JPH043005B2 - - Google Patents
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- JPH043005B2 JPH043005B2 JP1123582A JP1123582A JPH043005B2 JP H043005 B2 JPH043005 B2 JP H043005B2 JP 1123582 A JP1123582 A JP 1123582A JP 1123582 A JP1123582 A JP 1123582A JP H043005 B2 JPH043005 B2 JP H043005B2
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
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- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンビネーシヨン型のビデオヘツドに
関する。
関する。
最近VTRの小型・軽量化のため、テープ幅4
分の1インチ、ヘツド・テープ相対速度が従来の
約2分の1の3〜4m/秒であるVTRが提案さ
れている。
分の1インチ、ヘツド・テープ相対速度が従来の
約2分の1の3〜4m/秒であるVTRが提案さ
れている。
家庭用VTR装置として良好な画質を得るため
には、6MHz近傍の高域信号の記録・再生が必要
であるが、このテープ・ヘツド相対速度では、テ
ープ上への記録波長が0.5〜0.7μmという極めて
短波長なものとなる。
には、6MHz近傍の高域信号の記録・再生が必要
であるが、このテープ・ヘツド相対速度では、テ
ープ上への記録波長が0.5〜0.7μmという極めて
短波長なものとなる。
このような短波長記録ではテープ上の磁化は反
磁界により自己減磁を起こし、そのため再生出力
は大幅に低減する。
磁界により自己減磁を起こし、そのため再生出力
は大幅に低減する。
これを防ぐため抗磁力の大なるテープ、即ち合
金テープが用いられる。ところが短波長の記録・
再生を可能にするためのヘツドのギヤツプ長とし
ては、0.2〜0.3μmと極めて狭くすることが必要
となり、このような狭ギヤツプ長で高抗磁力のテ
ープ(Hc>1000エルステツド)を磁化し再生す
るためには、飽和磁束密度(Bs)の大なるヘツ
ドコア材料、例えばセンダスト合金(Fe−Al−
St合金)、アモルフアス材料(Fe−Co系)を用い
るのがよいとされている。これらの材料のBsは
いずれもBs>8000Gauss以上と高い値を有するた
めである。
金テープが用いられる。ところが短波長の記録・
再生を可能にするためのヘツドのギヤツプ長とし
ては、0.2〜0.3μmと極めて狭くすることが必要
となり、このような狭ギヤツプ長で高抗磁力のテ
ープ(Hc>1000エルステツド)を磁化し再生す
るためには、飽和磁束密度(Bs)の大なるヘツ
ドコア材料、例えばセンダスト合金(Fe−Al−
St合金)、アモルフアス材料(Fe−Co系)を用い
るのがよいとされている。これらの材料のBsは
いずれもBs>8000Gauss以上と高い値を有するた
めである。
しかしながらセンダスト合金ヘツド及びアモル
フアス合金ヘツドの最大の欠点は耐摩耗性が劣り
寿命が短かいことである。
フアス合金ヘツドの最大の欠点は耐摩耗性が劣り
寿命が短かいことである。
ところが前述の家庭用小型VTRのような狭ト
ラツク幅且つテープと高速摺動するヘツドにおい
ては、寿命の信頼性から耐摩耗性が最も重要な問
題である。
ラツク幅且つテープと高速摺動するヘツドにおい
ては、寿命の信頼性から耐摩耗性が最も重要な問
題である。
一方耐摩耗性の点では現状ビデオヘツドとして
用いられているMn−Znフエライト単結晶ヘツド
が優れている。しかし、この材料はBsが4000〜
5000Gaussと低く、0.2μm程度の狭ギヤツプ長で
例えば1300エルステツドの高抗磁力テープを磁化
するには充分ではない。
用いられているMn−Znフエライト単結晶ヘツド
が優れている。しかし、この材料はBsが4000〜
5000Gaussと低く、0.2μm程度の狭ギヤツプ長で
例えば1300エルステツドの高抗磁力テープを磁化
するには充分ではない。
そこで、フエライトヘツドを第1図に示す様
に、記録専用ヘツド2と再生専用ヘツド1とに分
け、それぞれに適するギヤツプ長3,4をもたせ
たコンビネーシヨンヘツドが提案されている。
に、記録専用ヘツド2と再生専用ヘツド1とに分
け、それぞれに適するギヤツプ長3,4をもたせ
たコンビネーシヨンヘツドが提案されている。
これはヘツドはギヤツプ長が大きければ磁束密
度が少々低くとも高抗磁力テープを磁化記録する
ことが出来、一方再生ギヤツプは短波長磁化を再
生するため狭ギヤツプ長(例えば0.2μm)とする
という方式である。
度が少々低くとも高抗磁力テープを磁化記録する
ことが出来、一方再生ギヤツプは短波長磁化を再
生するため狭ギヤツプ長(例えば0.2μm)とする
という方式である。
本発明はこのコンビネーシヨンヘツドのFe2O3
の組成比及びギヤツプ長を改善することにより、
性能を高めたビデオヘツドに関するものである。
の組成比及びギヤツプ長を改善することにより、
性能を高めたビデオヘツドに関するものである。
以下図面に示す実施例に基づき本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
第1図はコンビネーシヨン型のビデオヘツドを
示しており、公知の如く再生ヘツド1と記録ヘツ
ド2を、非磁性材料5を挾んで一体化して構成さ
れている。
示しており、公知の如く再生ヘツド1と記録ヘツ
ド2を、非磁性材料5を挾んで一体化して構成さ
れている。
本発明の特徴は、記録ヘツド2のギヤツプ長4
を再生ヘツド1のギヤツプ長3の1.5〜3倍とし
たこと。
を再生ヘツド1のギヤツプ長3の1.5〜3倍とし
たこと。
記録用ヘツドコア21及び再生用ヘツドコア1
1のコア材として何れもMnZnフエライト単結晶
を用いたこと。
1のコア材として何れもMnZnフエライト単結晶
を用いたこと。
記録ヘツド用MnZnフエライト単結晶の飽和磁
束密度(Bs)を6000〜6500Gaussにすべく、該ヘ
ツドコアのFe2O3の組成比を65mol%以上70mol
%以下としたこと。
束密度(Bs)を6000〜6500Gaussにすべく、該ヘ
ツドコアのFe2O3の組成比を65mol%以上70mol
%以下としたこと。
再生ヘツド用MnZnフエライト単結晶の飽和磁
束密度(Bs)を4700〜5300Gaussにすべく、該ヘ
ツドのコアのFe2O3の組成比を45mol%以上
55mol%以下としたこと。
束密度(Bs)を4700〜5300Gaussにすべく、該ヘ
ツドのコアのFe2O3の組成比を45mol%以上
55mol%以下としたこと。
である。
次に超小型VTRに於ける実験例について、上
記数値限定の理由を述べる。
記数値限定の理由を述べる。
VTRはテープ幅1/4インチ、ヘツドテープ相対
速度3.5m/sec、テープは合金粉末テープ(Hc
=1300エルステツド)、再生ヘツドギヤツプ長
0.2μmである。
速度3.5m/sec、テープは合金粉末テープ(Hc
=1300エルステツド)、再生ヘツドギヤツプ長
0.2μmである。
まず記録ヘツドについてはギヤツプ長が大きい
方が磁化しやすいが、第4図に記録ヘツドギヤツ
プ長と記録・再生出力の周波数特性との関係をグ
ラフで示した。
方が磁化しやすいが、第4図に記録ヘツドギヤツ
プ長と記録・再生出力の周波数特性との関係をグ
ラフで示した。
記録ヘツドギヤツプ長が再生ヘツドギヤツプ長
と同じ0.2μmでは出力は低い。記録ヘツドギヤツ
プ長が0.4μmから0.5μm位の範囲では、出力はギ
ヤツプ長の拡大と共に増加し、周波数特性も向上
する。しかしギヤツプ長が1μmになると、低周
波の出力(例えば1MHzでの出力)は向上するが、
6MHzの高域出力は急激に減少し始める。これよ
り記録ヘツドのギヤツプ長は0.3〜0.6μmがよい。
即ち再生ヘツドギヤツプ長の1.5倍から3倍の範
囲が適切である。
と同じ0.2μmでは出力は低い。記録ヘツドギヤツ
プ長が0.4μmから0.5μm位の範囲では、出力はギ
ヤツプ長の拡大と共に増加し、周波数特性も向上
する。しかしギヤツプ長が1μmになると、低周
波の出力(例えば1MHzでの出力)は向上するが、
6MHzの高域出力は急激に減少し始める。これよ
り記録ヘツドのギヤツプ長は0.3〜0.6μmがよい。
即ち再生ヘツドギヤツプ長の1.5倍から3倍の範
囲が適切である。
記録用ビデオヘツドの場合、要求される材料の
磁気特性は飽和磁束密度が高いこと、抗磁力が小
さいこと即ち透磁率が高いことなどであるが、合
金テープに対応するヘツド材料としては飽和磁束
密度が高いことがより重視される。
磁気特性は飽和磁束密度が高いこと、抗磁力が小
さいこと即ち透磁率が高いことなどであるが、合
金テープに対応するヘツド材料としては飽和磁束
密度が高いことがより重視される。
MnZnフエライト単結晶の場合、Fe2O3の組成
比が増加するとBsが増加するが、逆に交流実効
透磁率が減少する。この様子を示したのが第5図
のグラフであつて、これはMnZnフエライト単結
晶中のFe2O3含有量と、飽和磁束密度及び透磁率
の関係を表わしている。ここで実効透磁率の測定
は各組成比を有するMnZnフエライト単結晶より
磁路面が{110}面となるリング試料(直径2mm、
孔径1mm)を超音波加工機で各々打ち抜き、その
後研磨により厚さを0.2mmとしたサンプルに直径
0.04mmホルマル線を15ターン捲廻し、ベクトルイ
ンピーダンスメータを用いて行なつたものであ
る。測定周波数は5MHzとした。
比が増加するとBsが増加するが、逆に交流実効
透磁率が減少する。この様子を示したのが第5図
のグラフであつて、これはMnZnフエライト単結
晶中のFe2O3含有量と、飽和磁束密度及び透磁率
の関係を表わしている。ここで実効透磁率の測定
は各組成比を有するMnZnフエライト単結晶より
磁路面が{110}面となるリング試料(直径2mm、
孔径1mm)を超音波加工機で各々打ち抜き、その
後研磨により厚さを0.2mmとしたサンプルに直径
0.04mmホルマル線を15ターン捲廻し、ベクトルイ
ンピーダンスメータを用いて行なつたものであ
る。測定周波数は5MHzとした。
前記の様に記録用ビデオヘツドに於て、飽和磁
束密度をより重視するといつても、記録信号をヘ
ツドギヤツプ部での大きな漏れ磁界に変換するた
めには抗磁力が小さく透磁率の高いことも重要で
あり、この兼ね合いより決定すべきである。
束密度をより重視するといつても、記録信号をヘ
ツドギヤツプ部での大きな漏れ磁界に変換するた
めには抗磁力が小さく透磁率の高いことも重要で
あり、この兼ね合いより決定すべきである。
Fe2O3を70mol%以上増加しても、Bs(飽和磁
束密度)は殆んど増加せず逆に減少しはじめる。
一方透磁率はどんどん減少するためFe2O3<
70mol%以下が必要である。またFe2O3mol%の
低下とともにBsはどんどん減少するが、合金テ
ープ用としてはBsが大きい程よく少なくとも
6000Gauss以上が必要である。
束密度)は殆んど増加せず逆に減少しはじめる。
一方透磁率はどんどん減少するためFe2O3<
70mol%以下が必要である。またFe2O3mol%の
低下とともにBsはどんどん減少するが、合金テ
ープ用としてはBsが大きい程よく少なくとも
6000Gauss以上が必要である。
これより65<Fe2O3<70(mol%)
再生用ビデオヘツド材も前記記録用ビデオヘツ
ド材と同様に飽和磁束密度が高いこと及び透磁率
が高いことが要求されるが、透磁率が高いことが
より重視される。
ド材と同様に飽和磁束密度が高いこと及び透磁率
が高いことが要求されるが、透磁率が高いことが
より重視される。
第5図のグラフから判る様にFe2O3の含有率が
70mol%より減少するとともに、透磁率は増加す
る傾向にあり、45mol%近傍でピーク値に達し、
それ以下では減少し始める傾向にある。
70mol%より減少するとともに、透磁率は増加す
る傾向にあり、45mol%近傍でピーク値に達し、
それ以下では減少し始める傾向にある。
一方BsはFe2O3含有量の減少とともにどんどん
低下するので、その有効範囲としては、 45<Fe2O3<55(mol%) が適当である。
低下するので、その有効範囲としては、 45<Fe2O3<55(mol%) が適当である。
上記のことから記録ヘツドのコア材は65<
Fe2O3<70(mol%)Bs≒6000Gaussのものを、又
再生ヘツドのコア材は45<Fe2O3<55(mol%)
Bs≒5000Gauss透磁率(μ)≒700(at 5MHz)を
用いた所謂コンビネーシヨンヘツドが合金テープ
対応ヘツドとして優れた特性を発揮する。
Fe2O3<70(mol%)Bs≒6000Gaussのものを、又
再生ヘツドのコア材は45<Fe2O3<55(mol%)
Bs≒5000Gauss透磁率(μ)≒700(at 5MHz)を
用いた所謂コンビネーシヨンヘツドが合金テープ
対応ヘツドとして優れた特性を発揮する。
第2図、第3図はコンビネーシヨンヘツドの他
の実施例を示しており、第2図は磁性材7を非磁
性材5,5で挾んだものを介して再生用ヘツド1
と記録用ヘツド2を一体化したものである。
の実施例を示しており、第2図は磁性材7を非磁
性材5,5で挾んだものを介して再生用ヘツド1
と記録用ヘツド2を一体化したものである。
第3図は黄銅ベース6上に再生用ヘツド1と記
録用ヘツド2を間隔を存して対向配備したもので
ある。
録用ヘツド2を間隔を存して対向配備したもので
ある。
本発明は上記の如く、MnZnフエライト単結晶
を用いてヘツドを製作したから、耐摩耗性を損な
うことはなく、又、ギヤツプ長及び飽和磁束密度
を再生用ヘツド、記録用ヘツドとして最適に決め
たから高性能を発揮する等、優れた効果を有す。
を用いてヘツドを製作したから、耐摩耗性を損な
うことはなく、又、ギヤツプ長及び飽和磁束密度
を再生用ヘツド、記録用ヘツドとして最適に決め
たから高性能を発揮する等、優れた効果を有す。
尚、本発明は上記構成に限定されることはなく
特許請求の範囲に記載の技術範囲内で種々の変形
が可能であるのは勿論である。
特許請求の範囲に記載の技術範囲内で種々の変形
が可能であるのは勿論である。
第1図はコンビネーシヨンヘツドの斜面図、第
2図、第3図はコンビネーシヨンヘツドの他の実
施例の正面図、第4図は記録ヘツドギヤツプ長と
記録・再生出力の周波数特性との関係を示すグラ
フ、第5図はMnZnフエライト単結晶中のFe2O3
含有量と飽和磁束密度及び透磁率の関係を表わす
グラフである。 1……再生用ヘツド、2……記録用ヘツド。
2図、第3図はコンビネーシヨンヘツドの他の実
施例の正面図、第4図は記録ヘツドギヤツプ長と
記録・再生出力の周波数特性との関係を示すグラ
フ、第5図はMnZnフエライト単結晶中のFe2O3
含有量と飽和磁束密度及び透磁率の関係を表わす
グラフである。 1……再生用ヘツド、2……記録用ヘツド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 記録及び再生のために夫々専用のヘツドを組
み合せたコンビネーシヨン型のビデオヘツドに於
て、記録ヘツドのギヤツプ長を再生ヘツドのギヤ
ツプ長の1.5〜3倍とし、記録用ヘツドコア及び
再生用ヘツドコアのコア材としていずれもMnZn
フエライト単結晶を用い、記録ヘツド用MnZnフ
エライト単結晶の飽和磁束密度を6000〜
6500GaussにすべくFe2O3の組成比を65〜70mol
%とし、再生ヘツド用MnZnフエライト単結晶の
飽和磁束密度を4700〜5300GaussにすべくFe2O3
の組成比を45〜55mol%としたことを特徴とする
コンビネーシヨンタイプビデオヘツド。 2 再生ヘツドのギヤツプ長は0.2〜0.3μm、記
録ヘツドのギヤツプ長は0.3〜0.6μmである特許
請求の範囲第1項に記載の高抗磁力テープ用ビデ
オヘツド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1123582A JPS58128019A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 高抗磁力テ−プ用ビデオヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1123582A JPS58128019A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 高抗磁力テ−プ用ビデオヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58128019A JPS58128019A (ja) | 1983-07-30 |
JPH043005B2 true JPH043005B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=11772269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1123582A Granted JPS58128019A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 高抗磁力テ−プ用ビデオヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58128019A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS645210U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP1123582A patent/JPS58128019A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58128019A (ja) | 1983-07-30 |
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