JPH04292139A

JPH04292139A - 核磁気共鳴イメージング装置

Info

Publication number: JPH04292139A
Application number: JP3057086A
Authority: JP
Inventors: Kazutoshi Higuchi; 和俊樋口; Nobuhiko Aoki; 信彦青木
Original assignee: Hitachi Instruments Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Instruments Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1991-03-20
Filing date: 1991-03-20
Publication date: 1992-10-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は核磁気共鳴イメージング
装置、特に改良された高周波パルス発生系を有する核磁
気共鳴イメージング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】核磁気共鳴イメージング装置にあっては
、低周波信号によって高周波信号を振幅変調し、これに
よって所望の周波数スペクトルを有する高周波パルスを
得て、これを高周波電力増幅器を通して試料に核磁気共
鳴励起のために印加している。低周波信号は高周波パル
スのもつ周波数スペクトルを規定するために用いられる
時間関数波形信号で、これとしては一般にｓｉｎ　ωｔ
／ωｔで与えられるＳＩＮＣ関数が用いられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明者の研究によれ
ば、高周波電力増幅器の入−出力特性は非線形であり、
これが周波数スペクトルの形状に影響を与え、試料の選
択励起が正確になされ得ず、このため試料のイメージン
グ像の品質低下が無視できないことがわかった。人体の
ように試料の容積が大きい場合は、高周波パルスによる
高周波磁場を試料に与えるのに用いられる高周波コイル
が大形となり、このため１ＫＷから数ＫＷの大電力の高
周波パルスが必要であることから、この場合は上記問題
点はより顕著となる。

【０００４】一方、非線形の影響を避けようとすれば、
高周波電力増幅のもつている能力の５０％程度の出力範
囲での使用が必要となる。これは、実際に必要な出力電
力のおおよそ２倍の能力をもつ電力増幅器を使用せざる
を得ず、このため大幅なコスト高となることを意味する
。

【０００５】したがって本発明の目的は高周波増幅器の
入−出力特性の非線形効果にもとづくイメージング像の
品質低下を防止するのに適した核磁気共鳴イメージング
装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明にあっては、その
中に試料が配置されるべき磁場を発生する手段と、高周
波パルスを発生する手段と、その高周波パルスを増幅系
を介して前記試料に供給し、それによって前記試料から
核磁気共鳴信号を発生させる手段と、その発生した核磁
気共鳴信号にもとづいて前記試料の像を生成する手段と
、前記試料に供給される高周波パルスに与える前記増幅
系の入−出力特性の非線形効果を補正する手段とを備え
ている。

【０００７】

【作用】このように、本発明にあっては、試料に供給さ
れる高周波パルスに与える増幅系の入−出力特性の非線
形効果が補正されるので、これにもとづく像の品質低下
が防止される。

【０００８】

【実施例】図７を参照するに、検査されるべき物体１は
磁石２によって発生される均一な静磁界中に配置される
。磁石１は超電導形，常電導電磁石形および永久磁石形
のいずれであってもよい。高周波パルス発生手段１２は
高周波パルス信号を発生し、これは増幅器３によって増
幅された上、送受信コイル４によって物体１にこれを核
磁気共鳴励起させるために印加される。磁界傾斜制御装
置５は磁界傾斜コイル装置６をしてＸ，ＹおよびＺ方向
の磁界傾斜を静磁界に印加せしめるように働く。物体１
からの核磁気共鳴信号は受信装置７によって受信される
。シーケンス制御装置８は磁界傾斜制御装置５，高周波
パルス発生装置１２および受信装置７に接続され、高周
波パルスの発生、Ｘ，ＹおよびＺ方向の磁界傾斜の発生
および核磁気共鳴信号の受信の各タイミングを制御する
シーケンス制御装置８はまたコンピュータ９に受信装置
７によって受信された核磁気共鳴信号にもとづく像再構
成処理を行わせ、情報の授受を行う操作卓１０を通して
表示装置１１に像を表示させるように働く。

【０００９】図８を参照するに、選択性高周波９０°パ
ルスはスライス選択用の磁界傾斜Ｇｓ　の存在下で印加
される。したがつて、Ｇｓ　がＺ軸方向の磁界傾斜であ
るとすれば、Ｚ軸に垂直なスライスが選択的に励起され
る。すなわち、回転座標系を考えるならば、そのスライス内
の核スピンは９０°だけ倒れる。こうして倒れた核スピ
ンは次第に分散される。

【００１０】続いて磁界傾斜Ｇｓ　および選択性高周波
１８０°パルスが印加され、これによって、倒れた核ス
ピンが反転する。したがって、分散された核スピンは次
第に収束し、スライス全体から核磁気共鳴信号が発生す
る。

【００１１】選択性高周波９０°パルス印加と選択性高
周波１８０°パルス印加の間では位相エンコーデング用
磁界傾斜Ｇｐ　が印加され、更に選択性高周波１８０°
パルス印加後には読出し用の磁界傾斜ＧＲ　が印加され
、その間にスライス全体から発生したスピンエコー信号
が読取られる。

【００１２】以上のステップはＮ個のスピンエコー信号
を発生するようにＮ回くり返される。ただし、各回毎に
Ｇｐ　はその時間積分値が一定割合で変化するように変
えられる。Ｎ個のスピンエコー信号の各々についてはＮ
個のサンプリングが行われ、それからＮ×Ｎ個の像エレ
メントからなる核磁気共鳴イメージング像を得るように
、それぞれＮ個のサンプリングされた信号からなるＮ個
のスピンエコー信号に２次元フーリエ変換が適用される
。かくして、Ｇｐ　をＹ軸方向の磁界傾斜、ＧＲ　をＸ軸
方向の磁界傾斜とすれば、スライスのＸ−Ｙ面の２次元
像が得られる。

【００１３】なお、前述のステップをくり返してＮ個の
スピンエコー信号を発生することもサンプリングと一般
に呼ばれる。

【００１４】読出し用の磁界傾斜ＧＲ　は選択性高周波
９０°パルス印加と選択性高周波１８０°パルス印加の
間にも印加される。この印加は選択性高周波１８０°パ
ルス印加後に印加される磁界傾斜ＧＲ　の前半分部分に
よって生じる核スピンのデフエージングを補償するため
に行われるものである。

【００１５】図９を参照するに、これが図２と異なる点
は位相エンコーデング用の磁界傾斜Ｇｚ　およびＹ軸方
向の磁界傾斜ＧＹ　からなっていることである。図３に
よれば、位相エンコーデング用磁界傾斜Ｇｚ　をＧｚ１
にしている状態でＧＹ　をＧＹ１からＧＹＮまで変えな
がらその都度スピンエコー信号を得る。Ｇｚ　がＧｚ２
〜ＧＺＮの各々の場合も同様にスピンエコー信号を得る
。

【００１６】Ｇｚ１〜ＧＺＮの各々におけるＧＹ１〜Ｇ
ＹＮごとのスピンエコー信号を２次元フーリエ変換し、
更にＸ−Ｙ面の各点でＧｚ　に関するフーリス変換を行
えば、スライスの３次元イメージング像が得られる。

【００１７】図１の増幅器３は高周波電力増幅器であっ
て、これは一般に図６に示すような入−出力特性をもつ
。これは最大出力値を１００とし、理想的な線形特性を
仮定した場合の最大出力に対応する入力値は１００であ
るものとして示したグラフである。ａは理想的な線形特
性を仮定した場合の、ｂは現実の電力増幅器の入−出力
特性である。

【００１８】上記のような特性を有する電力増幅器の出
力に例えばＰｏ１，Ｐｏ２の振幅の出力を得たい場合、
それに比例する入力値Ｐｉ１，Ｐｉ２を入力しても所望
する出力値は得られず、それよりも小さいＰｏ１′，Ｐ
ｏ２′を出力する。したがって所望の出力Ｐｏ１，Ｐｏ
２を出力するためにはＰｉ１，Ｐｉ２にかえて増幅器の
特性に応じＰｉ１′，Ｐｉ２′を入力しなければならな
い。

【００１９】本発明の実施例にあっては、非線形の入−
出力特性を有する電力増幅器の出力としてＰｏ１，Ｐｏ
２を得るためにＰｉ１の代りにＰｉ１′を、Ｐｉ２の代
りにＰｉ２′の入力を得るようにしている。この実現の
ための第１のやり方は低周波信号として予め増幅器の非
線形効果を補正したデータ、すなわち図６の例ではＰｉ
１′，Ｐｉ２′に対応する低周波信号を記憶手段に記憶
しておき、これを読出して高周波パルスを得るために高
周波信号を変調するのに用いるやり方である。このため
の実施例を図１に示す。

【００２０】同図において、高周波パルスのもつ周波数
スペクトルを決定するための低周波信号は記憶手段１０
１に記憶されている。実際には振幅の異なる複数の低周
波信号を選択して使用する必要がある場合が多いことか
ら、記憶手段１０１はそのように振幅の異なる複数個の
低周波信号がデイジタル信号として記憶されている。こ
れらの低周波信号はもちろん増幅器の非線形効果を補正
したデータである。

【００２１】而して、クロックパルス発生器１０２から
のクロックパルスにより記憶手段１０１に記憶されてい
る低周波信号が選択的に読出され、これはＤ／Ａ変換器
１０３によってアナログの低周波信号に変換される。こ
の信号は混合器１０４で高周波発振器１０５からの高周
波を振幅変調する。低周波信号としては知られているＳ
ＩＮＣ関数を用いることができる。変調によって高周波
パルスが得られ、これは高周波電力増幅器１０６を介し
て試料に与えられる。記憶手段１０１に記憶されている
低周波信号は前述したように高周波電力増幅器１０６の
入−出力特性の非線形効果を補正したデータであるので
、得られた高周波パルスのもつ周波数スペクトルは上記
非線効果の影響を受けない。よって、図１の実施例を図
７の実施例に適用した場合は、得られる像は高周波電力
増幅器の入−出力特性の非線形効果にもとづく品質低下
をきたさない。

【００２２】図１の実施例では、振幅の異なる多数の低
周波信号が必要な場合、記憶手段１０１は大容量となら
ざるを得ないという問題がある。この問題を解決すめ手
段はある。それによれば、高周波パルスの周波数スペク
トル形状を決定する変調用低周波信号の基準波形データ
を記憶する第一の記憶装置と、このメモリから読み出し
た基準波形データに所定の比率の係数を掛けてデータの
大きさを任意に可変できる演算器からなる波形データ発
生器とその波形データ発生器の出力データをアドレス値
としてアクセスできる第二の記憶装置とを備え、その第
二の記憶装置には波形データ発生器の出力である所望す
る波形データで指定される第二の記憶装置のそれぞれの
アドレスにその波形データ値に対応する補正データを予
め記憶しておく。このようにして波形データ発生器の出
力である所望の波形データ値をアドレスデータとして第
二の記憶装置に記憶されている補正データを読み出せば
、第二の記憶装置の出力には任意に設定した所望の波形
データにたいして、それに対応する補正データが得られ
ることになる。したがってこれをＤ／Ａ変換して得られ
る低周波信号により高周波信号を振幅変調し、その変調
波を電力増幅すれば電力増幅器の出力において所望する
周波数スペクトル形状をもつ出力波形を得ることが可能
になる。

【００２３】この実施例を図２に示す。高周波パルスの
周波数スペクトル形状を決定する変調用低周波信号の基
準波形データは第一の記憶装置１０７に記憶させる。第
一の記憶装置１０７から読み出された基準波形データは
演算器１０８により任意所望の振幅にされて第二の記憶
装置１０９のアドレスデータとして使用し、第二の記憶
装置１０９に記憶している補正データによって非線形効
果が補正される。補正された基準波形データはＤ／Ａ変
換器１０３により低周波信号に変換し、高周波発信器１
０５の出力と混合器１０４によって振幅変調する。この
信号を電力増幅器１０６により電力増幅して最終出力に
おいて、所定の周波数スペクトル形状を得る。

【００２４】上述のように振幅の大きさだけを変えるや
り方だけで高周波パルスの出力レベルを可変すると、特
に振幅を小さくした場合、ビット長の関係で十分な精度
（分解能）が得られない。

【００２５】これを避けるには高周波電力増幅器１０６
の入力側に可変減衰器を設け、この減衰比を変えて出力
レベルを可変することが有効である。

【００２６】この場合には波形データ発生器１０８の出
力データ値と高周波電力増幅器１０６の入力値とは一義
的な比例関係にはないので、出力波形データ値に対する
補正値も一義的には決らない。この場合、出力波形デー
タ値をＰｘ　、可変減衰器の減衰比をＫａ　とすると、
Ｐｘ　に対する補正値Ｐｘ″　は式Ｐｘａ＝Ｋａ　×Ｐ
ｘ　で与えられるＰｘａに対する可変減衰器を使用しな
い場合の補正値Ｐｘａ′と減衰比Ｋａ　から次式で計算
される値となる。

【００２７】Ｐｘ″＝Ｐｘａ′／Ｋａすなわち出力波形データＰｘ　に対する補正値は使用す
る可変減衰器の設定値により異なった値をとる。したが
ってこの場合には使用する可変減衰器の減衰比にそれぞ
れ対応する、上式で与えられる補正データを記憶する第
二の記憶装置を複数ブロック設けておき、可変減衰器の
設定の切換えと対応させたアクセスする該メモリブロッ
クの切換えを行ない、そのブロックから設定して可変減
衰器の減衰比に対応する補正データを読み出し、これを
ＤＡ変換して得られる低周波信号により高周波信号を振
幅変調し可変減衰器を通して電力増幅する方法をとれば
、出力において所望の周波数スペクトル形状を有する高
周波パルスを得ることができる。

【００２８】この実施例を図３に示す。高周波パルスは
、実際には試料に応じてその振幅（出力）調整する必要
がある。このために、電力増幅を行なう電力増幅器１０
６の入力側に可変減衰器１１０を設ける。この可変減衰
器１１０は本実施例では１ｄＢステップで１６ステップ
であり、０〜１５ｄＢの可変範囲がある。これにより出
力を調整することができるが、電力増幅器１０６の使用
領域（ダイナミックレンジ）が変化し、非線形の補正量
も変化するので、電力増幅器１０６の使用領域（出力範
囲）に応じて、すなわち、可変減衰器１１０の設定値に
応じてそれぞれ補正データを設定する必要がある。この
ために、第二の記憶装置（複数ブロックのメモリ）１１
１に記憶する補正データは、可変減衰器１１０のステッ
プ数に等しい１６ブロックのメモリを設けて、それぞれ
のブロックを可変減衰器１１０で設定するそれぞれの減
衰比に対応した波形の補正データを記憶させる。かつ、
可変減衰器１１０の設定に連動して第二の記憶装置（複
数ブロックのメモリ）１１１に記憶してある補正データ
のブロックが読み出されるようにする。このようにして
、電力増幅器１０６の出力範囲においてその非線形を適
切に補正し、所定の周波数スペクトル形状を得ることが
できる。

【００２９】可変減衰器を使用する場合の補正データを
生成するもう一つのやり方がある。これは波形データ発
生器の出力データＰｘ　と可変減衰器の減衰比Ｋａ　と
の積を演算し、その結果の値Ｐｘａ＝Ｋａ×Ｐｘ　をア
ドレスデータとし可変減衰器を使用しない場合の基準の
補正データを記憶した第二の記憶装置から該アドレスデ
ータに対応する補正データを読出し、これと可変減衰器
の減衰比の逆数１／Ｋａ　との積を求めその値を元の波
形データにたいする補正データとするものである。この
やり方では、補正データ記憶装置は可変減衰器を使用し
ない場合に対する記憶装置を一つ設けるだけでよい。

【００３０】この具体的実施例を図４に示す。この実施
例では、第二の記憶装置（複数ブロックのメモリ）１１
１として１６ブロックのメモリを設けるのではなく、代
りに乗算器１１２、第二の記憶装置１０９と除算器１１
３を設けて、第一の記憶装置１０７に記憶されている変
調用低周波信号の基準波形データＰｘと可変減衰器１１
０で設定する減衰比Ｋａ　との積Ｐｘａを演算して、第
二の記憶装置１０９のアドレスデータとして使用し、第
二の記憶装置１０９に記憶している補正データによって
非線形効果が補正される。補正された基準波形データは
除算器１１３を用いて可変減衰器１１０で設定する減衰
比の逆数１／Ｋａ　との積を演算して、電力増幅器１０
６の出力範囲においてその非線形を適切に補正し所定の
周波数スペクトル形状を得る。

【００３１】可変減衰器を用いる更にもう一つのやり方
がある。これは図４のやり方と同じく波形データ発生器
の出力データＰｘ　と可変減衰器の減衰比Ｋａ　との積
Ｐｘａをアドレスデータとして補正データ用メモリにア
クセスし補正用データを読み出すのは第四の方法と同じ
であるが、しかし読み出される補正用データは補正値そ
のものではなくて、元の波形データＰｘ　との積を計算
することにより補正値が求められるところの補正係数で
ある。即ちメモリから読み出された補正係数Ｋｘ　と出
力波形データＰｘ　との積Ｐｘ″　＝Ｐｘ　×Ｋｘ　を
求めその値を補正値として波形発生用に使用するもので
ある。

【００３２】このやり方の図４のやり方と比較した場合
の利点は補正係数を読み出すためのアドレスデータを計
算する際のビット不足によって発生する誤差の影響を直
接的には受けないことである。アドレス値の大きさの変
化に対する補正係数の変化は小さいので、アドレス値の
誤差に対してそれによって発生する補正係数の読出し誤
差は大幅に軽減される。

【００３３】この実施例を図５に示す。この実施例では
、乗算器１１４、第三の記憶装置１１５、別の乗算器１
１６を設けて、第一の記憶装置１０７に記憶されている
変調用低周波信号の基準波形データＰｘ　と可変減衰器
１１０で設定する減衰比Ｋａ　との積Ｐｘａを演算して
、これを第三の記憶装置１１５のアドレスデータとして
使用し、第三の記憶装置１１５に記憶している補正係数
、すなわち補正データそのものでなくて、基準波形デー
タとある補正係数との積を演算することにより結果とし
て得られる補正された値が求められるところのその補正
係数が得られる。一方、第一のメモリ１０７に記憶され
ている変調用低周波信号の基準波形データは、別の乗算
器１１６で補正係数によって補正される。このようにし
て、電力増幅器１０６の出力範囲においてその非線形を
適切に補正し所定の周波数スペクトル形状を得る。この
やり方の図４のやり方と比較した場合の利点は、補正係
数を読み出すためのアドレスデータを計算する際のビッ
ト不足によって発生する誤差の影響を直接的には受けな
いことである。アドレスデータの大きさの変化に対する
補正係数の変化は小さいので、アドレスデータの誤差に
対してそれによって発生する補正係数の読み出し誤差は
大幅に軽減される。

【００３４】なお、既述のクロック信号発生器１０２、
第二のメモリ１０９および第二のメモリ（複数ブロック
のメモリ）１１１としては、所謂、ＣＰＵ内のクロック
信号およびデータメモリ、データメモリにアクセスする
ためのアドレスカウンタ等が使用される場合が多いが、
本発明は、その様なＣＰＵを利用した場合も含むもので
ある。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、高周波増幅器の入−出
力特性の非線形効果にもとづくイメージング像質の低下
が防止される。また、これは特に精度のよい高周波増幅
器を使用することなしに達成されるメリットもある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にもとづく核磁気イメージング装置の高
周波パルス発生部の一実施例のブロック図。

【図２】本発明にもとづく核磁気イメージング装置の高
周波パルス発生部のもう一つの実施例のブロック図。

【図３】本発明にもとづく核磁気イメージング装置の高
周波パルス発生部の更にもう一つの実施例のブロック図
。

【図４】本発明にもとづく核磁気イメージング装置の高
周波パルス発生部の他のもう一つの実施例のブロック図
。

【図５】本発明にもとづく核磁気イメージング装置の高
周波パルス発生部の更に他のもう一つの実施例のブロッ
ク図。

【図６】核磁気共鳴イメージング装置における一般的な
高周波電力増幅器の入−出力特性図。

【図７】一般的な核磁気共鳴イメージング装置のブロッ
ク図。

【図８】一般的な核磁気共鳴イメージング用一つの例の
パルスシーケンス。

【図９】一般的な核磁気共鳴イメージング用もう一つの
例のパルスシーケンス。

【符号の説明】

１０２…クロック信号発生器、１０１，１０７，１０９
，１１５…記憶装置（メモリ）、１０４…混合器、１０
８…演算器、１１０…減衰器、１１２，１１４，１１６
…乗算器。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その中に試料が配置されるべき磁場を発生
する手段と、高周波パルスを発生する手段と、その高周
波パルスを増幅系を介して前記試料に供給し、それによ
って前記試料から核磁気共鳴信号を発生させる手段と、
その発生した核磁気共鳴信号にもとづいて前記試料の像
を生成する手段とを有する核磁気共鳴イメージング装置
であって、前記試料に供給される高周波パルスに与える
前記増幅系の入−出力特性の非線形効果を補正する手段
を有する核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】前記高周波パルス発生手段は高周波信号を
発生する手段と、前記高周波パルスのもつ周波数スペク
トルを規定するのに用いられる低周波信号を発生する手
段と、その低周波信号によって前記高周波信号を変調し
、それによって前記高周波パルスを発生する手段とを有
する請求項１にもとづく核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】その中に試料が配置されるべき磁場を発生
する手段と、高周波パルスを発生する手段と、その高周
波パルスを増幅系を介して前記試料に供給し、それによ
って前記試料から核磁気共鳴信号を発生させる手段と、
その発生した核磁気共鳴信号にもとづいて前記試料の像
を生成する手段とを有し、前記高周波パルス発生手段は
高周波信号を発生する手段と、前記高周波パルスのもつ
周波数を規定するのに用いられる低周波信号を発生する
手段と、その低周波信号によって前記高周波信号を変調
し、それによって前記高周波パルスを発生する手段とを
有し、前記低周波信号発生手段は前記低周波信号をディ
ジタル信号として記憶する手段と、この記憶手段に記憶
されているディジタル信号をアナログ信号に変換し、そ
れによって前記低周波信号を発生する手段とを有し、前
記ディジタル信号は前記増幅系の入−出力特性の非線形
効果を補正するディジタル信号であることを特徴とする
核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】その中に試料が配置されるべき磁場を発生
する手段と、高周波パルスを発生する手段と、その高周
波パルスを増幅系を介して前記試料に供給し、それによ
って前記試料から核磁気共鳴信号を発生させる手段と、
その発生した核磁気共鳴信号にもとづいて前記試料の像
を生成する手段とを有し、前記高周波パルス発生手段は
高周波信号を発生する手段と、前記高周波パルスのもつ
周波数を規定するのに用いられる複数の低周波信号をそ
れぞれ独立にディジタル信号として記憶する手段と、前
記複数の低周波信号のうちの一つに対応するディジタル
信号を選択的に前記記憶手段から読出す手段と、その選
択的に読出されたディジタル信号をディジタル−アナロ
グ変換して、その対応のアナログ低周波信号を発生させ
る手段と、そのアナログ低周波信号によって前記高周波
信号を変調し、それによって前記高周波パルスを発生す
る手段とを有し、前記複数の低周波信号にそれぞれ対応
するディジタル信号は前記増幅系の入−出力特性の非線
形効果を補正するディジタル信号であることを特徴とす
る核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】その中に試料が配置されるべき磁場を発生
する手段と、高周波パルスを発生する手段と、その高周
波パルスを増幅系を介して前記試料に供給し、それによ
って前記試料から核磁気共鳴信号を発生させる手段と、
その発生した核磁気共鳴信号にもとづいて前記試料の像
を生成する手段とを有し、前記高周波パルス発生手段は
高周波信号を発生する手段と、変調用低周波信号を発生
する手段と、その変調用低周波信号によって前記高周波
信号を変調し、それによって前記高周波パルスを発生す
る手段とを有し、前記変調用低周波信号発生手段は基準
低周波信号を発生し、そしてこの基準低周波信号にもと
づいて前記増幅系の入−出力特性の非線形効果を補正し
た、前記基準低周波信号に対応した低周波信号を前記変
調用低周波信号として発生する手段を含んでいることを
特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】前記変調用低周波信号発生手段は前記基準
低周波信号を記憶する手段と補正データを記憶する手段
とを含み、その補正データは前記非線形効果を補正した
変調用低周波信号を、前記基準低周波信号記憶手段から
読出される基準低周波信号を前記補正データ記憶手段の
アドレスとしてその補正データ記憶手段から読出すのに
適したデータであることを特徴とする請求項５にもとづ
く核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】前記基準低周波信号記憶手段から読出され
る基準低周波信号の振幅は変更可能であることを特徴と
する請求項６にもとづく核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系の
間に接続された減衰比が切換え可能の減衰器を備え、前
記補正データ記憶手段は前記減衰比に応じた補正データ
をそれぞれ記憶する記憶ブロックを有し、これらの記憶
ブロックは前記減衰比の切換えに応じて選択されるよう
に構成したことを特徴とする請求項６にもとづく核磁気
共鳴イメージング装置。
【請求項９】前記それぞれの記憶ブロックに記憶される
補正データはそれぞれ対応する減衰比の逆数に比例して
いることを特徴とする請求項８にもとづく核磁気イメー
ジング装置。
【請求項１０】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系
の間に接続された減衰比が可変の減衰器を有し、前記変
調用低周波信号発生手段は前記補正データ記憶手段にそ
のアドレスとして入力されるデータに前記減衰比を乗算
し、前記補正データ記憶手段から読出されるデータを前
記減衰比で除算するように構成されている請求項６にも
とづく核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系
の間に接続された減衰比が可変の減衰器を有し、前記変
調用低周波信号発生手段は前記基準低周波信号を記憶す
る手段と、前記非線形効果を補正した変調用低周波信号
を得るように前記低周波信号記憶手段から読出されるデ
ータに掛けるべき係数を記憶する手段とを有し、前記基
準低周波記憶手段から読出されるデータに前記減衰比を
掛け、その結果得られたデータをアドレスとして前記係
数を前記係数記憶手段から読出すように構成され，前記
係数は前記基準低周波信号記憶手段から読出されるデー
タとの積により前記非線形効果を補正した変調用低周波
信号が得られるように定められることを特徴とする請求
項５にもとづく核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】高周波信号を発生する手段と、変調用低
周波信号を発生する手段と、その変調用低周波信号によ
って前記高周波信号を変調し、それによって高周波パル
スを発生する手段と、その高周波パルスを増幅する手段
とを有し、前記変調用低周波信号発生手段は基準低周波
信号を発生し、そしてこの基準低周波信号にもとづいて
前記増幅器の入−出力特性の非線形効果を補正した。前
記基準低周波信号に対応した低周波信号を前記変調用低
周波信号として発生する手段を含んでいる高周波パルス
発生装置。
【請求項１３】前記変調用低周波信号発生手段は前記基
準低周波信号を記憶する手段と補正データを記憶する手
段とを含み、その補正データは前記非線形効果を補正し
た変調用低周波信号を、前記基準低周波信号記憶手段か
ら読出される基準低周波信号を前記補正データ記憶手段
のアドレスとしてその補正データ記憶手段から読出すの
に適したデータであることを特徴とする請求項１２にも
とづく高周波パルス発生装置。
【請求項１４】前記基準低周波信号記憶手段から読出さ
れる基準低周波信号の振幅は変更可能である請求項１３
にもとづく高周波パルス発生装置。
【請求項１５】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系
の間に接続された減衰比が切換え可能の減衰器を備え、
前記補正データ記憶手段は前記減衰比に応じた補正デー
タをそれぞれ記憶する記憶ブロックを有し、これらの記
憶ブロックは前記減衰比の切換えに応じて選択されるよ
うに構成したことを特徴とする高周波パルス発生装置。
【請求項１６】前記それぞれの記憶ブロックに記憶され
る補正データはそれぞれ対応する減衰比の逆数に比例し
ていることを特徴とする請求項１５にもとづく高周波パ
ルス発生装置。
【請求項１７】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系
の間に接続された減衰比が可変の減衰器を有し、前記変
調用低周波信号発生手段は前記補正データ記憶手段にそ
のアドレスとして入力されるデータに前記減衰比を乗算
し、前記補正データ記憶手段から読出されるデータを前
記減衰比で除算するように構成されている請求項１３に
もとづく高周波パルス発生装置。
【請求項１８】前記変調用低周波発生手段と前記増幅系
の間に接続された減衰比が可変の減衰器を有し、前記変
調用低周波信号発生手段は前記基準低周波信号を記憶す
る手段と、前記非線形効果を補正した変調用低周波信号
を得るように前記低周波信号記憶手段から読出されるデ
ータに掛けるべき係数を記憶する手段とを有し、前記基
準低周波記憶手段から読出されるデータに前記減衰比を
掛け、その結果得られたデータをアドレスとして前記係
数を前記係数記憶手段から読出すように構成され、前記
係数は前記基準低周波信号記憶手段から読出されるデー
タとの積により前記非線形効果を補正した変調用低周波
信号が得られるように定められることを特徴とする請求
項１２にもとづく高周波パルス発生装置。