JPH04305988A - 面型半導体レ―ザ光スイッチ - Google Patents

面型半導体レ―ザ光スイッチ

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JPH04305988A
JPH04305988A JP4578791A JP4578791A JPH04305988A JP H04305988 A JPH04305988 A JP H04305988A JP 4578791 A JP4578791 A JP 4578791A JP 4578791 A JP4578791 A JP 4578791A JP H04305988 A JPH04305988 A JP H04305988A
Authority
JP
Japan
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semiconductor
conductivity type
semiconductor layer
distributed reflector
optical switch
Prior art date
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Pending
Application number
JP4578791A
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English (en)
Inventor
Nobuhiko Susa
須佐　信彦
Goji Kawakami
剛司 川上
Yoshinori Nakano
中野　好典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP4578791A priority Critical patent/JPH04305988A/ja
Publication of JPH04305988A publication Critical patent/JPH04305988A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トリガ光の入射を受け
てレーザ光を出射する面型半導体レ―ザ光スイッチに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１１を伴って次に述べる面型半
導体レ―ザ光スイッチが提案されている。
【０００３】すなわち、例えばｐ型を有する半導体分布
反射器２と、ｎ型を有する半導体層３と、ｐ型またはｎ
型を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発
光部４と、ｐ型を有する半導体層５と、ｎ型を有する半
導体分布反射器６とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体１を有する。
【０００４】この場合、半導体分布反射器２は、例えば
ＡｌＧａＡｓ系（例えばＡｌ　０．１Ｇａ　０．９Ａｓ
）でなり且つλ／４またはその奇数倍（λは、半導体分
布反射器２及び６間で構成している共振器の共振波長）
の光学厚さを有する高屈折率半導体層２Ｈと、例えばＡ
ｌＡｓでなり且つλ／４の奇数倍の光学厚さを有する低
屈折率半導体層２Ｌとが順次交互に積層されている構成
を有する。
【０００５】また、半導体層３は、例えばＡｌ　０．３
Ｇａ　０．７Ａｓでなり、λ／２またはその奇数倍の光
学厚さを有している。
【０００６】さらに、半導体発光部４は、クラッド層と
しての例えばＧａＡｓでなる半導体層４Ａと、例えばＩ
ｎＧａＡｓ系（例えばＩｎ　０．２４　Ｇａ　０．７６
　Ａｓ）でなる活性層としての半導体層４Ｂと、半導体
層４Ａと同様の半導体層４Ｃとがそれらの順に積層され
ている構成を有する。この場合、半導体層４Ｂは例えば
６ｎｍのような薄い厚さを有する歪層とし得る。また、
半導体層４Ｂと半導体層４Ａ及び４Ｃとの半導体積層体
でなる半導体発光部４は、λまたはその整数倍の光学厚
さを有する。
【０００７】また、半導体層５は、半導体層３と同様に
例えばＡｌ　０．３Ｇａ　０．７Ａｓでなり、λ／４ま
たはその整数倍の光学厚さを有している。
【０００８】さらに、半導体分布反射器６は、例えばＡ
ｌＡｓでなり且つλ／４またはその奇数倍の光学厚さを
有する低屈折率半導体層６Ｌと、例えばＡｌＧａＡｓ系
（例えばＡｌ　０．１Ｇａ　０．９Ａｓ）でなり且つλ
／４またはその奇数倍の厚さを有する高屈折率半導体層
６Ｈとが順次交互に積層されている構成を有する。
【０００９】また図１１に示す従来の面型半導体レ―ザ
光スイッチは、上述した半導体積層体１の半導体分布反
射器６側の主面１ａ上に付され且つレーザ光出射用窓８
を設けている電極７を有するとともに、半導体積層体１
の半導体分布反射器２側の主面１ｂ上に付している電極
９を有する。
【００１０】さらに、図１１に示す従来の面型半導体レ
―ザ光スイッチは、半導体積層体１の半導体層５または
３もしくは半導体発光部４に、それが吸収し得る波長を
有するトリガ光Ｔの入射を、半導体積層体１の側端面か
ら受けさせる構成を有する。
【００１１】以上が、従来提案されている面型半導体レ
―ザ光スイッチの構成である。
【００１２】このような構成を有する面型半導体レ―ザ
光スイッチによれば、電極７及び９間で、半導体分布反
射器２、半導体層３、半導体発光部４、半導体層５及び
半導体分布反射器６をそれぞれ「ｐ」、「ｎ」、「ｉ」
、「ｐ」及び「ｎ」とするｐｎｉｐｎ型サイリスタを構
成しているとともに、半導体分布反射器２及び６間で、
共振器を構成している。
【００１３】また、図１１に示す従来の面型半導体レ―
ザ光スイッチは、半導体層５または３もしくは半導体発
光部４に、それが吸収し得る波長を有するトリガ光Ｔの
入射を、半導体積層体１の側端面から受けさせる構成を
有していることから、電極７及び９間に駆動用電源を接
続し、その状態で、半導体積層体１の側端面から、半導
体層５または３もしくは半導体発光部４に、それに吸収
される波長を有するトリガ光Ｔを入射させれば、それが
半導体層５または３もしくは半導体発光部４によって吸
収され、そこにおいて電子・正孔対が生成し、その電子
及び正孔がそれぞれ半導体層５及び３に蓄積する。この
ため、半導体分布反射器６側から半導体発光部４側へ向
うキャリア（電子）に対する半導体層５によるバリアの
高さ、及び半導体分布反射器２側から半導体発光部４側
へ向うキャリア（正孔）に対する半導体層３によるバリ
アの高さが低下し、よって、電極７及び９間において、
上述したｐｎｉｐｎ型サイリスタのタ―ンオンの状態が
得られる。このため、半導体発光部４に、電極７及び９
を通じて電流が流れ、それに応じて、半導体発光部４に
おいて発光が得られ、そして、λの発振波長を有するレ
―ザ発振が生じ、そのレ―ザ発振出力が、半導体分布反
射器６を通り、次でレーザ光出射用窓８を通って、外部
にレーザ光Ｌとして出射する。
【００１４】以上のことから、図１１に示す面型半導体
レ―ザ光スイッチによれば、トリガ光の入射を受けてレ
ーザ光を出射するレーザ光スイッチとしての機能が得ら
れる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示す従来の面型半導体レ―ザ光スイッチの場合、半導
体積層体１の半導体層５または３もしくは半導体発光部
４に、トリガ光Ｔの入射を、半導体積層体１の側端面か
ら受けさせる構成を有しているため、半導体積層体１の
上方から半導体積層体１側をみて、半導体積層体１の外
側に、トリガ光Ｔを半導体積層体１内に入射させるため
の面積を必要とし、よって、面型半導体レ―ザ光スイッ
チの複数をまたは面型半導体レ―ザ光スイッチと他の素
子とを、高い集積度で集積化することができない、とい
う欠点を有していた。
【００１６】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な面型半導体レ―ザ光スイッチを提案せんとするも
のである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
る面型半導体レ―ザ光スイッチは、（ｉ）第１の導電型
を有する第１の半導体分布反射器と、第１の導電型とは
逆の第２の導電型を有する第１の半導体層と、第１の導
電型または第２の導電型を与える不純物を意図的に導入
させていない半導体発光部と、第１の導電型を有する第
２の半導体層と、第２の導電型を有する第２の半導体分
布反射器とがそれらの順に積層されている構成を有する
半導体積層体と、（ｉｉ）上記半導体積層体の上記第２
の半導体分布反射器側の第１の主面上に付され且つレー
ザ光出射兼トリガ光入射用窓を設けている第１の電極と
、（ｉｉｉ）上記半導体積層体の上記第１の半導体分布
反射器側の第２の主面上に付されている第２の電極とを
有する。
【００１８】本願第２番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第１番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積層体の第２の半導
体分布反射器が、穿設されたトリガ光入射用窓を有し、
これに応じて、第１の電極に、レーザ光出射兼トリガ光
入射用窓に代え、レーザ光出射用窓が設けられているこ
とを除いて、本願第１番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００１９】本願第３番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第１番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積層体が、第１の半
導体分布反射器、第１の半導体層、半導体発光部、第２
の半導体層及び第２の半導体分布反射器が、それらの順
序で積層されている構成を有しているのに代え、第１の
半導体分布反射器―第１の半導体層―半導体発光部―第
２の半導体分布反射器―第２の半導体層の順序で積層さ
れている構成を有していることを除いて、本願第１番目
の発明による面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成
を有する。
【００２０】本願第４番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第１番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積層体が、第１の半
導体分布反射器、第１の半導体層、半導体発光部、第２
の半導体層及び第２の半導体分布反射器が、それらの順
序で積層されている構成を有しているのに代え、第１の
半導体層―第１の半導体分布反射器―半導体発光部―第
２の半導体層―第２の半導体分布反射器の順序で積層さ
れている構成を有し、また、第２の電極にトリガ光入射
用窓が設けられていることを除いて、本願第１番目の発
明による面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有
する。
【００２１】本願第５番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第１番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積層体が、第１の半
導体分布反射器、第１の半導体層、半導体発光部、第２
の半導体層及び第２の半導体分布反射器が、それらの順
序で積層されている構成を有しているのに代え、第１の
半導体層―第１の半導体分布反射器―半導体発光部―第
２の半導体分布反射器―第２の半導体層の順序で積層さ
れている構成を有し、また、第２の電極にトリガ光入射
用窓が設けられまたは設けられていないことを除いて、
本願第１番目の発明による面型半導体レ―ザ光スイッチ
と同様の構成を有する。
【００２２】本願第６番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第１番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積層体の第２の半導
体分布反射器が、第２の導電型を有する第３の半導体層
に置換され、これに応じて、半導体積層体の第３の半導
体層側の第１の主面上に配され且つトリガ光入射用窓を
穿設している誘電体分布反射器を有し、また、第１の電
極に設けられているレーザ光出射兼トリガ光入射用窓が
省略されていることを除いて、本願第１番目の発明によ
る面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００２３】本願第７番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第６番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、誘電体分布反射器に穿設さ
れているトリガ光入射用窓が省略され、これに応じて、
第２の電極にトリガ光入射用窓が設けられていることを
除いて、本願第６番目の発明による面型半導体レ―ザ光
スイッチと同様の構成を有する。
【００２４】本願第８番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第６番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、第１の電極が省略され、ま
た、誘電体分布反射器が、トリガ光入射用窓を穿設して
いる反射面兼第１の電極に置換されていることを除いて
、本願第６番目の発明による面型半導体レ―ザ光スイッ
チと同様の構成を有する。
【００２５】本願第９番目の発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第８番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、反射兼第１の電極に穿設さ
れているトリガ光入射用窓が省略され、これに応じて、
第２の電極にトリガ光入射用窓が設けられていることを
除いて、本願第８番目の発明による面型半導体レ―ザ光
スイッチと同様の構成を有する。
【００２６】
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第１の実施例を述べよう。
【００２７】図１において、図１１との対応部分には同
一符号を付し、詳細説明を省略する。図１に示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチは、半導体積層体１
の主面１ａ上に付されている電極７にレーザ光出射用窓
８が設けられている図１１で上述した従来の面型半導体
レ―ザ光スイッチの場合に代え、電極７にレーザ光出射
兼トリガ光入射用窓１０が設けられていることを除いて
、図１１で上述した従来の面型半導体レ―ザ光スイッチ
の場合と同様の構成を有する。
【００２８】以上が、本発明による面型半導体レ―ザ光
スイッチの第１の実施例の構成である。
【００２９】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによれば、上述した事項を除い
て、図１１で上述した従来の面型半導体レ―ザ光スイッ
チの場合と同様の構成を有するので、図１１で上述した
従来の面型半導体レ―ザ光スイッチの場合と同様にｐｎ
ｉｐｎ型サイリスタ構成を有しているとともに、半導体
分布反射器２及び６間で共振器を構成している。
【００３０】また、図１に示す本発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチによれば、半導体積層体１の主面１ａ
上に付された電極７上に、レーザ光出射兼トリガ光入射
用窓１０が設けられていることから、電極７及び９間に
、図１１で上述した従来の面型半導体レ―ザ光スイッチ
の場合と同様に、駆動用電源を接続し、その状態で、半
導体積層体１内に、その上方から、レーザ光出射兼トリ
ガ光入射用窓１０を通じて、トリガ光Ｔを入射させる構
成を有している。この場合、トリガ光Ｔは、それを半導
体積層体１内に向けて主面１ａと垂直方向に入射させる
ようにした場合、上述した共振器の共振波長と等しい波
長を有していれば、半導体積層体１内に、半導体分布反
射器６を通って、半導体発光部４の活性層としての半導
体層４Ｂに達する深さに入射し、そして、半導体発光部
４の活性層としての半導体層４Ｂに吸収される。
【００３１】このため、詳細説明は省略するが、図１１
で上述した従来の面型半導体レ―ザ光スイッチの場合と
同様に、電極７及び９間において、上述したｐｎｉｐｎ
型サイリスタのタ―ンオンの状態が得られる。
【００３２】このため、図１１で上述した従来の面型半
導体レ―ザ光スイッチの場合と同様に、上述した共振機
の共振波長λの発振波長を有するレ―ザ発振が生じ、そ
のレ―ザ発振出力が、半導体分布反射器６を通り、次で
レーザ光出射用窓８を通って、外部にレーザ光Ｌとして
出射する。
【００３３】以上のことから、図１に示す本発明による
面型半導体レ―ザ光スイッチの場合も、図１１に示す面
型半導体レ―ザ光スイッチによれば、トリガ光の入射を
受けてレーザ光を出射するレーザ光スイッチとしての機
能が得られる。
【００３４】しかしながら、図１に示す本発明による面
型半導体レ―ザ光スイッチの場合、半導体積層体１の半
導体発光部４に、トリガ光Ｔの入射を、半導体積層体１
の上方から受けさせる構成を有しているため、半導体積
層体１の上方から半導体積層体１側をみて、半導体積層
体１の外側に、トリガ光Ｔを半導体積層体１内に入射さ
せるための面積を必要とせず、よって、面型半導体レ―
ザ光スイッチの複数をまたは面型半導体レ―ザ光スイッ
チと他の素子とを、図１１で上述した従来の面型半導体
レ―ザ光スイッチの場合に比し高い集積度で集積化する
ことができないる。
【００３５】
【実施例２】次に、図２を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第２の実施例を述べよう。
【００３６】図２において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図２に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、図１に示す半導体
積層体１の半導体分布反射器６が、穿設されたトリガ光
入射用窓１１を有し、これに応じて、電極７に、レーザ
光出射兼トリガ光入射用窓８に代え、レーザ光出射用窓
８が設けられていることを除いて、図１に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する
。以上が、本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの
第２の実施例の構成である。
【００３７】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによれば、上述した事項を除い
て図１に示す本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチ
と同様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図
１の場合と同様の作用効果が得れる。ただし、この場合
、トリガ光Ｔを、半導体層５または３もしくは半導体発
光部４が吸収し得る波長とすればよい。
【００３８】
【実施例３】次に、図３を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第３の実施例を述べよう。
【００３９】図３において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図３に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、図１に示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積
層体１が、半導体分布反射器２、半導体層３、半導体発
光部４、半導体層５及び半導体分布反射器６が、それら
の順序で積層されている構成を有しているのに代え、半
導体分布反射器２―半導体層３―半導体発光部４―半導
体分布反射器６―半導体層７の順序で積層されている構
成を有していることを除いて、本願第１番目の発明によ
る面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００４０】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによる場合も、詳細説明は省略
するが、図１の場合と同様の作用効果が得られる。ただ
し、この場合、トリガ光Ｔに、半導体層５または半導体
分布反射器６で吸収される波長を有せしめればよい。
【００４１】
【実施例４】次に、図４を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第４の実施例を述べよう。
【００４２】図４において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図４に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、ずいに示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積
層体１が、半導体分布反射器２、半導体層３、半導体発
光部４、半導体層５及び半導体分布反射器６が、それら
の順序で積層されている構成を有しているのに代え、半
導体層３―半導体分布反射器２―半導体発光部４―半導
体層５―半導体分布反射器６の順序で積層されている構
成を有し、また、電極９にトリガ光入射用窓１２が設け
られていることを除いて、図１に示す本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００４３】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによる場合も、詳細説明は省略
するが、図１の場合と同様の作用効果が得られる。ただ
し、この場合、トリガ光Ｔに、半導体層３または半導体
分布反射器２で吸収される波長を有せしめればよい。
【００４４】
【実施例５】次に、図５を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第５の実施例を述べよう。
【００４５】図５において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図５に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、図１に示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積
層体１が、半導体分布反射器２、半導体層３、半導体発
光部４、半導体層５及び半導体分布反射器６が、それら
の順序で積層されている構成を有しているのに代え、半
導体層３―半導体分布反射器２―半導体発光部４―半導
体分布反射器６―半導体層５の順序で積層されている構
成を有していることを除いて、図１に示す本発明による
面型半導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００４６】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによる場合も、詳細説明は省略
するが、図１の場合と同様の作用効果が得られることは
明らかである。ただし、この場合、トリガ光Ｔは、図３
の場合と同様の波長を有するものとすればよい。
【００４７】
【実施例６】次に、図６を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第６の実施例を述べよう。
【００４８】図６において、図５との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図６に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、図５に示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、電極７に
トリガ光入射用窓１２が設けられていることを除いて、
図５に示す本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチと
同様の構成を有する。
【００４９】このような構成を有する本発明による面型
半導体レ―ザ光スイッチによる場合も、詳細説明は省略
するが、図１の場合と同様の作用効果が得られることは
明らかである。ただし、この場合、トリガ光Ｔは、図４
の場合と同様の波長を有するものとすればよい。
【００５０】
【実施例７】次に、図７を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第７の実施例を述べよう。
【００５１】図７において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図７に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、図１に示す本発明
による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、半導体積
層体１の半導体分布反射器６が、ｎ型を有する半導体層
１３に置換され、これに応じて、半導体積層体１の半導
体層３側の主面１ａ上に配され且つトリガ光入射用窓１
５を穿設している例えばＴｉＯ２　幕１４ａとＳｉＯ２
　幕１４ｂとが交互順次に積層されている誘電体分布反
射器１４を有し、また、電極７に設けられているレーザ
光出射兼トリガ光入射用窓１０が省略されていることを
除いて、図１に示す本発明による面型半導体レ―ザ光ス
イッチと同様の構成を有する。
【００５２】
【実施例８】次に、図８を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第８の実施例を述べよう。
【００５３】図８において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図８に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、本願第６番目の発
明による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、誘電体
分布反射器に穿設されているトリガ光入射用窓が省略さ
れ、これに応じて、電極にトリガ光入射用窓が設けられ
ていることを除いて、本願第６番目の発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチと同様の構成を有する。
【００５４】
【実施例９】次に、図９を伴って、本発明による面型半
導体レ―ザ光スイッチの第９の実施例を述べよう。
【００５５】図９において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。図９に示す本発明に
よる面型半導体レ―ザ光スイッチは、本願第６番目の発
明による面型半導体レ―ザ光スイッチにおいて、電極が
省略され、また、誘電体分布反射器が、トリガ光入射用
窓を穿設している反射面兼電極に置換されていることを
除いて、本願第６番目の発明による面型半導体レ―ザ光
スイッチと同様の構成を有する。
【００５６】
【実施例１０】次に、図１０を伴って、本発明による面
型半導体レ―ザ光スイッチの第１０の実施例を述べよう
。
【００５７】図１０において、図１１との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００５８】図１０に示す本発明による面型半導体レ―
ザ光スイッチは、本願第８番目の発明による面型半導体
レ―ザ光スイッチにおいて、反射兼電極に穿設されてい
るトリガ光入射用窓が省略され、これに応じて、電極に
トリガ光入射用窓が設けられていることを除いて、本願
第８番目の発明による面型半導体レ―ザ光スイッチと同
様の構成を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
１の実施例を示す略線的断面図である。
【図２】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
２の実施例を示す略線的断面図である。
【図３】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
３の実施例を示す略線的断面図である。
【図４】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
４の実施例を示す略線的断面図である。
【図５】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
５の実施例を示す略線的断面図である。
【図６】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
６の実施例を示す略線的断面図である。
【図７】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
７の実施例を示す略線的断面図である。
【図８】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
８の実施例を示す略線的断面図である。
【図９】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの第
９の実施例を示す略線的断面図である。
【図１０】本発明による面型半導体レ―ザ光スイッチの
第１０の実施例を示す略線的断面図である。
【図１１】従来の面型半導体レ―ザ光スイッチを示す略
線的断面図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　　　　　　半導体積層体２　　　
　　　　　　　　　　　半導体分布反射器３　　　　　
　　　　　　　　　半導体層４　　　　　　　　　　　
　　　半導体発光部５　　　　　　　　　　　　　　半
導体層６　　　　　　　　　　　　　　半導体発光部７
　　　　　　　　　　　　　　電極 ８　　　　　　　　　　　　　　レーザ光出射用窓９　
　　　　　　　　　　　　　電極

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　第１の導電型を有する第１の半導体分
    布反射器と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有す
    る第１の半導体層と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第２の半導体分布反射器とがそれらの順
    に積層されている構成を有する半導体積層体と、上記半
    導体積層体の上記第２の半導体分布反射器側の第１の主
    面上に付され且つレーザ光出射兼トリガ光入射用窓を設
    けている第１の電極と、上記半導体積層体の上記第１の
    半導体分布反射器側の第２の主面上に付されている第２
    の電極とを有することを特徴とする面型半導体レ―ザ光
    スイッチ。
  2. 【請求項２】　　第１の導電型を有する第１の半導体分
    布反射器と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有す
    る第１の半導体層と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有し且つトリガ光入射用窓を穿設している第２
    の半導体分布反射器とがそれらの順に積層されている構
    成を有する半導体積層体と、上記半導体積層体の上記第
    ２の半導体分布反射器側の第１の主面上に付され且つレ
    ーザ光出射用窓を設けている第１の電極と、上記半導体
    積層体の上記第１の半導体分布反射器側の第２の主面上
    に付されている第２の電極とを有することを特徴とする
    面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  3. 【請求項３】　　第１の導電型を有する第１の半導体分
    布反射器と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有す
    る第１の半導体層と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体分布反射器と
    、第２の導電型を有する第２の半導体層とがそれらの順
    に積層されている半導体積層体と、上記半導体積層体の
    上記第２の半導体層側の第１の主面上に付され且つレー
    ザ光出射兼トリガ光入射用窓を設けている第１の電極と
    、上記半導体積層体の上記第１の半導体分布反射器側の
    第２の主面上に付された第２の電極とを有することを特
    徴とする面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  4. 【請求項４】　　第１の導電型を有する第１の半導体層
    と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第１の
    半導体分布反射器と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第２の半導体分布反射器とがそれらの順
    に積層されている構成を有する半導体積層体と、上記半
    導体積層体の上記第２の半導体分布反射器側の第１の主
    面上に付され且つレーザ光出射兼トリガ光入射用窓を設
    けている第１の電極と、上記半導体積層体の上記第１の
    半導体層側の第２の主面上に付され且つトリガ光入射用
    窓を設けている第２の電極とを有することを特徴とする
    面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  5. 【請求項５】　　第１の導電型を有する第１の半導体層
    と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第１の
    半導体分布反射器と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体分布反射器と
    、第２の導電型を有する第２の半導体層とがそれらの順
    に積層されている構成を有する半導体積層体と、上記半
    導体積層体の上記第２の半導体層側の第１の主面上に付
    され且つレーザ光出射兼トリガ光入射用窓を設けている
    第１の電極と、上記半導体積層体の上記第１の半導体層
    側の第２の主面上に付され且つトリガ光入射用窓を設け
    ているまたはいない第２の電極とを有することを特徴と
    する面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  6. 【請求項６】　　第１の導電型を有する第１の半導体分
    布反射器と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有す
    る第１の半導体層と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第３の半導体層とがそれらの順に積層さ
    れている構成を有する半導体積層体と、上記半導体積層
    体の上記第３の半導体層側の第１の主面上に配され且つ
    トリガ光入射用窓を穿設している誘電体分布反射器と、
    上記半導体積層体の上記第１の半導体分布反射器側の第
    ２の主面及び上記第３の半導体層側の第１の主面上にそ
    れぞれ付されている第１及び第２の電極とを有すること
    を特徴とする面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  7. 【請求項７】　　第１の導電型を有する第１の半導体層
    と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第１の
    半導体分布反射器と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第３の半導体層とがそれらの順に積層さ
    れている構成を有する半導体積層体と、上記半導体積層
    体の上記第３の半導体層側の第１の主面上に配されてい
    る誘電体分布反射器と、上記半導体積層体の上記第３の
    半導体層側の第１の主面上に付されている第１の電極と
    、上記半導体積層体の上記第１の半導体層側の第２の主
    面上に付され且つトリガ光入射用窓を設けている第２の
    電極とを有することを特徴とする面型半導体レ―ザ光ス
    イッチ。
  8. 【請求項８】　　第１の導電型を有する第１の半導体分
    布反射器と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有す
    る第１の半導体層と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第３の半導体層とがそれらの順に積層さ
    れている構成を有する半導体積層体と、上記半導体積層
    体の上記第３の半導体層側の第１の主面上に付され且つ
    トリガ光入射用窓を穿設している反射器兼第１の電極と
    、上記半導体積層体の上記第１の半導体分布反射器側の
    第２の主面上に付されている第２の電極とを有すること
    を特徴とする面型半導体レ―ザ光スイッチ。
  9. 【請求項９】　　第１の導電型を有する第１の半導体層
    と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第１の
    半導体分布反射器と、第１の導電型または第２の導電型
    を与える不純物を意図的に導入させていない半導体発光
    部と、第１の導電型を有する第２の半導体層と、第２の
    導電型を有する第３の半導体層とがそれらの順に積層さ
    れている構成を有する半導体積層体と、上記半導体積層
    体の上記第３の半導体層側の第１の主面上に付されてい
    る反射器兼第１の電極と、上記半導体積層体の上記第１
    の半導体層側の第２の主面上に付され且つトリガ光入射
    用窓を設けている第２の電極とを有することを特徴とす
    る面型半導体レ―ザ光スイッチ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342629A (ja) * 2003-03-20 2004-12-02 Ricoh Co Ltd 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置、およびそれを用いた光論理演算装置、波長変換装置、光パルス波形整形装置、ならびに光伝送システム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004342629A (ja) * 2003-03-20 2004-12-02 Ricoh Co Ltd 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置、およびそれを用いた光論理演算装置、波長変換装置、光パルス波形整形装置、ならびに光伝送システム

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