JPH04314322A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH04314322A JPH04314322A JP3079599A JP7959991A JPH04314322A JP H04314322 A JPH04314322 A JP H04314322A JP 3079599 A JP3079599 A JP 3079599A JP 7959991 A JP7959991 A JP 7959991A JP H04314322 A JPH04314322 A JP H04314322A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線リソグラフィー
に使用するＸ線マスクの製造に関する。
に使用するＸ線マスクの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】第７図は、例えば特開昭６３−２５０１
２１号公報に示された従来のＸ線マスク製造方法を示す
概略図である。図において１は基板、２はメンブレン、
３はマスクパターンである。
２１号公報に示された従来のＸ線マスク製造方法を示す
概略図である。図において１は基板、２はメンブレン、
３はマスクパターンである。
【０００３】従来のＸ線マスクは上記のように構成され
、その製造方法はまず基板１上にメンブレン２を圧縮応
力状態で成膜する。次に熱処理を行ってメンブレンを引
っ張り応力にして平面を保ち、次いでマスクパターン３
を形成するという方法をとっている。
、その製造方法はまず基板１上にメンブレン２を圧縮応
力状態で成膜する。次に熱処理を行ってメンブレンを引
っ張り応力にして平面を保ち、次いでマスクパターン３
を形成するという方法をとっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＸ
線マスクの製造方法は、熱処理によって圧縮応力から引
っ張り応力へ変化するメンブレンにしか適用することが
できないため、熱処理を行っても圧縮応力状態のままの
メンブレンや、成膜時に引っ張り応力になっているメン
ブレンには適用できない。このようにどのようなメンブ
レンにも適用できるわけではなく、限られた種類のメン
ブレンにしか適用できないといった問題点があった。ま
た、熱処理によって応力を変化させるため、メンブレン
等の熱特性に依存するところが大きく、メンブレンの応
力を自在に制御することが難しいという問題点があった
。
線マスクの製造方法は、熱処理によって圧縮応力から引
っ張り応力へ変化するメンブレンにしか適用することが
できないため、熱処理を行っても圧縮応力状態のままの
メンブレンや、成膜時に引っ張り応力になっているメン
ブレンには適用できない。このようにどのようなメンブ
レンにも適用できるわけではなく、限られた種類のメン
ブレンにしか適用できないといった問題点があった。ま
た、熱処理によって応力を変化させるため、メンブレン
等の熱特性に依存するところが大きく、メンブレンの応
力を自在に制御することが難しいという問題点があった
。
【０００５】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、あらゆる種類のメンブレンの応
力を自在に制御することを目的としている。
ためになされたもので、あらゆる種類のメンブレンの応
力を自在に制御することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線マス
クの製造方法は、基板の裏面に成膜を行い変形させた後
に表面に成膜し、次いで裏側の膜を除去することにより
、表面の膜の応力を自在に制御するようにしたものであ
る。
クの製造方法は、基板の裏面に成膜を行い変形させた後
に表面に成膜し、次いで裏側の膜を除去することにより
、表面の膜の応力を自在に制御するようにしたものであ
る。
【０００７】また、基板をあらかじめ機械的に変形させ
ることにより、基板に応力を与えた状態で成膜した後に
、機械的な力を除去することにより膜の応力を自在に制
御するようにしたものである。
ることにより、基板に応力を与えた状態で成膜した後に
、機械的な力を除去することにより膜の応力を自在に制
御するようにしたものである。
【０００８】
【作用】上記のようなＸ線マスクに製造方法によると、
メンブレンの成膜が圧縮応力となる場合は、圧縮応力の
変形分以上に基板表面を凹型に歪ませて成膜し、その後
基板の変形を解除させると膜は引っ張り応力となる。ま
た、メンブレンの成膜が大きな引っ張り応力となる場合
は、引っ張り応力の変形分以内で基板表面を凸型に歪ま
せて成膜し、その後基板の変形を解除すると膜の引っ張
り応力は小さくさせることができる。
メンブレンの成膜が圧縮応力となる場合は、圧縮応力の
変形分以上に基板表面を凹型に歪ませて成膜し、その後
基板の変形を解除させると膜は引っ張り応力となる。ま
た、メンブレンの成膜が大きな引っ張り応力となる場合
は、引っ張り応力の変形分以内で基板表面を凸型に歪ま
せて成膜し、その後基板の変形を解除すると膜の引っ張
り応力は小さくさせることができる。
【０００９】
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す図である。
図において１、３は従来のものと全く同一のもので、ま
た、２ａは表面のメンブレン、２ｂは裏面のメンブレン
である。
た、２ａは表面のメンブレン、２ｂは裏面のメンブレン
である。
【００１０】上記のように構成されたＸ線マスクの製造
方法において、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）
やダイヤモンド膜のように成膜時に圧縮応力となってし
まうものは、まず図１（ａ）のように基板１上に裏面の
メンブレン２ｂを厚く成膜し基板を凹型に歪ませる。次
に図１（ｂ）のように表面のメンブレン２ａの成膜を行
う。次いで図１（ｃ）のように裏面のメンブレン２ｂを
エッチング等によって除去すると表面には引っ張り応力
の膜を作ることができる。このとき裏面に成膜する膜の
厚さにより表面の応力を変化させることができる。なお
裏面と表面の膜が同じならば、裏面の膜は表面の膜より
は厚くなければならないが、裏面と表面の膜の応力が異
なるならばその限りではない。次いで図１（ｄ）に示す
ように基板１のバックエッチを行い、最後に図１（ｅ）
に示すようにマスクパターン３のパッターニングを行う
ことによりＸ線マスクが完成する。なお図１（ｄ）に示
した基板のバックエッチと図１（ｅ）のパターンニング
の順序は、先にパターニングを行った後にバックエッチ
を行ってもよい。
方法において、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）
やダイヤモンド膜のように成膜時に圧縮応力となってし
まうものは、まず図１（ａ）のように基板１上に裏面の
メンブレン２ｂを厚く成膜し基板を凹型に歪ませる。次
に図１（ｂ）のように表面のメンブレン２ａの成膜を行
う。次いで図１（ｃ）のように裏面のメンブレン２ｂを
エッチング等によって除去すると表面には引っ張り応力
の膜を作ることができる。このとき裏面に成膜する膜の
厚さにより表面の応力を変化させることができる。なお
裏面と表面の膜が同じならば、裏面の膜は表面の膜より
は厚くなければならないが、裏面と表面の膜の応力が異
なるならばその限りではない。次いで図１（ｄ）に示す
ように基板１のバックエッチを行い、最後に図１（ｅ）
に示すようにマスクパターン３のパッターニングを行う
ことによりＸ線マスクが完成する。なお図１（ｄ）に示
した基板のバックエッチと図１（ｅ）のパターンニング
の順序は、先にパターニングを行った後にバックエッチ
を行ってもよい。
【００１１】実施例２．上記実施例１では、成膜時に圧
縮応力になるメンブレンであるが、図２は成膜時にメン
ブレンが大きな引っ張り応力となる場合の応力の緩和法
である。まず図２（ａ）のように裏面のメンブレン２ｂ
の成膜を行い基板を凸型に歪ませる。次に図２（ｂ）の
ように表面のメンブレン２ａの成膜をした後に、図２（
ｃ）のように裏面のメンブレン２ｂを除去すると表面の
膜の応力は緩和される。その際裏面に成膜する厚さによ
って表面の応力を変化させることができる。その後の図
２（ｄ）（ｅ）は図１の（ｄ）（ｅ）と同様である。
縮応力になるメンブレンであるが、図２は成膜時にメン
ブレンが大きな引っ張り応力となる場合の応力の緩和法
である。まず図２（ａ）のように裏面のメンブレン２ｂ
の成膜を行い基板を凸型に歪ませる。次に図２（ｂ）の
ように表面のメンブレン２ａの成膜をした後に、図２（
ｃ）のように裏面のメンブレン２ｂを除去すると表面の
膜の応力は緩和される。その際裏面に成膜する厚さによ
って表面の応力を変化させることができる。その後の図
２（ｄ）（ｅ）は図１の（ｄ）（ｅ）と同様である。
【００１２】実施例３．図１及び図２は片面に成膜を行
う場合であるが、成膜の方法によっては両面に成膜する
場合もある。その場合は図３の方法を用いることにより
、応力を制御することが可能となる。これは成膜時に圧
縮応力となる場合の膜を引っ張り応力にする方法である
。まず図３（ａ）のように１回目の両面成膜時のメンブ
レン２ｃを成膜する。次に図３（ｂ）に示すように表面
側の膜をエッチング等で除去する。次に図３（ｃ）のよ
うに２回目の両面成膜時のメンブレン２ｄの成膜を行う
。次いで図３（ｄ）に示すように裏面のメンブレンをエ
ッチング等により除去することにより、表面のメンブレ
ンの応力を引っ張り応力とすることができる。また、図
３（ａ）での成膜の厚さを変えることにより応力の値を
制御することができる。なお図３（ｅ）（ｆ）は図１の
（ｄ）（ｅ）と同様である。
う場合であるが、成膜の方法によっては両面に成膜する
場合もある。その場合は図３の方法を用いることにより
、応力を制御することが可能となる。これは成膜時に圧
縮応力となる場合の膜を引っ張り応力にする方法である
。まず図３（ａ）のように１回目の両面成膜時のメンブ
レン２ｃを成膜する。次に図３（ｂ）に示すように表面
側の膜をエッチング等で除去する。次に図３（ｃ）のよ
うに２回目の両面成膜時のメンブレン２ｄの成膜を行う
。次いで図３（ｄ）に示すように裏面のメンブレンをエ
ッチング等により除去することにより、表面のメンブレ
ンの応力を引っ張り応力とすることができる。また、図
３（ａ）での成膜の厚さを変えることにより応力の値を
制御することができる。なお図３（ｅ）（ｆ）は図１の
（ｄ）（ｅ）と同様である。
【００１３】実施例４．図４は両面成膜時の引っ張り応
力が強い場合の膜の応力を緩和させる方法である。まず
図４（ａ）のように１回目の両面成膜時のメンブレン２
ｃを成膜する。次に図４（ｂ）に示すように表面のメン
ブレンをエッチング等によって除去する。次いで図４（
ｃ）のように２回目の両面成膜時のメンブレン２ｄの成
膜を行い、そして図４（ｄ）に示すように裏面のメンブ
レンをエッチング等によって除去すると表面のメンブレ
ンの応力を緩和させることができる。なおその後の図４
（ｅ）（ｆ）は図１（ｄ）（ｅ）と同様である。
力が強い場合の膜の応力を緩和させる方法である。まず
図４（ａ）のように１回目の両面成膜時のメンブレン２
ｃを成膜する。次に図４（ｂ）に示すように表面のメン
ブレンをエッチング等によって除去する。次いで図４（
ｃ）のように２回目の両面成膜時のメンブレン２ｄの成
膜を行い、そして図４（ｄ）に示すように裏面のメンブ
レンをエッチング等によって除去すると表面のメンブレ
ンの応力を緩和させることができる。なおその後の図４
（ｅ）（ｆ）は図１（ｄ）（ｅ）と同様である。
【００１４】実施例５．次にこの発明の他の実施例につ
いて説明する。図５（ａ）（ｂ）は初めに裏面に成膜す
るかわりに機械的に変形を与え、その後表面に成膜を行
う方法を示したものである。
いて説明する。図５（ａ）（ｂ）は初めに裏面に成膜す
るかわりに機械的に変形を与え、その後表面に成膜を行
う方法を示したものである。
【００１５】これは基板１の裏側を機械的に引っ張り、
または押すことにより基板を凹型もしくは凸型に変形さ
せ、その状態で基板に成膜することによりメンブレンの
応力を制御するための装置の断面図である。基板１をホ
ルダ４に入れ、接着部５を基板に接着させる。なおこれ
はネジ棒６に対し自由に回転できる構造になっている。 その後、ネジ棒６をネジ７に対し回転させることにより
基板１を自由に凹型や凸型に変形させることが可能であ
る。なおメンブレンを成膜する際、材料ガスの圧力を変
化させることも多いため、ホルダ内と外の圧力差を解消
するための圧力調整穴８も開けている。ここで図５（ａ
）は成膜時圧縮応力となる膜を引っ張り応力にする方法
である。このように凹型に基板を変形させて表面のメン
ブレン２ａを成膜し、その後この装置から出すと引っ張
り応力となる。その際ネジの回転量によって基板の変形
量を制御できるため、膜の応力を自由に制御可能となる
。図５（ｂ）は成膜時引っ張り応力となる膜の応力を緩
和する方法である。このように凸型に基板を変形させて
表面のメンブレン２ａを成膜する。その際ネジの回転量
によって基板の変形量を制御できるため、膜の応力を自
由に制御可能となる。
または押すことにより基板を凹型もしくは凸型に変形さ
せ、その状態で基板に成膜することによりメンブレンの
応力を制御するための装置の断面図である。基板１をホ
ルダ４に入れ、接着部５を基板に接着させる。なおこれ
はネジ棒６に対し自由に回転できる構造になっている。 その後、ネジ棒６をネジ７に対し回転させることにより
基板１を自由に凹型や凸型に変形させることが可能であ
る。なおメンブレンを成膜する際、材料ガスの圧力を変
化させることも多いため、ホルダ内と外の圧力差を解消
するための圧力調整穴８も開けている。ここで図５（ａ
）は成膜時圧縮応力となる膜を引っ張り応力にする方法
である。このように凹型に基板を変形させて表面のメン
ブレン２ａを成膜し、その後この装置から出すと引っ張
り応力となる。その際ネジの回転量によって基板の変形
量を制御できるため、膜の応力を自由に制御可能となる
。図５（ｂ）は成膜時引っ張り応力となる膜の応力を緩
和する方法である。このように凸型に基板を変形させて
表面のメンブレン２ａを成膜する。その際ネジの回転量
によって基板の変形量を制御できるため、膜の応力を自
由に制御可能となる。
【００１６】実施例６．図６は基板の横方向から力を加
えて基板を変形させることにより、膜の応力を自在に制
御するための装置図である。基板を基板ホルダ９に入れ
基板の左右からネジ棒６で押し基板を変形させる。その
際、基板の上面を押すと図６（ａ）のように基板が凹型
となり、成膜の際圧縮応力となるメンブレンの応力を引
っ張り応力としたい場合に使用する。また、基板の下面
を押すと図６（ｂ）のように基板が凸型となり、成膜の
際引っ張り応力となるメンブレンの応力を緩和すること
ができる。なお、ネジ棒６の回転によって基板の変形量
を制御することができるため、メンブレンの応力を自在
に制御することができる。
えて基板を変形させることにより、膜の応力を自在に制
御するための装置図である。基板を基板ホルダ９に入れ
基板の左右からネジ棒６で押し基板を変形させる。その
際、基板の上面を押すと図６（ａ）のように基板が凹型
となり、成膜の際圧縮応力となるメンブレンの応力を引
っ張り応力としたい場合に使用する。また、基板の下面
を押すと図６（ｂ）のように基板が凸型となり、成膜の
際引っ張り応力となるメンブレンの応力を緩和すること
ができる。なお、ネジ棒６の回転によって基板の変形量
を制御することができるため、メンブレンの応力を自在
に制御することができる。
【００１７】上記説明ではこの発明をＸ線マスクの製造
法に用いているが、この製造方法はＸ線マスクを製作す
るだけでなく、その他の成膜において応力を緩和したい
場合や、応力を制御したい場合に用いることができるの
はいうまでもない。
法に用いているが、この製造方法はＸ線マスクを製作す
るだけでなく、その他の成膜において応力を緩和したい
場合や、応力を制御したい場合に用いることができるの
はいうまでもない。
【００１８】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように製造す
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１９】基板に成膜あるいは基板を機械的に凹型に
変形することにより、成膜時圧縮応力となるメンブレン
が、基板の変形を解除することにより、引っ張り応力と
することができる。
変形することにより、成膜時圧縮応力となるメンブレン
が、基板の変形を解除することにより、引っ張り応力と
することができる。
【００２０】また、基板に成膜もしくは基板を機械的に
凸型に変形することにより、成膜時引っ張り応力が大き
くなるメンブレンが、基板の変形を解除することにより
、応力を緩和することができる。
凸型に変形することにより、成膜時引っ張り応力が大き
くなるメンブレンが、基板の変形を解除することにより
、応力を緩和することができる。
【００２１】また、基板の変形量を調節することによっ
てメンブレンの応力を自在に制御することができる。
てメンブレンの応力を自在に制御することができる。
【図１】この発明の実施例１を示すＸ線マスクの製造法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図２】この発明の実施例２を示すＸ線マスクの製造法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図３】この発明の実施例３を示すＸ線マスクの製造法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図４】この発明の実施例４を示すＸ線マスクの製造法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図５】この発明の実施例５を示すＸ線マスクの製造法
のための、基板変形用の装置の断面図である。
のための、基板変形用の装置の断面図である。
【図６】この発明の実施例６を示すＸ線マスクの製造法
のための、基板変形用の装置の断面図である。
のための、基板変形用の装置の断面図である。
【図７】従来のＸ線マスク製造法を示す工程図である。
１ 基板
２ メンブレン
２ａ 表面のメンブレン
２ｂ 裏面のメンブレン
２ｃ １回目の両面成膜時のメンブレン２ｄ ２回
目の両面成膜時のメンブレン３ マスクパターン ４ ホルダ ５ 接着部 ６ ネジ棒 ７ ネジ ８ 圧力調整穴 ９ 基板ホルダ
目の両面成膜時のメンブレン３ マスクパターン ４ ホルダ ５ 接着部 ６ ネジ棒 ７ ネジ ８ 圧力調整穴 ９ 基板ホルダ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の裏面に成膜を行い変形させた後
に表面に成膜し、次いで裏側の膜を除去することにより
、表面の膜の応力を自在に制御するＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項２】 基板をあらかじめ機械的に変形させる
ことにより、基板に応力を与えた状態で成膜した後に、
機械的な力を除去することにより、膜の応力を自在に制
御するＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7959991A JP2882079B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7959991A JP2882079B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314322A true JPH04314322A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2882079B2 JP2882079B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=13694476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7959991A Expired - Fee Related JP2882079B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882079B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP7959991A patent/JP2882079B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882079B2 (ja) | 1999-04-12 |
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