JPH04302140A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
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- JPH04302140A JPH04302140A JP9343091A JP9343091A JPH04302140A JP H04302140 A JPH04302140 A JP H04302140A JP 9343091 A JP9343091 A JP 9343091A JP 9343091 A JP9343091 A JP 9343091A JP H04302140 A JPH04302140 A JP H04302140A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、反応管交換時の安全
性が高い気相結晶成長装置に関するものである。
性が高い気相結晶成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は横型反応管をもつ従来のＭＯＣＶ
Ｄ （Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の断面図である。図
において、１は例えばガラス製の反応管、１ａ，１ｂは
そのフランジ部、２はガス導入口、３はウエハを載せる
サセプタ、４はフローチャネル、５は排気口、６はゲー
トバルブ、７はウエハを出し入れするための前室である
。
Ｄ （Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の断面図である。図
において、１は例えばガラス製の反応管、１ａ，１ｂは
そのフランジ部、２はガス導入口、３はウエハを載せる
サセプタ、４はフローチャネル、５は排気口、６はゲー
トバルブ、７はウエハを出し入れするための前室である
。
【０００３】次に動作について説明する。まず前室７の
図示しない扉を開き、ウエハを搬入する。扉を閉め、真
空引きを行なった後、ゲートバルブ６を上げて、図示し
ない搬送装置により、ウエハをサセプタ３に移送する。 次にゲートバルブ６を下げ、ガス導入管２より例えばト
リメチルインジウム，トリエチルガリウム，フォスフィ
ン，アルシン，トリメチルアルミニウム等の反応ガスを
０．１ 〜０．２ 気圧， ３０ｃｍ／ｓｅｃの流速で
導入する。
図示しない扉を開き、ウエハを搬入する。扉を閉め、真
空引きを行なった後、ゲートバルブ６を上げて、図示し
ない搬送装置により、ウエハをサセプタ３に移送する。 次にゲートバルブ６を下げ、ガス導入管２より例えばト
リメチルインジウム，トリエチルガリウム，フォスフィ
ン，アルシン，トリメチルアルミニウム等の反応ガスを
０．１ 〜０．２ 気圧， ３０ｃｍ／ｓｅｃの流速で
導入する。
【０００４】ガス導入管２より導入された反応ガスはフ
ローチャネル４を通り、サセプタ３上で加熱・分解され
てサセプタ３上のウエハに堆積する。このとき、ウエハ
上に堆積しなかった反応ガスはガスの流れに沿って反応
管１の下流側の内壁や排気口５の入口周辺に多くの反応
生成物を付着させる。
ローチャネル４を通り、サセプタ３上で加熱・分解され
てサセプタ３上のウエハに堆積する。このとき、ウエハ
上に堆積しなかった反応ガスはガスの流れに沿って反応
管１の下流側の内壁や排気口５の入口周辺に多くの反応
生成物を付着させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相結晶成長装
置は以上のように構成されているので、反応管を取りは
ずして洗浄するといった保守作業の際、大気に触れたリ
ン系の反応生成物から有害ガスが発生し、危険が大きい
という問題点があった（反応生成物が大気に触れること
により発熱し、ガスの発生を促進することもある）。
置は以上のように構成されているので、反応管を取りは
ずして洗浄するといった保守作業の際、大気に触れたリ
ン系の反応生成物から有害ガスが発生し、危険が大きい
という問題点があった（反応生成物が大気に触れること
により発熱し、ガスの発生を促進することもある）。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、反応管の取りはずしの際に有
害なガスが発生するのを抑えることができる気相結晶成
長装置を得ることを目的としている。
るためになされたもので、反応管の取りはずしの際に有
害なガスが発生するのを抑えることができる気相結晶成
長装置を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る気相結晶
成長装置は、反応管取りはずし作業を行う前に、反応管
内に反応生成物を被うような金属膜等の蒸着膜を作る手
段を設けたものである。
成長装置は、反応管取りはずし作業を行う前に、反応管
内に反応生成物を被うような金属膜等の蒸着膜を作る手
段を設けたものである。
【０００８】
【作用】この発明における気相結晶成長装置は、反応管
内へ金属膜を生成するような反応ガスを導入する管をも
っており、これをサセプタ上で熱分解することにより反
応管に付着した反応生成物を蒸着膜で被うことができる
ため、反応管取りはずし作業の危険性が抑えられる。
内へ金属膜を生成するような反応ガスを導入する管をも
っており、これをサセプタ上で熱分解することにより反
応管に付着した反応生成物を蒸着膜で被うことができる
ため、反応管取りはずし作業の危険性が抑えられる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による気相結晶成長装
置を示す。図において、１〜７は上記従来装置と全く同
一のものである。８は金属膜等の蒸着膜を生成するよう
な反応ガスを導入するための配管であり、９は前室７と
反応管１を仕切っているゲートバルブ６を保護するため
設けられたバルブである。
する。図１はこの発明の一実施例による気相結晶成長装
置を示す。図において、１〜７は上記従来装置と全く同
一のものである。８は金属膜等の蒸着膜を生成するよう
な反応ガスを導入するための配管であり、９は前室７と
反応管１を仕切っているゲートバルブ６を保護するため
設けられたバルブである。
【００１０】上記のように構成された気相結晶成長装置
においても、従来例について述べたのと同様に、反応管
１下流側や排気口５の入口付近に多くの反応生成物が堆
積するが、ゲートバルブ６はその手前に設けた保守用ガ
スゲートバルブ９により反応生成物が付着するのを防止
している。反応管取りはずし作業を行う前に、ガス導入
管８より熱分解によって金属等の（王水により分解処理
のできるような）蒸着膜を形成するガス、例えばＷ（Ｃ
Ｏ）６ のようなガスを反応ガスよりも高い例えば０．
３ 〜０．４ 気圧で流すことにより、反応管１下流側
から排気口５入口まで堆積した有害ガスを発する反応生
成物をＷの蒸着膜で被うことができる。これにより、反
応管１を取りはずす際、問題となる有害ガスの発生を抑
えることができるとともに、取りはずし後、反応管１を
王水等で酸処理することにより反応生成物と一緒にこれ
らの蒸着膜も分解・除去される。
においても、従来例について述べたのと同様に、反応管
１下流側や排気口５の入口付近に多くの反応生成物が堆
積するが、ゲートバルブ６はその手前に設けた保守用ガ
スゲートバルブ９により反応生成物が付着するのを防止
している。反応管取りはずし作業を行う前に、ガス導入
管８より熱分解によって金属等の（王水により分解処理
のできるような）蒸着膜を形成するガス、例えばＷ（Ｃ
Ｏ）６ のようなガスを反応ガスよりも高い例えば０．
３ 〜０．４ 気圧で流すことにより、反応管１下流側
から排気口５入口まで堆積した有害ガスを発する反応生
成物をＷの蒸着膜で被うことができる。これにより、反
応管１を取りはずす際、問題となる有害ガスの発生を抑
えることができるとともに、取りはずし後、反応管１を
王水等で酸処理することにより反応生成物と一緒にこれ
らの蒸着膜も分解・除去される。
【００１１】なお、上記実施例では蒸着被覆を形成する
ためにガスを導入する方法について示したが、図３に示
すように、反応管１内にるつぼ１０を導入し、るつぼに
入れたアルミニウム，インジウム等をサセプタ３で加熱
することにより膜を形成する方法もある。この場合は反
応管１の上流側にもバルブ９と同様のメンテナンス用バ
ルブ１１を設けなければならない。
ためにガスを導入する方法について示したが、図３に示
すように、反応管１内にるつぼ１０を導入し、るつぼに
入れたアルミニウム，インジウム等をサセプタ３で加熱
することにより膜を形成する方法もある。この場合は反
応管１の上流側にもバルブ９と同様のメンテナンス用バ
ルブ１１を設けなければならない。
【００１２】また、るつぼの代わりにフィラメントを導
入し、予めフィラメントに接触させてある金属を加熱，
蒸着を行う方法も考えられる。この場合、サセプタ３に
よる加熱が不要であることは言うまでもない。
入し、予めフィラメントに接触させてある金属を加熱，
蒸着を行う方法も考えられる。この場合、サセプタ３に
よる加熱が不要であることは言うまでもない。
【００１３】なお、上記実施例１では横型反応管をもっ
たＭＯＣＶＤ装置の場合について示したが、縦型反応管
の装置であってもよく、また必ずしもＭＯＣＶＤ装置に
限るものではなく、クロライドＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ Ｐ
ｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ） や他のどのような気相結
晶成長装置であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
たＭＯＣＶＤ装置の場合について示したが、縦型反応管
の装置であってもよく、また必ずしもＭＯＣＶＤ装置に
限るものではなく、クロライドＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ Ｐ
ｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ） や他のどのような気相結
晶成長装置であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る気相結晶
成長装置によれば、反応管内壁等に付着した反応生成物
を金属等の蒸着膜で被うような構成にしたので、反応管
取りはずし，洗浄といった保守作業の安全性が向上する
という効果がある。
成長装置によれば、反応管内壁等に付着した反応生成物
を金属等の蒸着膜で被うような構成にしたので、反応管
取りはずし，洗浄といった保守作業の安全性が向上する
という効果がある。
【図１】この発明の一実施例による気相結晶成長装置を
示す断面模式図である。
示す断面模式図である。
【図２】従来の気相結晶成長装置の一実施例を示す断面
模式図である。
模式図である。
【図３】この発明の他の実施例による気相結晶成長装置
を示す断面模式図である。
を示す断面模式図である。
１ 反応管
５ 排気口
８ 保守用ガス導入管
９ 保守用ガスゲートバルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 有害なガスを発生する反応生成物が反
応管内に堆積するような気相結晶成長装置において、反
応管取りはずし作業を行う前に、管内に反応生成物を被
うことができるような金属膜等の蒸着膜を作る手段を備
えたことを特徴とする気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9343091A JPH04302140A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9343091A JPH04302140A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302140A true JPH04302140A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14082094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9343091A Pending JPH04302140A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302140A (ja) |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP9343091A patent/JPH04302140A/ja active Pending
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