JPH04307926A - 化合物半導体薄膜単結晶の成長方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜単結晶の成長方法Info
- Publication number
- JPH04307926A JPH04307926A JP7295791A JP7295791A JPH04307926A JP H04307926 A JPH04307926 A JP H04307926A JP 7295791 A JP7295791 A JP 7295791A JP 7295791 A JP7295791 A JP 7295791A JP H04307926 A JPH04307926 A JP H04307926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- compound semiconductor
- doped
- gaas
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000024188 Andala Species 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ単結晶基板上に化
合物半導体薄膜単結晶を成長させる方法に関する。
合物半導体薄膜単結晶を成長させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ単結晶基板上に成長した化合物半導
体薄膜単結晶は、高速ＩＣ、光ＩＣ、光素子などに利用
される。従来、Ｓｉ単結晶基板上に化合物半導体薄膜単
結晶を成長させる方法としては、分子線エピタキシー（
ＭＢＥ）法や有機金属気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法がある
。
体薄膜単結晶は、高速ＩＣ、光ＩＣ、光素子などに利用
される。従来、Ｓｉ単結晶基板上に化合物半導体薄膜単
結晶を成長させる方法としては、分子線エピタキシー（
ＭＢＥ）法や有機金属気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法がある
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来方法のＭ
ＢＥ法やＭＯＣＶＤ法では、成長したＧａＡｓ薄膜単結
晶の転位密度が大きいという問題があった。本発明は、
転位密度の小さいＧａＡｓ薄膜単結晶の成長方法を提供
するものである。
ＢＥ法やＭＯＣＶＤ法では、成長したＧａＡｓ薄膜単結
晶の転位密度が大きいという問題があった。本発明は、
転位密度の小さいＧａＡｓ薄膜単結晶の成長方法を提供
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｓｉ単結晶基
板上に化合物半導体薄膜単結晶を成長させる方法におい
て、基板にまずＳｉドープ化合物半導体単結晶を成長さ
せ、その後、Ｓｉドープ化合物半導体単結晶の上に所望
の化合物半導体薄膜単結晶を成長させることを特徴とす
るものである。
板上に化合物半導体薄膜単結晶を成長させる方法におい
て、基板にまずＳｉドープ化合物半導体単結晶を成長さ
せ、その後、Ｓｉドープ化合物半導体単結晶の上に所望
の化合物半導体薄膜単結晶を成長させることを特徴とす
るものである。
【０００５】化合物半導体としては、ＧａＡＳ、ＡｌＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、ＢＡｓ、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ａｌ
Ｓｂ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ等が使用される。Ｓｉドープ
化合物半導体のＳｉドープ量は１０１８ｃｍ−３以上が
好ましい。Ｓｉドープ化合物半導体の厚さは１００Å〜
１μｍが好ましい。Ｓｉドープ化合物半導体単結晶、化
合物半導体単結晶の形成法は、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法
が使用される。
ｓ、ＩｎＡｓ、ＢＡｓ、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ａｌ
Ｓｂ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ等が使用される。Ｓｉドープ
化合物半導体のＳｉドープ量は１０１８ｃｍ−３以上が
好ましい。Ｓｉドープ化合物半導体の厚さは１００Å〜
１μｍが好ましい。Ｓｉドープ化合物半導体単結晶、化
合物半導体単結晶の形成法は、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法
が使用される。
【０００６】
【実施例】Ｓｉ基板の表面を清浄化し、次に基板温度を
５５０℃にし、Ｓｉの濃度が１０２０ｃｍ−３のＳｉド
ープＧａＡｓ単結晶を１００ｎｍ成長させた。次に同温
度でＧａＡｓ単結晶を３μｍ成長させた。比較のために
、ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を成長させないでＳｉ基板
に直接ＧａＡｓ単結晶を３μｍ成長させた。このように
して成長させたＧａＡｓ薄膜単結晶の表面を３５０℃で
１０秒間溶融ＫＯＨでエッチングし、ＧａＡｓ薄膜単結
晶の転位密度を評価した。ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を
成長させた場合は、転位密度は１０７ｃｍ−３であった
が、ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を成長させない場合は、
転位密度が１０９ｃｍ−３であった。
５５０℃にし、Ｓｉの濃度が１０２０ｃｍ−３のＳｉド
ープＧａＡｓ単結晶を１００ｎｍ成長させた。次に同温
度でＧａＡｓ単結晶を３μｍ成長させた。比較のために
、ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を成長させないでＳｉ基板
に直接ＧａＡｓ単結晶を３μｍ成長させた。このように
して成長させたＧａＡｓ薄膜単結晶の表面を３５０℃で
１０秒間溶融ＫＯＨでエッチングし、ＧａＡｓ薄膜単結
晶の転位密度を評価した。ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を
成長させた場合は、転位密度は１０７ｃｍ−３であった
が、ＳｉドープＧａＡｓ単結晶を成長させない場合は、
転位密度が１０９ｃｍ−３であった。
【０００７】このようにＳｉドープＧａＡｓ単結晶の層
がある場合は、直接ＧａＡｓを成長させたときに比べ、
転位密度が１／１００に減少した。ＧａＡｓ薄膜単結晶
のみでなく本発明の方法は、その他のＩＩＩ −Ｖ族や
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びそれらの混晶薄膜単結晶
の成長にも適用できる。
がある場合は、直接ＧａＡｓを成長させたときに比べ、
転位密度が１／１００に減少した。ＧａＡｓ薄膜単結晶
のみでなく本発明の方法は、その他のＩＩＩ −Ｖ族や
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びそれらの混晶薄膜単結晶
の成長にも適用できる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓｉ単結晶基板上に転
位密度の小さいＧａＡｓ薄膜単結晶等の化合物半導体薄
膜単結晶を形成することができる。
位密度の小さいＧａＡｓ薄膜単結晶等の化合物半導体薄
膜単結晶を形成することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉ単結晶基板に、Ｓｉドープ化合物
半導体単結晶を成長させ、そのＳｉドープ化合物半導体
単結晶の上に更に化合物半導体薄膜単結晶を成長させる
ことを特徴とする化合物半導体薄膜単結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7295791A JPH04307926A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 化合物半導体薄膜単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7295791A JPH04307926A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 化合物半導体薄膜単結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307926A true JPH04307926A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=13504373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7295791A Pending JPH04307926A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 化合物半導体薄膜単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307926A (ja) |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP7295791A patent/JPH04307926A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63169717A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH03236218A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 | |
| US4948751A (en) | Moelcular beam epitaxy for selective epitaxial growth of III - V compound semiconductor | |
| US5363799A (en) | Method for growth of crystal | |
| JPH04233219A (ja) | 半導体デバイスからなる製品の製造方法 | |
| US4500367A (en) | LPE Growth on group III-V compound semiconductor substrates containing phosphorus | |
| JPH04307926A (ja) | 化合物半導体薄膜単結晶の成長方法 | |
| JPH0475649B2 (ja) | ||
| JPS63184320A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01161822A (ja) | 素子およびその製造法 | |
| JPS62291909A (ja) | ＧａＡｓエピタキシヤル成長方法 | |
| JP3167350B2 (ja) | 素子の製造法 | |
| Banerjee et al. | Observation of phase separation in (Ge2) x (GaAs) 1− x alloys grown by molecular beam epitaxy | |
| JP2751362B2 (ja) | Ｈｇ化合物結晶成長方法 | |
| JPS60211912A (ja) | 低転位半絶縁性基板 | |
| JP3236634B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| JPS6288317A (ja) | 化合物半導体基板 | |
| JPH0360173B2 (ja) | ||
| JPH04290423A (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体装置 | |
| JPS6321286A (ja) | 異種基板上の化合物半導体エピタキシヤル成長方法 | |
| Zakharenkov et al. | Liquid epitaxy growth of InP layers | |
| JPS636834A (ja) | 選択エピタキシヤル成長方法 | |
| Yamagishi | GaAs ICs on Si Substrates and Formation on Multi GaAs Layer Structure | |
| JPS61291489A (ja) | 半導体のヘテロエピタキシヤル結晶成長方法 | |
| JPS61280609A (ja) | ヘテロ接合構造 |