JPH04304640A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04304640A JPH04304640A JP6826591A JP6826591A JPH04304640A JP H04304640 A JPH04304640 A JP H04304640A JP 6826591 A JP6826591 A JP 6826591A JP 6826591 A JP6826591 A JP 6826591A JP H04304640 A JPH04304640 A JP H04304640A
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- JP
- Japan
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- metal bumps
- bumps
- semiconductor device
- photoresist film
- semiconductor substrate
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＣＰ（テープキャリア
パッケージ），ＣＯＢ（チップオンボード），ＣＯＧ（
チップオングラス）等のアセンブリ時に必要な金属バン
プを有する半導体装置の製造方法に関する。
パッケージ），ＣＯＢ（チップオンボード），ＣＯＧ（
チップオングラス）等のアセンブリ時に必要な金属バン
プを有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような金属バンプの高さは、
ばらつきが生じるため、ばらつき範囲規格が設けられて
いる。ばらつきを抑えるため金属バンプメッキの際、電
界集中を防ぐようにカソード電極数を増やして電界の分
散を図ったり、噴流式メッキ装置の場合、ウエーハに対
してメッキ液が均一にあたるように、装置カップ内に小
穴のあいた整流板を設けたりしている。
ばらつきが生じるため、ばらつき範囲規格が設けられて
いる。ばらつきを抑えるため金属バンプメッキの際、電
界集中を防ぐようにカソード電極数を増やして電界の分
散を図ったり、噴流式メッキ装置の場合、ウエーハに対
してメッキ液が均一にあたるように、装置カップ内に小
穴のあいた整流板を設けたりしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法、例えば金属バンプメッキにおいて、
カソード電極を増やしてもウエーハと接触する部分は、
電界集中するし、噴流式メッキ装置の場合、整流板を設
けても、流れるメッキ液は乱流状態に変わりはない。だ
からといって流量を減らすとバンプ成長速度が遅くなり
、噴流式メッキ装置の利点がなくなる。このように、い
ずれの方法も決定的な解決策となっていない。
体装置の製造方法、例えば金属バンプメッキにおいて、
カソード電極を増やしてもウエーハと接触する部分は、
電界集中するし、噴流式メッキ装置の場合、整流板を設
けても、流れるメッキ液は乱流状態に変わりはない。だ
からといって流量を減らすとバンプ成長速度が遅くなり
、噴流式メッキ装置の利点がなくなる。このように、い
ずれの方法も決定的な解決策となっていない。
【０００４】本発明は、これらの課題を解決するもので
、均一な高さの金属バンプを有する半導体装置の製造方
法を提供することを目的としている。
、均一な高さの金属バンプを有する半導体装置の製造方
法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプ電極を
形成した半導体基板表面にフォトレジスト膜を塗布する
工程と、上記金属バンプが所定の高さになるまで上記フ
ォトレジスト膜と金属バンプを物理的に研削する工程と
を有する構成による。
に本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプ電極を
形成した半導体基板表面にフォトレジスト膜を塗布する
工程と、上記金属バンプが所定の高さになるまで上記フ
ォトレジスト膜と金属バンプを物理的に研削する工程と
を有する構成による。
【０００６】
【作用】この構成によって、研削前にフォトレジスト塗
布を実施し、金属バンプで生じる凸凹をなくして研削す
ることで、金属バンプと半導体基板の密着度および金属
バンプ形状を損なうことなく、金属バンプ高さを均一に
することができる。
布を実施し、金属バンプで生じる凸凹をなくして研削す
ることで、金属バンプと半導体基板の密着度および金属
バンプ形状を損なうことなく、金属バンプ高さを均一に
することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照して
説明する。
説明する。
【０００８】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかる形成
方法の工程順断面図を示している。まず、同図（ａ）に
示すように半導体基板１に金属バンプ２を形成する。
方法の工程順断面図を示している。まず、同図（ａ）に
示すように半導体基板１に金属バンプ２を形成する。
【０００９】次いで、図１（ｂ）に示すように、金属バ
ンプ２を含む半導体基板１の表面にフォトレジスト膜３
を塗布し、ベークを実施してフォトレジスト膜３を焼き
しめる。尚、フォトレジスト膜３は金属バンプ２を充分
に覆い、金属バンプ２の段差がなくなるまで厚く塗布す
る。
ンプ２を含む半導体基板１の表面にフォトレジスト膜３
を塗布し、ベークを実施してフォトレジスト膜３を焼き
しめる。尚、フォトレジスト膜３は金属バンプ２を充分
に覆い、金属バンプ２の段差がなくなるまで厚く塗布す
る。
【００１０】次いで、金属バンプ２の目標高さまで、金
属バンプ２とフォトレジスト膜３をウエーハグラインダ
ー装置で研削すると、図１（ｃ）に示すように金属バン
プ２の高さが揃う。その後、フォトレジスト膜３を剥離
し、図１（ｄ）のような高さの揃った金属バンプ２を得
る。
属バンプ２とフォトレジスト膜３をウエーハグラインダ
ー装置で研削すると、図１（ｃ）に示すように金属バン
プ２の高さが揃う。その後、フォトレジスト膜３を剥離
し、図１（ｄ）のような高さの揃った金属バンプ２を得
る。
【００１１】このように本発明の形成方法を採れば、金
属バンプ２の高さばらつきが完全に抑えられる。尚、図
２に示すようにフォトレジスト膜３の代わりに、その他
の有機系樹脂膜４を用い、研削後の有機系樹脂膜４の剥
離において、任意の厚さの有機系樹脂膜４を残し、その
まま半導体基板１のパッシベーションとして用いること
もできる。
属バンプ２の高さばらつきが完全に抑えられる。尚、図
２に示すようにフォトレジスト膜３の代わりに、その他
の有機系樹脂膜４を用い、研削後の有機系樹脂膜４の剥
離において、任意の厚さの有機系樹脂膜４を残し、その
まま半導体基板１のパッシベーションとして用いること
もできる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、金属バンプ電極
を形成した半導体基板表面にフォトレジスト膜を塗布す
る工程と、そのフォトレジスト膜と上記金属バンプをそ
の金属バンプが所定の高さになるまで物理的に研削する
工程とを少なくとも有する構成によるので、金属バンプ
と半導体基板との密着度およびバンプ形状を損なうこと
なく、均一な高さの金属バンプを有する半導体装置を提
供できる。
を形成した半導体基板表面にフォトレジスト膜を塗布す
る工程と、そのフォトレジスト膜と上記金属バンプをそ
の金属バンプが所定の高さになるまで物理的に研削する
工程とを少なくとも有する構成によるので、金属バンプ
と半導体基板との密着度およびバンプ形状を損なうこと
なく、均一な高さの金属バンプを有する半導体装置を提
供できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程断面図
法の工程断面図
【図２】本発明の他の実施例における半導体装置の製造
方法における一工程の断面図
方法における一工程の断面図
１ 半導体基板
２ 金属バンプ
３ フォトレジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】金属バンプを形成した半導体基板上にフォ
トレジスト膜を前記金属バンプを埋めつくすまで厚く塗
布し、熱処理する工程と、そのフォトレジスト膜と前記
金属バンプをその金属バンプが所定の高さになるまで物
理的に研削する工程とを少なくとも有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】フォトレジスト膜の代わりに有機系樹脂膜
を用いた請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体基板上に形成された複数個の金属バ
ンプと、その金属バンプの間に、その金属バンプの高さ
より低い有機系樹脂膜を被覆した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6826591A JPH04304640A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6826591A JPH04304640A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304640A true JPH04304640A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13368750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6826591A Pending JPH04304640A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304640A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0955676A3 (en) * | 1997-11-20 | 2000-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Wafer-scale assembly of chip-size packages |
| US6204566B1 (en) | 1992-11-11 | 2001-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin encapsulated electrode structure of a semiconductor device, mounted semiconductor devices, and semiconductor wafer including multiple electrode structures |
| US6260264B1 (en) * | 1997-12-08 | 2001-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making z-axis electrical connections |
| CN101937857A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP6826591A patent/JPH04304640A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204566B1 (en) | 1992-11-11 | 2001-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin encapsulated electrode structure of a semiconductor device, mounted semiconductor devices, and semiconductor wafer including multiple electrode structures |
| US6284554B1 (en) | 1992-11-11 | 2001-09-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing a flip-chip integrated circuit |
| US6469397B2 (en) | 1992-11-11 | 2002-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin encapsulated electrode structure of a semiconductor device, mounted semiconductor devices, and semiconductor wafer including multiple electrode structures |
| EP0955676A3 (en) * | 1997-11-20 | 2000-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Wafer-scale assembly of chip-size packages |
| US6260264B1 (en) * | 1997-12-08 | 2001-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making z-axis electrical connections |
| US7170185B1 (en) | 1997-12-08 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Solvent assisted burnishing of pre-underfilled solder bumped wafers for flipchip bonding |
| CN101937857A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2011014607A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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