JPH0430125A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH0430125A
JPH0430125A JP2135371A JP13537190A JPH0430125A JP H0430125 A JPH0430125 A JP H0430125A JP 2135371 A JP2135371 A JP 2135371A JP 13537190 A JP13537190 A JP 13537190A JP H0430125 A JPH0430125 A JP H0430125A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
wiring
liquid crystal
electrode
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2135371A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Shibusawa
誠 渋沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2135371A priority Critical patent/JPH0430125A/en
Publication of JPH0430125A publication Critical patent/JPH0430125A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To reduce the asymmetry of a switching element due to parasitic capacity, and to reduce flicker or burning by avoiding the overlap in point of a pattern of an electrode to execute serial connection and the electrode on an opposite substrate, and reducing the parasitic capacity. CONSTITUTION:First metal 31 made of Ta and an insulating film 32 made of TA2O5 are formed on an insulating substrate 30, and a display picture element electrode 33 made of an ITO film is formed. First wiring 34 made of Cr, second metal 35 incorporated into one body with it, and a second metal electrode 36 connected to 33 are formed. Thus, a first non-linear resistance element 37 and a first substrate 40 are obtained. On the other hand, wiring 42 intersecting the wiring 34 nearly at right angles is formed on the insulating substrate 41, and a second substrate 43 is obtained. The substrates 40 and 43 are opposed to each other, and a liquid crystal 44 is put between them.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、金属−絶縁膜−金属構造からなる非線形素
子(以下、MIM素子と称す)等のスイッチング素子を
用いて表示画素電極アレイを構成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) This invention provides display using a switching element such as a nonlinear element (hereinafter referred to as an MIM element) having a metal-insulating film-metal structure. The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device having a pixel electrode array.

(従来の技術) 液晶を用いた表示装置は、テレビ表示やグラフィックデ
イスプレィ等を指向した大容量、高密度のアクティブマ
トリックス型液晶表示装置の開発及び実用化が盛んであ
る。このような表示装置では、クロストークのない高コ
ントラスト表示が行えるように、各画素の駆動と制御を
行う手段として半導体スイッチが用いられる。その半導
体スイッチとしては、透過型表示が可能であり大面積化
も容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成され
たMIM素子等が用いられている。
(Prior Art) Regarding display devices using liquid crystals, active matrix type liquid crystal display devices with large capacity and high density are being actively developed and put into practical use for use in television displays, graphic displays, and the like. In such display devices, semiconductor switches are used as means for driving and controlling each pixel so that high contrast display without crosstalk can be performed. As the semiconductor switch, an MIM element or the like formed on a transparent insulating substrate is used because it is capable of transmissive display and can easily be made large in area.

第3図はMIMを用いた従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置における一画素パタンの表示画素電極アレ
イ基板上への投影図である。第3図において、アレイ基
板上には、信号配線1と一体の第1金属電極2に重なる
ように第2金属電極3が形成され、第1及び第2金属電
極2,3の間隙に絶縁膜が介在し、MIM素子としての
スイッチング素子4が構成されている。そして、第2金
属電極3は表示画素電極5に接続されている。
FIG. 3 is a projection diagram of one pixel pattern onto a display pixel electrode array substrate in a conventional active matrix liquid crystal display device using MIM. In FIG. 3, a second metal electrode 3 is formed on the array substrate so as to overlap a first metal electrode 2 that is integrated with the signal wiring 1, and an insulating film is formed between the first and second metal electrodes 2 and 3. interposed therebetween, and constitutes a switching element 4 as an MIM element. The second metal electrode 3 is connected to the display pixel electrode 5.

方、対向基板上には、信号配線1と直交する方向に走査
電極6が形成され、表示画素電極5との間隙に存在する
液晶を駆動する構造となっている。
On the other hand, a scanning electrode 6 is formed on the counter substrate in a direction perpendicular to the signal wiring 1, and is configured to drive the liquid crystal present in the gap between the scanning electrode 6 and the display pixel electrode 5.

第4図は第3図に平面構造を示したMIM型液晶表示装
置における一画素の等価回路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of one pixel in the MIM type liquid crystal display device whose planar structure is shown in FIG. 3.

第4図において、MIM素子は非線形抵抗RHIMと容
量CMIMの並列接続として表現され、MIM素子の第
1金属電極2と信号配線1、及び第2金属電極3と表示
画素電極5が接続されている。
In FIG. 4, the MIM element is expressed as a parallel connection of a nonlinear resistance RHIM and a capacitor CMIM, and the first metal electrode 2 of the MIM element is connected to the signal wiring 1, and the second metal electrode 3 and the display pixel electrode 5 are connected. .

そして、表示画素電極5、走査電極6及び液晶層10に
より液晶容量CLCが形成されている。
A liquid crystal capacitor CLC is formed by the display pixel electrode 5, the scanning electrode 6, and the liquid crystal layer 10.

次に、この種の液晶表示装置の駆動方法について説明す
る。即ち、走査電極6に選択電圧(voN)が印加され
ている期間(スイッチング期間)に、表示画素電極5が
信号配線電位に対応した電位に設定され、走査電極6に
非選択電圧(Vo、P)が印加されている期間(保持期
間)は、表示画素電極5がこの電位を保持する。この結
果、表示画素電極5と走査電極6の間に挟持されている
液晶層10に、映像信号電圧に応じた電位差がかかる。
Next, a method of driving this type of liquid crystal display device will be described. That is, during the period (switching period) in which the selection voltage (voN) is applied to the scan electrode 6, the display pixel electrode 5 is set to a potential corresponding to the signal wiring potential, and the non-selection voltage (Vo, P) is applied to the scan electrode 6. ) is applied (holding period), the display pixel electrode 5 holds this potential. As a result, a potential difference corresponding to the video signal voltage is applied to the liquid crystal layer 10 sandwiched between the display pixel electrode 5 and the scanning electrode 6.

そして、この電位差に応じて液晶層10の配列状態が変
化することにより、この部分の光透過率も変化し、画像
表示が行われる。
Then, by changing the arrangement state of the liquid crystal layer 10 in accordance with this potential difference, the light transmittance of this portion also changes, and an image is displayed.

ところで、CLcとCMIMの容量比は、MIM型液晶
表示装置の画質を左右する設計要素である。
Incidentally, the capacitance ratio between CLc and CMIM is a design element that influences the image quality of the MIM type liquid crystal display device.

CMIM/CLcの値が大きいと、スイッチング期間に
MIM素子に印加される電圧の容量分割に伴う低下によ
り、非線形抵抗RHIHの高抵抗領域が動作領域となる
。その結果、信号電位の表示画素電極への書き込み能力
が低下し、コントラスト比の低下につながる。また、保
持期間においては、CMIMを介した信号配線と表示画
素電極との容量結合による、信号電位の変化に対応する
表示画素電極電位の変動が大きくなり、これはクロスト
ークの増加につながる。しかし” HIMの値を小さく
且つ均一にすることには、製造プロセス、特に最小加工
寸法精度上の制限があり、容易には対応できない。
When the value of CMIM/CLc is large, the high resistance region of the nonlinear resistor RHIH becomes the operating region due to a decrease in the voltage applied to the MIM element during the switching period due to capacitance division. As a result, the ability to write signal potentials to display pixel electrodes is reduced, leading to a reduction in contrast ratio. Furthermore, during the holding period, variations in the display pixel electrode potential corresponding to changes in the signal potential increase due to capacitive coupling between the signal wiring and the display pixel electrode via the CMIM, which leads to an increase in crosstalk. However, making the HIM value small and uniform is not easy to deal with due to limitations in the manufacturing process, especially in the minimum processing dimension accuracy.

また、液晶は通常正負対称な交流電圧によって駆動する
ため、MIM素子にも極性が相異なる電圧が周期的に印
加される。一方、RHIHの非線形抵抗性は第1及び第
2電極材料の相違、或いは絶縁膜と第1及び第2電極と
の界面状態の相違等により、正負対称にならない場合が
ある。その場合、入力した電圧が正負対称でも液晶に印
加される電圧は正負非対称になり、フリッカや焼き付き
が発生する。
Furthermore, since liquid crystals are usually driven by alternating current voltages with positive and negative symmetry, voltages with different polarities are also periodically applied to the MIM element. On the other hand, the nonlinear resistance of RHIH may not be symmetrical in positive and negative directions due to differences in the materials of the first and second electrodes, or differences in the interface state between the insulating film and the first and second electrodes. In that case, even if the input voltage is symmetrical in positive and negative directions, the voltage applied to the liquid crystal becomes asymmetrical in positive and negative directions, causing flicker and burn-in.

(発明が解決しようとする課題) これらの問題を回避する手段として、例えば特開昭57
−144584号公報に記載されているように、2個の
MIM素子を逆極性に直列接続し、スイッチング期間と
して用いる方法が提案されている。
(Problems to be solved by the invention) As a means to avoid these problems, for example,
As described in Japanese Patent No. 144584, a method has been proposed in which two MIM elements are connected in series with opposite polarities and used as a switching period.

第5図はこのようなMIM型液晶表示装置における、一
画素パタンの表示画素電極アレイ基板上への投影図であ
る。第5図において、アレイ基板上には、孤立した第1
金属電極2に重なるように、信号配線1と一体の第2金
属電極20、及びこれとは分離された表示画素電極5に
接続されるもう一方の第2金属電極21が形成されてい
る。また、第1金属電極2と二つの第2金属電極20.
21の間隙には絶縁膜が介在し、第1金属電極2により
逆極性に直列接続された2個のMIM素子22゜23か
らなるスイッチング素子4が構成されている。一方、対
向基板上には、信号配線1と直交する方向に走査電極6
が形成され、表示画素電極5との間隙に存在する液晶を
駆動する構造となっている。
FIG. 5 is a projection diagram of one pixel pattern onto a display pixel electrode array substrate in such an MIM type liquid crystal display device. In FIG. 5, an isolated first
A second metal electrode 20 integrated with the signal wiring 1 and another second metal electrode 21 connected to the display pixel electrode 5 separated from this are formed so as to overlap the metal electrode 2. Also, a first metal electrode 2 and two second metal electrodes 20.
An insulating film is interposed in the gap 21, and a switching element 4 is constituted by two MIM elements 22 and 23 connected in series with opposite polarity by a first metal electrode 2. On the other hand, scanning electrodes 6 are provided on the counter substrate in a direction perpendicular to the signal wiring 1.
is formed to drive the liquid crystal present in the gap between the display pixel electrode 5 and the display pixel electrode 5.

第6図は第5図に平面構造を示したMIM型液晶表示装
置における一画素の等価回路図である。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of one pixel in the MIM type liquid crystal display device whose planar structure is shown in FIG.

第6図において、スイッチング素子4の構造以外は第4
図と同一の構成になっている。ただしこの構造の場合に
は、2個のMIM素子22.23を直列接続する第1金
属電極2と走査電極6との容量Cxを考慮する必要があ
る。
In FIG. 6, except for the structure of the switching element 4, the structure of the fourth
It has the same configuration as the figure. However, in the case of this structure, it is necessary to consider the capacitance Cx between the first metal electrode 2 and the scanning electrode 6 that connect the two MIM elements 22 and 23 in series.

ここで、走査電極6と信号配線1との電位差がV8.で
あるとき、第2金属電極20が信号配線1に接続されて
いるMIM素子22に印加されている電圧をvMo、第
2金属電極21が表示画素電極5に接続されているMI
M素子23に印加されている電圧をvM2とすると、各
々次に示す値となる。
Here, the potential difference between the scanning electrode 6 and the signal wiring 1 is V8. When , the voltage applied to the MIM element 22 whose second metal electrode 20 is connected to the signal wiring 1 is vMo, and MI where the second metal electrode 21 is connected to the display pixel electrode 5.
If the voltage applied to the M element 23 is vM2, the following values are obtained.

V  −(C*C+(C+C)ICx)MI     
LCHIM     LCHIM* V sp/ (C
LC* CMIN ” (e tc + CMIM )
*(CMIN + CX ) l・・・・・・■vM2
″″CLC*CMIM*vSP/(CLC*CMIM1
(C+C)* (C,、M+Cx)I LCHIM ・・・・・・■ 従って、MIM素子22にはMIM素子23より高い電
圧が常に印加されることになる。CMIM/CLoの値
を小さくする、或いは特性非対称性を相殺するために2
個のMIM素子22.23を逆極性に直列接続した場合
には、Cxの効果による特性非対称性が生じ、これに起
因するフリッカ、焼き付き等が問題となる。
V − (C*C+(C+C)ICx)MI
LCHIM LCHIM* V sp/ (C
LC* CMIN” (etc + CMIM)
*(CMIN + CX) l・・・・・・■vM2
″″CLC*CMIM*vSP/(CLC*CMIM1
(C+C)*(C,,M+Cx)I LCHIM...■ Therefore, a voltage higher than that of the MIM element 23 is always applied to the MIM element 22. 2 to reduce the value of CMIM/CLo or cancel the characteristic asymmetry.
When MIM elements 22 and 23 are connected in series with opposite polarities, characteristic asymmetry occurs due to the effect of Cx, which causes problems such as flicker and burn-in.

この発明はこのような従来の事情に鑑みてなされたもの
である。
This invention was made in view of such conventional circumstances.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、MIM素子の容量CMINを小さくする、
或いは単一のMIM素子の特性非対称性を相殺するため
に、逆極性に直列接続した2個のMIM素子をスイッチ
ング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示
装置についてのものである。そして、2個のMIM素子
を直列に接続する電極と走査電極とが液晶層を挾んで対
向しないように構成し、この電極と走査電極との寄生容
量を低減している。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) This invention reduces the capacitance CMIN of an MIM element.
Alternatively, the present invention relates to an active matrix liquid crystal display device that uses two MIM elements connected in series with opposite polarities as switching elements in order to offset the asymmetry in characteristics of a single MIM element. The electrodes connecting the two MIM elements in series and the scanning electrodes are configured so as not to face each other with the liquid crystal layer in between, thereby reducing the parasitic capacitance between these electrodes and the scanning electrodes.

(作 用) MIMを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、コントラスト比の低下、クロストークの要因と
なるC MIMを小さくするため、或いはフリッカ、焼
き付きの要因となる単一M 1M素子特性の非対称を相
殺するために、2個のMIM素子を逆極性に直列接続し
たものをスイッチング素子として用いることがある。そ
してこの場合、2個のMIM素子を直列に接続する電極
と走査電極との間の寄生容量の存在による特性非対称性
が生じ、これに起因したフリッカ、焼き付きが発生する
ことがある。この発明では、これを防ぐために、この直
列接続に用いる電極と走査電極との寄生容量を低減して
いる。
(Function) In active matrix type liquid crystal display devices using MIM, to reduce CMIM, which causes a decrease in contrast ratio and crosstalk, or to reduce the asymmetry of the characteristics of a single M1M element, which causes flicker and burn-in. In order to cancel this out, two MIM elements connected in series with opposite polarities may be used as a switching element. In this case, characteristic asymmetry occurs due to the presence of parasitic capacitance between the electrode connecting the two MIM elements in series and the scanning electrode, and flicker and burn-in may occur due to this. In order to prevent this, the present invention reduces the parasitic capacitance between the electrodes used for this series connection and the scanning electrodes.

(実施例) 以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例を示す投影図及び断面図で
あり、第1図(a)は一画素バタンの表示画素電極アレ
イ基板上への投影図、第1図(b)は第1図(a)のA
−A−断面に相当する薪面図を表している。第1図にお
いて製造工程に従って説明すると、まず、例えばガラス
からなる絶縁基板30の一生面上にTa膜を所定形状に
形成した後、Ta膜に陽極酸化を施して陽極酸化膜を形
成する。そして、Ta膜を更にパターニングすることに
より、Taからなる第1金属31、及びTa205から
なる絶縁膜32を形成している。
FIG. 1 is a projection view and a sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 1(a) is a projection view of one pixel button onto a display pixel electrode array substrate, and FIG. A in Figure 1 (a)
-A- represents a firewood plan corresponding to the cross section. To explain the manufacturing process in FIG. 1, first, a Ta film is formed in a predetermined shape on the entire surface of an insulating substrate 30 made of, for example, glass, and then the Ta film is anodized to form an anodized film. Then, by further patterning the Ta film, a first metal 31 made of Ta and an insulating film 32 made of Ta205 are formed.

続いて、絶縁基板30の一生面上にITO膜を形成した
後、ITO膜をパターニングすることにより、表示画素
電極33を形成する。次に、絶縁基板30の一生面上に
Cr膜を形成した後、Cr膜をパターニングすることに
より、第1配線34、これと一体の第2金属35、及び
表示画素電極33に接続される第2金属電極36を形成
する。
Subsequently, after forming an ITO film on the entire surface of the insulating substrate 30, the ITO film is patterned to form the display pixel electrode 33. Next, after forming a Cr film on the entire surface of the insulating substrate 30 , the Cr film is patterned to form a first wiring 34 , a second metal 35 integrated therewith, and a first wiring connected to the display pixel electrode 33 . 2 metal electrodes 36 are formed.

こうして、第1金属31−絶縁膜32−第2金属35構
造を有する第1非線形抵抗素子37と、第1金属31−
絶縁膜32−第2金属36構造を有する第2非線形抵抗
素子38が互いの第1金属32により直列接続されてな
るスイッチング素子39が得られる。そして、スイッチ
ング素子39、表示画素電極33及び第1配線34が絶
縁基板30の一生面上に形成されてなる第1基板40が
得られる。一方、例えばガラスからなる絶縁基板41の
一生面上に、第1配線34に概略直交する方向に第2配
線42を形成することにより、第2基板43が得られる
。そして、第1基板40と第2基板43の一生面側が互
いに対向するように組み合わせて得られる間隙には、液
晶44が挟持されている。
In this way, the first nonlinear resistance element 37 having the first metal 31-insulating film 32-second metal 35 structure and the first metal 31-
A switching element 39 is obtained in which second nonlinear resistance elements 38 having an insulating film 32 - second metal 36 structure are connected in series by the first metal 32 . Then, a first substrate 40 is obtained in which the switching element 39, the display pixel electrode 33, and the first wiring 34 are formed on the entire surface of the insulating substrate 30. On the other hand, a second substrate 43 is obtained by forming a second wiring 42 in a direction approximately perpendicular to the first wiring 34 on the entire surface of an insulating substrate 41 made of glass, for example. A liquid crystal 44 is sandwiched in a gap formed by combining the first substrate 40 and the second substrate 43 so that their surfaces face each other.

この実施例では、第1基板40の一生面上への投影図で
第2配線42のない部分例えば隣接する第2配線42間
に、第1及び第2非線形抵抗素子37.38を直列接続
する第1金属31が存在している。この結果、第1金属
31と第2配線42との容量に相当する0式におけるC
Xの値が減少し、第1及び第2非線形抵抗素子37.3
8の特性非対称性が従来に比べ低減されるため、これに
起因するフリッカや焼き付き等が生じにくくなる。
In this embodiment, the first and second nonlinear resistance elements 37 and 38 are connected in series in a portion of the first substrate 40 where the second wiring 42 is not present in a projected view on the whole surface thereof, for example, between adjacent second wirings 42. A first metal 31 is present. As a result, C in equation 0, which corresponds to the capacitance between the first metal 31 and the second wiring 42, is
The value of X decreases, and the first and second nonlinear resistance elements 37.3
Since the characteristic asymmetry of No. 8 is reduced compared to the conventional case, flicker, burn-in, etc. caused by this are less likely to occur.

112図はこの発明の他の実施例を示す図であり、一画
素パタンの表示画素電極アレイ基板上べの投影図を表し
ている。この実施例は第1図に示した実施例に比べ、ス
イッチング素子39の位置及び第2配線42の形状が異
なっている。即ち、第1及び第2非線形抵抗素子37.
38を直列接続する第1金属31は、第1基板40の一
生面上への投影図で第2配線42のない部分例えば第2
配線42に設けられたスリット部50に存在している。
FIG. 112 is a diagram showing another embodiment of the present invention, and shows a projected view of one pixel pattern on a display pixel electrode array substrate. This embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 in the position of the switching element 39 and the shape of the second wiring 42. That is, the first and second nonlinear resistance elements 37.
38 are connected in series, the first metal 31 connects the first metal 38 in series to the portion where the second wiring 42 is not present, for example, the second
It exists in a slit portion 50 provided in the wiring 42.

従って、この実施例も′!s1図に示した実施例と同様
の効果を有することは言うまでもない。
Therefore, this embodiment is also '! Needless to say, this embodiment has the same effect as the embodiment shown in Fig. s1.

[発明の効果] この発明は、2個のMIM素子を逆極性に直列接続した
ものをスイッチング素子として用いる構成の液晶表示装
置において、直列接続を行う電極と対向基板上の電極と
のバタン的な重なりを避け、この部分での寄生容量を低
減することにより、この寄生容量に起因するスイッチン
グ素子特性の非対称を低減することができ、その結果、
フリッカや焼き付きの少ないアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供することができる。
[Effects of the Invention] The present invention provides a liquid crystal display device having a configuration in which two MIM elements connected in series with opposite polarities are used as a switching element. By avoiding the overlap and reducing the parasitic capacitance in this part, it is possible to reduce the asymmetry in the switching element characteristics caused by this parasitic capacitance, and as a result,
An active matrix liquid crystal display device with less flicker and burn-in can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例である一画素パタンの表示
画素電極アレイ基板上への投影図及び断面図、第2図は
この発明の他の実施例である一画素パタンの表示画素電
極アレイ基板上への投影図、第3図は単一MIM素子を
スイッチング素子として用いる従来の液晶表示装置にお
ける一画素パタンの表示画素電極アレイ基板上への投影
図、第4図は第3図に示した液晶表示装置における一画
素の等価回路図、第5図は2個のMIM素子を逆極性に
直列接続したものをスイッチング素子として用いる従来
の液晶表示装置における一画素パタンの表示画素電極ア
レイ基板上への投影図、第6図は第5図に示した液晶表
示装置における一画素の等価回路図である。 31・・・第1金属、     32・・・絶縁膜33
・・・表示画素電極。 34・・・第1配線 35.36・・・第2金属 37・・・第1非線形抵抗素子 38・・・第2非線形抵抗素子 39・・・スイッチング素子 40・・・第1基板、    42・・・第2配線43
・・・第2基板、     44・・・液晶(d) 第 図 第 図 第 図 第 図
FIG. 1 is a projection view and cross-sectional view of a display pixel electrode array substrate of one pixel pattern, which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a display pixel electrode of a one pixel pattern, which is another embodiment of the invention. FIG. 3 is a projection view of one pixel pattern onto the display pixel electrode array substrate in a conventional liquid crystal display device using a single MIM element as a switching element, and FIG. 4 is a projection view onto the array substrate. The equivalent circuit diagram of one pixel in the liquid crystal display device shown in FIG. The upward projection view, FIG. 6, is an equivalent circuit diagram of one pixel in the liquid crystal display device shown in FIG. 31... First metal, 32... Insulating film 33
...Display pixel electrode. 34... first wiring 35. 36... second metal 37... first nonlinear resistance element 38... second nonlinear resistance element 39... switching element 40... first substrate, 42. ...Second wiring 43
...Second substrate, 44...Liquid crystal (d) Fig. Fig. Fig. Fig.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 第1金属−絶縁膜−第2金属構造を有する第1及び第2
非線形抵抗素子が互いの前記第1金属により直列接続さ
れてなるスイッチング素子と、前記第1非線形抵抗素子
の前記第2電極に接続された第1配線と、前記第2非線
形抵抗素子の前記第2電極に接続された表示画素電極と
が一主面上に形成されてなる第1基板と、 前記第1配線に概略直交する方向に第2配線が一主面上
に形成されてなる第2基板と、 前記第1及び第2基板の前記一主面側が互いに対向する
ように組み合わせて得られる間隙に挟持された液晶とを
備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記第1基板の前記一主面上への投影図で前記第2配線
のない部分に、前記第1及び第2非線形抵抗素子を直列
接続する前記第1金属が存在することを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。
[Claims] First and second metals having a first metal-insulating film-second metal structure
a switching element in which nonlinear resistance elements are connected in series by the first metal; a first wiring connected to the second electrode of the first nonlinear resistance element; and the second wiring of the second nonlinear resistance element. A first substrate having a display pixel electrode connected to the electrode formed on one main surface; and a second substrate having a second wiring formed on one main surface in a direction substantially perpendicular to the first wiring. and a liquid crystal sandwiched between a gap obtained by combining the first and second substrates such that the one main surface side faces each other, wherein the one main surface side of the first substrate An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that the first metal connecting the first and second nonlinear resistance elements in series is present in a portion where the second wiring is not present in a projected view onto a surface.
JP2135371A 1990-05-28 1990-05-28 Active matrix type liquid crystal display device Pending JPH0430125A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2135371A JPH0430125A (en) 1990-05-28 1990-05-28 Active matrix type liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2135371A JPH0430125A (en) 1990-05-28 1990-05-28 Active matrix type liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0430125A true JPH0430125A (en) 1992-02-03

Family

ID=15150157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2135371A Pending JPH0430125A (en) 1990-05-28 1990-05-28 Active matrix type liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0430125A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08240816A (en) * 1992-04-28 1996-09-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Active matrix display device
US5852488A (en) * 1992-04-28 1998-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
US6512556B1 (en) * 1994-07-14 2003-01-28 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
DE102009003296A1 (en) 2008-05-22 2009-12-03 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya N-type Group III nitride based compound semiconductor and manufacturing method therefor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08240816A (en) * 1992-04-28 1996-09-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Active matrix display device
US5852488A (en) * 1992-04-28 1998-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
US6512556B1 (en) * 1994-07-14 2003-01-28 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
DE102009003296A1 (en) 2008-05-22 2009-12-03 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya N-type Group III nitride based compound semiconductor and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3311184B2 (en) Liquid crystal display
US6433764B1 (en) Liquid crystal display
JPH1039328A (en) Liquid crystal display device
KR100324457B1 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP2693513B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP2003091017A (en) Color liquid crystal display device
JPH10301141A (en) Liquid crystal display element and its production
KR20070003164A (en) Liquid crystal display device
JPH0954341A (en) Active matrix type liquid crystal display element
JPH0772509A (en) Active matrix liquid crystal display element
JPH11212059A (en) Liquid crystal display device
JPH0430125A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP3650280B2 (en) Horizontal electric field type active matrix liquid crystal display device
JPH0225A (en) Driving device
JP3164987B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JPS6328308B2 (en)
JP2001033814A (en) Liquid crystal panel
JPH07120791A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP2845487B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JPS63292114A (en) Active matrix type liquid crystal display device
WO2017170069A1 (en) Liquid crystal display device
JPH02184823A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JPS6261154B2 (en)
JP2748426B2 (en) Liquid crystal device
JPH02223927A (en) Liquid crystal display panel