JPH04306886A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH04306886A JPH04306886A JP3100433A JP10043391A JPH04306886A JP H04306886 A JPH04306886 A JP H04306886A JP 3100433 A JP3100433 A JP 3100433A JP 10043391 A JP10043391 A JP 10043391A JP H04306886 A JPH04306886 A JP H04306886A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体発光素子に関し
、特に、ＭＯＣＶＤ法により作製される（Ａｌｘ Ｇａ
１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた発光素
子に関するものである。
、特に、ＭＯＣＶＤ法により作製される（Ａｌｘ Ｇａ
１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた発光素
子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた発光素子の層構造
の一例を示す断面図であり、図において、１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．
５ Ｐクラッド層、３はＩｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ活
性層、４はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５
Ｐクラッド層、５はｐ−Ｉｎ０．５Ｇａ０．５ Ｐバン
ド不連続緩和層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた発光素子の層構造
の一例を示す断面図であり、図において、１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．
５ Ｐクラッド層、３はＩｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ活
性層、４はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５
Ｐクラッド層、５はｐ−Ｉｎ０．５Ｇａ０．５ Ｐバン
ド不連続緩和層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。
【０００３】この従来の発光素子は以下のようにして作
製される。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に第１の成長工
程において、ｎ型クラッド層２，活性層３、ｐ型クラッ
ド層４、バンド不連続緩和層５を連続的にＭＯＣＶＤ（
有機金属気相成長法）により成長する。次に、例えば、
ＳｉＮ膜等からなるストライプ状のマスクを形成し、選
択エッチングにより、バンド不連続緩和層５及びｐ型ク
ラッド層６の所望領域をエッチング除去し、所望の厚さ
だけｐ型クラッド層６を残すとももに、バンド不連続緩
和層５とｐ型クラッド層６からなるストライプ状のメサ
を形成する。
製される。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に第１の成長工
程において、ｎ型クラッド層２，活性層３、ｐ型クラッ
ド層４、バンド不連続緩和層５を連続的にＭＯＣＶＤ（
有機金属気相成長法）により成長する。次に、例えば、
ＳｉＮ膜等からなるストライプ状のマスクを形成し、選
択エッチングにより、バンド不連続緩和層５及びｐ型ク
ラッド層６の所望領域をエッチング除去し、所望の厚さ
だけｐ型クラッド層６を残すとももに、バンド不連続緩
和層５とｐ型クラッド層６からなるストライプ状のメサ
を形成する。
【０００４】この後、上記選択エッチング工程で用いた
エッチングマスクをマスクとして第２の成長工程におい
て、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を選択的に成長する
。そして、このマスクを除去後、第３の成長工程におい
て、コンタクト層７を成長して、この構造は完了する。 最後に基板１の裏面にｎ側電極、コンタクト層７上にｐ
側電極を形成して発光素子が作製される。ここで、ｐ型
ドーピング不純物としてはＺｎ，Ｍｇが用いられる。ま
たｎ型ドーピング不純物としてはＳｉもしくはＳｅが用
いられる。
エッチングマスクをマスクとして第２の成長工程におい
て、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を選択的に成長する
。そして、このマスクを除去後、第３の成長工程におい
て、コンタクト層７を成長して、この構造は完了する。 最後に基板１の裏面にｎ側電極、コンタクト層７上にｐ
側電極を形成して発光素子が作製される。ここで、ｐ型
ドーピング不純物としてはＺｎ，Ｍｇが用いられる。ま
たｎ型ドーピング不純物としてはＳｉもしくはＳｅが用
いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＡｌＧａＩｎＰ
系の材料を用いた発光素子は、上記のような構造をして
いた。ところで、ｐ型不純物はＡｌＧａＩｎＰ中では非
常に動きやすく、しばしば結晶成長の過程でｐ型層より
不純物が活性層まで拡散して、所望の構造が得られず、
素子の特性を劣化させてしまうことが問題となっていた
。
系の材料を用いた発光素子は、上記のような構造をして
いた。ところで、ｐ型不純物はＡｌＧａＩｎＰ中では非
常に動きやすく、しばしば結晶成長の過程でｐ型層より
不純物が活性層まで拡散して、所望の構造が得られず、
素子の特性を劣化させてしまうことが問題となっていた
。
【０００６】例えば、図５に、ｐ型不純物としてＺｎを
用いた場合の第３の成長工程終了後における活性層３近
傍のＳＩＭＳ （Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ＩｏｎＭａｓｓ
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）測定によるＺｎのプロフ
ァイルを示す。Ｚｎがｐ型クラッド層４と活性層３の界
面付近にパイルアップしており、また活性層３中にも拡
散していることが明確に観測される。
用いた場合の第３の成長工程終了後における活性層３近
傍のＳＩＭＳ （Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ＩｏｎＭａｓｓ
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）測定によるＺｎのプロフ
ァイルを示す。Ｚｎがｐ型クラッド層４と活性層３の界
面付近にパイルアップしており、また活性層３中にも拡
散していることが明確に観測される。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、結晶成長工程中でのｐ型不純物
の拡散を抑制でき、良好な特性を有する半導体発光素子
を得ることを目的とする。
ためになされたもので、結晶成長工程中でのｐ型不純物
の拡散を抑制でき、良好な特性を有する半導体発光素子
を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体発
光素子は、（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．
５ Ｐからなる活性層を活性層よりバンドギャップエネ
ルギーが大きな（Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐであるｎ型のクラッド層と（Ａｌｚ Ｇａ１
−ｚ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐであるｐ型のクラッド
層とで挟み込んだダブルヘテロ構造を含む半導体発光素
子において、活性層近傍のｐ型クラッド層中に、ｐ型の
クラッド層の結晶とは組成、もしくは構成元素が異なる
結晶を１層以上導入したものである。
光素子は、（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．
５ Ｐからなる活性層を活性層よりバンドギャップエネ
ルギーが大きな（Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐであるｎ型のクラッド層と（Ａｌｚ Ｇａ１
−ｚ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐであるｐ型のクラッド
層とで挟み込んだダブルヘテロ構造を含む半導体発光素
子において、活性層近傍のｐ型クラッド層中に、ｐ型の
クラッド層の結晶とは組成、もしくは構成元素が異なる
結晶を１層以上導入したものである。
【０００９】
【作用】この発明による半導体発光素子は、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系の材料を用いた発光素子において、ｐ型クラッド
層中の活性層近傍にｐ型のクラッド層の結晶とは組成、
もしくは構成元素が異なる結晶を１層以上導入するよう
にしたので、この層がｐ型不純物の拡散を防止の効果を
生じ、ｐ型のクラッド層より活性層へのｐ型不純物の拡
散が抑制される。
ｎＰ系の材料を用いた発光素子において、ｐ型クラッド
層中の活性層近傍にｐ型のクラッド層の結晶とは組成、
もしくは構成元素が異なる結晶を１層以上導入するよう
にしたので、この層がｐ型不純物の拡散を防止の効果を
生じ、ｐ型のクラッド層より活性層へのｐ型不純物の拡
散が抑制される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の半導体発光素子として、（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた
発光素子の層構造の一例を示す断面図であり、図におい
て、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ
０．１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層、３はＩｎ０．５
Ｇａ０．５ Ｐ活性層、４はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．
１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層、５はｐ−Ｉｎ０．５
Ｇａ０．５ Ｐバンド不連続緩和層、６はｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８は
Ｚｎ拡散防止層である。
する。図１は本発明の半導体発光素子として、（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ結晶を用いた
発光素子の層構造の一例を示す断面図であり、図におい
て、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ
０．１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層、３はＩｎ０．５
Ｇａ０．５ Ｐ活性層、４はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．
１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層、５はｐ−Ｉｎ０．５
Ｇａ０．５ Ｐバンド不連続緩和層、６はｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８は
Ｚｎ拡散防止層である。
【００１１】また、図２はＺｎ拡散防止層８の詳細な構
成例を示したもので、図において、図１と同一符号は同
一部分を示しており、９はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１
５Ｉｎ０．５ Ｐ層、１０はｐ−ＩｎＸ Ｇａ（１−ｘ
） Ｐ層（但し、０≦ｘ≦１）、１１はｐ−Ｉｎｙ Ｇ
ａｚ Ａｌ（１−ｙ−ｚ） Ａｓ層（但し、０≦ｙ≦１
，０≦ｚ≦１，０≦ｙ＋ｚ≦１）であり、図２（ａ）
はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５ Ｐ層９と
ｐ−ＩｎＸ Ｇａ（１−ｘ） Ｐ層１０をそれぞれ１０
０オングストローム，５０オングストロームで複数回交
互に積層してＺｎ拡散防止層８を構成したものであり、
図２（ｂ） はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．
５ Ｐ９とｐ−Ｉｎｙ Ｇａｚ Ａｌ（１−ｙ−ｚ）
Ａｓ層１１をそれぞれ１００オングストローム，２０オ
ングストロームで交互に複数回積層してＺｎ拡散防止層
８を構成したものである。
成例を示したもので、図において、図１と同一符号は同
一部分を示しており、９はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１
５Ｉｎ０．５ Ｐ層、１０はｐ−ＩｎＸ Ｇａ（１−ｘ
） Ｐ層（但し、０≦ｘ≦１）、１１はｐ−Ｉｎｙ Ｇ
ａｚ Ａｌ（１−ｙ−ｚ） Ａｓ層（但し、０≦ｙ≦１
，０≦ｚ≦１，０≦ｙ＋ｚ≦１）であり、図２（ａ）
はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５ Ｐ層９と
ｐ−ＩｎＸ Ｇａ（１−ｘ） Ｐ層１０をそれぞれ１０
０オングストローム，５０オングストロームで複数回交
互に積層してＺｎ拡散防止層８を構成したものであり、
図２（ｂ） はｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．
５ Ｐ９とｐ−Ｉｎｙ Ｇａｚ Ａｌ（１−ｙ−ｚ）
Ａｓ層１１をそれぞれ１００オングストローム，２０オ
ングストロームで交互に複数回積層してＺｎ拡散防止層
８を構成したものである。
【００１２】以下、本実施例の半導体発光素子の製造方
法について説明する。まず、第１の成長工程において、
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１
５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層２，Ｉｎ０．５ Ｇａ０．
５ Ｐ活性層３，ｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０
．５ Ｐクラッド層４，図２（ａ） あるいは図２（ｂ
） に示した構造のＺｎ拡散防止層８，及びｐ−Ａｌ０
．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層４，ｐ−
Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐバンド不連続緩和層５を連
続的にＭＯＣＶＤ法により成長する。ここで、ｎ型クラ
ッド層２の厚みは約１μｍ、活性層３の厚みは約０．０
７μｍとし、活性層３からバンド不連続緩和層５までの
厚みは約１μｍとする。また、Ｚｎ拡散防止層８は活性
層３からの距離が０．１μｍ以下の領域に設けることが
望ましい。
法について説明する。まず、第１の成長工程において、
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１
５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層２，Ｉｎ０．５ Ｇａ０．
５ Ｐ活性層３，ｐ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０
．５ Ｐクラッド層４，図２（ａ） あるいは図２（ｂ
） に示した構造のＺｎ拡散防止層８，及びｐ−Ａｌ０
．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５ Ｐクラッド層４，ｐ−
Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐバンド不連続緩和層５を連
続的にＭＯＣＶＤ法により成長する。ここで、ｎ型クラ
ッド層２の厚みは約１μｍ、活性層３の厚みは約０．０
７μｍとし、活性層３からバンド不連続緩和層５までの
厚みは約１μｍとする。また、Ｚｎ拡散防止層８は活性
層３からの距離が０．１μｍ以下の領域に設けることが
望ましい。
【００１３】次に、例えばＳｉＮ膜等からなるストライ
プ状のマスクを形成し、選択エッチングにより、バンド
不連続緩和層５及びｐ型クラッド層６の所定の領域をエ
ッチング除去する。これにより、ｐ型クラッド層６内に
埋め込んだＺｎ拡散防止層８が露出しない程度の所望の
厚さ、例えば０．２μｍから０．３μｍ程度、ｐ型クラ
ッド層６を残すとももに、バンド不連続緩和層５とｐ型
クラッド層６からなるストライプ状のメサを形成する。
プ状のマスクを形成し、選択エッチングにより、バンド
不連続緩和層５及びｐ型クラッド層６の所定の領域をエ
ッチング除去する。これにより、ｐ型クラッド層６内に
埋め込んだＺｎ拡散防止層８が露出しない程度の所望の
厚さ、例えば０．２μｍから０．３μｍ程度、ｐ型クラ
ッド層６を残すとももに、バンド不連続緩和層５とｐ型
クラッド層６からなるストライプ状のメサを形成する。
【００１４】この後、上記選択エッチング工程で用いた
エッチングマスクをマスクとして、第２の成長工程にお
いて、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を選択的に成長す
る。そして、このマスクを除去後、第３の成長工程にお
いて、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を成長して図１の構
造を完成する。最後に基板１の裏面にｎ側電極，コンタ
クト層７上にｐ側電極を形成して本実施例の発光素子を
作製する。なお、ｐ型ドーピング不純物としてＺｎを用
い、また、ｎ型ドーピング不純物としてはＳｉもしくは
Ｓｅを用いる。
エッチングマスクをマスクとして、第２の成長工程にお
いて、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６を選択的に成長す
る。そして、このマスクを除去後、第３の成長工程にお
いて、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を成長して図１の構
造を完成する。最後に基板１の裏面にｎ側電極，コンタ
クト層７上にｐ側電極を形成して本実施例の発光素子を
作製する。なお、ｐ型ドーピング不純物としてＺｎを用
い、また、ｎ型ドーピング不純物としてはＳｉもしくは
Ｓｅを用いる。
【００１５】ここで、本実施例での構造の半導体発光素
子の活性層３近傍のＳＩＭＳ分析を図３に示す。従来の
構造の場合と異なり、Ｚｎは拡散防止層８近傍に蓄積し
ており、活性層４への拡散はほとんど起こっていない。 なお、拡散防止層８と活性層３の間にあるｐ型クラッド
層４からのＺｎの拡散については、該ｐ型クラッド層４
の膜厚が０．１μｍ以下と非常に薄いため、その中に含
まれているＺｎの絶対量は非常に少なく、ほとんど問題
にはならない。
子の活性層３近傍のＳＩＭＳ分析を図３に示す。従来の
構造の場合と異なり、Ｚｎは拡散防止層８近傍に蓄積し
ており、活性層４への拡散はほとんど起こっていない。 なお、拡散防止層８と活性層３の間にあるｐ型クラッド
層４からのＺｎの拡散については、該ｐ型クラッド層４
の膜厚が０．１μｍ以下と非常に薄いため、その中に含
まれているＺｎの絶対量は非常に少なく、ほとんど問題
にはならない。
【００１６】このような本実施例によるＡｌＧａＩｎＰ
系結晶からなる半導体発光素子は、以上のように構成さ
れており、活性層３からの距離が０．１μｍ以下のｐ型
クラッド層４中に、ｐ型クラッド層４とはその組成また
はその構成元素が異なる結晶からなるＺｎ拡散防止層８
を挿入するようにしたので、各成長工程におけるｐ型ド
ーピング不純物としてのＺｎの活性層への拡散は拡散防
止層８により抑制され、ｐ型のクラッド層４から活性層
３へのｐ型不純物の拡散がなくなり、これにより、素子
特性の良好なものが得られる。例えば、この素子の発振
しきい値電流は４５ｍＡとなり、従来の７０ｍＡに比べ
て大きく改善できる。
系結晶からなる半導体発光素子は、以上のように構成さ
れており、活性層３からの距離が０．１μｍ以下のｐ型
クラッド層４中に、ｐ型クラッド層４とはその組成また
はその構成元素が異なる結晶からなるＺｎ拡散防止層８
を挿入するようにしたので、各成長工程におけるｐ型ド
ーピング不純物としてのＺｎの活性層への拡散は拡散防
止層８により抑制され、ｐ型のクラッド層４から活性層
３へのｐ型不純物の拡散がなくなり、これにより、素子
特性の良好なものが得られる。例えば、この素子の発振
しきい値電流は４５ｍＡとなり、従来の７０ｍＡに比べ
て大きく改善できる。
【００１７】なお、上記実施例では、Ｚｎ拡散防止層８
を活性層３からの距離が０．１μｍ以下のｐ型クラッド
層４中に設けた例について示したが、活性層３からＺｎ
拡散防止層８までの距離は、これに限定されるものでは
なく、Ｚｎ拡散防止層８は活性層３近傍のｐ型クラッド
層４中で、かつ、リッジ形成時にエッチングにより表面
に露出しない程度の位置に形成されていればよい。
を活性層３からの距離が０．１μｍ以下のｐ型クラッド
層４中に設けた例について示したが、活性層３からＺｎ
拡散防止層８までの距離は、これに限定されるものでは
なく、Ｚｎ拡散防止層８は活性層３近傍のｐ型クラッド
層４中で、かつ、リッジ形成時にエッチングにより表面
に露出しない程度の位置に形成されていればよい。
【００１８】また、上記実施例ではＺｎ拡散防止層８と
して図２（ａ） に示したｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層９とｐ
−ＩｎＧａＰ層１０の多層構造、もしくは、図２（ｂ）
に示したｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層９とｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ層１１の多層構造を用いた例について示したが、Ｚ
ｎ拡散防止層８はこのような多層構造でなくてもよく、
ｐ−ＩｎＧａＰ層もしくはｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層の１
層だけで構成してもよく、この場合においても上記実施
例と同様の効果がある。
して図２（ａ） に示したｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層９とｐ
−ＩｎＧａＰ層１０の多層構造、もしくは、図２（ｂ）
に示したｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層９とｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ層１１の多層構造を用いた例について示したが、Ｚ
ｎ拡散防止層８はこのような多層構造でなくてもよく、
ｐ−ＩｎＧａＰ層もしくはｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層の１
層だけで構成してもよく、この場合においても上記実施
例と同様の効果がある。
【００１９】さらに、１層だけでＺｎ拡散防止層８を構
成する場合には、ｐ−ＩｎＧａＰ層やｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ層にかわってｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を用いて構成し
ても同様の効果がある。
成する場合には、ｐ−ＩｎＧａＰ層やｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ層にかわってｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を用いて構成し
ても同様の効果がある。
【００２０】また、多層構造で拡散防止層８を構成する
場合には、本実施例以外に上記に示したｐ−ＩｎＧａＰ
層，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層，ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層，
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を種々の組み合わせで構成しても
同様の効果がある。
場合には、本実施例以外に上記に示したｐ−ＩｎＧａＰ
層，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層，ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層，
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を種々の組み合わせで構成しても
同様の効果がある。
【００２１】また、上記実施例は、ｐ型ドーパントとし
てＺｎを用いた例について示したがこれは、ＭｇやＣｄ
等を用いてもよく、この場合でも同様の効果がある。
てＺｎを用いた例について示したがこれは、ＭｇやＣｄ
等を用いてもよく、この場合でも同様の効果がある。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ｐ型
クラッド層中の活性層近傍にｐ型のクラッド層の組成、
もしくは構成元素が異なる結晶を１層以上導入したので
、この層がｐ型不純物の拡散防止の効果を生じ、ｐ型の
クラッド層より活性層へのｐ型不純物の拡散が抑制でき
、良好な素子特性を示す発光素子が得られるという効果
がある。
クラッド層中の活性層近傍にｐ型のクラッド層の組成、
もしくは構成元素が異なる結晶を１層以上導入したので
、この層がｐ型不純物の拡散防止の効果を生じ、ｐ型の
クラッド層より活性層へのｐ型不純物の拡散が抑制でき
、良好な素子特性を示す発光素子が得られるという効果
がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体発光素子にお
ける、ＡｌＧａＩｎｐ結晶を用いた発光素子の層構造の
一例を示す断面図である。
ける、ＡｌＧａＩｎｐ結晶を用いた発光素子の層構造の
一例を示す断面図である。
【図２】図１に示すＺｎ拡散防止層８の詳細構成例の断
面図である。
面図である。
【図３】この発明の一実施例の半導体発光素子における
、活性層近傍のＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図で
ある。
、活性層近傍のＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図で
ある。
【図４】従来のこの種の半導体発光素子の層構造の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】従来のこの種の半導体発光素子の活性層近傍の
ＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図である。
ＺｎのＳＩＭＳプロファイルを示す図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３ Ｉ
ｎＧａＰ活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５ ｐ
−ＩｎＧａＰバンド不連続緩和層６ ｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ８ Ｚｎ拡散防止層 ９ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 １０ ｐ−ＩｎＧａＰ層 １１ ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層
ｎＧａＰ活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５ ｐ
−ＩｎＧａＰバンド不連続緩和層６ ｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ８ Ｚｎ拡散防止層 ９ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 １０ ｐ−ＩｎＧａＰ層 １１ ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉ
ｎ０．５ Ｐからなる活性層を前記活性層よりバンドギ
ャップエネルギーが大きな（Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ ）０
．５ Ｉｎ０．５ Ｐであるｎ型クラッド層と（Ａｌｚ
Ｇａ１−ｚ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐであるｐ型ク
ラッド層とで挟み込んだダブルヘテロ構造を含む半導体
発光素子において、前記活性層近傍の前記ｐ型クラッド
層中に、ｐ型クラッド層の結晶とは組成、もしくは構成
元素が異なる結晶を１層以上導入したことを特徴とする
半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100433A JPH04306886A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100433A JPH04306886A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306886A true JPH04306886A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=14273821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100433A Pending JPH04306886A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242575A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
| JP2000058906A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-25 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光素子 |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP3100433A patent/JPH04306886A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242575A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
| JP2000058906A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-25 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光素子 |
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