JPH0250309A - 磁気ヘッドコア - Google Patents
磁気ヘッドコアInfo
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- JPH0250309A JPH0250309A JP20228988A JP20228988A JPH0250309A JP H0250309 A JPH0250309 A JP H0250309A JP 20228988 A JP20228988 A JP 20228988A JP 20228988 A JP20228988 A JP 20228988A JP H0250309 A JPH0250309 A JP H0250309A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）等の磁気記
録再生システムに配備される磁気ヘッドの主要部となる
コアに関するものである。
録再生システムに配備される磁気ヘッドの主要部となる
コアに関するものである。
近年、磁気記録分野での記録情報量の増大に伴い、高密
度記録化の要求が高まってきている。このため、高透磁
率および高飽和磁束密度を有し、且つ耐蝕性並びに耐摩
耗性に優れた磁気へラドコアが要求されている。このよ
うな要求に対し、フェライトコアではその飽和磁束密度
の低さ故に限界があるから、Ｆｅ系結晶質材料を用いた
コア或いはＣｏ系非晶質材料を用いたコアが注目されて
いる。
度記録化の要求が高まってきている。このため、高透磁
率および高飽和磁束密度を有し、且つ耐蝕性並びに耐摩
耗性に優れた磁気へラドコアが要求されている。このよ
うな要求に対し、フェライトコアではその飽和磁束密度
の低さ故に限界があるから、Ｆｅ系結晶質材料を用いた
コア或いはＣｏ系非晶質材料を用いたコアが注目されて
いる。
また、上記のＦｅ系結晶質材料の方がＣｏ系非晶質材料
に比べて飽和磁束密度が高く、また熱安定性に優れてお
り、特に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金材料にあっては、Ｓ
ｉを９．５賀ｔ％、Ａｌを５．５ｗｔ％、残りＦｅを中
心としたセンダスト組成において、高透磁率、高飽和磁
束密度、および高硬度を有する材料となることが知られ
ている。
に比べて飽和磁束密度が高く、また熱安定性に優れてお
り、特に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金材料にあっては、Ｓ
ｉを９．５賀ｔ％、Ａｌを５．５ｗｔ％、残りＦｅを中
心としたセンダスト組成において、高透磁率、高飽和磁
束密度、および高硬度を有する材料となることが知られ
ている。
ところで、ＶＴＲヘッドの分野において、高画質ＶＴＲ
やディジタルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドは、１０
ＭＨｚ以上の高周波帯域を中心に使用されることが考え
られ、そのトラック幅は数μｍ〜数十μｍに設定される
ことから、ヘッドコアの総膜厚もヘッドトラック幅相当
の厚みが要求される。
やディジタルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドは、１０
ＭＨｚ以上の高周波帯域を中心に使用されることが考え
られ、そのトラック幅は数μｍ〜数十μｍに設定される
ことから、ヘッドコアの総膜厚もヘッドトラック幅相当
の厚みが要求される。
ここで、上記のように、高透磁率、高飽和磁束密度を存
するＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜において、高周波帯域
での実効透磁率は、渦電流損失、自然共鳴などの影響に
より減衰することが考えられる。そこで、渦電流損失を
考慮し、はぼ５μｍの膜厚のＦｅ−Ａｎ！−Ｓｉ系合金
薄膜と、数千人の膜厚の非磁性薄膜とを交互に積層して
所要の総膜厚を得るとともに、上記はぼ５μｍの合金薄
膜が単層で有する実効透磁率の高周波特性を維持させる
試みがなされている。即ち、Ｆｅ−ＡＮ−Ｓｉ系合金薄
膜だけで数十μｍの総膜厚を得ることにより生じる実効
透磁率の低下を抑制している。
するＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜において、高周波帯域
での実効透磁率は、渦電流損失、自然共鳴などの影響に
より減衰することが考えられる。そこで、渦電流損失を
考慮し、はぼ５μｍの膜厚のＦｅ−Ａｎ！−Ｓｉ系合金
薄膜と、数千人の膜厚の非磁性薄膜とを交互に積層して
所要の総膜厚を得るとともに、上記はぼ５μｍの合金薄
膜が単層で有する実効透磁率の高周波特性を維持させる
試みがなされている。即ち、Ｆｅ−ＡＮ−Ｓｉ系合金薄
膜だけで数十μｍの総膜厚を得ることにより生じる実効
透磁率の低下を抑制している。
また、−要分の膜厚を５μｍとしているのは、数Ｍｌ（
ｚの周波数帯域では、５μｍ以下の膜厚でも実効透磁率
は殆ど向上しないという測定結果により（特公昭５４−
３２３８号公報参照）、１０μｍ以上においても同様に
実効透磁率はあまり向上しないであろうと予想されたた
めと考えられる。事実、１０ＭＨｚ以上でのＦｅ−Ａｊ
！−Ｓｉ系合金膜の透磁率について議論できるような測
定系は数少なく、１０ＭＨｚ以上の磁気へラドコアとし
てＦｅ−Ａｌｆｉ−Ｓｉ系合金膜の重要性についてはあ
まり議論されていないのが実情である。
ｚの周波数帯域では、５μｍ以下の膜厚でも実効透磁率
は殆ど向上しないという測定結果により（特公昭５４−
３２３８号公報参照）、１０μｍ以上においても同様に
実効透磁率はあまり向上しないであろうと予想されたた
めと考えられる。事実、１０ＭＨｚ以上でのＦｅ−Ａｊ
！−Ｓｉ系合金膜の透磁率について議論できるような測
定系は数少なく、１０ＭＨｚ以上の磁気へラドコアとし
てＦｅ−Ａｌｆｉ−Ｓｉ系合金膜の重要性についてはあ
まり議論されていないのが実情である。
しかしながら、このようなＦｅ−Ａ／ｌ！−Ｓｉ系合金
薄膜をコアとした磁気ヘッドを、高画質ＶＴＲやディジ
タルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドとして有意義に使
用する場合には、１０ＭＨｚ以上の高周波帯域において
、上記５μｍの合金薄膜が単層で有する実効透磁率以上
のより優れた高透磁率を得ることが重要な課題となる。
薄膜をコアとした磁気ヘッドを、高画質ＶＴＲやディジ
タルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドとして有意義に使
用する場合には、１０ＭＨｚ以上の高周波帯域において
、上記５μｍの合金薄膜が単層で有する実効透磁率以上
のより優れた高透磁率を得ることが重要な課題となる。
本発明にかかる磁気へラドコアは、１０ＭＨｚ以上の高
周波帯域におけるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の実効透
磁率について、４μｍ以下の合金薄膜が単層で有する実
効透磁率の高周波特性が、予想を上回る優れた特性を発
揮することを見出してなされたものであって、搬送波周
波数がＩＯＭ）（ｚ以上の周波数変調された信号を記録
再生するようにした磁気記録再生システムに用いられる
磁気ヘッドの主要部となるコアにおいて、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金薄膜と非磁性薄膜とを交互に積層して所要の
総膜厚を得るとともに、上記Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄
膜の一要分の膜厚を４μｍ以下に設定していることを特
徴としている。
周波帯域におけるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の実効透
磁率について、４μｍ以下の合金薄膜が単層で有する実
効透磁率の高周波特性が、予想を上回る優れた特性を発
揮することを見出してなされたものであって、搬送波周
波数がＩＯＭ）（ｚ以上の周波数変調された信号を記録
再生するようにした磁気記録再生システムに用いられる
磁気ヘッドの主要部となるコアにおいて、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金薄膜と非磁性薄膜とを交互に積層して所要の
総膜厚を得るとともに、上記Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄
膜の一要分の膜厚を４μｍ以下に設定していることを特
徴としている。
上記の構成によれば、１０ＭＨｚ以上の高周波帯域でも
高い透磁率および高飽和磁束密度を得て優れた再生効率
を有する磁気ヘッドを得ることができるとともに、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の有する耐蝕性および耐摩耗性
を活かして長寿命の磁気ヘッドを得ることができる。
高い透磁率および高飽和磁束密度を得て優れた再生効率
を有する磁気ヘッドを得ることができるとともに、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の有する耐蝕性および耐摩耗性
を活かして長寿命の磁気ヘッドを得ることができる。
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
本発明に係る磁気へラドコアは、搬送波周波数が１０Ｍ
Ｈｚ以上の周波数変調された信号を記録再生するように
した磁気記録再生システムに用いられる磁気ヘッドの主
要部となるものであって、第１図に示すように、基板１
上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜２・・・と非磁性薄膜
３・・・とを交互に積層して所要の総膜厚を得ているも
のである。そして、上記Ｆｅ−ＡＮ−Ｓｉ系合金薄膜２
の一要分の膜厚は４μｍ以下に設定されている。
Ｈｚ以上の周波数変調された信号を記録再生するように
した磁気記録再生システムに用いられる磁気ヘッドの主
要部となるものであって、第１図に示すように、基板１
上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜２・・・と非磁性薄膜
３・・・とを交互に積層して所要の総膜厚を得ているも
のである。そして、上記Ｆｅ−ＡＮ−Ｓｉ系合金薄膜２
の一要分の膜厚は４μｍ以下に設定されている。
Ｆｅ−Ａｎ−Ｓｉ系合金薄膜２は、例えば、電子ビーム
蒸着法をはじめ、抵抗加熱式蒸着法、スパッタ法、イオ
ンブレーティング法、クラスターイオンビーム法等の薄
膜作製技術を用いることにより成膜できる。
蒸着法をはじめ、抵抗加熱式蒸着法、スパッタ法、イオ
ンブレーティング法、クラスターイオンビーム法等の薄
膜作製技術を用いることにより成膜できる。
ここで、Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜における膜厚の
違いによる高周波帯域での透磁率特性を調べるため、電
子ビーム蒸着法により、約１．２Ｔの飽和磁束密度を有
する等方性Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜を、２μｍ、
３μｍ、 ４μｍ、 ５μｍ。
違いによる高周波帯域での透磁率特性を調べるため、電
子ビーム蒸着法により、約１．２Ｔの飽和磁束密度を有
する等方性Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜を、２μｍ、
３μｍ、 ４μｍ、 ５μｍ。
１０μｍ、２０μｍの膜厚でそれぞれ形成し、各合金薄
膜が単層で有する実効透磁率の高周波特性をそれぞれ測
定した。なお、膜組成は、Ｓｉが９〜１１ｗｔ％、Ａｌ
が３〜５ｗｔ％、残りをＦｅとしている。かかる測定結
果は、第２図に示す通りであり、数ＭＨｚの周波数帯域
では、膜厚を５μｍ以下にしても、実効透磁率は殆ど向
上しないが、−方、１０ＭＨｚを越える周波数帯域では
実効透磁率に大きく差異の生じるのが確認できる。
膜が単層で有する実効透磁率の高周波特性をそれぞれ測
定した。なお、膜組成は、Ｓｉが９〜１１ｗｔ％、Ａｌ
が３〜５ｗｔ％、残りをＦｅとしている。かかる測定結
果は、第２図に示す通りであり、数ＭＨｚの周波数帯域
では、膜厚を５μｍ以下にしても、実効透磁率は殆ど向
上しないが、−方、１０ＭＨｚを越える周波数帯域では
実効透磁率に大きく差異の生じるのが確認できる。
本発明にかかる磁気へラドコアの優秀性は、これを用い
て作製した磁気ヘッドにおいて一層顕著なものとなる。
て作製した磁気ヘッドにおいて一層顕著なものとなる。
−例として、−層分の膜厚が２μｍのＦｅ−Ａｊ！−５
ｉ系合金薄膜と数百〜数千人の非磁性薄膜を交互に１０
０層分積してなるコアと、−層分の膜厚が５μｍのＦｅ
−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜と数百〜数千人の非磁性薄膜
を交互に４層分積層してなる従来型コアとを用いて、そ
れぞれトラック幅が２０μｍの磁気ヘッドを作製し、こ
れをハイビジョン用ＶＴＲ装置に搭載して特性を測定し
た。このとき、搬送波周波数は１８ＭＨｚ、磁気テープ
との相対速度は２１ｍ／ｓ、媒体の保磁力Ｈｃは１５０
００ｅ、媒体の残留磁化Ｂ。
ｉ系合金薄膜と数百〜数千人の非磁性薄膜を交互に１０
０層分積してなるコアと、−層分の膜厚が５μｍのＦｅ
−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜と数百〜数千人の非磁性薄膜
を交互に４層分積層してなる従来型コアとを用いて、そ
れぞれトラック幅が２０μｍの磁気ヘッドを作製し、こ
れをハイビジョン用ＶＴＲ装置に搭載して特性を測定し
た。このとき、搬送波周波数は１８ＭＨｚ、磁気テープ
との相対速度は２１ｍ／ｓ、媒体の保磁力Ｈｃは１５０
００ｅ、媒体の残留磁化Ｂ。
は２４７０Ｇの条件下で行った。結果は、従来型コアか
らなる磁気ヘッドの出力よりも、本発明に係るコアから
なる磁気ヘッドの出力の方が約２ｄＢだけ改善された。
らなる磁気ヘッドの出力よりも、本発明に係るコアから
なる磁気ヘッドの出力の方が約２ｄＢだけ改善された。
実際の１８ＭＨｚにおける出力では、約９０ｎＶｐ−ｒ
／μｍ−ｔｕｒｎ−ｍ／ｓが約１１０ ｎＶｐ−ｐ ／
μｍ−ｔｕｒｎ６ｍ／ｓとなった。
／μｍ−ｔｕｒｎ−ｍ／ｓが約１１０ ｎＶｐ−ｐ ／
μｍ−ｔｕｒｎ６ｍ／ｓとなった。
このように、本発明の磁気へラドコアによれば１０ＭＨ
ｚ以上の高周波帯域でも高い透磁率および高飽和磁束密
度を得て優れた再生効率を有する磁気ヘッドを得ること
ができるとともに、Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜の有
する耐蝕性および耐摩耗性を活かして長寿命の磁気ヘッ
ドを得ることができる。
ｚ以上の高周波帯域でも高い透磁率および高飽和磁束密
度を得て優れた再生効率を有する磁気ヘッドを得ること
ができるとともに、Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜の有
する耐蝕性および耐摩耗性を活かして長寿命の磁気ヘッ
ドを得ることができる。
なお、Ｆｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜の組成は前記した
ものに限らないことは勿論であり、低周波数帯域で実効
透磁率が１５００Ｂ、以上、望ましくは２０００μ。以
上あれば良いものである。
ものに限らないことは勿論であり、低周波数帯域で実効
透磁率が１５００Ｂ、以上、望ましくは２０００μ。以
上あれば良いものである。
本発明にかかる磁気へラドコアは、以上のように、搬送
波周波数が１０ＭＨｚ以上の周波数変調された信号を記
録再生するようにした磁気記録再生システムに用いられ
る磁気ヘッドの主要部となるコアにおいて、Ｆｅ−Ａｊ
！−Ｓｉ系合金薄膜と非磁性薄膜とを交互に積層して所
要の総膜厚を得るとともに、上記Ｆｅ−Ａｌｉ−Ｓｉ系
合金薄膜の一要分の膜厚を４μｍ以下に設定している構
成である。
波周波数が１０ＭＨｚ以上の周波数変調された信号を記
録再生するようにした磁気記録再生システムに用いられ
る磁気ヘッドの主要部となるコアにおいて、Ｆｅ−Ａｊ
！−Ｓｉ系合金薄膜と非磁性薄膜とを交互に積層して所
要の総膜厚を得るとともに、上記Ｆｅ−Ａｌｉ−Ｓｉ系
合金薄膜の一要分の膜厚を４μｍ以下に設定している構
成である。
これにより、１０ＭＨｚ以上の高周波帯域でも優れた再
生効率を発揮し、且つ、Ｆｅ−Ａｎ！−Ｓｉ系合金薄膜
の有する耐蝕性および耐摩耗性を活かした長寿命の磁気
ヘッドを得ることができる。これにより、高画質ＶＴＲ
やディジタルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドのコアと
して、十分に活用することができ、また、生産性にも優
れているという効果を奏する。
生効率を発揮し、且つ、Ｆｅ−Ａｎ！−Ｓｉ系合金薄膜
の有する耐蝕性および耐摩耗性を活かした長寿命の磁気
ヘッドを得ることができる。これにより、高画質ＶＴＲ
やディジタルＶＴＲなどの高品位ＶＴＲヘッドのコアと
して、十分に活用することができ、また、生産性にも優
れているという効果を奏する。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は磁気へラドコアの概略の断面図、第２図
はＦｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜の膜厚をパラメータと
して周波数と実効透磁率との関係を示したグラフである
。 １は基板、２はＦｅ−Ａｌ！−Ｓｉ系合金薄膜、３は非
磁性薄膜である。 第 図 裟 図 周 ′；Ｌ数（ＭＨｚ）
って、第１図は磁気へラドコアの概略の断面図、第２図
はＦｅ−Ａｊ！−Ｓｉ系合金薄膜の膜厚をパラメータと
して周波数と実効透磁率との関係を示したグラフである
。 １は基板、２はＦｅ−Ａｌ！−Ｓｉ系合金薄膜、３は非
磁性薄膜である。 第 図 裟 図 周 ′；Ｌ数（ＭＨｚ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、搬送波周波数が１０ＭＨｚ以上の周波数変調された
信号を記録再生するようにした磁気記録再生システムに
用いられる磁気ヘッドの主要部となるコアにおいて、 Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜と非磁性薄膜とを交互に積
層して所要の総膜厚を得るとともに、上記Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金薄膜の一層分の膜厚を４μｍ以下に設定して
いることを特徴とする磁気ヘッドコア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20228988A JPH0250309A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気ヘッドコア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20228988A JPH0250309A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気ヘッドコア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250309A true JPH0250309A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16455077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20228988A Pending JPH0250309A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気ヘッドコア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576098A (en) * | 1992-07-08 | 1996-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US6765755B1 (en) * | 1999-08-20 | 2004-07-20 | Thales | Anti-abrasive reading head |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20228988A patent/JPH0250309A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576098A (en) * | 1992-07-08 | 1996-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US6765755B1 (en) * | 1999-08-20 | 2004-07-20 | Thales | Anti-abrasive reading head |
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