308A JP 3341454 A JP3341454 A JP 3341454A JP 34145491 A JP34145491 A JP 34145491A JP H04315308 A JPH04315308 A JP H04315308A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/06—Dc level restoring means; Bias distortion correction ; Decision circuits providing symbol by symbol detection
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
-
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
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- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
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- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、制御端子および低イン
ピーダンス状態に切替え可能で電流をシンクするように
作用するスイッチ電流路を有する電子装置を具備する電
流シンクに関する。
ピーダンス状態に切替え可能で電流をシンクするように
作用するスイッチ電流路を有する電子装置を具備する電
流シンクに関する。
【0002】
【従来の技術】電流源のような電流シンクは任意の電気
回路の1部分である。それは多くは負荷によって形成さ
れ、それ自体そのように呼ばれるため、そのような負荷
機能が十分でないときのみ、例えば異なる電流は互いに
分離され、例えば直流に重畳される交流信号は直流回路
から容量的に結合して分離され、別々に処理されるとき
のみ、用語「電流リンク」が一般に使用されている。こ
の場合において、直流シンクは直流の流れを維持するた
めに出力キャパシタパンスに並列に位置されなければな
らない。
回路の1部分である。それは多くは負荷によって形成さ
れ、それ自体そのように呼ばれるため、そのような負荷
機能が十分でないときのみ、例えば異なる電流は互いに
分離され、例えば直流に重畳される交流信号は直流回路
から容量的に結合して分離され、別々に処理されるとき
のみ、用語「電流リンク」が一般に使用されている。こ
の場合において、直流シンクは直流の流れを維持するた
めに出力キャパシタパンスに並列に位置されなければな
らない。
【0003】そのような直流リンクは抵抗または誘導リ
アクタンスとして作用する抵抗、チョーク、または半導
体回路によって形成されることができる。
アクタンスとして作用する抵抗、チョーク、または半導
体回路によって形成されることができる。
【0004】例えば、ドイツ特許DE−OS 36 2
9 938 号公報では直流シンクとして制御された半
導体(ダーリントン回路)を使用する電話私設構内交換
機の閉ループを構成する電子チョーク(ジャイレータ回
路)について説明されている。
9 938 号公報では直流シンクとして制御された半
導体(ダーリントン回路)を使用する電話私設構内交換
機の閉ループを構成する電子チョーク(ジャイレータ回
路)について説明されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光受信機において、光
−電気変換器、PINダイオードまたは電子雪崩フォト
ダイオード(APD)からの電気出力信号は増幅され、
評価される場合に、電流シンクは特に必要である。光−
電気変換器は有用な無線周波数信号が重畳される大きい
直流成分を有する電気信号を供給する。光−電気変換器
に後続する広帯域増幅器は直流信号を供給されるならば
、過負荷されるか或いは、その増幅器段の動作点がシフ
トされるのでそのダイナミック範囲は減少される。
−電気変換器、PINダイオードまたは電子雪崩フォト
ダイオード(APD)からの電気出力信号は増幅され、
評価される場合に、電流シンクは特に必要である。光−
電気変換器は有用な無線周波数信号が重畳される大きい
直流成分を有する電気信号を供給する。光−電気変換器
に後続する広帯域増幅器は直流信号を供給されるならば
、過負荷されるか或いは、その増幅器段の動作点がシフ
トされるのでそのダイナミック範囲は減少される。
【0006】増幅器入力を横切って接続された抵抗また
は抵抗として動作されるトランジスタのような通常の電
流シンクの使用は、交流信号に対する増幅器の入力抵抗
を減少させ、雑音に影響を与えるので、広帯域増幅器の
感度を減少させる。これは例えば光ファイバ伝送リンク
に必要な中継器の数を増加させるので、そのようなリン
クのコストを付加する。増幅器入力を横切る高インダク
タンスチョークはまた避けられない巻回キャパシタパン
スによって有用な無線信号に対する低抵抗を生じさせる
。
は抵抗として動作されるトランジスタのような通常の電
流シンクの使用は、交流信号に対する増幅器の入力抵抗
を減少させ、雑音に影響を与えるので、広帯域増幅器の
感度を減少させる。これは例えば光ファイバ伝送リンク
に必要な中継器の数を増加させるので、そのようなリン
クのコストを付加する。増幅器入力を横切る高インダク
タンスチョークはまた避けられない巻回キャパシタパン
スによって有用な無線信号に対する低抵抗を生じさせる
。
【0007】したがって、本発明の目的は、必要な回路
網が小型の電流シンクを提供し、予め定められた周波数
範囲の電流に対する高抵抗を提供することである。
網が小型の電流シンクを提供し、予め定められた周波数
範囲の電流に対する高抵抗を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この本発明の目的は、ス
イッチ電流路の入力は周波数依存パスバンドを有する部
品または電気回路を介して制御端子に接続されている電
流シンクによって達成される。
イッチ電流路の入力は周波数依存パスバンドを有する部
品または電気回路を介して制御端子に接続されている電
流シンクによって達成される。
【0009】本発明は、例えば電流シンクとしてトラン
ジスタ(請求項4)のスイッチ電流路を使用し、このス
イッチ電流路を制御することを可能にするので、交流に
対して高インピーダンスを与えながら、直流のみの電流
シンクとして作用する。
ジスタ(請求項4)のスイッチ電流路を使用し、このス
イッチ電流路を制御することを可能にするので、交流に
対して高インピーダンスを与えながら、直流のみの電流
シンクとして作用する。
【0010】これはトランジスタのベースとエミッタの
間にキャパシタを配置することによって(請求項2にし
たがい)達成される。キャパシタは交流専用の短絡回路
を形成するので、トランジスタのエミッタに現れる交流
電圧はトランジスタのベース端子にほぼ完全に伝送され
る。ベースエミッタ電圧およびベース電流、並びにトラ
ンジスタのコレクタ−エミッタ路を流通する電流(直流
)は変化しないまま維持される。したがって、直流に対
する低抵抗を与えるトランジスタのスイッチ電流路はエ
ミッタ電圧に重畳された交流電圧信号に影響を与えない
。したがって、電流シンクは交流電圧に対する高インピ
ーダンスを与える。
間にキャパシタを配置することによって(請求項2にし
たがい)達成される。キャパシタは交流専用の短絡回路
を形成するので、トランジスタのエミッタに現れる交流
電圧はトランジスタのベース端子にほぼ完全に伝送され
る。ベースエミッタ電圧およびベース電流、並びにトラ
ンジスタのコレクタ−エミッタ路を流通する電流(直流
)は変化しないまま維持される。したがって、直流に対
する低抵抗を与えるトランジスタのスイッチ電流路はエ
ミッタ電圧に重畳された交流電圧信号に影響を与えない
。したがって、電流シンクは交流電圧に対する高インピ
ーダンスを与える。
【0011】請求項3のように、フィルタがキャパシタ
に代って使用されるならば、電流シンクは周波数を選択
することが可能である。それから、フィルタにより決定
された範囲外の全ての周波数は例えば電流シンクによっ
て減衰されることが可能であるので、ろ波動作を改良で
きる。
に代って使用されるならば、電流シンクは周波数を選択
することが可能である。それから、フィルタにより決定
された範囲外の全ての周波数は例えば電流シンクによっ
て減衰されることが可能であるので、ろ波動作を改良で
きる。
【0012】本発明の別の有効な特徴によると、請求項
5に記載されているように、高抵抗制御入力を有するト
ランジスタが通常のトランジスタに代って使用される。 特に、電界効果トランジスタはそのような高い制御入力
抵抗を有する。電流をシンクする電子装置はまた請求項
6のように演算増幅器のような複数のトランジスタ機能
を有する回路によって構成されることができる。制御端
子を流れる電流はこの場合極少量なので、制御電圧を設
定するのに必要な電圧分割器は非常に高い抵抗を有する
ことができる。したがって、スイッチ電流路と制御端子
の間に挿入された装置は低コストで設計されることが可
能である。
5に記載されているように、高抵抗制御入力を有するト
ランジスタが通常のトランジスタに代って使用される。 特に、電界効果トランジスタはそのような高い制御入力
抵抗を有する。電流をシンクする電子装置はまた請求項
6のように演算増幅器のような複数のトランジスタ機能
を有する回路によって構成されることができる。制御端
子を流れる電流はこの場合極少量なので、制御電圧を設
定するのに必要な電圧分割器は非常に高い抵抗を有する
ことができる。したがって、スイッチ電流路と制御端子
の間に挿入された装置は低コストで設計されることが可
能である。
【0013】本発明の別の有効な概念は請求項7に記載
され、スイッチ電流路と制御端子の間の装置が2つの目
的のためにすなわち電流シンクの1部分として使用され
ると共に、電流シンクを含む回路から有用な信号を結合
することを可能にする。
され、スイッチ電流路と制御端子の間の装置が2つの目
的のためにすなわち電流シンクの1部分として使用され
ると共に、電流シンクを含む回路から有用な信号を結合
することを可能にする。
【0014】請求項8および請求項9は例えば光通信に
対する光変換器に共同して使用されるときの本発明の電
流シンクの広帯域増幅器と共にする使用に関する。請求
項9によると、電流シンクは過負荷から広帯域増幅器を
保護されるために付加的に使用される。
対する光変換器に共同して使用されるときの本発明の電
流シンクの広帯域増幅器と共にする使用に関する。請求
項9によると、電流シンクは過負荷から広帯域増幅器を
保護されるために付加的に使用される。
【0015】
【実施例】図1では、バイポーラトランジスタTは回路
に接続され、直流電圧源UB の正の端子からトランジ
スタTおよび信号源Sを通って電圧源UB の負の端子
に接続されているスイッチ電流路CEを有する。抵抗R
1,R2から構成される電圧分割器は電圧源UB と並
列に接続され、トランジスタTの所定のベース電位を設
定し、そのタップはトランジスタTのベース端子Bに接
続される。 信号源Sはそれ程低くない抵抗を有し、トランジスタの
コレクタ−エミッタ路から電圧源UB の負の端子に流
れる直流を伝送することが可能である。
に接続され、直流電圧源UB の正の端子からトランジ
スタTおよび信号源Sを通って電圧源UB の負の端子
に接続されているスイッチ電流路CEを有する。抵抗R
1,R2から構成される電圧分割器は電圧源UB と並
列に接続され、トランジスタTの所定のベース電位を設
定し、そのタップはトランジスタTのベース端子Bに接
続される。 信号源Sはそれ程低くない抵抗を有し、トランジスタの
コレクタ−エミッタ路から電圧源UB の負の端子に流
れる直流を伝送することが可能である。
【0016】したがって、安定した状態において、信号
源のオーム抵抗およびトランジスタTのベース電位およ
び電流利得により決定された電流I0 は回路に流れる
。 トランジスタTのベースとエミッタの間に接続されたキ
ャパシタC1は短時間後トランジスタのベース−エミッ
タ電圧に充電されるため、トランジスタTのベース−エ
ミッタ電圧は固定した値と考えられる。トランジスタの
コレクタ−エミッタ路(スイッチ電流路)は信号源Sか
ら流れる電流に対する電流シンクとして作用する。
源のオーム抵抗およびトランジスタTのベース電位およ
び電流利得により決定された電流I0 は回路に流れる
。 トランジスタTのベースとエミッタの間に接続されたキ
ャパシタC1は短時間後トランジスタのベース−エミッ
タ電圧に充電されるため、トランジスタTのベース−エ
ミッタ電圧は固定した値と考えられる。トランジスタの
コレクタ−エミッタ路(スイッチ電流路)は信号源Sか
ら流れる電流に対する電流シンクとして作用する。
【0017】しかしながら、信号源Sが音響−電気また
は光−電気変換器からのように交流信号を供給するなら
ば、電圧変化は信号源の出力、すなわちトランジスタの
エミッタに生じる。キャパシタC1が存在しないとき、
この変化は信号源のインピーダンスが負のフィードバッ
クを導入するのでトランジスタに著しく減衰される。し
たがって、トランジスタにより形成された電流シンクは
また交流に影響を与える。
は光−電気変換器からのように交流信号を供給するなら
ば、電圧変化は信号源の出力、すなわちトランジスタの
エミッタに生じる。キャパシタC1が存在しないとき、
この変化は信号源のインピーダンスが負のフィードバッ
クを導入するのでトランジスタに著しく減衰される。し
たがって、トランジスタにより形成された電流シンクは
また交流に影響を与える。
【0018】本発明によると、キャパシタC1がトラン
ジスタTのエミッタとベース端子の間に設けられ、交流
短絡回路を形成し、トランジスタのエミッタに現れる交
流電圧がトランジスタのベースにほぼ完全に伝送される
ことを保証するので、ベース−エミッタ電圧およびコレ
クタ−エミッタ路の抵抗は変化せず、負のフィードバッ
クは交流電圧に影響がなくなる。結果的に、ほぼ完全な
レベルの交流電圧信号はトランジスタのエミッタ端子ま
たはベース端子に現れ、図1に示されているように、さ
らに処理するために出力Aから得られることが可能であ
る。交流電圧信号はトランジスタのベース端子から結合
されて取出されるので、キャパシタC1はまた出力キャ
パシタパンスとして使用される。もし信号がエミッタ端
子から結合して取出されるならば、別の出力キャパシタ
パンスが設けられなければならない。バイポーラトラン
ジスタの動作は少なくとも小さいベース電流を必要とす
る。それ故、電圧分割器抵抗R1,R2は任意に高い値
を有することはできない。したがって、ベース電流およ
び有限の分割器抵抗にもかかわらずできるだけ充分に交
流電圧信号をエミッタ端子からベース端子に伝送するた
めに、比較的大きいキャパシタC1が必要である。さら
に、信号源のインピーダンスはあまり高くてはならない
。これらの制限は電界効果トランジスタがバイポーラト
ランジスタに代って使用されるならば回避されることが
可能である。
ジスタTのエミッタとベース端子の間に設けられ、交流
短絡回路を形成し、トランジスタのエミッタに現れる交
流電圧がトランジスタのベースにほぼ完全に伝送される
ことを保証するので、ベース−エミッタ電圧およびコレ
クタ−エミッタ路の抵抗は変化せず、負のフィードバッ
クは交流電圧に影響がなくなる。結果的に、ほぼ完全な
レベルの交流電圧信号はトランジスタのエミッタ端子ま
たはベース端子に現れ、図1に示されているように、さ
らに処理するために出力Aから得られることが可能であ
る。交流電圧信号はトランジスタのベース端子から結合
されて取出されるので、キャパシタC1はまた出力キャ
パシタパンスとして使用される。もし信号がエミッタ端
子から結合して取出されるならば、別の出力キャパシタ
パンスが設けられなければならない。バイポーラトラン
ジスタの動作は少なくとも小さいベース電流を必要とす
る。それ故、電圧分割器抵抗R1,R2は任意に高い値
を有することはできない。したがって、ベース電流およ
び有限の分割器抵抗にもかかわらずできるだけ充分に交
流電圧信号をエミッタ端子からベース端子に伝送するた
めに、比較的大きいキャパシタC1が必要である。さら
に、信号源のインピーダンスはあまり高くてはならない
。これらの制限は電界効果トランジスタがバイポーラト
ランジスタに代って使用されるならば回避されることが
可能である。
【0019】交流に対する高抵抗を与える直流シンクと
しての電界効果トランジスタの使用は光受信機を例とし
て図2に示されている。信号源は例えば光導波体から現
れる光を無線周波数電気信号に変換するPINダイオー
ドD1である。PINダイオードのカソードは電界効果
トランジスタ(FET)FTのソース端子に接続される
。ソースゲート路はキャパシタC2によって側路される
。トランスインピーダンス増幅器Vの入力はFETのゲ
ート端子Gに接続され、その出力Aは増幅された無線周
波数信号を出力する。トランスインピーダンス増幅器V
の入力および出力はトランスインピーダンス抵抗RT
を介して互いに接続される。
しての電界効果トランジスタの使用は光受信機を例とし
て図2に示されている。信号源は例えば光導波体から現
れる光を無線周波数電気信号に変換するPINダイオー
ドD1である。PINダイオードのカソードは電界効果
トランジスタ(FET)FTのソース端子に接続される
。ソースゲート路はキャパシタC2によって側路される
。トランスインピーダンス増幅器Vの入力はFETのゲ
ート端子Gに接続され、その出力Aは増幅された無線周
波数信号を出力する。トランスインピーダンス増幅器V
の入力および出力はトランスインピーダンス抵抗RT
を介して互いに接続される。
【0020】PINダイオードに対する動作電流は2つ
の直列接続された電圧源+UB ,−UB から生じ、
それら電源の中心タップは基準電位(接地)に接続され
、FETのドレイン端子を通ってPINダイオードD1
に供給される。PINダイオードD1はアノード端にお
いて抵抗R3およびキャパシタC3から構成されるフィ
ルタセクションが接続されている。FETのドレイン端
子への導線は2つの直列接続された抵抗R4,R5を含
み、その接続点はスプリアス電圧をフィルタして除去し
、無線周波数に対する接地への通路を設けるためにキャ
パシタC4によって接地され、その機能については以下
説明される。フィルタセクションのキャパシタC3はR
F短絡回路を形成し、無線周波数の通路をPINダイオ
ードのアノードから接地に設ける。
の直列接続された電圧源+UB ,−UB から生じ、
それら電源の中心タップは基準電位(接地)に接続され
、FETのドレイン端子を通ってPINダイオードD1
に供給される。PINダイオードD1はアノード端にお
いて抵抗R3およびキャパシタC3から構成されるフィ
ルタセクションが接続されている。FETのドレイン端
子への導線は2つの直列接続された抵抗R4,R5を含
み、その接続点はスプリアス電圧をフィルタして除去し
、無線周波数に対する接地への通路を設けるためにキャ
パシタC4によって接地され、その機能については以下
説明される。フィルタセクションのキャパシタC3はR
F短絡回路を形成し、無線周波数の通路をPINダイオ
ードのアノードから接地に設ける。
【0021】図1の関して説明された回路中の信号源S
と同様にPINダイオードは直流成分および交流成分を
有する信号を供給する。直流は直流に対して低抵抗を与
えるFETのスイッチ電流路からはずれて流れるが、F
ETが非常に高いインピーダンスを与える交流成分は減
衰しないまま維持する。もし直流成分はまたトランスイ
ンピーダンス増幅器に供給されるならば、そのダイナミ
ック範囲を減少させる。直流シンクとしてのFETの使
用は約6デシベルだけダイナミック範囲を改良する。
と同様にPINダイオードは直流成分および交流成分を
有する信号を供給する。直流は直流に対して低抵抗を与
えるFETのスイッチ電流路からはずれて流れるが、F
ETが非常に高いインピーダンスを与える交流成分は減
衰しないまま維持する。もし直流成分はまたトランスイ
ンピーダンス増幅器に供給されるならば、そのダイナミ
ック範囲を減少させる。直流シンクとしてのFETの使
用は約6デシベルだけダイナミック範囲を改良する。
【0022】図2に示された抵抗R4,R5はFETが
トランスインピーダンス増幅器に対する過電圧保護を付
加的に与えることを可能にする。光信号の高周波数成分
が増加するので、PINダイオードを流通する直流が増
加する利点がある。この直流は抵抗R4,R5を横切る
電圧降下を生成し、低い値の電流制限抵抗R4はわずか
ながら電圧降下に影響があり、この直流はFETの動作
点をFETのグループ特性のオーム領域にシフトする。 抵抗R5の値は動作点が過負荷条件下でこのオーム領域
に大きくシフトされるように選定されるならば、ソース
−ドレイン路はトランスインピーダンス増幅器の入力に
おいて低い値のシャントとして作用し、したがって、ト
ランスインピーダンス増幅器の過負荷を阻止できるよう
に選択される。
トランスインピーダンス増幅器に対する過電圧保護を付
加的に与えることを可能にする。光信号の高周波数成分
が増加するので、PINダイオードを流通する直流が増
加する利点がある。この直流は抵抗R4,R5を横切る
電圧降下を生成し、低い値の電流制限抵抗R4はわずか
ながら電圧降下に影響があり、この直流はFETの動作
点をFETのグループ特性のオーム領域にシフトする。 抵抗R5の値は動作点が過負荷条件下でこのオーム領域
に大きくシフトされるように選定されるならば、ソース
−ドレイン路はトランスインピーダンス増幅器の入力に
おいて低い値のシャントとして作用し、したがって、ト
ランスインピーダンス増幅器の過負荷を阻止できるよう
に選択される。
【0023】抵抗R4,R5はまたFETのドレイン電
位に作用する閉ループによって効果を生じる。制御され
た値はトランスインピーダンス増幅器Vからの出力信号
である。FETは閉ループ中の制御素子として動作する
。
位に作用する閉ループによって効果を生じる。制御され
た値はトランスインピーダンス増幅器Vからの出力信号
である。FETは閉ループ中の制御素子として動作する
。
【0024】図3に示されるように、本発明の電流シン
クは直流シンクだけではなく直流および交流の両方のシ
ンクとして使用されることが可能である。図2に示され
ているものと同様に、FETFT2 のソース端子は信
号源に接続される。この信号源は抵抗R8および、それ
と並列に接続され、インピーダンスRE を有し、周波
数混合を供給するソースから構成される。FETのドレ
イン端子は電圧源UB の正の端子に接続され、この電
圧源UB はFETのゲート電位を設定する抵抗R6,
R7から構成される電圧分割器によってシャントされて
いる。
クは直流シンクだけではなく直流および交流の両方のシ
ンクとして使用されることが可能である。図2に示され
ているものと同様に、FETFT2 のソース端子は信
号源に接続される。この信号源は抵抗R8および、それ
と並列に接続され、インピーダンスRE を有し、周波
数混合を供給するソースから構成される。FETのドレ
イン端子は電圧源UB の正の端子に接続され、この電
圧源UB はFETのゲート電位を設定する抵抗R6,
R7から構成される電圧分割器によってシャントされて
いる。
【0025】結合キャパシタの代りにバンドパスフィル
タBPがFETのソース端子とゲート端子の間に接続さ
れている。したがって、FETのスイッチ電流路はバン
ドパスフィルタのパスバンドに位置する周波数の交流電
流以外の全ての電流用の電流シンクとして作用する。高
抵抗はバンドパスフィルタによって通過される交流にの
み与えられる。したがって、FETはバンドパスフィル
タの動作を改良できる。バンドパスフィルタの代りに周
波数依存パスバンドを有する他の装置もまた使用され、
それらの動作を改良できる。
タBPがFETのソース端子とゲート端子の間に接続さ
れている。したがって、FETのスイッチ電流路はバン
ドパスフィルタのパスバンドに位置する周波数の交流電
流以外の全ての電流用の電流シンクとして作用する。高
抵抗はバンドパスフィルタによって通過される交流にの
み与えられる。したがって、FETはバンドパスフィル
タの動作を改良できる。バンドパスフィルタの代りに周
波数依存パスバンドを有する他の装置もまた使用され、
それらの動作を改良できる。
【図1】本発明の1実施例の直流シンクの回路図。
【図2】本発明の電流シンクを使用する光受信機の回路
図。
図。
【図3】バンドパスフィルタの周波数特性を改良する本
発明の実施例の回路図。
発明の実施例の回路図。
C1,C2…キャパシタ、BP…バンドパスフィルタ、
CE…電流路、T…トランジスタ、V…増幅器、ET,
ET2…電界効果トランジスタ。
CE…電流路、T…トランジスタ、V…増幅器、ET,
ET2…電界効果トランジスタ。
Claims (10)
- 【請求項1】 制御端子および低インピーダンス状態
に切替え可能で電流をシンクするように作用するスイッ
チ電流路を有する電子装置を具備する電流シンクにおい
て、スイッチ電流路の入力は周波数依存パスバンドを有
する部品または電気回路を介して制御端子に接続されて
いることを特徴とする電流シンク。 - 【請求項2】 周波数依存パスバンドを有する部品は
キャパシタであることを特徴とする請求項1記載の電流
シンク。 - 【請求項3】 周波数依存パスバンドを有する電気回
路は能動または受動フィルタであることを特徴とする請
求項1記載の電流シンク。 - 【請求項4】 低インピーダンス状態に切替え可能な
スイッチ電流路を有する電子装置はトランジスタである
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の
電流シンク。 - 【請求項5】 トランジスタは電界効果トランジスタ
のような高抵抗制御入力を有するトランジスタであるこ
とを特徴とする請求項4記載の電流シンク。 - 【請求項6】 低インピーダンス状態に切替え可能な
スイッチ電流路を有する電子装置は演算増幅器であるこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の電
流シンク。 - 【請求項7】 周波数依存パスバンドを有する部品は
また交流電圧信号を直流回路から結合して除去するよう
に作用することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか
1項記載の電流シンク。 - 【請求項8】 光−電気変換器の出力に含まれた直流
成分を生成する請求項1乃至7のいずれか1項記載の電
流シンク。 - 【請求項9】 さらに電流シンクの入力に接続された
広帯域増幅器を過負荷から保護する電流シンクであって
、電流または広帯域増幅器の出力信号の流れにしたがっ
て電流をシンクするスイッチ電流路の出力端子の電位を
変化する手段が設けられていることを特徴とする請求項
1乃至7のいずれか1項記載の電流シンク。 - 【請求項10】 フィルタの周波数特性を改良し、フ
ィルタの過負荷のリスクを減少させるために使用される
請求項1乃至7のいずれか1項記載の電流リンク。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
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DE4041761:1 | 1990-12-24 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04315308A true JPH04315308A (ja) | 1992-11-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3341454A Pending JPH04315308A (ja) | 1990-12-24 | 1991-12-24 | 電流シンク |
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---|---|
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EP (1) | EP0494420B1 (ja) |
JP (1) | JPH04315308A (ja) |
AT (1) | ATE139069T1 (ja) |
CA (1) | CA2058369C (ja) |
DE (2) | DE4041761A1 (ja) |
ES (1) | ES2090223T3 (ja) |
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US6144735A (en) * | 1998-03-12 | 2000-11-07 | Westell Technologies, Inc. | Filters for a digital subscriber line system for voice communication over a telephone line |
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US6137880A (en) * | 1999-08-27 | 2000-10-24 | Westell Technologies, Inc. | Passive splitter filter for digital subscriber line voice communication for complex impedance terminations |
US6414214B1 (en) * | 1999-10-04 | 2002-07-02 | Basf Aktiengesellschaft | Mechanically stable hydrogel-forming polymers |
DE19950531A1 (de) * | 1999-10-20 | 2001-05-10 | S. Siedle & Soehne,Telefon- Und Telegrafenwerke Stiftung & Co | Anlage für die Hauskommunikation |
DE50307951D1 (de) * | 2003-04-01 | 2007-09-27 | Optosys Ag | Rauscharmer Lichtempfänger |
JP2004336320A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信増幅装置 |
TWI332136B (en) * | 2006-10-11 | 2010-10-21 | Chimei Innolux Corp | Voltage stabilizing circuit |
US8044654B2 (en) | 2007-05-18 | 2011-10-25 | Analog Devices, Inc. | Adaptive bias current generator methods and apparatus |
WO2016081009A1 (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | General Electric Company | Programmable current sink for contact input circuits |
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US4240039A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-16 | National Semiconductor Corporation | MOS Differential amplifier |
US4339729A (en) * | 1980-03-27 | 1982-07-13 | Motorola, Inc. | Analog integrated filter circuit |
US4586000A (en) * | 1982-02-10 | 1986-04-29 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Transformerless current balanced amplifier |
US4498001A (en) * | 1982-07-26 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier for optical receivers |
FR2566966B1 (fr) * | 1984-06-29 | 1986-12-12 | Radiotechnique Compelec | Circuit de polarisation reglable et de liaison hyperfrequence |
US4644254A (en) * | 1984-08-28 | 1987-02-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Switch controller having a regulating path and an auxiliary regulating path parallel thereto |
US4623786A (en) * | 1984-11-07 | 1986-11-18 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier with overload protection |
US4634894A (en) * | 1985-03-04 | 1987-01-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low power CMOS reference generator with low impedance driver |
DE3530064A1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-03-05 | Nixdorf Computer Ag | Schaltungsanordnung zum anschliessen von fernmelde- insbesondere fernsprecheinrichtungen an ein fernmeldenetz |
DE3629938A1 (de) * | 1986-09-03 | 1988-03-10 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Schaltungsanordnung mit einer elektronischen drossel |
US4716358A (en) * | 1986-11-12 | 1987-12-29 | Northern Telecom Limited | Constant current circuits |
US4736117A (en) * | 1986-11-14 | 1988-04-05 | National Semiconductor Corporation | VDS clamp for limiting impact ionization in high density CMOS devices |
US4771228A (en) * | 1987-06-05 | 1988-09-13 | Vtc Incorporated | Output stage current limit circuit |
NL8701472A (nl) * | 1987-06-24 | 1989-01-16 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling met meegeintegreerde, voedingsspanningsverlagende spanningsregelaar. |
DE3722337A1 (de) * | 1987-07-07 | 1989-01-19 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung zum uebertragen elektrischer energie |
US4794247A (en) * | 1987-09-18 | 1988-12-27 | Santa Barbara Research Center | Read-out amplifier for photovoltaic detector |
US4853610A (en) * | 1988-12-05 | 1989-08-01 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | Precision temperature-stable current sources/sinks |
-
1990
- 1990-12-24 DE DE4041761A patent/DE4041761A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-12-19 EP EP91121814A patent/EP0494420B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-19 AT AT91121814T patent/ATE139069T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-12-19 DE DE59107893T patent/DE59107893D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-19 ES ES91121814T patent/ES2090223T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-23 CA CA002058369A patent/CA2058369C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-24 JP JP3341454A patent/JPH04315308A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-08 US US08/087,356 patent/US5339019A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5339019A (en) | 1994-08-16 |
DE4041761A1 (de) | 1992-06-25 |
CA2058369C (en) | 1995-11-07 |
ES2090223T3 (es) | 1996-10-16 |
ATE139069T1 (de) | 1996-06-15 |
EP0494420A1 (de) | 1992-07-15 |
EP0494420B1 (de) | 1996-06-05 |
CA2058369A1 (en) | 1992-06-25 |
DE59107893D1 (de) | 1996-07-11 |
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