JPH0429255B2 - - Google Patents

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JPH0429255B2
JPH0429255B2 JP57044102A JP4410282A JPH0429255B2 JP H0429255 B2 JPH0429255 B2 JP H0429255B2 JP 57044102 A JP57044102 A JP 57044102A JP 4410282 A JP4410282 A JP 4410282A JP H0429255 B2 JPH0429255 B2 JP H0429255B2
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JP
Japan
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logic
setting section
mos transistor
transistor
connection point
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JP57044102A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01714Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、例えばCPUの制御信号を発生す
るために用いれる相補型MOS(C MOS)トラ
ンジスタを用いたダイナミツク型の論理回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a dynamic logic circuit using complementary MOS (CMOS) transistors used, for example, to generate control signals for a CPU.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、CPUの制御信号を発生するために用い
れるダイナミツク型の論理回路は、第1図に示す
ように構成されている。すなわち、電源Vccと論
理設定部11との間にプリチヤージ用のPチヤン
ネル(第2導電型)型MOSトランジスタT1が配
設されるとともに、上記論理設定部11と接地点
間に放電用のNチヤネル型(第1導電型)MOS
トランジスタT2が配設され、それぞれのトラン
ジスタT1,T2は共通の同期信号によつて導通
制御される。そして、上記トランジスタT1と論
理設定部11との接続点Aは、トランジスタT3
T4から成り上記論理設定部11の論理の成立あ
るいは不成立を検出するC MOSインバータ回
路の入力端に接続され、上記トランジスタT3
T4の接続点Bから出力OUTを得るように構成さ
れている。
Conventionally, a dynamic logic circuit used to generate control signals for a CPU is configured as shown in FIG. That is, a P channel (second conductivity type) type MOS transistor T1 for precharging is arranged between the power supply Vcc and the logic setting section 11, and an N channel for discharging is arranged between the logic setting section 11 and the ground point. Channel type (first conductivity type) MOS
A transistor T 2 is provided, and conduction of each transistor T 1 and T 2 is controlled by a common synchronizing signal. The connection point A between the transistor T 1 and the logic setting section 11 is connected to the transistors T 3 ,
The transistor T 4 is connected to the input terminal of a CMOS inverter circuit that detects whether the logic of the logic setting section 11 is established or not.
It is configured to obtain output OUT from connection point B of T4 .

上記のような構成において動作を説明する。同
期信号が“0”レベルの時、トランジスタT1
がオン状態、トランジスタT2がオフ状態となつ
て接続点Aは“1”レベルにプリチヤージされ
る。従つて、インバータ回路の出力OUTは“0”
レベルとなる。このプリチヤージ中に論理設定部
11の論理が決定される。そして、同期信号が
“0”レベルから“1”レベルに変化すると、ト
ランジスタT1がオフ状態、トランジスタT2がオ
ン状態となるため、論理設定部11の論理が成立
している場合は、接続点Aに蓄えれていた電荷が
放電されてその電位が“0”となるため出力信号
OUTは“1”レベルとなる。また、ここで論理
が成立していない場合には、接続点Aはプリチヤ
ージされた状態を保持するので、出力信号OUT
は“0”レベルである。このように、論理設定部
11の論理の成立あるいは不成立がインバータ回
路の出力信号OUTによつて検出できる。
The operation in the above configuration will be explained. When the synchronization signal is at “0” level, transistor T 1
is in the on state, the transistor T2 is in the off state, and the connection point A is precharged to the "1" level. Therefore, the output OUT of the inverter circuit is “0”
level. During this precharge, the logic of the logic setting section 11 is determined. Then, when the synchronization signal changes from the "0" level to the "1" level, the transistor T1 turns off and the transistor T2 turns on. Therefore, if the logic of the logic setting section 11 is established, the connection is The charge stored at point A is discharged and its potential becomes "0", so the output signal
OUT becomes the “1” level. Also, if the logic is not established here, the connection point A maintains the precharged state, so the output signal OUT
is at the "0" level. In this way, whether or not the logic of the logic setting section 11 is established can be detected by the output signal OUT of the inverter circuit.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、このような回路において、動作速度
は接続点Aの放電時間で決定される。しかし、接
続点Aの電荷は、論理設定部11およびトランジ
スタT2を介して放電されるため、比較的長い放
電時間を必要とし、この回路の高速化が望まれて
いる。
Incidentally, in such a circuit, the operating speed is determined by the discharge time of the connection point A. However, since the charge at the connection point A is discharged through the logic setting section 11 and the transistor T2 , a relatively long discharge time is required, and therefore it is desired to speed up this circuit.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記のような事情を鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、高速動作が可
能で且つ安定な動作を行なえる信頼性の高い論理
回路を提供することである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a highly reliable logic circuit that is capable of high-speed operation and stable operation.

〔発明の既要〕[Existing necessity of the invention]

すなわち、この発明においては、上記第1の構
成に加えて接続点AとCとの間に放電補助用
MOSトランジスタを接続し、インバータ回路
(論理検出手段)の出力信号OUTを帰還して放電
を制御することにより、論理設定部11の論理の
成立時に、上記論理設定部11と放電用トランジ
スタT2を介する経路に加えて、上記放電補助用
MOSトランジスタと上記放電用トランジスタT2
を介する経路で電荷を放電するように構成したも
のである。
That is, in this invention, in addition to the first configuration, a discharge assisting device is provided between connection points A and C.
By connecting a MOS transistor and controlling the discharge by feeding back the output signal OUT of the inverter circuit (logic detection means), when the logic of the logic setting section 11 is established, the logic setting section 11 and the discharging transistor T2 are connected. In addition to the above-mentioned discharge auxiliary route,
MOS transistor and above discharge transistor T2
The structure is such that the electric charge is discharged through a path via the .

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。第2図はその構成を示すもので、
上記第1図の構成に加えて、接続点AとCとの間
にNチヤネル型の放電補助用MOSトランジスタ
T5を設け、接続点B(論理設定部11の論理の成
立あるいは不成立を検出するための論理検出手段
として働くインバータ回路の出力信号OUT)の
電位で導通制御するように構成したものである。
図において第1図と同一構成部は同じ符号を付し
てその説明は省略する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 2 shows its configuration.
In addition to the configuration shown in Figure 1 above, an N-channel type discharge auxiliary MOS transistor is connected between connection points A and C.
T5 is provided, and the conduction is controlled by the potential of the connection point B (the output signal OUT of the inverter circuit, which acts as a logic detection means for detecting whether the logic of the logic setting section 11 is established or not).
In the figure, the same components as those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

上記のような構成において動作を説明する。同
期信号が“0”レベルの時、トランジスタT1
がオン状態、トランジスタT2がオフ状態となり、
接続点Aは“1”レベルにプリチヤージされる。
従つて、インバータ回路の出力信号OUT(接続点
Bのレベル)は“0”レベルとなり、トランジス
タT5はオフ状態である。次に、同期信号が
“1”レベルになると、トランジスタT1がオ不状
態、トランジスタT2がオン状態となり、論理設
定部11の論理が成立している場合は接続点Aの
レベル低下して“0”レベルとなる。従つて、イ
ンバータ回路の出力信号OUTは“1”レベルと
なり、トランジスタT5がオン状態となる。そし
て、同期信号が“1”レベルになるとトランジ
スタT1がオフ状態、トランジスタT2がオン状態
となるので、接続点Aの電荷はトランジスタT5
およびT2を介して素早く放電される。
The operation in the above configuration will be explained. When the synchronization signal is at “0” level, transistor T 1
is on, transistor T2 is off,
Connection point A is precharged to the "1" level.
Therefore, the output signal OUT of the inverter circuit (the level at the connection point B) is at the "0" level, and the transistor T5 is in the off state. Next, when the synchronization signal reaches the "1" level, the transistor T 1 becomes off and the transistor T 2 becomes on, and if the logic of the logic setting section 11 is established, the level of the connection point A decreases. It becomes “0” level. Therefore, the output signal OUT of the inverter circuit becomes "1" level, and the transistor T5 is turned on. Then, when the synchronization signal reaches the "1" level, transistor T1 is turned off and transistor T2 is turned on, so that the charge at the connection point A is transferred to the transistor T5.
and quickly discharged through T 2 .

第3図は、この発明の他の実施例を示すもの
で、論理検出手段として、第2図のスタテイツク
型インバータ回路に換えてトランジスタT8,T9
T10から成るダイナミツク型インバータ回路を設
けたものである。このような構成においても上記
実施例と同様な効果が得られる。
FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which transistors T 8 , T 9 ,
It is equipped with a dynamic type inverter circuit consisting of T10 . Even in such a configuration, the same effects as in the above embodiment can be obtained.

第4図は、上記第2図の回路を多段構成にした
いわゆるドミノ回路であり、第1段の出力信号
OUTを第2段の論理設定部12の入力信号とし
たものである。このような回路においては従来回
路よ著しい高速化をはかることができる。
Fig. 4 shows a so-called domino circuit in which the circuit shown in Fig. 2 above is configured in multiple stages, and the output signal of the first stage is
OUT is used as an input signal to the second stage logic setting section 12. In such a circuit, the speed can be significantly increased compared to the conventional circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、放電補
助用の1個のMOSトランジスタを加えるのみで、
高速動作が可能で且つ安定な動作が行なえる信頼
性の高いダイナミツク型の論理回路が得られる。
As explained above, according to the present invention, by simply adding one MOS transistor for assisting discharge,
A highly reliable dynamic logic circuit capable of high-speed operation and stable operation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の論理回路を示す図、第2図はこ
の発明の一実施例に係る論理回路を示す図、第3
図及び第4図はそれぞれこの発明の他の実施例を
示す回路図である。 11…論理設定部、T1…プリチヤージ用MOS
トランジスタ、T2…放電用MOSトランジスタ、
T3〜T5,T8〜T10…MOSトランジスタ、,φ
…同期信号。
FIG. 1 is a diagram showing a conventional logic circuit, FIG. 2 is a diagram showing a logic circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG.
4 and 4 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention, respectively. 11...Logic setting section, T1 ...Precharge MOS
Transistor, T 2 ...Discharge MOS transistor,
T 3 ~ T 5 , T 8 ~ T 10 ...MOS transistor, φ
...Synchronization signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1導電型のMOSトランジスタで構成され
た論理設定部と、この論理設定部に電源電圧を供
給する第2導電型のプリチヤージ用MOSトラン
ジスタと、このプリチヤージ用MOSトランジス
タと共通の制御信号で導通制御され論理設定部を
接地す第1導電型の放電用MOSトランジスタと、
上記プリチヤージ用MOSトランジスタと論理設
定部との接続点の電位が供給され論理設定部の論
理の成立あるいは不成立を検出する論理検出手段
と、上記プリチヤージ用MOSトランジスタと論
理設定部との接続点と論理設定部と放電用MOS
トランジスタとの接続点間に接続され、上記論理
検出手段の出力信号が帰還されて導通制御される
ことにより、上記プリチヤージ用MOSトランジ
スタと論理設定部との接続点の電位を放電すため
の第1導電型の放電補助用MOSトランジスタと
を具備し、上記論理設定部の論理が成立している
場合には、上記プリチヤージ用MOSトランジス
タと上記論理設定部との接続点の電位を、上記論
理設定部と上記放電用MOSトランジスタを介す
る第1の経路と、上記第1導電型の放電補助用
MOSトランジスタと上記放電用MOSトランジス
タを介する第2の経路で放電することを特徴とす
る論理回路。 2 上記論理検出手段は、スタテイツク型
CMOSインバータ回路から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の論理回路。 3 上記論理検出手段は、同期型あるいはダイナ
ミツク型のインバータ回路から成ることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の論理回路。
[Scope of Claims] 1. A logic setting section composed of a first conductivity type MOS transistor, a second conductivity type precharge MOS transistor that supplies a power supply voltage to the logic setting section, and this precharge MOS transistor. a first conductivity type discharge MOS transistor whose conduction is controlled by a common control signal and whose logic setting section is grounded;
Logic detection means that is supplied with a potential at the connection point between the precharge MOS transistor and the logic setting section and detects whether the logic of the logic setting section is established or not, and the connection point between the precharge MOS transistor and the logic setting section and the logic Setting section and discharge MOS
A first transistor connected between a connection point with the transistor and controlled to conduct by feeding back the output signal of the logic detection means, thereby discharging the potential at the connection point between the precharge MOS transistor and the logic setting section. If the logic of the logic setting section is established, the potential of the connection point between the precharge MOS transistor and the logic setting section is set to the logic setting section. and a first path via the discharge MOS transistor, and a discharge assisting path of the first conductivity type.
A logic circuit characterized by discharging through a second path via a MOS transistor and the discharging MOS transistor. 2 The above logic detection means is of static type.
2. The logic circuit according to claim 1, comprising a CMOS inverter circuit. 3. The logic circuit according to claim 1, wherein the logic detection means comprises a synchronous or dynamic inverter circuit.
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JPS58161535A JPS58161535A (en) 1983-09-26
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4733111A (en) * 1985-07-17 1988-03-22 CSELT--Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Sequential-logic basic element in CMOS technology operating by a single clock signal

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