JPH04307920A - 半導体ウエハの移送方法および半導体ウエハ用移送装置 - Google Patents

半導体ウエハの移送方法および半導体ウエハ用移送装置

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JPH04307920A
JPH04307920A JP3099820A JP9982091A JPH04307920A JP H04307920 A JPH04307920 A JP H04307920A JP 3099820 A JP3099820 A JP 3099820A JP 9982091 A JP9982091 A JP 9982091A JP H04307920 A JPH04307920 A JP H04307920A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
pallet
semiconductor wafer
holder
vibration
Prior art date
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Pending
Application number
JP3099820A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunitoshi Nishimura
国俊 西村
Yuji Takeda
有司 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハをホルダ
ーに保持させて移送する半導体ウエハの移送方法および
その移送方法を実施するための半導体ウエハ用移送装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばEB装置など半導体ウエハ
(以下、単にウエハという)上にパターンを形成するリ
ソグラフィ装置の内部でウエハを搬送する搬送形態とし
ては、ウエハをそのまま運ぶ方法と、パレットと称する
搬送体にウエハを保持させて運ぶ方法とがある。このパ
レットを図3(a),(b)によって説明する。図3は
従来のパレットにウエハを組み込んだ状態を示す図で、
同図(a)はパレットの断面図、同図(b)はパレット
の底面図である。なお、(b)図においては、パレット
の底部の一部を破断して示す。これらの図において、1
はウエハ保持用ホルダーとしてのパレット、2は前記パ
レット1の本体としてのフレームで、このフレーム2は
、上側円形開口部2aが形成された上板2bと、前記開
口部2aより小径な円形開口部2cが形成された底板2
dとを備え、上板2bと底板2dとの間に平面視円形の
ウエハ収納空間3が設けられている。4は前記ウエハ収
納空間3に挿入されたウエハ、5および6は前記半導体
ウエハ4を上板2bの下面に押し付けるための板ばねで
ある。これらの板ばね5,6は細長い薄板状に形成され
、十字状に連結された2本の板ばね5がウエハ4の下面
に当接し、前記板ばね5どうしの連結部の下側に連結さ
れた板ばね6が底板2bの上面に当接している。すなわ
ち、ウエハ4はこれら板ばね5,6によってフレーム2
に押し付けられて保持されることになる。
【0003】ウエハ4は上述したパレット1に組み込ま
れた状態で搬送され、そのままの状態で露光処理される
。すなわち、先ず、リソグラフィ装置の外部においてパ
レット1にウエハ4を組み込み、そのパレット1をリソ
グラフィ装置内に搬送し設定位置に固定する。ウエハ4
はこのようにパレット単位でリソグラフィ装置内に搬送
され、位置決めされた後に露光処理される。その際、パ
レット1は搬送用ベルト(図示せず)やロボット(図示
せず)によって搬送されるが、ウエハ4自体が直接移動
体に触れないのでウエハ4を傷める心配がなく、安定し
た搬送が可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このように
構成されたパレット1では、搬送途中あるいはリソグラ
フィ装置での描画中に外部から振動を受けると、フレー
ム2に対してウエハ4が相対的にずれるという問題があ
った。なお、パレット1を使用せずにウエハ4をそのま
ま搬送する方法を採っても、リソグラフィ装置の基準面
にウエハ4を固定する固定構造がパレット1でのウエハ
保持構造と同様な構造では、基準面が振動を受けた際に
ウエハ4がやはりずれてしまう。ここで、上述したよう
にウエハ4がずれる原因を図4および図5を用いて説明
する。図4はウエハずれの発生原因を説明するための原
理図、図5は加速度と変位の関係を示すグラフである。 図4において、Mで示す物体11を板ばね12で上方か
ら押さえることを考える。板ばね12を支えるブロック
13を徐々に下げると、板ばね12は図4中下側に示す
ように弾性変形し、物体11にPで示す押し付け力を付
加する。この時、板ばね12の変形に伴い、板ばね12
と物体11の接触点が図4において左方向へ移動してい
く。したがって、この押え方では、押し付け力Pが加わ
っている状態では同時に左方向へμ0 Pという剪断荷
重も加わっていることになる。なお、μ0 は板ばね1
2と物体11の間の摩擦係数である。このような状態に
おいて、外から振動を受けた場合にどうなるかを示した
グラフが図5である。図5では横軸に加速度を、縦軸に
変位をとっている。図5に示すように、加速度の大きさ
を調和振動的に0から徐々に上げていくと物体11の変
位はA→B→Cと変化していく。B点までは相対的なず
れはないが、それ以上の加速度になるとずれ始めること
が分かる。なお、μ1 は物体11とベース14の間の
摩擦係数、Mは物体11の質量、Kは板ばね12の横方
向のばね定数である。物体11とベース14間ですべり
を生じさせないための工夫は、図5からいくつか読み取
れる。 すなわち、外から加えられる加速度をB点に相当する加
速度以下になるように防振する。あるいはμ0を0に近
づける等である。しかし、現実的には設計上や材料取り
などさまざまな制約があるので、完全にずれを0にする
ことは難しい。そこで1つの解決策は、予め外から人為
的に振動を与えて物体11を変位させてしまうことであ
る。例えば、αの加速度を与えると、変位はx0 とな
り、次に加速度が付加されるときD点まではずれないよ
うになるからである。ここで、与える加速度がμ1 P
/Mより小さく、しかも、なるべくそれに近い大きさの
加速度を与えるのが理想的である。図3(a),(b)
に戻ると、ウエハ4は板ばね5,6によってフレーム2
に押し付けられるが、ばね力はばね5が弾性変形するこ
とによってもたらされるため、図4および図5で説明し
たすべりを内在している。ただし、板ばね5とウエハ4
との接触箇所は複数であり、しかも摩擦係数は表面状態
によって微妙に変わると考えるのが常識的であるので、
すべりの現象は複雑になるが現象の本質は同じである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハの移送方法は、ウエハ保持用ホルダーに、半導体ウエ
ハをウエハ面と直交する方向へ押圧する板ばねによって
押し付けて保持させ、次いで、前記ホルダーを振動させ
、このホルダーに、ホルダーに装着された状態での半導
体ウエハのホルダーに対する最大摩擦力より小さい慣性
力を付与し、しかる後、半導体ウエハをホルダーと共に
ウエハ移送装置によって移送するものである。本発明に
係る半導体ウエハ用移送装置は、移送装置の本体に、ホ
ルダーに装着された状態でのホルダーに対する半導体ウ
エハの最大摩擦力より小さい慣性力を前記ホルダーに振
動によって付与する加振装置を設けたものである。
【0006】
【作用】ウエハをホルダーに組み込んだ時に生じるウエ
ハを側方へ引っ張ろうとする剪断荷重は、ホルダーが振
動することで低減除去される。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1によって詳細
に説明する。図1は本発明に係る半導体ウエハの移送方
法を実施するに当たり使用する加振装置の斜視図で、同
図においては振動台とパレットの一部を破断して示す。 図1において前記図3(a),(b)で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。図1において21は加振装置本体と
しての振動台で、この振動台21の平坦な上面21aに
は、クランプ22によってパレット1が載置固定されて
いる。なお、前記クランプ22は支軸22aを中心とし
て揺動する構造で、パレット1の2側部を固定するよう
に振動台21に2つ取付けられている。また、パレット
1の内部の板ばね等は図1では省略してあるが、構造は
従来のものと同等である。23は前記振動台21を弾性
支持するための圧縮コイルばねで、前記振動台21の底
部に取付けられている。振動台21は、半導体ウエハ用
移送装置としてのベルト式搬送装置に前記圧縮コイルば
ね23を介して取付けられる。
【0008】24は前記振動台21を振動させるための
加振機で、この加振機24は回転数を連続的に変えるこ
とのできる例えば直流モータによって構成されている。 そして、この加振機24は、その回転軸24aに不釣り
合いの錘25が設けられており、振動台21の下部に固
定されている。すなわち、この加振機24の回転軸24
aが回転すると、不釣り合いの錘25が回転することに
より生じる遠心力が振動台21に伝わることになり、圧
縮コイルばね23で弾性支持された振動台21が振動す
ることになる。この時に生じる加速度の大きさは回転数
の2乗に反比例するので、加速度の大きさを連続的に変
えることが可能である。また、加速度の大きさは、パレ
ット1に、パレット1に装着された状態でのウエハ4の
パレット1に対する最大摩擦力より小さい慣性力を付与
するように設定される。これは、モータを回転数0から
静かに立ち上げて回転数を徐々に上昇させ、得られる加
速度が前記図5で示した最大加速度μ1 P/Mの7〜
9割となるまで回転数を上げることによって行う。ここ
で、μ1 はウエハ4とパレット1との間の摩擦係数、
Pはウエハ押し付け力、Mはウエハ4の質量である。な
お、その最大回転数の値は、予め計算しておき、操作者
が回転計や加速度計をモニタしながらモータの電圧を制
御してもよいし、計算機で制御してもよい。
【0009】次に、このように構成された加振装置を使
用したウエハの移送方法について説明する。先ず、従来
と同様にしてパレット1にウエハ4を組み込む。そして
、そのパレット1を、ベルト式搬送装置に装着された加
振装置の振動台21上に固定する。次に、加振機24を
回転数0から立ち上げて前記最大回転数となるまで作動
させ、振動台21を所定の加速度をもって振動させる。 このように振動台21を振動させることによって、ウエ
ハ4をパレット1に組み込んだ時に生じる側方へ引っ張
ろうとする剪断荷重が低減除去されることになる。 加振機24を停止させた後、パレット1を振動台21か
らベルト式搬送装置のベルト(図示せず)に移載させ、
リソグラフィ装置(図示せず)に移送する。このように
してウエハ4が移送されることになる。
【0010】したがって、本発明によれば、ウエハ4を
パレット1に組み込んだ時に生じるウエハを側方へ引っ
張ろうとする剪断荷重は、ベルト式搬送装置でパレット
1を移送する前に低減除去される。このため、前記与振
加速度以下で動作するリソグラフィ装置であれば、描画
中にウエハ4がずれるようなことはなくなる。
【0011】なお、本実施例ではリソグラフィ装置の外
部でパレット1を振動させた例を示したが、本発明はこ
のような限定にとらわれることなく、図1で示した加振
装置の加振機24をリソグラフィ装置内のXYステージ
に設けてもよい。その際にはXYステージが実質的な半
導体ウエハ用移送装置となる。このようにすると、リソ
グラフィ装置内に余分なスペースが必要になる欠点はあ
るが、ウエハ4の搬送形態によらず本発明を適用できる
。すなわち、パレット1を用いずにウエハ4をそのまま
搬送して板ばねでXYステージのホルダーに保持させる
場合であっても、XYステージが振動することになる関
係から、内在する剪断荷重を低減させることができる。 また、図1で示す加振装置でウエハ4またはパレット1
のずれを低減した後、リソグラフィ装置内の所定位置に
搬送する途中で過度の加速度を与えてしまうと、剪断荷
重が逆に増加することにもなりかねないので、スペース
の余裕があれば上述したようにXYステージに直接加振
機24を装置した方が得策である。
【0012】また、本実施例では加振力を付与するため
に錘を回転させた例を示したが、図2に示すように錘を
磁気的に振動させる構造とすることもできる。図2は加
振装置用加振機の他の実施例を示す斜視図である。同図
において、31は磁気振動式加振機、32はこの加振機
31の重錘である。この重錘32は磁性体によって形成
され、上下より弾性体33(下側の弾性体は図示せず)
で支持されている。この弾性体33はフレキシブルカッ
プリングと呼称されているものと同類であり、回転方向
の剛性は高いが曲げ方向には弱い構造体である。前記重
錘32は同図中に示すように着磁されており、またヨー
ク34,35がその周囲に設けられている。ヨーク34
,35は1本のフレーム(図示せず)に固定されている
。また、ヨーク34,35にはコイル36が巻かれてお
り、このコイル36に電流を流すことにより重錘32は
2次元的に振れ、加速度を発生する。加速度の大きさを
変えるためには、その振動数を変えてもよいが、振幅を
変える方が容易である。生じる加速度の大きさは、この
加振機を設置するステージ(振動台)の剛性によって変
化するので、加振前に加振機に与える電流の大きさと、
生じる加速度の大きさの関係を求めておく必要がある。 いずれにしても、描画直前にウエハに対してこの加振機
を動作させ、残存する剪断荷重を低減除去しておけばよ
い。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハの移送方法は、ウエハ保持用ホルダーに、半導体
ウエハをウエハ面と直交する方向へ押圧する板ばねによ
って押し付けて保持させ、次いで、前記ホルダーを振動
させ、このホルダーに、ホルダーに装着された状態での
半導体ウエハのホルダーに対する最大摩擦力より小さい
慣性力を付与し、しかる後、半導体ウエハをホルダーと
共にウエハ移送装置によって移送するものであり、本発
明に係る半導体ウエハ用移送装置は、移送装置の本体に
、ホルダーに装着された状態でのホルダーに対する半導
体ウエハの最大摩擦力より小さい慣性力を前記ホルダー
に振動によって付与する加振装置を設けたものである。 このため、半導体ウエハをホルダーに組み込んだ時に生
じる半導体ウエハを側方へ引っ張ろうとする剪断荷重は
、半導体ウエハ用移送装置で半導体ウエハを移送する前
に低減除去される。したがって、半導体ウエハをパレッ
トあるいはXYステージの押し付け位置に固定した後で
あって移送前に設定加速度を与え、内在する剪断荷重を
低減させているため、描画中に半導体ウエハが基準位置
からずれることなく、高精度な描画が可能になるという
利点がある。また、パレットでウエハを搬送する方式に
おいて、パレット自体がXYステージに固定された後に
ずれる心配がある場合にも、本発明の方法を適用すれば
、ずれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体ウエハの移送方法を実施す
るに当たり使用する加振装置の斜視図で、同図において
は振動台とパレットの一部を破断して示す。
【図2】加振装置用加振機の他の実施例を示す斜視図で
ある。
【図3】従来のパレットにウエハを組み込んだ状態を示
す図で、同図(a)はパレットの断面図、同図(b)は
パレットの底面図である。
【図4】ウエハずれの発生原因を説明するための原理図
である。
【図5】加速度と変位の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1    パレット 4    半導体ウエハ 5    板ばね 6    板ばね 21    振動台 24    加振機 31    磁気振動式加振機

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ウエハ保持用ホルダーに、半導体ウエ
    ハをウエハ面と直交する方向へ押圧する板ばねによって
    押し付けて保持させ、次いで、前記ホルダーを振動させ
    、このホルダーに、ホルダーに装着された状態での半導
    体ウエハのホルダーに対する最大摩擦力より小さい慣性
    力を付与し、しかる後、半導体ウエハをホルダーと共に
    ウエハ移送装置によって移送することを特徴とする半導
    体ウエハの移送方法。
  2. 【請求項2】  半導体ウエハが板ばねによってウエハ
    面と直交する押圧方向をもって押し付けられるウエハ保
    持用ホルダーを支持し、かつこのホルダーを水平移動さ
    せる半導体ウエハ用移送装置において、この移送装置の
    本体に、ホルダーに装着された状態でのホルダーに対す
    る半導体ウエハの最大摩擦力より小さい慣性力を前記ホ
    ルダーに振動によって付与する加振装置を設けたことを
    特徴とする半導体ウエハ用移送装置。
JP3099820A 1991-04-05 1991-04-05 半導体ウエハの移送方法および半導体ウエハ用移送装置 Pending JPH04307920A (ja)

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JP3099820A JPH04307920A (ja) 1991-04-05 1991-04-05 半導体ウエハの移送方法および半導体ウエハ用移送装置

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JP3099820A Pending JPH04307920A (ja) 1991-04-05 1991-04-05 半導体ウエハの移送方法および半導体ウエハ用移送装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525858A (ja) * 1998-09-18 2002-08-13 ゼネラル・スキャニング・インコーポレーテッド 高速精密位置決め装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525858A (ja) * 1998-09-18 2002-08-13 ゼネラル・スキャニング・インコーポレーテッド 高速精密位置決め装置

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