JPH04290464A - 半導体装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の表面側に
受光部があり、半導体基板の裏面から光を入射させて、
半導体基板を透過した光を表面側の受光部で検出する光
検出素子（以下、裏面入射型光検出素子と呼ぶ）に関し
、特に裏面入射型光検出素子の冷却構造の改良に関する
ものである。
受光部があり、半導体基板の裏面から光を入射させて、
半導体基板を透過した光を表面側の受光部で検出する光
検出素子（以下、裏面入射型光検出素子と呼ぶ）に関し
、特に裏面入射型光検出素子の冷却構造の改良に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】裏面入射型光検出素子の一例に、ショッ
トキー型赤外線検出素子（以下ショットキー型素子と略
称する）がある。図３に、従来のショットキー型素子の
構造を示す。図３において、Ｓｉ基板１０１の表面には
、波長３〜５μｍの赤外線に感度を有するショットキー
型フォトダイオード（受光部）１０２が形成されている
。この受光部１０２に対し、入射光は矢印ｉの方向から
入射する。入射光ｉは、Ｓｉ基板１０１では吸収されず
に透過し（矢印ｊで示す）、受光部１０２で吸収され光
電変換されるが、入射光ｉのすべてが光電変換されるわ
けではない。一部の光は受光部１０２で吸収されずに透
過するが、受光部１０２上にＳｉＯ２ などの絶縁膜１
１３を介して形成されたＡｌ反射膜１１４で反射され（
矢印ｋで示す）、再び受光部１０２に到達して光電変換
される。光電変換された信号は、Ｓｉ基板１０１の表面
に形成されたボンディングパッド１１１ａから取り出さ
れる。
トキー型赤外線検出素子（以下ショットキー型素子と略
称する）がある。図３に、従来のショットキー型素子の
構造を示す。図３において、Ｓｉ基板１０１の表面には
、波長３〜５μｍの赤外線に感度を有するショットキー
型フォトダイオード（受光部）１０２が形成されている
。この受光部１０２に対し、入射光は矢印ｉの方向から
入射する。入射光ｉは、Ｓｉ基板１０１では吸収されず
に透過し（矢印ｊで示す）、受光部１０２で吸収され光
電変換されるが、入射光ｉのすべてが光電変換されるわ
けではない。一部の光は受光部１０２で吸収されずに透
過するが、受光部１０２上にＳｉＯ２ などの絶縁膜１
１３を介して形成されたＡｌ反射膜１１４で反射され（
矢印ｋで示す）、再び受光部１０２に到達して光電変換
される。光電変換された信号は、Ｓｉ基板１０１の表面
に形成されたボンディングパッド１１１ａから取り出さ
れる。
【０００３】さて、このようなショットキー型素子を種
々の用途で使用するにあたっては、まず、Ｓｉ基板１０
１をパッケージ１０３に固定し、信号をパッケージ１０
３外部に取り出す必要がある。さらに、ショットキー型
素子は、半導体と金属とを接触させたときに生ずるショ
ットキーバリアを利用してフォトンエネルギーの小さい
赤外線を光電変換するものであり、７７Ｋ程度の低温に
保持しないと充分なＳ／Ｎ比が得られないため、パッケ
ージ１０３を冷却しなければならない。
々の用途で使用するにあたっては、まず、Ｓｉ基板１０
１をパッケージ１０３に固定し、信号をパッケージ１０
３外部に取り出す必要がある。さらに、ショットキー型
素子は、半導体と金属とを接触させたときに生ずるショ
ットキーバリアを利用してフォトンエネルギーの小さい
赤外線を光電変換するものであり、７７Ｋ程度の低温に
保持しないと充分なＳ／Ｎ比が得られないため、パッケ
ージ１０３を冷却しなければならない。
【０００４】以下、従来のショットキー型素子のパッケ
ージング構造と冷却構造について、図３を用いて具体的
に説明する。図３において、パッケージ１０３は上方が
開口されるとともに、底面にも上方の開口よりやや小さ
い窓をあけた形状をなしており、ショットキー型素子の
Ｓｉ基板１０１は、その裏面側で接着剤によりパッケー
ジ１０３の底面に固定（接着面１１２）されている。
ージング構造と冷却構造について、図３を用いて具体的
に説明する。図３において、パッケージ１０３は上方が
開口されるとともに、底面にも上方の開口よりやや小さ
い窓をあけた形状をなしており、ショットキー型素子の
Ｓｉ基板１０１は、その裏面側で接着剤によりパッケー
ジ１０３の底面に固定（接着面１１２）されている。
【０００５】又、受光部１０２で光電変化された信号は
、Ｓｉ基板１０１側のボンディングパッド１１１ａの所
まできているが、この信号をパッケージ１０３側へ送り
込むために、ワイヤ１０５により、パッケージ１０３側
のパッド１１１ｂと接続される。パッド１１１ｂとパッ
ケージ１０３のリード１０６とはパッケージ１０３内部
で接続されており、信号はリード１０６から外部に取り
出すことができる。
、Ｓｉ基板１０１側のボンディングパッド１１１ａの所
まできているが、この信号をパッケージ１０３側へ送り
込むために、ワイヤ１０５により、パッケージ１０３側
のパッド１１１ｂと接続される。パッド１１１ｂとパッ
ケージ１０３のリード１０６とはパッケージ１０３内部
で接続されており、信号はリード１０６から外部に取り
出すことができる。
【０００６】このパッケージ１０３を冷却するためには
、パッケージ１０３の上方の開口が蓋１０４で閉止され
、更に蓋１０４の外側と接触するようにコールドヘッド
１０７が配置される。
、パッケージ１０３の上方の開口が蓋１０４で閉止され
、更に蓋１０４の外側と接触するようにコールドヘッド
１０７が配置される。
【０００７】上述したように、ショットキー型素子は、
その動作原理から、通常７７Ｋ程度まで冷却して用いる
と良好なＳ／Ｎ比が得られるようになるが、一般に、大
気中で物質を７７Ｋ程度まで冷やせば、大気中の水分な
どが凝固し、物質表面に付着してしまう。そこで、図３
に示したようなショットキー型素子を用いた半導体装置
は、通常、真空容器内に保持される。
その動作原理から、通常７７Ｋ程度まで冷却して用いる
と良好なＳ／Ｎ比が得られるようになるが、一般に、大
気中で物質を７７Ｋ程度まで冷やせば、大気中の水分な
どが凝固し、物質表面に付着してしまう。そこで、図３
に示したようなショットキー型素子を用いた半導体装置
は、通常、真空容器内に保持される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
の冷却構造においては、次のような問題がある。つまり
、従来の構造においては、図３中矢印Ａで示されるがご
とく、コールドヘッド１０７−蓋１０４−パッケージ１
０３−Ｓｉ基板１０１という経路でショットキー型素子
が冷却されるが、図から明らかなように、パッケージ１
０３とＳｉ基板１０１とは、接着面１１２でしか接して
いないため、冷却効率が非常に悪い。
の冷却構造においては、次のような問題がある。つまり
、従来の構造においては、図３中矢印Ａで示されるがご
とく、コールドヘッド１０７−蓋１０４−パッケージ１
０３−Ｓｉ基板１０１という経路でショットキー型素子
が冷却されるが、図から明らかなように、パッケージ１
０３とＳｉ基板１０１とは、接着面１１２でしか接して
いないため、冷却効率が非常に悪い。
【０００９】冷却効率が悪いと、１．センサ（光検出素
子）を使用するにあたって、センサを冷却するまでの時
間が長くなる。２．センサが発熱した際（多量の入射光
があった場合など）に、その熱が冷えるまでの間充分な
Ｓ／Ｎ比が得られない（ショットキー型素子は十分に冷
却された状態でなければ、原理的に充分なＳ／Ｎ比が得
られない）、などの不具合が生じてしまう。
子）を使用するにあたって、センサを冷却するまでの時
間が長くなる。２．センサが発熱した際（多量の入射光
があった場合など）に、その熱が冷えるまでの間充分な
Ｓ／Ｎ比が得られない（ショットキー型素子は十分に冷
却された状態でなければ、原理的に充分なＳ／Ｎ比が得
られない）、などの不具合が生じてしまう。
【００１０】更に、図３では単一の受光部が形成された
ポイントセンサの例を示しているが、多数の受光部が半
導体基板表面に配列されたイメージセンサの場合、パッ
ケージとの接着面に近い周辺部の受光部が早く冷却され
、接着面に遠い中央部の受光部の冷却は遅れることとな
り、受光部によって冷却状態に違いが生じてしまう。 センサの使用開始にあたっては、冷却時間を長くとるこ
とである程度冷却状態を均一にすることが可能ではある
が、使用途中で大量の光が入射して素子が発熱したよう
な場合、受光部の位置によって温度がばらついてしまい
、検出精度の低下を招いてしまう。
ポイントセンサの例を示しているが、多数の受光部が半
導体基板表面に配列されたイメージセンサの場合、パッ
ケージとの接着面に近い周辺部の受光部が早く冷却され
、接着面に遠い中央部の受光部の冷却は遅れることとな
り、受光部によって冷却状態に違いが生じてしまう。 センサの使用開始にあたっては、冷却時間を長くとるこ
とである程度冷却状態を均一にすることが可能ではある
が、使用途中で大量の光が入射して素子が発熱したよう
な場合、受光部の位置によって温度がばらついてしまい
、検出精度の低下を招いてしまう。
【００１１】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、効率良く裏面入射型光検出素子を冷却できる
構造の半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
のであり、効率良く裏面入射型光検出素子を冷却できる
構造の半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
一方の面に受光部が形成された半導体基板と、該半導体
基板を保持するパッケージと、前記半導体基板の受光部
形成面側で前記パッケージを閉止する閉止部材とを有し
てなり、上記の課題を達成するために、前記受光部と前
記閉止部材の間に、少なくとも常温で可塑性の、即ち、
外力が加えられた際に連続的に変形する性質の熱伝導部
材が封入されたものである。
一方の面に受光部が形成された半導体基板と、該半導体
基板を保持するパッケージと、前記半導体基板の受光部
形成面側で前記パッケージを閉止する閉止部材とを有し
てなり、上記の課題を達成するために、前記受光部と前
記閉止部材の間に、少なくとも常温で可塑性の、即ち、
外力が加えられた際に連続的に変形する性質の熱伝導部
材が封入されたものである。
【００１３】
【作用】裏面入射型光検知素子は、上述したように、半
導体基板の裏面から光を入射させ、基板を透過した光を
受光する構成となっているので、半導体基板裏面の広い
部分（表面側の受光部と対応する領域）に冷却部材を配
置することはできない。
導体基板の裏面から光を入射させ、基板を透過した光を
受光する構成となっているので、半導体基板裏面の広い
部分（表面側の受光部と対応する領域）に冷却部材を配
置することはできない。
【００１４】そこで、本発明においては、裏面入射型光
検知素子の受光部形成面とパッケージの蓋の間に熱伝導
性部材を封入することとした。これにより、裏面入射型
光検知素子は半導体基板裏面の周辺部からだけでなく、
熱伝導性部材と接する面からも冷やされることとなり、
冷却部材との接触する面積が増えため、冷却効率が向上
する。
検知素子の受光部形成面とパッケージの蓋の間に熱伝導
性部材を封入することとした。これにより、裏面入射型
光検知素子は半導体基板裏面の周辺部からだけでなく、
熱伝導性部材と接する面からも冷やされることとなり、
冷却部材との接触する面積が増えため、冷却効率が向上
する。
【００１５】従って、光検出素子を使用する際のクール
ダウンタイム（素子が常温から使用可能温度まで冷却さ
れる時間）は短くなり、又、素子が発熱したとしても、
この熱を速やかに奪い取ることができるため、常にＳ／
Ｎ比が良い状態で素子を使用できるようになる。
ダウンタイム（素子が常温から使用可能温度まで冷却さ
れる時間）は短くなり、又、素子が発熱したとしても、
この熱を速やかに奪い取ることができるため、常にＳ／
Ｎ比が良い状態で素子を使用できるようになる。
【００１６】また、受光部形成領域全体か熱伝導性部材
と接触することとなるので、光検出素子が複数の受光部
が配列されたイメージセンサである場合でも各受光部の
冷却状態を均一に保つことが可能となる。
と接触することとなるので、光検出素子が複数の受光部
が配列されたイメージセンサである場合でも各受光部の
冷却状態を均一に保つことが可能となる。
【００１７】さてここで、本発明において熱伝導性部材
を少なくとも常温で可塑性のものに限定しているのは、
受光部上に装填してパッケージの蓋をする際、受光部に
無理な力がかからないようにするためである。また、素
子の冷却と常温への温度上昇が繰り返される場合、半導
体基板と熱伝導部材の熱膨張係数の違いによる応力が生
じることになるが、熱伝導性部材が変形することによっ
て応力が吸収され、受光部に損傷が生じない。熱伝導性
部材としては、粘度の高い液体で、低温においても可塑
性が維持されるグリースが好ましく使用される他、素子
の冷却温度で凝固しない気体やＩｎのような柔らかい金
属を用いることもできる。
を少なくとも常温で可塑性のものに限定しているのは、
受光部上に装填してパッケージの蓋をする際、受光部に
無理な力がかからないようにするためである。また、素
子の冷却と常温への温度上昇が繰り返される場合、半導
体基板と熱伝導部材の熱膨張係数の違いによる応力が生
じることになるが、熱伝導性部材が変形することによっ
て応力が吸収され、受光部に損傷が生じない。熱伝導性
部材としては、粘度の高い液体で、低温においても可塑
性が維持されるグリースが好ましく使用される他、素子
の冷却温度で凝固しない気体やＩｎのような柔らかい金
属を用いることもできる。
【００１８】
【実施例】次に、図面を用いて本発明をより具体的に説
明する。図１は本発明の第１実施例による半導体装置の
構造を示す断面図である。裏面入射型光検出素子自体の
構造とパッケージング構造は前述した図３と同様であり
、Ｓｉ基板１の表面には、ショットキー型フォトダイオ
ードからなる受光部２が形成されており、受光部２上に
は絶縁膜１３を介しＡｌ反射膜１０が積層されている。
明する。図１は本発明の第１実施例による半導体装置の
構造を示す断面図である。裏面入射型光検出素子自体の
構造とパッケージング構造は前述した図３と同様であり
、Ｓｉ基板１の表面には、ショットキー型フォトダイオ
ードからなる受光部２が形成されており、受光部２上に
は絶縁膜１３を介しＡｌ反射膜１０が積層されている。
【００１９】Ｓｉ基板１は、裏面側で接着剤によりパッ
ケージ３の底面に固定（接着面１２）されており、Ｓｉ
基板１側のパッド１１ａとパッケージ３側のパッド１１
ｂはワイヤ５で接続され、光電変換信号はパッケージ３
のリード６から外部に取り出されるようになっている。 また、パッケージ３の上方の開口は蓋４で閉止され、蓋
４の外側と接触するようにコールドヘッド７が配置され
ている。
ケージ３の底面に固定（接着面１２）されており、Ｓｉ
基板１側のパッド１１ａとパッケージ３側のパッド１１
ｂはワイヤ５で接続され、光電変換信号はパッケージ３
のリード６から外部に取り出されるようになっている。 また、パッケージ３の上方の開口は蓋４で閉止され、蓋
４の外側と接触するようにコールドヘッド７が配置され
ている。
【００２０】以上の構成は前述した図３の構成と同様で
あるが、本実施例では、蓋４と受光部形成面との間に熱
伝導性部材としてグリース８を封入している。
あるが、本実施例では、蓋４と受光部形成面との間に熱
伝導性部材としてグリース８を封入している。
【００２１】熱伝導性部材としてグリース８を用いる場
合の半導体装置の組み立て方は次のようである。まず、
従来と同様にして、Ｓｉ基板１をパッケージ３の底面に
接着する。その後、受光部形成面にグリース８を塗布し
、グリース８の表面側（素子と接しない側）を、パッケ
ージ３の上面９より高くなるように盛る（グリース８は
極めて粘度が高いため、このように盛りあげることが可
能である）。この状態で、パッケージ３に蓋４をすれば
、パッケージ３の上面９より上に出ているグリース８が
蓋４によって押しつぶされ、蓋４と密着する。しかる後
コールドヘッド７を蓋４の外面に接触させれば、図１の
半導体装置が得られる。
合の半導体装置の組み立て方は次のようである。まず、
従来と同様にして、Ｓｉ基板１をパッケージ３の底面に
接着する。その後、受光部形成面にグリース８を塗布し
、グリース８の表面側（素子と接しない側）を、パッケ
ージ３の上面９より高くなるように盛る（グリース８は
極めて粘度が高いため、このように盛りあげることが可
能である）。この状態で、パッケージ３に蓋４をすれば
、パッケージ３の上面９より上に出ているグリース８が
蓋４によって押しつぶされ、蓋４と密着する。しかる後
コールドヘッド７を蓋４の外面に接触させれば、図１の
半導体装置が得られる。
【００２２】本第１実施例によれば、コールドヘッド７
と素子間の熱の出入は、蓋４、グリース８を介して行な
われる。この時、コールドヘッド７−蓋４間、蓋４−グ
リース間、グリース８−素子間はそれぞれ互いに広い面
積で接触しているため、熱伝導効率は極めて高い。また
、グリース８は高粘度の液体であるため、蓋４をする際
、素子に無理な力を加えることなく組み立てることがで
きる。
と素子間の熱の出入は、蓋４、グリース８を介して行な
われる。この時、コールドヘッド７−蓋４間、蓋４−グ
リース間、グリース８−素子間はそれぞれ互いに広い面
積で接触しているため、熱伝導効率は極めて高い。また
、グリース８は高粘度の液体であるため、蓋４をする際
、素子に無理な力を加えることなく組み立てることがで
きる。
【００２３】図１の例では、熱伝導部材として用いてい
るが、グリース８のかわりに、Ｉｎ柱などのやわらかい
金属を蓋と素子との間に導入しても良い。Ｉｎ柱は、グ
リースと異なり液体ではないが、非常にやわらかい固体
であるので素子に無理な力を加えることなく封入するこ
とができるとともに、受光部形成面と蓋４の双方に対し
て広い面積で密着させることができる。
るが、グリース８のかわりに、Ｉｎ柱などのやわらかい
金属を蓋と素子との間に導入しても良い。Ｉｎ柱は、グ
リースと異なり液体ではないが、非常にやわらかい固体
であるので素子に無理な力を加えることなく封入するこ
とができるとともに、受光部形成面と蓋４の双方に対し
て広い面積で密着させることができる。
【００２４】この他、グリース８のかわりに、素子の冷
却温度（ショットキー型素子の場合は７７Ｋに冷却する
）では凝固しない気体（例えばＨｅ等がある）を封じ込
めてもよい。気体を封じ込めた場合は、気体分子が熱伝
導媒体となり、素子の冷却効率が向上するとともに、組
み立てる時に素子に無理な力も加えなくてすむ。
却温度（ショットキー型素子の場合は７７Ｋに冷却する
）では凝固しない気体（例えばＨｅ等がある）を封じ込
めてもよい。気体を封じ込めた場合は、気体分子が熱伝
導媒体となり、素子の冷却効率が向上するとともに、組
み立てる時に素子に無理な力も加えなくてすむ。
【００２５】さて、これまでは、素子内に１つの受光部
しかない光検出素子（ポイントセンサ）を冷却する構造
について述べた。しかし、本発明は、１つの光検知素子
内に複数の受光部がある、例えばイメージセンサに対し
ても適用することができる。その場合の実施例を図２に
示す。
しかない光検出素子（ポイントセンサ）を冷却する構造
について述べた。しかし、本発明は、１つの光検知素子
内に複数の受光部がある、例えばイメージセンサに対し
ても適用することができる。その場合の実施例を図２に
示す。
【００２６】図２において、受光部とＡｌ反射膜以外の
構成は図１と同じであるので、同一部材には図１と共通
の符号つけ、重複する説明は省略する。本実施例では、
Ｓｉ基板１表面には、複数の受光部２ａが一定のピッチ
で配列されており、各受光部２ａ上には絶縁膜１３を介
してＡｌ膜反射膜１０ａが設けられている。このＡｌ反
射膜１０ａも受光部２ａと１対１対応するように複数あ
り、各受光部２ａ上に配列されている。
構成は図１と同じであるので、同一部材には図１と共通
の符号つけ、重複する説明は省略する。本実施例では、
Ｓｉ基板１表面には、複数の受光部２ａが一定のピッチ
で配列されており、各受光部２ａ上には絶縁膜１３を介
してＡｌ膜反射膜１０ａが設けられている。このＡｌ反
射膜１０ａも受光部２ａと１対１対応するように複数あ
り、各受光部２ａ上に配列されている。
【００２７】Ｓｉ基板１は、図１と同様な構造でパッケ
ージ３内に保持されており、受光部形成面とパッケージ
３の蓋４との間には熱伝導部材としてグリース８が封入
されている。
ージ３内に保持されており、受光部形成面とパッケージ
３の蓋４との間には熱伝導部材としてグリース８が封入
されている。
【００２８】図２のような複数の受光部をもつ素子を従
来の冷却構造で冷却しようとすると、素子は、Ｓｉ基板
１とパッケージ３の接触面１２からのみ冷却されること
になるので、接触面１２と各受光部２ａとの距離の差に
応じて冷却時間に時間差を生じていた。しかし、本実施
例では、グリース８を介して矢印ｉの方向から各受光部
２ａが均一に冷却されるため、各受光部間の温度ムラが
生じることがない。
来の冷却構造で冷却しようとすると、素子は、Ｓｉ基板
１とパッケージ３の接触面１２からのみ冷却されること
になるので、接触面１２と各受光部２ａとの距離の差に
応じて冷却時間に時間差を生じていた。しかし、本実施
例では、グリース８を介して矢印ｉの方向から各受光部
２ａが均一に冷却されるため、各受光部間の温度ムラが
生じることがない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、
裏面入射型光検出素子の受光部とパッケージの蓋の間に
可塑性の熱伝導部材を封入する構成をとっているので、
素子の冷却効率を向上させることができ、クールダウン
タイムを短縮するとともに、優れたＳ／Ｎ比を確保する
ことが可能である。また、熱伝導部材が可塑性であるの
で、素子に無理な力を加えることなく、容易に組み立て
ができるという利点も有する。更に、素子が複数の受光
部をもつイメージセンサである場合には、各受光部間の
温度ムラを除去することができ、本発明の実用的価値は
非常に大きいものである。
裏面入射型光検出素子の受光部とパッケージの蓋の間に
可塑性の熱伝導部材を封入する構成をとっているので、
素子の冷却効率を向上させることができ、クールダウン
タイムを短縮するとともに、優れたＳ／Ｎ比を確保する
ことが可能である。また、熱伝導部材が可塑性であるの
で、素子に無理な力を加えることなく、容易に組み立て
ができるという利点も有する。更に、素子が複数の受光
部をもつイメージセンサである場合には、各受光部間の
温度ムラを除去することができ、本発明の実用的価値は
非常に大きいものである。
【図１】本発明の第１実施例による半導体装置の断面図
である。
である。
【図２】本発明の第２実施例による半導体装置の断面図
である。
である。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
１ 半導体基板
２，２ａ 受光部
３ パッケージ
４ パッケージの蓋
５ ワイヤ
６ リード
７ コールドヘッド
８ グリース
９ パッケージの上面
１０ Ａｌ反射膜
１１ａ，１１ｂ パッド
１２ 接着面
１３ 絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 一方の面に受光部が形成された半導体
基板と、該半導体基板を保持するパッケージと、前記半
導体基板の受光部形成面側で前記パッケージを閉止する
閉止部材とを有する半導体装置において、前記受光部と
前記閉止部材の間に、少なくとも常温で可塑性の熱伝導
部材が封入されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板表面に複数の受光部が
配列されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823291A JP2920702B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823291A JP2920702B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290464A true JPH04290464A (ja) | 1992-10-15 |
| JP2920702B2 JP2920702B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=13656302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7823291A Expired - Fee Related JP2920702B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920702B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552635A (en) * | 1994-01-11 | 1996-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High thermal emissive semiconductor device package |
| US7545015B2 (en) | 2002-10-10 | 2009-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photo-detection device and manufacturing method thereof |
| WO2011150552A1 (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | 博立码杰通讯(深圳)有限公司 | 多光谱感光器件及其制作方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP7823291A patent/JP2920702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552635A (en) * | 1994-01-11 | 1996-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High thermal emissive semiconductor device package |
| US7545015B2 (en) | 2002-10-10 | 2009-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photo-detection device and manufacturing method thereof |
| WO2011150552A1 (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | 博立码杰通讯(深圳)有限公司 | 多光谱感光器件及其制作方法 |
| US10008522B2 (en) | 2010-06-01 | 2018-06-26 | Boly Media Communications (Shenzen) Co., Ltd. | Multi-spectrum photosensitive device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920702B2 (ja) | 1999-07-19 |
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