JPH04293018A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に於いて、
画素電極とデータ電極、ゲート電極との間に生じる寄生
容量を小さくできる画素電極の形状に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の一般的な液晶表示装置の構造は、
図２に示すように、電極６と更にその上に形成されたポ
リイミドなどの高分子膜からなる配向膜７とが形成され
た基板５を二枚組合せたサンドイッチ構造からなる。一
方基板５には、電極６として、画素電極と、データ電極
とゲート電極とが設けられている。前記二枚の基板５は
、図２に示すように、スペーサー９によって一定の間隔
に保たれ、シール剤１０によって接着されている。こう
してできた空間には液晶８が注入されている。更に基板
５上には、偏光板４が各々張り付けられている。

【０００３】上記液晶表示装置を駆動させるには二枚の
基板５に電圧を印加する。その電圧によって液晶８の分
子の長軸方向が変化し、偏光板４によって選択された入
射光を液晶８の分子が回旋させる。つまり二枚の基板５
の電圧の実効電圧値を変える事によって、透過光もしく
は反射光の強度を変える事ができる。

【０００４】液晶表示装置の駆動方式で今日主流となっ
ている駆動方式はアクティブマトリクス駆動（Ｌｅｃｈ
ｎｅｒ　ｅｔ　ａｌ．，ＩＥＥＥ　Ｉｎｔ　．ｓｏｌｉ
ｄ．ｓｔ．ｃｉｒ．Ｃｏｎｆ．　ｏｆ　　ｔｅｃｈ　ｐ
ａｐ．，ｐｐ５２−５３，ｆｅｂ．１９６９）である。 このものは、トランジスターやダイオードを画素電極の
スッチとして使用している。以下図３を用いて、トラン
ジスター１１を画素電極３のスイッチに使用したアクテ
ィブマトリクス駆動の液晶素子を説明する。

【０００５】全体の構造としては図２に示した液晶素子
と同じであるが、異なる点は二枚の基板５の内の一方の
基板５に設けられている画素電極３の一つ一つにトラン
ジスター１１が備えられた点である。

【０００６】上記アクティブマトリックスの駆動方式は
、ゲート電極２にパルスが印加されている間のみデータ
電極１から画素電極３に電圧を印加することができるよ
うになっている。この画素電極３に電圧が印加されてい
る時、この画素電極３と他方の基板５の電極（対向電極
）との間に位置している液晶８には電荷が蓄積される。 その後ゲート電極２には一定期間電荷が印加されないが
その間は、上記液晶８自身に蓄積した電荷もしくは、液
晶と付加容量に蓄積された電荷で液晶自身が表示状態を
維持する。

【０００７】この方式は、液晶に印加される電圧の実効
値が充分にとれ、周囲の電極からの影響が少ないため表
示性能がよいという特徴があった。

【０００８】ところが最近、液晶表示装置をより高精細
化することが求められている。（フラットパネル・ディ
スプレー’９１，日経ＢＰ社）。この為、画素電極３と
回りのデータ電極１、ゲート電極２との距離が狭まるた
め、周囲のデータ電極１、ゲート電極２による影響が現
われてきた。即ち、画素電極３とデータ電極１、ゲート
電極２との間に生ずる寄生容量が問題となってきた。寄
生容量が大きくなるとそれに従いクロストークや中間調
表示エラー等が生じてくるため表示品位が悪化する（Ｗ
．Ｅ．Ｈｏｗａｒｄ，　ｅｔ　ａｌ．，　ｃｏｎｆ．ｒ
ｅｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　ＩＤＲＣ，ｐ２３０−２３５，１
９８８．／Ｒ．Ｌ．Ｗｉｓｎｉｅｆｆ，　Ｐｒｏｃ　ｏ
ｆ　ｔｈｅ　Ｃｏｎｆ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ，　ｐ
５９−６２，１９８７．／Ｒ．Ｌ．Ｗｉｓｎｉｅｆｆ，
　ＳＳＤＭ’９０ＳＥＮＤＡＩ，ｐ９８３−９８６，１
９９０）という問題が生じる。

【０００９】本発明者らは、前記問題の原因を以下の実
験で明らかにした。図４には従来形状のトランジスター
を備えた液晶表示装置の画素容量をシミュレーションし
た結果が示されている。画素電極３の大きさは、１３０
×１３０μｍであり、画素電極３とデータ電極１、ゲー
ト電極２との間の距離は、１０μｍである。図中のピー
クの高さは相対的な容量値を示す。従来形状の場合、ゲ
ート電極２と画素電極３との間の寄生容量は５．５ｆＦ
であり，データ電極１と画素電極３との間の寄生容量は
２．０ｆＦであった。ゲート電極２と画素電極３との間
の寄生容量値の方が大きい。ここで注目することは、寄
生容量は画素電極３の周辺、特に画素電極３の角の部分
に集中している事である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であった画素電極３とデータ電極１、ゲー
ト電極２との間に生ずる寄生容量を小さくする事であり
、これによりクロストークや中間調表示エラー等の発生
を低減する事である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置で
は、画素電極を角部に丸みを帯びた形状特に円形にする
ことにより、前記課題の解決を図った。

【００１２】

【作用】画素電極を丸みを帯びた形状特に円形にするこ
とにより、従来画素電極の角の部分に集中していた寄生
容量を小さくすることができる。

【００１３】

【実施例】（実施例１）図１（ａ）は、本実施例の液晶
表示装置の要部を示すものである。この液晶表示装置に
於いては、画素電極３が角部の丸められた略四角形状と
されている。

【００１４】この様に画素電極３の角部を丸めると、図
１（ａ）中の二点鎖線で示す従来画素電極３の角に貯っ
ていた寄生容量は大幅に減った。更にゲート電極２と画
素電極３との間の寄生容量は５．０ｆＦ、データ電極１
と画素電極３との間の寄生容量は１．７ｆＦとなり、両
箇所とも寄生容量共が従来よりも低くなった。

【００１５】本実施例の液晶表示装置に於ては、画素電
極３を角部に丸みを帯びた形状にしたので、画素電極３
の角の部分の寄生容量減少し、画素電極３とデータ電極
１、ゲート電極２との間の寄生容量が小さくなった。従
って、本実施例の液晶表示装置によれば、クロストーク
や中間調表示エラーなどの発生をより少なくできる。

【００１６】（実施例２）図１（ｂ）は、本実施例の液
晶表示装置の要部を示すものである。この液晶表示装置
の画素電極３が円形に形成されている。

【００１７】この様に画素電極３を円形に形成すると図
１（ｂ）中の二点鎖線で示すように角部のみならず周辺
部の寄生容量が大幅に減少した。そしてゲート電極２と
画素電極３との間の寄生容量は１．８ｆＦ、データ電極
１と画素電極３との間の寄生容量は１．２ｆＦとなった
。これらの値は、実施例１に比べてより小さい。つまり
この事は、画素電極３を円形にすることにより画素電極
３周辺部の寄生容量が小さくなった事を示している。

【００１８】本実施例の液晶表示装置に於ては画素電極
３を円形にしたので、画素電極３の角の部分の寄生容量
を大幅に小さくすることができた。従って、本実施例の
液晶表示装置によれば、クロストークや中間調表示エラ
ーをより低減できる。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置は画素電極を角部に丸みを帯びた形状、特に円形にし
たものなので、画素電極とデータ電極、ゲート電極間に
生ずる寄生容量が少なくできる。従って、本発明の液晶
表示装置によれば、クロストークや中間調表示エラーな
どの発生がより少なくなる。

【００２０】

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）実施例１の液晶表示装置の画素電極の形
状を示す斜視図。 （ｂ）実施例２の液晶表示装置の画素電極の形状を示す
斜視図。

【図２】一般的な液晶表示装置の構造を示す概略図。

【図３】アクティブ素子として薄膜トランジスターを用
いた液晶表示装置を示す斜視図。

【図４】従来の画素電極の形状で電気容量をシミュレー
ションした結果を示す模式図。

【符号の説明】

１　　データ電極 ２　　ゲート電極 ３　　画素電極 ４　　偏光板 ５　　ガラス基板 ６　　電極 ７　　配向膜 ８　　液晶 ９　　スペーサー １０　　接着剤 １１　　トランジスター

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　画素電極の形状が、角部に丸みを帯び
   た形状である事を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】　　画素電極の形状が円形である事を特徴
   とする液晶表示装置。