JPH04298838A - 光磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ビームの照射及び変
調磁界の印加によって、光磁気記録媒体に情報を記録ま
たは情報の再生を行う磁界変調方式の光磁気記録再生装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来例の光磁気記録再生装置を示
した構成図である。図において、１はガラス或いはプラ
スチックを素材とした基板２に垂直磁化膜３を被着し、
さらにその表面に保護膜４を形成した光磁気記録媒体で
あるところの光磁気ディスクである。この光磁気ディス
ク１はマグネットチャッキング等で回転自在にスピンド
ルモータに支持され、中心軸を中心として回転する構造
である。６〜２０は光ヘッドを構成する部品であり、６
は集光レンズ８を駆動するアクチュエータ、７は半導体
レーザ、９はビームスピリッタ、１０はビーム整形レン
ズである。半導体レーザ７から出射されたレーザ光は、
ビーム整形レンズ１０、ビームスピリッタ９、集光レン
ズ８を通り、光磁気ディスク１へ照射される。このとき
、集光レンズ８は後述するＡＦ・ＡＴ制御回路１４の制
御動作により、アクチュエータ６が集光レンズ８をトラ
ッキング方向及びフォーカシング方向に駆動し、レーザ
光は垂直磁化膜３上に焦点を結んだ状態で情報トラック
上を走査するように制御される。１１〜１３はそのトラ
ッキング制御やフォーカシング制御のための制御光学系
であって、１１はビームスプリッタ、１２はセンサレン
ズ、１３はセンサである。光磁気ディスク１で反射され
たレーザ光は、前述した集光レンズ８、ビームスピリッ
タ９を経てビームスプリッタ１１に入射し、２つに分割
される。そしてこの分割された一方の光がセンサレンズ
１２を介してセンサ１３に入射し、ＡＴ・ＡＦ制御回路
１４はセンサ１３の検出信号に基づいて前述のようなト
ラッキングやフォーカシング制御する。

【０００３】また、１５〜２０は情報を再生するための
再生光学系であって、１５はλ／２板、１６は変更ビー
ムスプリッタ、１７、１９はセンサレンズ、１８、２０
はセンサレンズである。前述したビームスピリッタ１１
で分割されたもう一方の光はλ／２板１５を通って偏光
ビームスピリッタ１６に入射する。偏光ビームスプリッ
タ１６では、入射光を偏光特性により反射または透過し
、反射光はセンサレンズ１９へ、透過光はセンサレンズ
１７へ導く。そして、センサレンズ１９を介した光はセ
ンサ２０で、センサレンズ１７を介した光はセンサ１８
でそれぞれ受光される。これらの出力信号は、加算器２
１、減算器２２へ出力され、加算器２１では各センサの
出力信号を加算し、また減算器２２ではその差を演算す
る。加算出力及び差出力は、和信号、差信号（光磁気信
号）として図示しない再生回路へ出力され、元の情報に
再生される。

【０００４】一方、光磁気ディスク１の上面には、光ヘ
ッドと相対向して浮上ヘッド２３が配設されている。浮
上ヘッド２３は光磁気ディスク１の表面よりわずかに浮
上し光ヘッドと連動して光磁気ディスク１の半径方向へ
移動できる構造である。また浮上ヘッド２３には光ヘッ
ドの集光レンズ８と対峙した位置に電磁石２４が具備さ
れている。電磁石２４は、磁界変調回路２５からの駆動
信号により、記録信号に応じた変調磁界を発生する。

【０００５】情報を記録する場合は、半導体レーザ７か
ら出射したレーザ光が光磁気ディスク１の垂直磁化膜３
上に微小光スポットとして集光される。レーザ光の光パ
ワーは記録時と再生時で異なり、記録時では図７（ｃ）
に示すように再生時よりも高い記録パワーＰｗのレーザ
光が出射される。光パワーの制御はレーザ点灯回路２６
で行われ、またこのときはＡＴ・ＡＦ制御回路１４の制
御により、前述のようなトラッキングやフォーカシング
制御がかけられている。垂直磁化膜３はレーザ光の照射
により、キュリー点温度近傍またはそれ以上の温度に昇
温し、この昇温部位に電磁石２４から図７（ｂ）に示す
ようなバイアス磁界が印加される。バイアス磁界は図７
（ａ）に示す記録信号に応じて変調されており、記録信
号が１のときは＋Ｈの磁界、記録信号が０のときは−Ｈ
の磁界であり、磁界強度は記録を行うのに充分な強度で
ある。このバイアス磁界の印加により垂直磁化膜３の磁
化方向がバイアス磁界の方向に向き、図７（ｄ）に示す
ような磁区が形成される。図７（ｄ）の記録パターンで
は、白抜きで示す磁区ａが記録信号１に対応した記録磁
区、斜線で示す磁区ｂが記録信号が０に対応した記録磁
区である。このように磁界変調方式では、前の記録情報
を消去することなく、その上に重ね書き（オーバライト
）することが可能である。また、情報を再生する場合は
、半導体レーザ７の光パワーが再生パワーに下げられ、
情報トラック上に再生用光スポットが走査される。 そして、その反射光は前述したように再生光学系で検出
され、またその検出信号を加算器２１、減算器２２およ
び図示しない再生回路で処理することによって、元の記
録情報が再生される。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来の光磁気記録再生装置では、情報を記録する場合
、バイアス磁界の極性を切換えているために、その切換
え時間、即ち磁界の立上り時間や立下り時間においては
、磁界強度が低下し、垂直磁化膜の磁化の向きが不安定
となる。図７（ｄ）にはこの不安定領域をＣとして示し
ており、磁化方向が異なる磁区の間に不安定領域Ｃが存
在する。従って、このような不安定領域Ｃを再生すると
、光磁気信号のノイズ成分が増加したり、あるいはジッ
ターが増加するという問題があった。

【０００７】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的は磁化方向の不安定領域
をなくし、光磁気信号のノイズやジッターを低減した光
磁気記録再生装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のこのような目的
は、光磁気記録媒体に所定強度の光ビームを照射して媒
体温度をキューリー点温度近傍またはそれ以上に上昇さ
せ、かつこの昇温部位に記録信号に応じて変調された磁
界を印加することで、前記媒体上に情報を記録する光磁
気記録再生装置において、前記変調磁界がそれぞれ正負
の極性に所定強度に立上ったときに、前記光磁気記録媒
体の温度が所定の温度以上となるように前記光ビームの
光強度を所定時間高めることを特徴とする光磁気記録再
生装置によって達成される。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の光磁気記録再生装
置の一実施例を示した構成図である。なお、図１では図
６に示した従来装置と同一機能を有するものについては
同一符号を付し、本実施例ではその説明を省略する。

【００１０】図１において、２８はアークチュエータ６
に取付けられた温度センサである。温度センサ２８は集
光レンズ８と共に光磁気ディスク１の半径方向に移動す
るため、常時光磁気ディスク１の情報記録位置の温度を
検出し、温度情報をパルス点灯タイミング回路２７へ送
る。パルス点灯タイミング回路２７は、情報記録時にお
いて半導体レーザ７の光強度、照射時間およびタイミン
グを決定する回路である。レーザ変調駆動回路３０はパ
ルス点灯タイミング回路２７の指示に基づいて半導体レ
ーザ７を駆動するドライバである。システムコントロー
ラ２９は、本実施例の光磁気記録再生装置の全体動作を
制御する制御部であり、パルス点灯タイミング回路２７
へ光磁気ディスク１の角速度や記録アドレス情報を出力
する。これらの情報は、詳しく後述するようにパルス点
灯タイミング回路２７でレーザ光の光強度や照射タイミ
ングを決定するのに使用される。なお、その他の構成は
図６の従来装置と同じである。

【００１１】次に、本実施例の動作について、図２を用
いて説明する。同図（ａ）は記録信号、同図（ｂ）は記
録信号に応じて変調されたバイアス磁界である。このバ
イアス磁界は、前述の如く浮上ヘッド２３に具備された
電磁石２４で発生し、光磁気ディスク１に印加される。 同図（ｃ）は半導体レーザから出射されるレーザー光強
度であり、パルス点灯タイミング回路２７で決定された
強度とタイミングである。同図（ｃ）においては、ＤＣ
点灯された光強度Ｐｗ１　のレーザ光に、光強度Ｐｗ２
　のレーザ光をパルス状に重畳して照射されている。こ
こで、光強度Ｐｗ１　は記録を行うのに充分な強度であ
る。 また、パルス状の光強度Ｐｗ２　のレーザ光は正負各々
の極性のバイアス磁界が立上ったときに照射されている
。 このパルス状レーザ光は、詳しく後述するようにバイア
ス磁界の極性反転時における垂直磁化膜の磁化方向の不
安定性を解消するよう作用するものである。

【００１２】図３（ａ）は、半導体レーザ７を光強度Ｐ
ｗ１　でＤＣ点灯させた場合の垂直磁化膜３上の温度分
布を示した図である。これに対し、図３（ｂ）は、図２
（ｃ）に示したように強度Ｐｗ１　のレーザ光にパルス
状に強度Ｐｗ２　のレーザ光を重畳した場合の垂直磁化
膜３上の温度分布を示した図である。同図（ｂ）の温度
分布はパルス状に強度Ｐｗ２　のレーザ光を重畳してい
るため、同図（ａ）に比べキューリー点温度到達プロフ
ァイルが広範囲で、円形に近い形となる。図４はレーザ
光の照射と垂直磁化膜３のキューリー点温度到達プロフ
ァイルのタイミングを示した図である。時刻ｔ１　での
キューリー点温度到達プロファイルを破線で示し、時刻
ｔ２でのキューリー点温度到達プロファイルを実線で示
す。図４から明らかなように、時刻ｔ２　においてはレ
ーザ光強度が大きくなるために、時刻ｔ１　に比べラン
ド上のキューリー点温度範囲が広くなることがわかる。 この温度上昇部位には前述のように電磁石２４からバイ
アス磁界が印加され、バイアス磁界の切換時には磁界強
度の絶対値がさがることになる。この点において、本実
施例ではバイアス磁界が立上った時刻ｔ２　には、磁化
方向が不安定であった領域までキューリー点温度範囲が
広がるため、バイアス磁界強度が低下しても磁化方向は
確実に磁界極性に対応した方向に向く。従って、記録さ
れるパターンは図２（ｄ）に示すように、磁化方向が上
向きの磁区ａと下向きの磁区ｂとの二つの磁区が形成さ
れた安定したパターンとなり、従来磁区ａとｂの境界に
見られた磁化方向の不安定領域を消去することができる
。また、本実施例にあっては、レーザ光の照射による垂
直磁化膜のキューリー点温度プロファイルが円形状に近
づくため、矢羽根状の磁区形状を改善することができ、
これによって、記録ノイズを低減することができる。こ
こで、レーザ光の光磁気ディスク１に対する速度、即ち
光磁気ディスク１の角速度と半径位置から算出される線
速度により、垂直磁化膜３の単位面積当りに受けるレー
ザ光エネルギーが異なり、これに応じてキューリー点温
度プロファイルも異なってくる。従って、パルス点灯タ
イミング回路２７では、前記線速度に応じて常に温度プ
ロファイルが等しくなるように、レーザ光強度Ｐｗ１　
及びレーザ光強度Ｐｗ２　とその照射時間、タイミング
を制御する。 光磁気ディスク１の角速度及び記録半径位置は、システ
ムコントローラ２９で管理される角速度及び記録アドレ
スによって算出される。また、光磁気ディスク１の温度
が変化した場合、キューリー点温度プロファイルも異な
るため、パルス点灯タイミング回路２７は温度センサ２
８の検出値に応じてレーザ光強度Ｐｗ１　及びレーザ光
強度Ｐｗ２　の照射時間とタイミングを制御する。温度
センサ２８は、前述のようにアクチュエータ６に取付け
られ、温度センサ２８で検出される温度は常時記録位置
近傍の温度であるため、パルス点灯タイミング回路２７
では常に記録位置の温度に応じてレーザ光の制御を行う
。

【００１３】次に、本発明の他の実施例について図５を
参照して説明する。図５（ｃ）は、パルス点灯タイミン
グ回路２７の制御によるレーザ光強度である。また、同
図（ａ）は記録信号、同図（ｂ）は変調磁界である。本
実施例では、同図（ｃ）に示すように変調磁界が正から
負に、また、負から正に切換わる磁界反転時間に同期し
てレーザ光強度がＤＣ点灯時の光強度Ｐｗ１　からＰｗ
０　に下げられている。即ち、磁界反転時の磁界強度が
低下する間は、レーザ光強度が強制的に下げられ、垂直
磁化膜の温度が低下するように制御されている。また、
正負の磁界がそれぞれ立上ったタイミングで、図１の実
施例と同様にＤＣ点灯時の光強度Ｐｗ１　に光強度Ｐｗ
２　のレーザ光がパルス状に重畳されている。

【００１４】本実施例にあっては、変調磁界が立上った
ときにレーザ光の光強度が所定時間Ｐｗ２　に高められ
るので、図３および図４で説明したように垂直磁化膜の
キューリー点温度範囲を広範囲に広げることができる。 従って、前記実施例と同様に磁区の磁化方向が安定し、
図５（ｄ）に示す如く磁化方向の不安定領域を消去する
ことができる。また、本実施例では磁界が反転している
間はレーザ光強度を下げ垂直磁化膜の温度を低下させて
いるために、磁界反転時の磁界強度が低下しても磁化方
向を初期の状態に保持することができる。即ち、磁界反
転時にレーザ光強度を低下することによって、温度をキ
ューリー点温度以下に下げ、磁化方向が変化しないよう
に垂直磁化膜を強制冷却することにより、磁界反転時の
磁化方向の変化を防止するものである。このように本実
施例では、磁界立上り時にレーザ光の光強度を高め、し
かも磁界反転時に光強度を低下しているため、更に確実
に磁化方向の不安定領域を消去することができ、前記実
施例に比べてより効果的に安定した磁区を記録すること
ができる。

【００１５】なお、本実施例においては、レーザ光の照
射は前記実施例と同様にパルス点灯タイミング回路２７
により、システムコントローラ２９から送られる光磁気
ディスクの角速度と記録アドレス、及び温度センサ８の
温度情報に基づいて制御されている。従って、温度や記
録位置などによらず、常に垂直磁化膜上の温度プロファ
イルが一定となるよう制御されている。

【００１６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、変
調磁界の反転時に磁界強度の低下によって生じる磁化方
向の不安定領域を有効に消去し、また矢羽根状磁区の形
状も改善することによって、再生した光磁気信号のノイ
ズやジッターを大幅に低減できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録再生装置の一実施例を示し
た構成図である。

【図２】図１の実施例の動作を示したタイムチャートで
ある。

【図３】レーザ光のＤＣ点灯時と磁界立上り時にパルス
状に光強度を高めたときの垂直磁化膜上のキューリー点
温度プロファイルを比較して示す説明図である。

【図４】磁界立上り時におけるパルス状レーザ光の重畳
前と重畳後のキューリー点温度到達範囲を比較して示す
説明図である。

【図５】他の実施例のレーザ光の照射状態と記録信号、
変調磁界及び記録パターンを示したタイムチャートであ
る。

【図６】従来例の光磁気記録再生装置を示した構成図で
ある。

【図７】図６の従来装置の動作を示したタイムチャート
である。

【符号の説明】

１　　　　光磁気ディスク ３　　　　垂直磁化膜 ７　　　　半導体レーザ ８　　　　集光レンズ １４　　　　ＡＴ・ＡＦ制御回路 ２３　　　　浮上ヘッド ２４　　　　電磁石 ２５　　　　磁界変調回路 ２７　　　　パルス点灯タイミング回路２８　　　　温
度センサ ２９　　　　システムコントローラ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光磁気記録媒体に所定強度の光ビーム
   を照射して媒体温度をキューリー点温度近傍またはそれ
   以上に上昇させ、かつこの昇温部位に記録信号に応じて
   変調された磁界を印加することで、前記媒体上に情報を
   記録する光磁気記録再生装置において、前記変調磁界が
   それぞれ正負の極性に所定強度に立上がったときに、前
   記光磁気記録媒体の温度が所定の温度以上になるように
   、前記光ビームの光強度を所定時間高めることを特徴と
   する光磁気記録再生装置。
2. 【請求項２】　　前記変調磁界の極性反転時は、光ビー
   ムの光強度を前記媒体の磁化膜の磁化方向が変化しない
   温度に低下させることを特徴とする請求項１の光磁気記
   録再生装置。
3. 【請求項３】　　光ビームの照射は、前記記録媒体の線
   速度及び雰囲気温度に応じ磁気膜上の温度プロファイル
   が所定の温度プロファイルとなるよう制御されることを
   特徴とする請求項１の光磁気記録再生装置。