JPH0430122B2 - - Google Patents
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- JPH0430122B2 JPH0430122B2 JP958284A JP958284A JPH0430122B2 JP H0430122 B2 JPH0430122 B2 JP H0430122B2 JP 958284 A JP958284 A JP 958284A JP 958284 A JP958284 A JP 958284A JP H0430122 B2 JPH0430122 B2 JP H0430122B2
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
［発明の技術分野］
本発明はIC，LSIペレツトや電子部品の素子類
を絶縁基板や電極に接着する導電性ペーストに関
する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 従来半導体ペレツトをリードフレームに搭載す
るには、まず、リードフレームのペレツトマウン
ト用ベツド上に、導電性ペーストの一定量をデイ
スペンサ（定量吐出装置）で滴下し、その上にペ
レツトを適宜圧力で圧着し、ペーストを加熱硬化
させて接着する。次いで接着させたペレツト上の
電極とリードフレームのリードとの間を熱圧着法
等によつてワイヤボンデイングを行い電気的に接
続していた。 ところが、ペレツトを接着する導電性ペースト
は、普通銀粉末等の導電性フイラーとエポキシ樹
脂等の合成樹脂バインダとから構成されている
が、合成樹脂バインダは熱硬化によつて収縮を起
し、その結果ペレツトに歪を与えペーストの加熱
硬化後にワイボンデイング時にペレツトクラツク
を起しやすい。特に近時VLSI等ペレツトが大形
化しており、ペレツトクラツクが大きな問題とな
つてきている。 また、ぺーストは熱硬化時に発泡しやすく、生
じたボイドは接着力のバラツキやガス・イオン性
成分などの溜りの原因となつている。 このように、従来の導電性ペーストによる半導
体ペレツトや電子部品の接着においてはストレス
やボイドが発生しやすいが、特に素子類をマニア
ルでマウントする場合は、マウント圧力が一定に
ならないためペレツトクラツクやボイドの発生が
顕著に現われるという欠点がある。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、前記の欠点を解消するために
なされたもので、硬化後にペレツトクラツク、ボ
イドの発生しない導電性ペーストを提供しようと
するものである。 ［発明の概要］ 本発明者は、上記の目的を達成するため鋭意研
究を重ねた結果、ペレツトクラツクの主な原因が
接着に使用している導電性ペースト層が熱シヨツ
クを緩和するに充分な厚さを保持していないこ
と、或は厚さが不同であることに着目し、導電性
ペースト中に一定粒径で、かつ球状の無機質非導
電性フイラーを一定量配合することにより導電性
ペースト層の厚さを一定にし、それによりペレツ
トクラツクやボイドを発生させない導電性ペース
トが得られることを見い出したものである。 即ち、本発明は、 (A) 熱硬化性樹脂バインダ (B) 銀粉末 (C) 無機質非導電性フイラー とを必須成分とし、前記無機質非導電性フイラー
として平均粒径20〜40μmの球状フイラーを前記
熱硬化性樹脂バインダと銀粉末との合計量100重
量部に対して１〜20重量部配合することを特徴と
する導電性ペーストである。 本発明に使用する(A)熱硬化性樹脂バインダとし
ては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フエノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独又は２種以上の混合樹脂として使用す
る。これらの中で特にエポキシ樹脂が適している
が耐熱性を必要とする用途にはポリイミド樹脂が
好ましい。 本発明に使用する導電性フイラーとしての(B)銀
粉末は、銀粉末はもちろん有機銀粉末（酢酸銀、
乳酸銀）、表面に銀メツキを施したもの等どのよ
うな銀系粉末でもよく、また球状、フレーク状、
樹脂状等どのような形状のものでもよいが、抵拡
値安定上平均粒径10μmであることが好ましい。 銀粉末と前記熱硬化性バインダとの配合割合
は、７／３〜９／１が適している。その割合が
７／３より小さいと必要な導電性が得られず、
９／１より大きいと塗布しにくくなるので好まし
くない。 本発明に使用する(C)無機質非導電性フイラーと
しては、例えばシリカ粉末、ガラスビーズ等が最
適である。これは半導体素子の接着に使用するた
め、素子の信頼性等を悪くする不純物イオンが少
ないものを選択する必要があり、その意味からし
てシリカ粉末（シリカボール）やガラスビーズは
最適なものである。また導電性ペースト層の厚さ
調節を行なうため、平均粒径が20〜40μmの球状
のフイラーが必要である。平均粒径が20μm未満
であるとペレツトクラツクを防止するに必要なペ
ースト層厚が維持できず、また40μmを越えると
硬化したペースト中にボイドが発生し好ましくな
い。そしてフイラーが球状でない場合は、導電性
ペーストをデイスペンサー等で吐出する際の吐出
量が一定とならず、また吐出された導電性ペース
ト上にペレツトを乗せた時のペースト層厚がペレ
ツトを乗せる時の荷重によつて異なつてしまう欠
点があり、そのためフイラー形状は球状にする必
要がある。ここでいう球状とは、長径短径の比が
20％以下のものを意味する。このように所定粒径
で球状の場合はペースト厚が一定となりペレツト
クラツクやボイドの発生が全く見られなくなる。 無機質非導電性フイラーの配合割合は、熱硬化
性樹脂バインダと銀粉末との合計量［(A)＋(B)］
100重量部に対して１〜20重量部、好ましくは２
〜10重量部配合する必要がある。配合量が１重量
部未満ではペレツト層厚の調整ができず、20重量
部を超えるとフイラーの接触抵抗が現われ、必要
な導電性が得られず好ましくない。従つて前記の
通り限定される必要がある。 本発明の導電性ペーストは熱硬化性樹脂バイン
ダ、銀粉末、無機質非導電性フイラー及び希釈剤
を混練して容易に製造することができる。また必
要によりその他の成分も添加することができる。
このようにして製造した導電性ペーストは、必要
な箇所に塗布してIC，LSIペレツト等をのせて
120〜200℃で加熱硬化させて接着させることがで
きる。 ［発明の実施例］ 以下本発明を実施例によつて説明するが本発明
は実施例に限定されるものではない。第１表中の
ペースト組成は重量部を意味する。 実施例 １〜４ 第１表に示した各成分を混練し、導電性ペース
トを製造した。この導電性ペーストを十分な検出
が可能な試験数の銅系リードフレーム上に塗布
し、７mm□のシリコンチツプをマウントして、
180℃で１時間加熱硬化後のペレツト（チツプ）
クラツク、ボイドの発生の有無および体積抵抗を
試験した。その結果は第１表に示した。 比較例 １〜３ 第１表の各成分を混練し、実施例と同様にして
導電性ペーストを製造し、同様な試験を行なつた
のでその結果を第１表に示した。
を絶縁基板や電極に接着する導電性ペーストに関
する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 従来半導体ペレツトをリードフレームに搭載す
るには、まず、リードフレームのペレツトマウン
ト用ベツド上に、導電性ペーストの一定量をデイ
スペンサ（定量吐出装置）で滴下し、その上にペ
レツトを適宜圧力で圧着し、ペーストを加熱硬化
させて接着する。次いで接着させたペレツト上の
電極とリードフレームのリードとの間を熱圧着法
等によつてワイヤボンデイングを行い電気的に接
続していた。 ところが、ペレツトを接着する導電性ペースト
は、普通銀粉末等の導電性フイラーとエポキシ樹
脂等の合成樹脂バインダとから構成されている
が、合成樹脂バインダは熱硬化によつて収縮を起
し、その結果ペレツトに歪を与えペーストの加熱
硬化後にワイボンデイング時にペレツトクラツク
を起しやすい。特に近時VLSI等ペレツトが大形
化しており、ペレツトクラツクが大きな問題とな
つてきている。 また、ぺーストは熱硬化時に発泡しやすく、生
じたボイドは接着力のバラツキやガス・イオン性
成分などの溜りの原因となつている。 このように、従来の導電性ペーストによる半導
体ペレツトや電子部品の接着においてはストレス
やボイドが発生しやすいが、特に素子類をマニア
ルでマウントする場合は、マウント圧力が一定に
ならないためペレツトクラツクやボイドの発生が
顕著に現われるという欠点がある。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、前記の欠点を解消するために
なされたもので、硬化後にペレツトクラツク、ボ
イドの発生しない導電性ペーストを提供しようと
するものである。 ［発明の概要］ 本発明者は、上記の目的を達成するため鋭意研
究を重ねた結果、ペレツトクラツクの主な原因が
接着に使用している導電性ペースト層が熱シヨツ
クを緩和するに充分な厚さを保持していないこ
と、或は厚さが不同であることに着目し、導電性
ペースト中に一定粒径で、かつ球状の無機質非導
電性フイラーを一定量配合することにより導電性
ペースト層の厚さを一定にし、それによりペレツ
トクラツクやボイドを発生させない導電性ペース
トが得られることを見い出したものである。 即ち、本発明は、 (A) 熱硬化性樹脂バインダ (B) 銀粉末 (C) 無機質非導電性フイラー とを必須成分とし、前記無機質非導電性フイラー
として平均粒径20〜40μmの球状フイラーを前記
熱硬化性樹脂バインダと銀粉末との合計量100重
量部に対して１〜20重量部配合することを特徴と
する導電性ペーストである。 本発明に使用する(A)熱硬化性樹脂バインダとし
ては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フエノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独又は２種以上の混合樹脂として使用す
る。これらの中で特にエポキシ樹脂が適している
が耐熱性を必要とする用途にはポリイミド樹脂が
好ましい。 本発明に使用する導電性フイラーとしての(B)銀
粉末は、銀粉末はもちろん有機銀粉末（酢酸銀、
乳酸銀）、表面に銀メツキを施したもの等どのよ
うな銀系粉末でもよく、また球状、フレーク状、
樹脂状等どのような形状のものでもよいが、抵拡
値安定上平均粒径10μmであることが好ましい。 銀粉末と前記熱硬化性バインダとの配合割合
は、７／３〜９／１が適している。その割合が
７／３より小さいと必要な導電性が得られず、
９／１より大きいと塗布しにくくなるので好まし
くない。 本発明に使用する(C)無機質非導電性フイラーと
しては、例えばシリカ粉末、ガラスビーズ等が最
適である。これは半導体素子の接着に使用するた
め、素子の信頼性等を悪くする不純物イオンが少
ないものを選択する必要があり、その意味からし
てシリカ粉末（シリカボール）やガラスビーズは
最適なものである。また導電性ペースト層の厚さ
調節を行なうため、平均粒径が20〜40μmの球状
のフイラーが必要である。平均粒径が20μm未満
であるとペレツトクラツクを防止するに必要なペ
ースト層厚が維持できず、また40μmを越えると
硬化したペースト中にボイドが発生し好ましくな
い。そしてフイラーが球状でない場合は、導電性
ペーストをデイスペンサー等で吐出する際の吐出
量が一定とならず、また吐出された導電性ペース
ト上にペレツトを乗せた時のペースト層厚がペレ
ツトを乗せる時の荷重によつて異なつてしまう欠
点があり、そのためフイラー形状は球状にする必
要がある。ここでいう球状とは、長径短径の比が
20％以下のものを意味する。このように所定粒径
で球状の場合はペースト厚が一定となりペレツト
クラツクやボイドの発生が全く見られなくなる。 無機質非導電性フイラーの配合割合は、熱硬化
性樹脂バインダと銀粉末との合計量［(A)＋(B)］
100重量部に対して１〜20重量部、好ましくは２
〜10重量部配合する必要がある。配合量が１重量
部未満ではペレツト層厚の調整ができず、20重量
部を超えるとフイラーの接触抵抗が現われ、必要
な導電性が得られず好ましくない。従つて前記の
通り限定される必要がある。 本発明の導電性ペーストは熱硬化性樹脂バイン
ダ、銀粉末、無機質非導電性フイラー及び希釈剤
を混練して容易に製造することができる。また必
要によりその他の成分も添加することができる。
このようにして製造した導電性ペーストは、必要
な箇所に塗布してIC，LSIペレツト等をのせて
120〜200℃で加熱硬化させて接着させることがで
きる。 ［発明の実施例］ 以下本発明を実施例によつて説明するが本発明
は実施例に限定されるものではない。第１表中の
ペースト組成は重量部を意味する。 実施例 １〜４ 第１表に示した各成分を混練し、導電性ペース
トを製造した。この導電性ペーストを十分な検出
が可能な試験数の銅系リードフレーム上に塗布
し、７mm□のシリコンチツプをマウントして、
180℃で１時間加熱硬化後のペレツト（チツプ）
クラツク、ボイドの発生の有無および体積抵抗を
試験した。その結果は第１表に示した。 比較例 １〜３ 第１表の各成分を混練し、実施例と同様にして
導電性ペーストを製造し、同様な試験を行なつた
のでその結果を第１表に示した。
【表】
第１表から明らかなように本発明の導電性ペー
ストは比較例に比べペレツトクラツク、ボイドに
優れていることがわかる。 ［発明の効果］ 以上の説明からわかるように本発明の導電性ペ
ーストは、球状かつ一定粒径の無機質非導電性フ
イラーを一定量配合したことによつてペースト層
の厚さを一定にすることが可能となり、その結果
ペースト硬化後のペレツトクラツクやボイドの発
生を防止することができ極めて信頼性の高い半導
体製品または電子部品を得ることができる。
ストは比較例に比べペレツトクラツク、ボイドに
優れていることがわかる。 ［発明の効果］ 以上の説明からわかるように本発明の導電性ペ
ーストは、球状かつ一定粒径の無機質非導電性フ
イラーを一定量配合したことによつてペースト層
の厚さを一定にすることが可能となり、その結果
ペースト硬化後のペレツトクラツクやボイドの発
生を防止することができ極めて信頼性の高い半導
体製品または電子部品を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １(A) 熱硬化性樹脂バインダ (B) 銀粉末 (C) 無機質非導電性フイラー とを必須成分とし、前記無機質非導電性フイラー
として平均粒径20〜40μmの球状フイラーを前記
熱硬化性樹脂バインダと銀粉末との合計量100重
量部に対して１〜20重量部配合することを特徴と
する導電性ペースト。 ２ 熱硬化性樹脂バインダが、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂及びフエノール樹脂から選ばれる１
種又は２種以上の樹脂であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の導電性ペースト。 ３ 無機質非導電性フイラーが、シリカ粉末及
び／又はガラスビーズであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の導電性ペー
スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP958284A JPS60154403A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 導電性ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP958284A JPS60154403A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 導電性ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154403A JPS60154403A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH0430122B2 true JPH0430122B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=11724301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP958284A Granted JPS60154403A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 導電性ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154403A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2720343B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1998-03-04 | 東芝ケミカル株式会社 | 導電性ペースト |
| JP3445641B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2003-09-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| CN102007690A (zh) * | 2008-02-18 | 2011-04-06 | 精工电子有限公司 | 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 |
| WO2009104314A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP958284A patent/JPS60154403A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60154403A (ja) | 1985-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |