JPH04312518A - 紫外線防御組成物 - Google Patents
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- Cosmetics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線から皮膚等の基
質を強力に保護し、しかも使用感に優れる紫外線防御組
成物に関する。
質を強力に保護し、しかも使用感に優れる紫外線防御組
成物に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】紫外線
は、一定以上の光量が皮膚に照射されると、紅斑や水疱
を形成し、メラニン形成を亢進し、色素沈着を生ずる等
の変化を皮膚にもたらす。また皮膚の老化を促進し、し
み、しわ、ソバカス等の一因子となっている。
は、一定以上の光量が皮膚に照射されると、紅斑や水疱
を形成し、メラニン形成を亢進し、色素沈着を生ずる等
の変化を皮膚にもたらす。また皮膚の老化を促進し、し
み、しわ、ソバカス等の一因子となっている。
【0003】近年においては、この様に紫外線がヒトの
皮膚に及ぼす影響が明らかにされ、これに伴ない紫外線
吸収剤を含む化粧料等が多種上市され、また紫外線吸収
剤の開発も数多く行なわれている。
皮膚に及ぼす影響が明らかにされ、これに伴ない紫外線
吸収剤を含む化粧料等が多種上市され、また紫外線吸収
剤の開発も数多く行なわれている。
【0004】従来、紫外線吸収剤としては、ジベンゾイ
ルメタン誘導体、桂皮酸エステル、ベンゾフェノン、p
−アミノ安息香酸、サリチル酸等の誘導体が用いられて
いる。
ルメタン誘導体、桂皮酸エステル、ベンゾフェノン、p
−アミノ安息香酸、サリチル酸等の誘導体が用いられて
いる。
【0005】しかしながら、これらの紫外線吸収剤はそ
の紫外線吸収力が十分でなく、これを含有する紫外線防
御組成物は紫外線からの皮膚の保護が十分でなかった。 また、従来の紫外線防御組成物は油性感等があり、使用
感に優れるものではなかった。
の紫外線吸収力が十分でなく、これを含有する紫外線防
御組成物は紫外線からの皮膚の保護が十分でなかった。 また、従来の紫外線防御組成物は油性感等があり、使用
感に優れるものではなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、皮
膚の保護がより強力な紫外線防御組成物を見出すべく鋭
意研究を行なった結果、特定のベンゾイルケトン誘導体
と揮発性油とを組み合わせた組成物が紫外線から皮膚を
より強力に保護すること及び使用感に優れるものである
ことを見出し本発明を完成した。
膚の保護がより強力な紫外線防御組成物を見出すべく鋭
意研究を行なった結果、特定のベンゾイルケトン誘導体
と揮発性油とを組み合わせた組成物が紫外線から皮膚を
より強力に保護すること及び使用感に優れるものである
ことを見出し本発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明は次の一般式(1)(R
1)mPh(COCH2COR2)n (1)〔
式中、R1 は水酸基、炭素数1〜24のアルコキシ基
、炭素数2〜24のアルケニルオキシ基又は(ポリオキ
シアルキレン)オキシ基を示し、また2個のR1 でα
−メチレンジオキシ基を形成してもよく、m個の基−C
OCH2COR2 はそれぞれ同一でも異なっていても
よく、R2 は炭素数2〜24の飽和もしくは不飽和の
炭化水素基、炭素数1〜24のヒドロキシアルキル基、
炭素数2〜24のアルコキシアルキル基、炭素数3〜2
4のアルケニルオキシアルキル基又は基
1)mPh(COCH2COR2)n (1)〔
式中、R1 は水酸基、炭素数1〜24のアルコキシ基
、炭素数2〜24のアルケニルオキシ基又は(ポリオキ
シアルキレン)オキシ基を示し、また2個のR1 でα
−メチレンジオキシ基を形成してもよく、m個の基−C
OCH2COR2 はそれぞれ同一でも異なっていても
よく、R2 は炭素数2〜24の飽和もしくは不飽和の
炭化水素基、炭素数1〜24のヒドロキシアルキル基、
炭素数2〜24のアルコキシアルキル基、炭素数3〜2
4のアルケニルオキシアルキル基又は基
【0008】
【化2】
【0009】(ここでR3 及びR4 はそれぞれ炭素
数1〜24の炭化水素基を示すか、又はR3 とR4
が一緒になって更に酸素原子を含んでいてもよい5〜7
員環を形成してもよい)を示し、Phはベンゼン核を示
し、mは0〜4の整数を示し、nは1〜4の整数を示す
。ただし、m+n≦6である〕で表わされるベンゾイル
ケトン誘導体又はその塩、及び揮発性油を含有すること
を特徴とする紫外線防御組成物を提供するものである。
数1〜24の炭化水素基を示すか、又はR3 とR4
が一緒になって更に酸素原子を含んでいてもよい5〜7
員環を形成してもよい)を示し、Phはベンゼン核を示
し、mは0〜4の整数を示し、nは1〜4の整数を示す
。ただし、m+n≦6である〕で表わされるベンゾイル
ケトン誘導体又はその塩、及び揮発性油を含有すること
を特徴とする紫外線防御組成物を提供するものである。
【0010】上記一般式(1)中、R1 で示される炭
素数1〜24のアルコキシ基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、n−ブトキシ
基、t−ブトキシ等が挙げられ;炭素数2〜24のアル
ケニルオキシ基としては、例えばアリルオキシ基、ブテ
ニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセニルオキシ
基等が挙げられ;(ポリオキシアルキレン)オキシ基と
しては、例えばメトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
メトキシ基等が挙げられる。また、2個のR1 でα−
メチレンジオキシ基を形成することもできる。
素数1〜24のアルコキシ基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、n−ブトキシ
基、t−ブトキシ等が挙げられ;炭素数2〜24のアル
ケニルオキシ基としては、例えばアリルオキシ基、ブテ
ニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセニルオキシ
基等が挙げられ;(ポリオキシアルキレン)オキシ基と
しては、例えばメトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
メトキシ基等が挙げられる。また、2個のR1 でα−
メチレンジオキシ基を形成することもできる。
【0011】また、上記一般式(1)中、R2 で示さ
れる炭素数2〜24の飽和若しくは不飽和の炭化水素基
の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基
、ブテニル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−
ヘプチル基、ヘプテニル基、n−オクチル基、オクテニ
ル基、n−ノニル基、ノネニル基、n−デシル基、デセ
ニル基、n−ウンデシル基、ウンデセニル基、n−ドデ
シル基、ドデセニル基、n−トリデシル基、トリデセニ
ル基、n−テトラデシル基、テトラデセニル基、n−ペ
ンタデシル基、ペンタデセニル基、イソペンタデシル基
、n−ヘキサデシル基、ヘキサデセニル基、イソヘキサ
デシル基、n−ヘプタデシル基、ヘプタデセニル基、イ
ソヘプタデシル基、オクタデシル基、オクタデセニル基
、イソオクタデシル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基等が挙げられる。
れる炭素数2〜24の飽和若しくは不飽和の炭化水素基
の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基
、ブテニル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−
ヘプチル基、ヘプテニル基、n−オクチル基、オクテニ
ル基、n−ノニル基、ノネニル基、n−デシル基、デセ
ニル基、n−ウンデシル基、ウンデセニル基、n−ドデ
シル基、ドデセニル基、n−トリデシル基、トリデセニ
ル基、n−テトラデシル基、テトラデセニル基、n−ペ
ンタデシル基、ペンタデセニル基、イソペンタデシル基
、n−ヘキサデシル基、ヘキサデセニル基、イソヘキサ
デシル基、n−ヘプタデシル基、ヘプタデセニル基、イ
ソヘプタデシル基、オクタデシル基、オクタデセニル基
、イソオクタデシル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基等が挙げられる。
【0012】また、R2 で示される炭素数1〜24の
ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、
ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキ
シブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシヘキシ
ル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキシオクチル基、
ヒドロキシノニル基、ヒドロキシデシル基、ヒドロキシ
ウンデシル基、ヒドロキシドデシル基、ヒドロキシテト
ラデシル基、ヒドロキシヘキサデシル基、ヒドロキシオ
クタデシル基等が挙げられる。
ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、
ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキ
シブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシヘキシ
ル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキシオクチル基、
ヒドロキシノニル基、ヒドロキシデシル基、ヒドロキシ
ウンデシル基、ヒドロキシドデシル基、ヒドロキシテト
ラデシル基、ヒドロキシヘキサデシル基、ヒドロキシオ
クタデシル基等が挙げられる。
【0013】R2 で示される炭素数2〜24のアルコ
キシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシ
メチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル
基、ブチロキシメチル基、ペンチルオキシメチル基、ヘ
キシルオキシメチル基、オクチルオキシメチル基、デシ
ルオキシメチル基、ウンデシルオキシメチル基、テトラ
デシルオキシメチル基、ヘキサデシルオキシメチル基、
オクタデシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エト
キシエチル基、プロポキシエチル基、メトキシプロピル
基、エトキシプロピル基、プロポキシプロプル基、メト
キシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基
、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、プロポキ
シペンチル基、メトキシドデシル基、エトキシドデシル
基、プロポキシドデシル基、メトキシヘキサデシル基、
エトキシヘキサデシル基、プロポキシヘキサデシル基、
メトキシオクタデシル基、エトキシオクタデシル基、プ
ロポキシオクタデシル基等が挙げられる。
キシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシ
メチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル
基、ブチロキシメチル基、ペンチルオキシメチル基、ヘ
キシルオキシメチル基、オクチルオキシメチル基、デシ
ルオキシメチル基、ウンデシルオキシメチル基、テトラ
デシルオキシメチル基、ヘキサデシルオキシメチル基、
オクタデシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エト
キシエチル基、プロポキシエチル基、メトキシプロピル
基、エトキシプロピル基、プロポキシプロプル基、メト
キシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基
、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、プロポキ
シペンチル基、メトキシドデシル基、エトキシドデシル
基、プロポキシドデシル基、メトキシヘキサデシル基、
エトキシヘキサデシル基、プロポキシヘキサデシル基、
メトキシオクタデシル基、エトキシオクタデシル基、プ
ロポキシオクタデシル基等が挙げられる。
【0014】R2 で示される炭素数3〜24のアルケ
ニルオキシアルキル基としては、アリルオキシメチル基
、ブテニルオキシメチル基、ヘキセニルオキシメチル基
、ウンデセニルオキシメチル基、オクタデセニルオキシ
メチル基、アリルオキシエチル基、アリルオキシプロピ
ル基、アリルオキシブチル基、アリルオキシペンチル基
、アリルオキシドデシル基、アリルオキシヘキサデシル
基、アリルオキシオクタデシル基等が挙げられる。
ニルオキシアルキル基としては、アリルオキシメチル基
、ブテニルオキシメチル基、ヘキセニルオキシメチル基
、ウンデセニルオキシメチル基、オクタデセニルオキシ
メチル基、アリルオキシエチル基、アリルオキシプロピ
ル基、アリルオキシブチル基、アリルオキシペンチル基
、アリルオキシドデシル基、アリルオキシヘキサデシル
基、アリルオキシオクタデシル基等が挙げられる。
【0015】また、R2 で示される基
【0016】
【化3】
【0017】の具体例としては、ジメチルアミノ基、エ
チルメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルプロピ
ルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基、メチルブチ
ルアミノ基、メチル−t−ブチルアミノ基、ジイソプロ
ピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、エチルブチルアミ
ノ基、メチルヘキシルアミノ基、ジ−sec−ブチルア
ミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、
ジヘキシルアミノ基、ビス(2−エチルヘキシル)アミ
ノ基、ジオクチルアミノ基、メチルオクタデシルアミノ
基、ピロリジル基、ピペリジル基、モルホリル基等が挙
げられる。
チルメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルプロピ
ルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基、メチルブチ
ルアミノ基、メチル−t−ブチルアミノ基、ジイソプロ
ピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、エチルブチルアミ
ノ基、メチルヘキシルアミノ基、ジ−sec−ブチルア
ミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、
ジヘキシルアミノ基、ビス(2−エチルヘキシル)アミ
ノ基、ジオクチルアミノ基、メチルオクタデシルアミノ
基、ピロリジル基、ピペリジル基、モルホリル基等が挙
げられる。
【0018】ベンゾイルケトン誘導体(1)は、例えば
公知の方法〔J.Am.Chem.Soc., 80,
4891(1958);J.Chromatogr.,
312,109(1984);J.Polym.Sc
i.Polym.Chem.Ed., 20,3079
(1982)〕に従い、次に示す(a)、(b)又は(
c)の方法によって製造することができる。
公知の方法〔J.Am.Chem.Soc., 80,
4891(1958);J.Chromatogr.,
312,109(1984);J.Polym.Sc
i.Polym.Chem.Ed., 20,3079
(1982)〕に従い、次に示す(a)、(b)又は(
c)の方法によって製造することができる。
【0019】
【化4】
【0020】〔式中、R5 はメチル基、エチル基、n
−プロピル基又はn−ブチル基を示し、Ph、R1 、
R2 、m及びnは前記と同じものを示す〕
−プロピル基又はn−ブチル基を示し、Ph、R1 、
R2 、m及びnは前記と同じものを示す〕
【0021】すなわち、ベンゾエート(2)とケトン(
3)とを縮合させることにより化合物(1)が製造され
る。この反応に用いられるケトン(3)としては、メチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、2−ヒドロキシ−2−プロピルメチルケ
トン、ピナコロン、2−ブタノン、2−ペンタノン、3
−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、5−ヘキセ
ン−2−オン、2−オクタノン、シクロヘキシルメチル
ケトン、アダマンチルメチルケトン、メトキシアセトン
、エトキシアセトン、プロポキシアセトン、アリルオキ
シアセトン、メチルメトキシアセトン、ジメチルメトキ
シアセトンなどが挙げられる。(a)法の反応は無水テ
トラヒドロフラン、トルエン、キシレン等の溶媒中、塩
基を触媒として用い、20〜150℃で数十分〜10時
間行うのが好ましい。ここで用いられる塩基としては水
素化ナトリウムなどの金属水素化物;ブチルリチウムな
どの金属アルキル化物;トリエチルアミンなどのアミン
類;ナトリウムアミドなどの金属アミド類;ナトリウム
メトキシドのような金属アルコキシド化合物などが挙げ
られる。
3)とを縮合させることにより化合物(1)が製造され
る。この反応に用いられるケトン(3)としては、メチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、2−ヒドロキシ−2−プロピルメチルケ
トン、ピナコロン、2−ブタノン、2−ペンタノン、3
−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、5−ヘキセ
ン−2−オン、2−オクタノン、シクロヘキシルメチル
ケトン、アダマンチルメチルケトン、メトキシアセトン
、エトキシアセトン、プロポキシアセトン、アリルオキ
シアセトン、メチルメトキシアセトン、ジメチルメトキ
シアセトンなどが挙げられる。(a)法の反応は無水テ
トラヒドロフラン、トルエン、キシレン等の溶媒中、塩
基を触媒として用い、20〜150℃で数十分〜10時
間行うのが好ましい。ここで用いられる塩基としては水
素化ナトリウムなどの金属水素化物;ブチルリチウムな
どの金属アルキル化物;トリエチルアミンなどのアミン
類;ナトリウムアミドなどの金属アミド類;ナトリウム
メトキシドのような金属アルコキシド化合物などが挙げ
られる。
【0022】
【化5】
【0023】〔式中、R1 、R2 、R5 、Ph、
m及びnは前記と同じものを示す〕
m及びnは前記と同じものを示す〕
【0024】すなわち、アセチルベンゼン誘導体(4)
とエステル(5)を縮合させることにより、化合物(1
)が製造される。この反応に用いられるエステル(5)
としては、酢酸メチル、酢酸エチル、ピバリン酸メチル
、ピバリン酸エチル、プロピオン酸メチル、酪酸メチル
、イソ酪酸メチル、吉草酸メチル、イソ吉草酸エチル、
カプロン酸メチル、カプリン酸メチル、カプリン酸エチ
ル、2−エチルヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、
デカン酸メチル、ウンデカン酸メチル、ミリスチン酸メ
チル、パルミチン酸メチル、ステアリン酸メチル、イソ
ステアリン酸メチル、オイレン酸メチルなどが挙げられ
る。(b)法の反応は前記(a)法と同様の条件下で行
われる。
とエステル(5)を縮合させることにより、化合物(1
)が製造される。この反応に用いられるエステル(5)
としては、酢酸メチル、酢酸エチル、ピバリン酸メチル
、ピバリン酸エチル、プロピオン酸メチル、酪酸メチル
、イソ酪酸メチル、吉草酸メチル、イソ吉草酸エチル、
カプロン酸メチル、カプリン酸メチル、カプリン酸エチ
ル、2−エチルヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、
デカン酸メチル、ウンデカン酸メチル、ミリスチン酸メ
チル、パルミチン酸メチル、ステアリン酸メチル、イソ
ステアリン酸メチル、オイレン酸メチルなどが挙げられ
る。(b)法の反応は前記(a)法と同様の条件下で行
われる。
【0025】
【化6】
【0026】〔式中、R1 、R3 、R4 、R5
、Ph、m及びnは前記と同じものを示す〕
、Ph、m及びnは前記と同じものを示す〕
【0027】すなわち、ベンゾエート(2)とN,N−
ジ置換アセトアミド(6)とを縮合させることにより本
発明化合物(1′)が製造される。この反応に用いられ
るN,N−ジ置換アセトアミド(6)しては、N,N−
ジメチルアセトアミド、N−エチル−N−メチルアセト
アミド、N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アセトア
ミド、N−メチル−N−オクタデシルアセトアミド、ア
セチルピロリジン、アセチルピペリジン、アセチルモル
ホリン等が挙げられる。(c)法の反応は前記(a)法
と同様の条件下で行われる。
ジ置換アセトアミド(6)とを縮合させることにより本
発明化合物(1′)が製造される。この反応に用いられ
るN,N−ジ置換アセトアミド(6)しては、N,N−
ジメチルアセトアミド、N−エチル−N−メチルアセト
アミド、N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アセトア
ミド、N−メチル−N−オクタデシルアセトアミド、ア
セチルピロリジン、アセチルピペリジン、アセチルモル
ホリン等が挙げられる。(c)法の反応は前記(a)法
と同様の条件下で行われる。
【0028】本発明に用いる揮発性油としては、例えば
式 [(CH3)2SiO]x で表わされる環状ジメ
チルポリシロキサン(式中xは3〜6の整数);式(C
H3)3SiO[(CH3)2SiO]ySi(CH3
)3 で表わされる線状ジメチルポリシロキサン(式中
yは0〜4の整数);式CnH2n+2で表わされる軽
質イソパラフィン等の炭化水素(式中nは8〜15の整
数)が挙げられる。
式 [(CH3)2SiO]x で表わされる環状ジメ
チルポリシロキサン(式中xは3〜6の整数);式(C
H3)3SiO[(CH3)2SiO]ySi(CH3
)3 で表わされる線状ジメチルポリシロキサン(式中
yは0〜4の整数);式CnH2n+2で表わされる軽
質イソパラフィン等の炭化水素(式中nは8〜15の整
数)が挙げられる。
【0029】上記のベンゾイルケトン誘導体(1)と揮
発性油は、それぞれ1種ずつ、又は2種以上を混合して
用いてもよい。本発明紫外線防御組成物中へのベンゾイ
ルケトン誘導体(1)と揮発性油の配合比は、その用途
によって異なるが、重量比で1/99〜99/1、特に
3/7〜7/3の範囲が好ましい。また、これら2成分
の本発明紫外線防御組成物への合計の配合量は、その用
途により適宜選択すればよいが、例えば化粧料では、通
常1〜30重量%(以下「%」で示す)が適当であるが
、特に充分な紫外線防御効果を得るためには、5〜30
%とすることが好ましい。
発性油は、それぞれ1種ずつ、又は2種以上を混合して
用いてもよい。本発明紫外線防御組成物中へのベンゾイ
ルケトン誘導体(1)と揮発性油の配合比は、その用途
によって異なるが、重量比で1/99〜99/1、特に
3/7〜7/3の範囲が好ましい。また、これら2成分
の本発明紫外線防御組成物への合計の配合量は、その用
途により適宜選択すればよいが、例えば化粧料では、通
常1〜30重量%(以下「%」で示す)が適当であるが
、特に充分な紫外線防御効果を得るためには、5〜30
%とすることが好ましい。
【0030】本発明の紫外線防御組成物には、上記の成
分を配合するのみでもよいが、更に他のUV−B吸収剤
あるいはUV−A吸収剤と組み合わせて通常の日焼け止
め化粧料として使用することもできる。このようなUV
−B吸収剤としては、例えばp−メチルベンジリデン−
D(L)−ショウノウ又はそのスルホン酸ナトリウム塩
;2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸ナ
トリウム塩、3,4−ジメチルフェニルグリオキシル酸
ナトリウム塩、4−フェニルベンゾフェノン、4−フェ
ニルベンゾフェノン−2′−カルボン酸イソオクチルエ
ステル、p−メトキシ桂皮酸エステル、2−フェニル−
5−メチルベンズオキサゾール又はp−ジメチルアミノ
安息香酸エステル類などが挙げられる。UV−A吸収剤
としては4−メトキシ−2′−カルボキシジベンゾイル
メタン、4−メトキシ−4′−t−ブチルジベンゾイル
メタン、4−イソプロピルジベンゾイルメタン、2−ヒ
ドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン又はジベンジリ
デンカンファー類などが挙げられる。
分を配合するのみでもよいが、更に他のUV−B吸収剤
あるいはUV−A吸収剤と組み合わせて通常の日焼け止
め化粧料として使用することもできる。このようなUV
−B吸収剤としては、例えばp−メチルベンジリデン−
D(L)−ショウノウ又はそのスルホン酸ナトリウム塩
;2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸ナ
トリウム塩、3,4−ジメチルフェニルグリオキシル酸
ナトリウム塩、4−フェニルベンゾフェノン、4−フェ
ニルベンゾフェノン−2′−カルボン酸イソオクチルエ
ステル、p−メトキシ桂皮酸エステル、2−フェニル−
5−メチルベンズオキサゾール又はp−ジメチルアミノ
安息香酸エステル類などが挙げられる。UV−A吸収剤
としては4−メトキシ−2′−カルボキシジベンゾイル
メタン、4−メトキシ−4′−t−ブチルジベンゾイル
メタン、4−イソプロピルジベンゾイルメタン、2−ヒ
ドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン又はジベンジリ
デンカンファー類などが挙げられる。
【0031】本発明の紫外線防御組成物は上記成分のほ
か、種々の添加剤を加えることができる。例えばメチル
セルロース、エチルセルロース又はカルボキシメチルセ
ルロース、ポリアクリル酸、トラガカント、寒天又はゼ
ラチン等の増粘剤も添加剤として加えることもできる。 更に、必要に応じて、香料、防腐剤、保湿剤、乳化安定
剤、薬効成分及び/又は生理的に許容し得る着色剤を添
加してもよい。
か、種々の添加剤を加えることができる。例えばメチル
セルロース、エチルセルロース又はカルボキシメチルセ
ルロース、ポリアクリル酸、トラガカント、寒天又はゼ
ラチン等の増粘剤も添加剤として加えることもできる。 更に、必要に応じて、香料、防腐剤、保湿剤、乳化安定
剤、薬効成分及び/又は生理的に許容し得る着色剤を添
加してもよい。
【0032】本発明の紫外線防御組成物は、揮発性油を
油相中に含む油中水型(W/O)乳化組成物とすれば、
紫外線防御の持続性を増加することができる。具体例と
しては、揮発性シリコーンを含む油相を7〜60%、水
相を15〜80%、ポリオキシアルキレン変性シリコー
ンを0.05〜5%程度の割合で混合した系が挙げられ
る。ポリオキシアルキレン変性シリコーンとしては例え
ば、東レダウシリコーン社製のトーレシリコーンSH
3772C等が挙げられる。また、ここに用いる乳化剤
は特に限定されず市販のものを用いることができる。
油相中に含む油中水型(W/O)乳化組成物とすれば、
紫外線防御の持続性を増加することができる。具体例と
しては、揮発性シリコーンを含む油相を7〜60%、水
相を15〜80%、ポリオキシアルキレン変性シリコー
ンを0.05〜5%程度の割合で混合した系が挙げられ
る。ポリオキシアルキレン変性シリコーンとしては例え
ば、東レダウシリコーン社製のトーレシリコーンSH
3772C等が挙げられる。また、ここに用いる乳化剤
は特に限定されず市販のものを用いることができる。
【0033】本発明の紫外線防御組成物はの調製は、ベ
ンゾイルケトン誘導体(1)、揮発性油及び任意成分を
常法により混合すればよい。
ンゾイルケトン誘導体(1)、揮発性油及び任意成分を
常法により混合すればよい。
【0034】本発明の紫外線防御組成物は、乳液状、ク
リーム性、油状、油性固形等の剤型で、夏の日焼防止剤
、日常のUVケア用、更には顔料と併用することにより
UVケアファンデーション等として用いることができる
。
リーム性、油状、油性固形等の剤型で、夏の日焼防止剤
、日常のUVケア用、更には顔料と併用することにより
UVケアファンデーション等として用いることができる
。
【0035】
【発明の効果】本発明の紫外線防御組成物は、ベンゾイ
ルケトン誘導体(1)と揮発性油との相乗効果により、
皮膚を紫外線から強力に保護し、更に使用感が良好であ
るという優れた効果を有する。
ルケトン誘導体(1)と揮発性油との相乗効果により、
皮膚を紫外線から強力に保護し、更に使用感が良好であ
るという優れた効果を有する。
【0036】
【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に
説明するが本発明は、これらに限定されるものではない
。
説明するが本発明は、これらに限定されるものではない
。
【0037】合成例1
1,4−ビス(4,4−ジメチル−3−オキソペンタノ
イル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =t−Bu
、m=0、n=2のもの〕(1a)の合成:撹拌装置、
滴下ロート、温度計、還流冷却器及び窒素導入管を備え
た2l容四ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム32g(0.8mol)、ピナコロン79g(0.7
9mol)、無水テトラヒドロフラン700mlを窒素
気流下混合し、室温、撹拌下、テレフタル酸ジメチル7
0g(0.36mol)のテトラヒドロフラン(300
ml )溶液を1時間かけて滴下した。滴下終了後、6
時間加熱還流を行った。反応終了後室温まで冷却し、2
N−塩酸水溶液180mlを滴下した。次いでクロロホ
ルムで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去して粗生成物を得た。これをヘキサンを用い再結晶し
、目的化合物の無色鱗片状結晶78gを得た(収率66
%)。 融点:125.5〜126.5℃ IR(νKBr,cm−1):2974,2872,1
584,1563,1485,1268,1290,
1140,840, 792,7411H−NMR (
CDCl3 , δ):1.27(18H,s), 6
.34(2H,s), 7.95(4H,s) 元素分析 計算値(%)C;72.70, H;7.93実測値(
%)C;72.61, H;7.96
イル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =t−Bu
、m=0、n=2のもの〕(1a)の合成:撹拌装置、
滴下ロート、温度計、還流冷却器及び窒素導入管を備え
た2l容四ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム32g(0.8mol)、ピナコロン79g(0.7
9mol)、無水テトラヒドロフラン700mlを窒素
気流下混合し、室温、撹拌下、テレフタル酸ジメチル7
0g(0.36mol)のテトラヒドロフラン(300
ml )溶液を1時間かけて滴下した。滴下終了後、6
時間加熱還流を行った。反応終了後室温まで冷却し、2
N−塩酸水溶液180mlを滴下した。次いでクロロホ
ルムで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去して粗生成物を得た。これをヘキサンを用い再結晶し
、目的化合物の無色鱗片状結晶78gを得た(収率66
%)。 融点:125.5〜126.5℃ IR(νKBr,cm−1):2974,2872,1
584,1563,1485,1268,1290,
1140,840, 792,7411H−NMR (
CDCl3 , δ):1.27(18H,s), 6
.34(2H,s), 7.95(4H,s) 元素分析 計算値(%)C;72.70, H;7.93実測値(
%)C;72.61, H;7.96
【0038】合成
例2 1,3 −ビス(4,4−ジメチル−3−オキソペンタ
ノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =t−B
u、m=0、n=2のもの〕(1b)の合成:撹拌装置
、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備えた10
0ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム1.5 g(38mmol)、ピナコロン3.6 g
(36mmol)、イソフタル酸ジメチル3.0 g(
15.5mmol)及び無水テトラヒドロフラン30m
lを窒素気流下、撹拌混合し、6時間加熱還流を行った
。反応終了後放冷し、2N−塩酸10mlを加えた後、
クロロホルムで抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾
燥後溶媒を留去し、粗生成物を得た。これをヘキサンを
用い再結晶し、目的化合物の無色結晶3.1g(収率6
1%)を得た。 融点:106.0〜107.5℃ IR(νKBr,cm−1):3124,2974,2
872,1611,1563,1482,1431,1
290,1227,1134,1095,879,80
4,7051H−NMR (CDCl3 , δ):1
.27(18H,s), 6.34(2H,s), 7
.55(1H,t,J=7.8Hz),8.02(2H
,dd,J=7.8,J=1.5Hz), 8.38(
1H,br.s) 元素分析 計算値(%)C;72.70, H;7.93実測値(
%)C;72.58, H;7.95
例2 1,3 −ビス(4,4−ジメチル−3−オキソペンタ
ノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =t−B
u、m=0、n=2のもの〕(1b)の合成:撹拌装置
、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備えた10
0ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム1.5 g(38mmol)、ピナコロン3.6 g
(36mmol)、イソフタル酸ジメチル3.0 g(
15.5mmol)及び無水テトラヒドロフラン30m
lを窒素気流下、撹拌混合し、6時間加熱還流を行った
。反応終了後放冷し、2N−塩酸10mlを加えた後、
クロロホルムで抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾
燥後溶媒を留去し、粗生成物を得た。これをヘキサンを
用い再結晶し、目的化合物の無色結晶3.1g(収率6
1%)を得た。 融点:106.0〜107.5℃ IR(νKBr,cm−1):3124,2974,2
872,1611,1563,1482,1431,1
290,1227,1134,1095,879,80
4,7051H−NMR (CDCl3 , δ):1
.27(18H,s), 6.34(2H,s), 7
.55(1H,t,J=7.8Hz),8.02(2H
,dd,J=7.8,J=1.5Hz), 8.38(
1H,br.s) 元素分析 計算値(%)C;72.70, H;7.93実測値(
%)C;72.58, H;7.95
【0039】合成
例3 4−メトキシ−1,3 −ビス(4,4−ジメチル−3
−オキソペンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、
R2 =t−Bu、R1 =OMe 、m=1、n=2
のもの〕(1c)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流
冷却器及び窒素導入管を備えた100ml容三ッ口フラ
スコ中にて、60%水素化ナトリウム1.5g(38m
mol)、ピナコロン3.6g(36mmol)、4−
メトキシイソフタル酸ジメチル3.0g(13.4mm
ol)及び無水テトラヒドロフラン30mlを窒素気流
下撹拌混合し、5時間加熱還流を行った。反応終了後放
冷し、2N−塩酸10mlを加えた後クロロホルムで抽
出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し粗生成物を得た。これをヘキサンを用い再結晶し
、目的化合物の無色結晶3.2gを得た(収率66%)
。 融点:69.4〜70.8℃ IR(νKBr,cm−1):2968,1620,1
584,1506,1467,1368,1275,1
263,1182,1131,1071,1011,7
951H−NMR (CDCl3 , δ):1.24
(9H,s), 1.25(9H,s), 3.99(
3H,s), 6.29(1H,s),6.52(1H
,s), 7.04(1H,d,J=8.8Hz),8
.04(1H,dd,J=8.8, 2.3Hz),
8.35(1H,d,J=2.3Hz)元素分析 計算値(%)C;69.98, H;7.83実測値(
%)C;69.92, H;7.85
例3 4−メトキシ−1,3 −ビス(4,4−ジメチル−3
−オキソペンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、
R2 =t−Bu、R1 =OMe 、m=1、n=2
のもの〕(1c)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流
冷却器及び窒素導入管を備えた100ml容三ッ口フラ
スコ中にて、60%水素化ナトリウム1.5g(38m
mol)、ピナコロン3.6g(36mmol)、4−
メトキシイソフタル酸ジメチル3.0g(13.4mm
ol)及び無水テトラヒドロフラン30mlを窒素気流
下撹拌混合し、5時間加熱還流を行った。反応終了後放
冷し、2N−塩酸10mlを加えた後クロロホルムで抽
出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し粗生成物を得た。これをヘキサンを用い再結晶し
、目的化合物の無色結晶3.2gを得た(収率66%)
。 融点:69.4〜70.8℃ IR(νKBr,cm−1):2968,1620,1
584,1506,1467,1368,1275,1
263,1182,1131,1071,1011,7
951H−NMR (CDCl3 , δ):1.24
(9H,s), 1.25(9H,s), 3.99(
3H,s), 6.29(1H,s),6.52(1H
,s), 7.04(1H,d,J=8.8Hz),8
.04(1H,dd,J=8.8, 2.3Hz),
8.35(1H,d,J=2.3Hz)元素分析 計算値(%)C;69.98, H;7.83実測値(
%)C;69.92, H;7.85
【0040】合成
例4 1,4 −ビス(4−メチル−3−オキソペンタノイル
)ベンゼン〔式(1)において、R2 =−CH(CH
3)2、m=0、n=2のもの〕(1d)の合成:実施
例1において、ピナコロンの代りにイソプロピルメチル
ケトン68g(0.79mol )を使用した以外は実
施例1と同様の操作を行い、淡黄色針状晶の目的化合物
76gを得た(収率72%)。 融点:97.0〜97.5℃ IR(νKBr,cm−1):2980,2932,1
608,1437,1284,1188,1098,9
39,807 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.25(1
2H,d), 2.55−2.77(2H,m), 6
.25(2H,s),7.95(4H,s), 14.
7(2H,bs)
例4 1,4 −ビス(4−メチル−3−オキソペンタノイル
)ベンゼン〔式(1)において、R2 =−CH(CH
3)2、m=0、n=2のもの〕(1d)の合成:実施
例1において、ピナコロンの代りにイソプロピルメチル
ケトン68g(0.79mol )を使用した以外は実
施例1と同様の操作を行い、淡黄色針状晶の目的化合物
76gを得た(収率72%)。 融点:97.0〜97.5℃ IR(νKBr,cm−1):2980,2932,1
608,1437,1284,1188,1098,9
39,807 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.25(1
2H,d), 2.55−2.77(2H,m), 6
.25(2H,s),7.95(4H,s), 14.
7(2H,bs)
【0041】合成例5
1,4 −ビス(3−オキソペンタノイル)ベンゼン〔
式(1)において、R2 =C2H5 、m=0、n=
2のもの〕(1e)の合成:実施例1において、ピナコ
ロンの代わりにメチルケトン57g(0.79mol)
を使用した以外は実施例1と同様の操作を行い、淡黄色
結晶の目的化合物54gを得た(収率56%)。 融点:122.5〜123.5℃ IR(νKBr,cm−1):2980,2950,1
617,1293,1161,1119,1083,8
13,774 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.25(6
H,t), 2.50(4H,q), 6.22(2H
,s),7.95(4H,s), 15.2(2H,b
s)
式(1)において、R2 =C2H5 、m=0、n=
2のもの〕(1e)の合成:実施例1において、ピナコ
ロンの代わりにメチルケトン57g(0.79mol)
を使用した以外は実施例1と同様の操作を行い、淡黄色
結晶の目的化合物54gを得た(収率56%)。 融点:122.5〜123.5℃ IR(νKBr,cm−1):2980,2950,1
617,1293,1161,1119,1083,8
13,774 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.25(6
H,t), 2.50(4H,q), 6.22(2H
,s),7.95(4H,s), 15.2(2H,b
s)
【0042】合成例6
1,4−(3−オキソドデカノイル)ベンゼン〔式(1
)において、R2=C 9H19、m=0、n=2のも
の〕(1f)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却
器及び窒素導入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ
中にて、60%水素化ナトリウム1.1g(28mmo
l)、p−ジアセチルベンゼン2.0g(12.3mm
ol)、カプリン酸メチル4.8g(25.7mmol
)及び無水テトラヒドロフラン20mlを窒素気流下、
撹拌混合し、5時間加熱還流を行った。反応終了後放冷
し、2N−塩酸15mlを加えた後、クロロホルムで抽
出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し粗生成物を得た。これをヘキサンを用いて再結晶
し、目的化合物の淡黄色鱗片状結晶3.6g(収率63
%)を得た。 融点:122.5〜123.0℃ IR(νKBr,cm−1):2920,2854,1
617,1473,1293,1155,786 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.90(6
H,t), 1.12−1.43(20H,m), 1
.56(4H,bs),1.60−1.80(4H,m
),2.47(4H,t), 6.20(2H,s),
7.95(4H,s), 14.6(2H,bs)
)において、R2=C 9H19、m=0、n=2のも
の〕(1f)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却
器及び窒素導入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ
中にて、60%水素化ナトリウム1.1g(28mmo
l)、p−ジアセチルベンゼン2.0g(12.3mm
ol)、カプリン酸メチル4.8g(25.7mmol
)及び無水テトラヒドロフラン20mlを窒素気流下、
撹拌混合し、5時間加熱還流を行った。反応終了後放冷
し、2N−塩酸15mlを加えた後、クロロホルムで抽
出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し粗生成物を得た。これをヘキサンを用いて再結晶
し、目的化合物の淡黄色鱗片状結晶3.6g(収率63
%)を得た。 融点:122.5〜123.0℃ IR(νKBr,cm−1):2920,2854,1
617,1473,1293,1155,786 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.90(6
H,t), 1.12−1.43(20H,m), 1
.56(4H,bs),1.60−1.80(4H,m
),2.47(4H,t), 6.20(2H,s),
7.95(4H,s), 14.6(2H,bs)
【0
043】合成例7 1,3,5−トリス(4,4−ジメチル−3−オキソペ
ンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =C
(CH3)3、m=0、n=3のもの〕(1g)の合成
:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を
備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素
化ナトリウム2.29g(57mmol)、ピナコロン
5.24g(52mmol)、トリメチル1,3,5−
ベンゼントリカルボキシレート4.0g(15.8mm
ol)及び無水テトラヒドロフラン40mlを窒素気流
下、撹拌混合し、7時間加熱還流を行った。反応終了後
放冷し、2N−塩酸30mlを加えた後、クロロホルム
で抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し、粗生成物を得た。これをアセトンを用い再結晶
し、目的化合物の黄色結晶3.8g(収率52%)を得
た。 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.30(2
7H,s), 6.41(3H,s), 8.49(3
H,s),15.6(3H,bs)
043】合成例7 1,3,5−トリス(4,4−ジメチル−3−オキソペ
ンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =C
(CH3)3、m=0、n=3のもの〕(1g)の合成
:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を
備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素
化ナトリウム2.29g(57mmol)、ピナコロン
5.24g(52mmol)、トリメチル1,3,5−
ベンゼントリカルボキシレート4.0g(15.8mm
ol)及び無水テトラヒドロフラン40mlを窒素気流
下、撹拌混合し、7時間加熱還流を行った。反応終了後
放冷し、2N−塩酸30mlを加えた後、クロロホルム
で抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去し、粗生成物を得た。これをアセトンを用い再結晶
し、目的化合物の黄色結晶3.8g(収率52%)を得
た。 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.30(2
7H,s), 6.41(3H,s), 8.49(3
H,s),15.6(3H,bs)
【0044】合成例
8 1,4−ビス(4−ヒドロキシ−4−メチル−3−オキ
ソペンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2
=C(CH3)2OH、m=0、n=3のもの〕(1h
)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素
導入管を備えた200ml容三ッ口フラスコ中にて、3
−メチル−3−ヒドロキシ−2−ブタノン15g(14
7mmol )、P−トルエンスルホン酸ピリジニウム
500mg (2.0mmol )及び無水メチレンク
ロリド100 ml窒素気流下撹拌混合し、エチルビニ
ルエーテル11.7g(162mmol )をゆっくり
滴下し、室温で3時間撹拌した。反応終了後、5%炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、クロロホルムで抽
出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去し粗生成物を得た。更に蒸留により3−(1−エトキ
シエトキシ)−3−メチル−ブタン−2−オン17.0
g(b.p.38〜40℃/1mmHg、収率66%)
を得た。こうして得られた3−(1−エトキシエトキシ
)−3−メチル−ブタン−2−オン9.9g(57mm
ol)を撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導
入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、60
%水素化ナトリウム2.3g(57mmol)、テレフ
タル酸ジメチル5.0g(25mmol)及び無水テト
ラヒドロフラン50mlを窒素気流下撹拌混合し、7時
間加熱還流を行った。反応終了後放冷し、2N−塩酸3
0mlを加えた後、クロロホルムで抽出し、次いで無水
硫酸ナトリウムで乾燥後留去する。これにメタノール3
0mlを加え、2N−塩酸 10滴を滴下し、室温で
30分間撹拌する。 析出してきた沈澱物を濾過して集め、これをクロロホル
ム−アセトンから再結晶し、目的化合物の淡黄色結晶4
.1g(収率48%)を得た。
8 1,4−ビス(4−ヒドロキシ−4−メチル−3−オキ
ソペンタノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2
=C(CH3)2OH、m=0、n=3のもの〕(1h
)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素
導入管を備えた200ml容三ッ口フラスコ中にて、3
−メチル−3−ヒドロキシ−2−ブタノン15g(14
7mmol )、P−トルエンスルホン酸ピリジニウム
500mg (2.0mmol )及び無水メチレンク
ロリド100 ml窒素気流下撹拌混合し、エチルビニ
ルエーテル11.7g(162mmol )をゆっくり
滴下し、室温で3時間撹拌した。反応終了後、5%炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、クロロホルムで抽
出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去し粗生成物を得た。更に蒸留により3−(1−エトキ
シエトキシ)−3−メチル−ブタン−2−オン17.0
g(b.p.38〜40℃/1mmHg、収率66%)
を得た。こうして得られた3−(1−エトキシエトキシ
)−3−メチル−ブタン−2−オン9.9g(57mm
ol)を撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導
入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、60
%水素化ナトリウム2.3g(57mmol)、テレフ
タル酸ジメチル5.0g(25mmol)及び無水テト
ラヒドロフラン50mlを窒素気流下撹拌混合し、7時
間加熱還流を行った。反応終了後放冷し、2N−塩酸3
0mlを加えた後、クロロホルムで抽出し、次いで無水
硫酸ナトリウムで乾燥後留去する。これにメタノール3
0mlを加え、2N−塩酸 10滴を滴下し、室温で
30分間撹拌する。 析出してきた沈澱物を濾過して集め、これをクロロホル
ム−アセトンから再結晶し、目的化合物の淡黄色結晶4
.1g(収率48%)を得た。
【0045】融点:276.5〜277.5℃IR(ν
KBr,cm−1):3112,2980,1690,
1583,1425,1356,1173,1056,
825 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.52(1
2H,s), 6.09(2H,s), 7.95(4
H,s),14.8(2H,bs)
KBr,cm−1):3112,2980,1690,
1583,1425,1356,1173,1056,
825 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.52(1
2H,s), 6.09(2H,s), 7.95(4
H,s),14.8(2H,bs)
【0046】合成例
9 1,4−ビス(4−メチル−3−オキソ−4−アザペン
タノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =N(
CH3)2、m=0、n=2のもの〕(1i)の合成:
撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備
えた200ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化
ナトリウム5.0g(125mmol)、ジメチルアセ
トアミド10.6g(122mmol)、テレフタル酸
ジメチル10g(51mmol)及び無水テトラヒドロ
フラン100mlを窒素気流下、撹拌混合し、4時間加
熱還流を行った。反応終了後放冷し、2N−塩酸65m
lを加えた後クロロホルムで抽出し、次いで抽出液を無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し粗生成物を得
た。これをクロロホルム−エタノールを用い再結晶し、
目的化合物の淡黄色結晶10.0g(収率64%)を得
た。
9 1,4−ビス(4−メチル−3−オキソ−4−アザペン
タノイル)ベンゼン〔式(1)において、R2 =N(
CH3)2、m=0、n=2のもの〕(1i)の合成:
撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備
えた200ml容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化
ナトリウム5.0g(125mmol)、ジメチルアセ
トアミド10.6g(122mmol)、テレフタル酸
ジメチル10g(51mmol)及び無水テトラヒドロ
フラン100mlを窒素気流下、撹拌混合し、4時間加
熱還流を行った。反応終了後放冷し、2N−塩酸65m
lを加えた後クロロホルムで抽出し、次いで抽出液を無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し粗生成物を得
た。これをクロロホルム−エタノールを用い再結晶し、
目的化合物の淡黄色結晶10.0g(収率64%)を得
た。
【0047】融点:188.0〜189.0℃IR(ν
KBr,cm−1):2932,1620,1500,
1440,1360,1125,786,640 1H−NMR (CDCl3 , δ):3.10(1
2H,s), 4.13(0.4H,s), 5.88
(1.6H,s),7.82(3.2H,s), 7.
75(0.4H,d), 8.05(0.4H,d)
KBr,cm−1):2932,1620,1500,
1440,1360,1125,786,640 1H−NMR (CDCl3 , δ):3.10(1
2H,s), 4.13(0.4H,s), 5.88
(1.6H,s),7.82(3.2H,s), 7.
75(0.4H,d), 8.05(0.4H,d)
【0048】合成例10
1−(4−メチル−3−オキソ−4−アザペンタノイル
)−4−(4,4−ジメチル−3−オキソペンタノイル
)ベンゼン〔式(1)において、R2 =N(CH3)
2及びC(CH3)2、m=0、n=2のもの〕(1j
)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素
導入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、6
0%水素化ナトリウム5.0g(125mmol)、ピ
ナコロン5.1g(51mmol)、テレフタル酸ジメ
チル10g(51mmol)及び無水テトラヒドロフラ
ン30mlを窒素気流下、撹拌混合し、4時間加熱還流
を行った。次いでジメチルアセトアミド4.4g(51
mmol)を滴下し、更に3時間加熱還流を行った。反
応終了後放冷し、2N−塩酸65mlを加えた後、クロ
ロホルムで抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥後
、溶媒を留去し粗生成物を得た。これをアセトンを用い
再結晶し、目的化合物の淡黄色結晶6.9g(収率43
%)を得た。
)−4−(4,4−ジメチル−3−オキソペンタノイル
)ベンゼン〔式(1)において、R2 =N(CH3)
2及びC(CH3)2、m=0、n=2のもの〕(1j
)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び窒素
導入管を備えた100ml容三ッ口フラスコ中にて、6
0%水素化ナトリウム5.0g(125mmol)、ピ
ナコロン5.1g(51mmol)、テレフタル酸ジメ
チル10g(51mmol)及び無水テトラヒドロフラ
ン30mlを窒素気流下、撹拌混合し、4時間加熱還流
を行った。次いでジメチルアセトアミド4.4g(51
mmol)を滴下し、更に3時間加熱還流を行った。反
応終了後放冷し、2N−塩酸65mlを加えた後、クロ
ロホルムで抽出し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥後
、溶媒を留去し粗生成物を得た。これをアセトンを用い
再結晶し、目的化合物の淡黄色結晶6.9g(収率43
%)を得た。
【0049】融点:158.7〜160.1℃IR(ν
CHCl3,cm−1):3010,1610,150
3,1368,1290,1164,1116 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.29(9
H,s), 3.10(6H,bs), 4.15(0
.3H,s),5.88(0.7H,s), 6.35
(1H,s), 7.78−8.10(4H,m)
CHCl3,cm−1):3010,1610,150
3,1368,1290,1164,1116 1H−NMR (CDCl3 , δ):1.29(9
H,s), 3.10(6H,bs), 4.15(0
.3H,s),5.88(0.7H,s), 6.35
(1H,s), 7.78−8.10(4H,m)
【0050】合成例11
1−(3,4−ジメトキシフェニル)−4,4−ジメチ
ルペンタン−1,3−ジオン〔一般式(1)において、
R1 =OCH3 、R2 =t−ブチル、m=2、n
=1のもの〕(1k)の合成:撹拌装置、滴下ロート、
還流冷却器及び窒素導入管を備えた200ml容三ッ口
フフスコ中にて、60%水素化ナトリウム2.45g(
61mmol)、3,4−ジメトキシ安息香酸メチル1
0g(51mmol)及び無水テトラヒドロフラン10
0mlを窒素気流下、攪拌混合し、加熱還流下ピナコロ
ン6.1g(61mmol)を滴下した。7時間加熱還
流後放冷し、2N−塩酸30mlを加えた後、クロロホ
ルムで2回抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥後溶媒を留去し、粗生成物を得た。これにヘキサンを
加え、不溶物を濾過後、濾液を濃縮し再結晶を行い、目
的化合物の無色針状結晶8.9gを得た(収率65%)
。
ルペンタン−1,3−ジオン〔一般式(1)において、
R1 =OCH3 、R2 =t−ブチル、m=2、n
=1のもの〕(1k)の合成:撹拌装置、滴下ロート、
還流冷却器及び窒素導入管を備えた200ml容三ッ口
フフスコ中にて、60%水素化ナトリウム2.45g(
61mmol)、3,4−ジメトキシ安息香酸メチル1
0g(51mmol)及び無水テトラヒドロフラン10
0mlを窒素気流下、攪拌混合し、加熱還流下ピナコロ
ン6.1g(61mmol)を滴下した。7時間加熱還
流後放冷し、2N−塩酸30mlを加えた後、クロロホ
ルムで2回抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥後溶媒を留去し、粗生成物を得た。これにヘキサンを
加え、不溶物を濾過後、濾液を濃縮し再結晶を行い、目
的化合物の無色針状結晶8.9gを得た(収率65%)
。
【0051】融点:52.3〜53.3℃IR(νKB
r,cm−1):1600,1520,1470,14
50,1370,1300,1270,1220,11
90,1130,890, 790,7301H−NM
R (CDCl3 , δ):1.26(9H,s,t
−C4H9), 3.95(3H,s,OCH3 ),
3.96(3H,s,OCH3 ), 6.24(1H
,s), 6.90(1H,d,J=8.4Hz),7
.49(1H,s), 7.51(1H,d,J=8.
4Hz)元素分析 計算値(%)C;68.16, H;7.63実測値(
%)C;68.23, H;7.60
r,cm−1):1600,1520,1470,14
50,1370,1300,1270,1220,11
90,1130,890, 790,7301H−NM
R (CDCl3 , δ):1.26(9H,s,t
−C4H9), 3.95(3H,s,OCH3 ),
3.96(3H,s,OCH3 ), 6.24(1H
,s), 6.90(1H,d,J=8.4Hz),7
.49(1H,s), 7.51(1H,d,J=8.
4Hz)元素分析 計算値(%)C;68.16, H;7.63実測値(
%)C;68.23, H;7.60
【0052】合成
例12 1−(3,4,5−トリメトキシフェニル)−4,4−
ジメチルペンタン−1,3−ジオンベンゼン〔一般式(
1)において、R1 =OCH3、R2 =t−ブチル
、m=3、n=1のもの〕(1l)の合成:撹拌装置、
滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備えた200
ml 容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム3.0g(75mmol)、3,4,5−トリメトキ
シ安息香酸メチル10g(44.3mmol)及び無水
テトラヒドロフラン80mlを窒素気流下撹拌混合し、
加熱還流下ピナコロン5.3g(53.2mmol)を
滴下した。5時間加熱還流後放冷し、2N−塩酸45m
lを加えた後、クロロホルムで2回抽出した。抽出液を
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し、粗生成物を
得た。これにヘキサンを加え、不溶物を濾過後、濾液を
濃縮し再結晶を行い、目的化合物の無色針状結晶9.6
gを得た(収率74%)。
例12 1−(3,4,5−トリメトキシフェニル)−4,4−
ジメチルペンタン−1,3−ジオンベンゼン〔一般式(
1)において、R1 =OCH3、R2 =t−ブチル
、m=3、n=1のもの〕(1l)の合成:撹拌装置、
滴下ロート、還流冷却器及び窒素導入管を備えた200
ml 容三ッ口フラスコ中にて、60%水素化ナトリウ
ム3.0g(75mmol)、3,4,5−トリメトキ
シ安息香酸メチル10g(44.3mmol)及び無水
テトラヒドロフラン80mlを窒素気流下撹拌混合し、
加熱還流下ピナコロン5.3g(53.2mmol)を
滴下した。5時間加熱還流後放冷し、2N−塩酸45m
lを加えた後、クロロホルムで2回抽出した。抽出液を
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し、粗生成物を
得た。これにヘキサンを加え、不溶物を濾過後、濾液を
濃縮し再結晶を行い、目的化合物の無色針状結晶9.6
gを得た(収率74%)。
【0053】融点:67.3〜68.4℃IR(νKB
r,cm−1):2970,1590,1560,15
10,1470,1430,1340,1230,12
20,1180,1130,990, 8001H−N
MR (CDCl3 , δ):1.26(9H,s,
t−C4H9 ), 3.91(3H,s,OCH3
),3.93(6H,s,OCH3 ), 6.21(
1H,s), 7.13(2H,s) 元素分析 計算値(%)C;65.29, H;7.53実測値(
%)C;65.38, H;7.51
r,cm−1):2970,1590,1560,15
10,1470,1430,1340,1230,12
20,1180,1130,990, 8001H−N
MR (CDCl3 , δ):1.26(9H,s,
t−C4H9 ), 3.91(3H,s,OCH3
),3.93(6H,s,OCH3 ), 6.21(
1H,s), 7.13(2H,s) 元素分析 計算値(%)C;65.29, H;7.53実測値(
%)C;65.38, H;7.51
【0054】合成
例13 1−[ 5−(1,3−ジオキサインダニル) ]−4
,4−ジメチルペンタン−1,3−ジオン〔一般式(1
)において
例13 1−[ 5−(1,3−ジオキサインダニル) ]−4
,4−ジメチルペンタン−1,3−ジオン〔一般式(1
)において
【0055】
【化7】
【0056】、R2 =t−ブチル、n=1のもの〕(
1m)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び
窒素導入管を備えた500ml容三ツ口フラスコ中にて
、60%水素化ナトリウム20.13 g(0.50m
ol )、ピペロニル酸メチル44.70g(0.24
8mol)を入れ、200ml のテトラヒドロフラン
に分散混合し、加熱還流した。ここに、ピナコロン25
.0g(0.25mol)を注意深く滴下し、3時間加
熱攪拌を続けた。放冷後、反応混合物を1N−塩酸10
0mlに注ぎ、有機物をクロロホルムで2回抽出した。 抽出物を充分水洗した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を留去後、ヘキサン−酢酸エチル(20:1)を展
開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行
い、ついで減圧蒸留(126−128 ℃/0.02m
mHg)して目的物を黄色油状物として47.90 g
(収率78%)を得た。この黄色油状物は終日室温に放
置すると固体化した。この個体をヘキサンから再結晶し
、無色柱状晶を得た。
1m)の合成:撹拌装置、滴下ロート、還流冷却器及び
窒素導入管を備えた500ml容三ツ口フラスコ中にて
、60%水素化ナトリウム20.13 g(0.50m
ol )、ピペロニル酸メチル44.70g(0.24
8mol)を入れ、200ml のテトラヒドロフラン
に分散混合し、加熱還流した。ここに、ピナコロン25
.0g(0.25mol)を注意深く滴下し、3時間加
熱攪拌を続けた。放冷後、反応混合物を1N−塩酸10
0mlに注ぎ、有機物をクロロホルムで2回抽出した。 抽出物を充分水洗した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を留去後、ヘキサン−酢酸エチル(20:1)を展
開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行
い、ついで減圧蒸留(126−128 ℃/0.02m
mHg)して目的物を黄色油状物として47.90 g
(収率78%)を得た。この黄色油状物は終日室温に放
置すると固体化した。この個体をヘキサンから再結晶し
、無色柱状晶を得た。
【0057】融点:48.7℃
IR(νKBr,cm−1):2970,2910,1
600,1510,1490,1460,1350,1
290,1220,1130,1110,1040,9
70, 930, 910, 790 1H−NMR (CCl3 ,δ): 1.29(9H
,s,t−Bu), 5.93(2H,s,−O−CH
2−O−),6.01(1H,s), 6.70(1H
,d,J=8Hz,Aromatic),7.78 〜
8.35(3H,m,Aromatic), 14.8
3(2H,bs)
600,1510,1490,1460,1350,1
290,1220,1130,1110,1040,9
70, 930, 910, 790 1H−NMR (CCl3 ,δ): 1.29(9H
,s,t−Bu), 5.93(2H,s,−O−CH
2−O−),6.01(1H,s), 6.70(1H
,d,J=8Hz,Aromatic),7.78 〜
8.35(3H,m,Aromatic), 14.8
3(2H,bs)
【0058】実施例1
流動パラフィンに、合成例1で得た化合物(1a)を5
%、軽質イソパラフィン(IPソルベント1620)を
5%となるように加え紫外線防御組成物を得た。この紫
外線防御組成物の紫外線防御効果をモルモットを用いた
SPF値を測定することにより求めた。なお、比較例1
として化合物(1a)5%のみを含むものを用いた。結
果を表1に示す。
%、軽質イソパラフィン(IPソルベント1620)を
5%となるように加え紫外線防御組成物を得た。この紫
外線防御組成物の紫外線防御効果をモルモットを用いた
SPF値を測定することにより求めた。なお、比較例1
として化合物(1a)5%のみを含むものを用いた。結
果を表1に示す。
【0059】
【表1】
【0060】実施例2
パルミチン酸イソプロピルに、合成例2で得た化合物(
1b)を5%、シリコーンSH 244(信越シリコー
ン(株)製)を5%となるよう配合し、紫外線防御組成
物を得た。この紫外線防御組成物の紫外線防御効果を実
施例1と同様に測定した。なお比較例2は化合物(1b
)のみを5%含有するものである。結果を表2に示す。
1b)を5%、シリコーンSH 244(信越シリコー
ン(株)製)を5%となるよう配合し、紫外線防御組成
物を得た。この紫外線防御組成物の紫外線防御効果を実
施例1と同様に測定した。なお比較例2は化合物(1b
)のみを5%含有するものである。結果を表2に示す。
【0061】
【表2】
【0062】実施例3
合成例11で得られた化合物(1k)をIPソルベント
2020に5%の濃度で溶解せしめ、紫外線防御組成物
を得た。比較例3としてIPソルベント2020に代え
て、流動パラフィンを用いたものを用いた。それぞれの
SPF値を実施例1の方法に準じて求めた。この結果を
表3に示す。
2020に5%の濃度で溶解せしめ、紫外線防御組成物
を得た。比較例3としてIPソルベント2020に代え
て、流動パラフィンを用いたものを用いた。それぞれの
SPF値を実施例1の方法に準じて求めた。この結果を
表3に示す。
【0063】
【表3】
【0064】実施例4
合成例12で得られた化合物(1l)をシリコーンSF
−244、SH−245の混合物(重量比で6:4)に
5%の濃度で溶解せしめ、紫外線防御組成物を得た。比
較例として化合物(1l)を流動パラフィンに溶解せし
め5%としたものを用いた。この両者のSPFを実施例
1と同様な方法で求めた。結果を表4に示す。
−244、SH−245の混合物(重量比で6:4)に
5%の濃度で溶解せしめ、紫外線防御組成物を得た。比
較例として化合物(1l)を流動パラフィンに溶解せし
め5%としたものを用いた。この両者のSPFを実施例
1と同様な方法で求めた。結果を表4に示す。
【0065】
【表4】
【0066】実施例5 日焼け止めO/W型クリーム
実施例3で作成した紫外線防御組成物を用いて日焼け止
めO/W型クリームを作成した。処方は表5に示す。こ
のクリームの紫外線防止効果を測定すると、SPF=3
であった。
実施例3で作成した紫外線防御組成物を用いて日焼け止
めO/W型クリームを作成した。処方は表5に示す。こ
のクリームの紫外線防止効果を測定すると、SPF=3
であった。
【0067】
【表5】
【0068】実施例6 日焼け止めW/O型クリーム
化合物(1l)とシリコーンKF−96L(1cs)
を、そのまま表6に示す組成の化粧料へ配合する。配合
して得られたW/O型クリームのSPFは6であった。
化合物(1l)とシリコーンKF−96L(1cs)
を、そのまま表6に示す組成の化粧料へ配合する。配合
して得られたW/O型クリームのSPFは6であった。
【0069】
【表6】
【0070】実施例7 UVケアファンデーション以
下の組成のUVケアファンデーションを製造した。 オクタメチルシクロテトラシロキサン 15
%デカメチルシクロペンタシロキサン
5ジメチルポリシロキサン (20cs)
10トーレシリコーン SH3772C
0.5合成例3の化
合物
5シリコーン処理粉体
下の組成のUVケアファンデーションを製造した。 オクタメチルシクロテトラシロキサン 15
%デカメチルシクロペンタシロキサン
5ジメチルポリシロキサン (20cs)
10トーレシリコーン SH3772C
0.5合成例3の化
合物
5シリコーン処理粉体
Claims (1)
- 【請求項1】 次の一般式(1) (R1)mPh(COCH2COR2)n (1
)〔式中、R1 は水酸基、炭素数1〜24のアルコキ
シ基、炭素数2〜24のアルケニルオキシ基又は(ポリ
オキシアルキレン)オキシ基を示し、また2個のR1
でα−メチレンジオキシ基を形成してもよく、m個の基
−COCH2COR2 はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、R2 は炭素数2〜24の飽和もしくは不飽
和の炭化水素基、炭素数1〜24のヒドロキシアルキル
基、炭素数2〜24のアルコキシアルキル基、炭素数3
〜24のアルケニルオキシアルキル基又は基 【化1】 (ここで、R3 及びR4 はそれぞれ炭素数1〜24
の炭化水素基を示すか、又はR3 とR4 が一緒にな
って更に酸素原子を含んでいてもよい5〜7員環を形成
してもよい)を示し、Phはベンゼン核を示し、mは0
〜4の整数を示し、nは1〜4の整数を示す。ただし、
m+n≦6である〕で表わされるベンゾイルケトン誘導
体又はその塩、及び揮発性油を含有することを特徴とす
る紫外線防御組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7790191A JPH04312518A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 紫外線防御組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7790191A JPH04312518A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 紫外線防御組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04312518A true JPH04312518A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13646979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7790191A Pending JPH04312518A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 紫外線防御組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04312518A (ja) |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP7790191A patent/JPH04312518A/ja active Pending
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