JPH04290368A - 給電伝送システム - Google Patents
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- JPH04290368A JPH04290368A JP3054826A JP5482691A JPH04290368A JP H04290368 A JPH04290368 A JP H04290368A JP 3054826 A JP3054826 A JP 3054826A JP 5482691 A JP5482691 A JP 5482691A JP H04290368 A JPH04290368 A JP H04290368A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M19/00—Current supply arrangements for telephone systems
- H04M19/001—Current supply source at the exchanger providing current to substations
- H04M19/008—Using DC/DC converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J13/00—Circuit arrangements for providing remote indication of network conditions, e.g. an instantaneous record of the open or closed condition of each circuitbreaker in the network; Circuit arrangements for providing remote control of switching means in a power distribution network, e.g. switching in and out of current consumers by using a pulse code signal carried by the network
- H02J13/00006—Circuit arrangements for providing remote indication of network conditions, e.g. an instantaneous record of the open or closed condition of each circuitbreaker in the network; Circuit arrangements for providing remote control of switching means in a power distribution network, e.g. switching in and out of current consumers by using a pulse code signal carried by the network characterised by information or instructions transport means between the monitoring, controlling or managing units and monitored, controlled or operated power network element or electrical equipment
- H02J13/00016—Circuit arrangements for providing remote indication of network conditions, e.g. an instantaneous record of the open or closed condition of each circuitbreaker in the network; Circuit arrangements for providing remote control of switching means in a power distribution network, e.g. switching in and out of current consumers by using a pulse code signal carried by the network characterised by information or instructions transport means between the monitoring, controlling or managing units and monitored, controlled or operated power network element or electrical equipment using a wired telecommunication network or a data transmission bus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y04—INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
- Y04S—SYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
- Y04S40/00—Systems for electrical power generation, transmission, distribution or end-user application management characterised by the use of communication or information technologies, or communication or information technology specific aspects supporting them
- Y04S40/12—Systems for electrical power generation, transmission, distribution or end-user application management characterised by the use of communication or information technologies, or communication or information technology specific aspects supporting them characterised by data transport means between the monitoring, controlling or managing units and monitored, controlled or operated electrical equipment
- Y04S40/124—Systems for electrical power generation, transmission, distribution or end-user application management characterised by the use of communication or information technologies, or communication or information technology specific aspects supporting them characterised by data transport means between the monitoring, controlling or managing units and monitored, controlled or operated electrical equipment using wired telecommunication networks or data transmission busses
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Amplifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば公衆網のように、
線路を介して信号伝送を行うとともに、上記線路を用い
て給電も行う給電伝送システムに関する。
線路を介して信号伝送を行うとともに、上記線路を用い
て給電も行う給電伝送システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、交換機などで信号伝送を行う場合
、信号を伝送するための線路を用いて電力の給電も行っ
ている。以下、図５を参照してその一例を説明する。
、信号を伝送するための線路を用いて電力の給電も行っ
ている。以下、図５を参照してその一例を説明する。
【０００３】図５は、従来の給電伝送システムの一例の
構成を示す図面である。図中、１は線路２への信号送出
および線路２を介しての給電を行う送信側装置である。 この送信側装置１は以下の処理により信号の送信を行う
。
構成を示す図面である。図中、１は線路２への信号送出
および線路２を介しての給電を行う送信側装置である。 この送信側装置１は以下の処理により信号の送信を行う
。
【０００４】端子１０から入力された入力ディジタル信
号は、電源１１によって給電される送信回路１２によっ
て直流成分を持たない信号に変換されて信号源抵抗１３
，１４とトランス１５を介して線路２を駆動する。かく
して、線路２に信号の送出がなされる。一方、３は線路
２を介して伝送された信号を受信する受信側装置である
。この受信側装置３は以下の処理により信号の受信を行
う。
号は、電源１１によって給電される送信回路１２によっ
て直流成分を持たない信号に変換されて信号源抵抗１３
，１４とトランス１５を介して線路２を駆動する。かく
して、線路２に信号の送出がなされる。一方、３は線路
２を介して伝送された信号を受信する受信側装置である
。この受信側装置３は以下の処理により信号の受信を行
う。
【０００５】線路２によって周波数特性のある減衰を受
けた前記変換された信号は、直流遮断用コンデンサ３０
とトランス３１を介して終端抵抗３２と受信回路３３に
与えられる。受信回路３３は、線路２によって周波数特
性のある減衰を受けた前記変換された信号を周波数特性
のある増幅を行ない、タイミングを再生してレベル判定
を行なって得られた信号を逆変換する。そして、この逆
変換により得られた再生ディジタル信号を端子３４より
出力する。ところで送信側装置１から受信側装置３への
給電は以下のようにして行われている。
けた前記変換された信号は、直流遮断用コンデンサ３０
とトランス３１を介して終端抵抗３２と受信回路３３に
与えられる。受信回路３３は、線路２によって周波数特
性のある減衰を受けた前記変換された信号を周波数特性
のある増幅を行ない、タイミングを再生してレベル判定
を行なって得られた信号を逆変換する。そして、この逆
変換により得られた再生ディジタル信号を端子３４より
出力する。ところで送信側装置１から受信側装置３への
給電は以下のようにして行われている。
【０００６】送信側装置１では、信号短絡用コンデンサ
１６により直流的に分離されたトランス１５の２次巻線
の中点から高圧電源１７が前記２次巻線を通して高電圧
を線路２に供給する。一方受信側装置３では、線路２に
供給された前記高電圧は、線路抵抗により電圧降下して
線路２を出力し、直流遮断用コンデンサ３０によりトラ
ンス３２の側に行かず、チョークコイル３５と５６を通
ってＤＣ／ＤＣ変換回路３７に入力する。ＤＣ／ＤＣ変
換回路３７は、入力した前記電圧降下した高電圧を受信
回路３３で必要な電源電圧に変換して受信回路３３に供
給する。
１６により直流的に分離されたトランス１５の２次巻線
の中点から高圧電源１７が前記２次巻線を通して高電圧
を線路２に供給する。一方受信側装置３では、線路２に
供給された前記高電圧は、線路抵抗により電圧降下して
線路２を出力し、直流遮断用コンデンサ３０によりトラ
ンス３２の側に行かず、チョークコイル３５と５６を通
ってＤＣ／ＤＣ変換回路３７に入力する。ＤＣ／ＤＣ変
換回路３７は、入力した前記電圧降下した高電圧を受信
回路３３で必要な電源電圧に変換して受信回路３３に供
給する。
【０００７】ところが以上のように、給電のためにトラ
ンス１５，３１およびチョークコイル３５，３６を用い
ると、これらのトランス１５，３１およびチョークコイ
ル３５，３６が高価かつ大形なものであるために、コス
トの上昇およびシステムの大形化を招く。
ンス１５，３１およびチョークコイル３５，３６を用い
ると、これらのトランス１５，３１およびチョークコイ
ル３５，３６が高価かつ大形なものであるために、コス
トの上昇およびシステムの大形化を招く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く従来の給電
伝送システムでは、トランスとチョークコイルを使用し
ているため、装置コストの上昇および大形化を招くとい
う不具合があった、また、組立に手間が掛かり、組立コ
ストも高くなるという不具合もある。
伝送システムでは、トランスとチョークコイルを使用し
ているため、装置コストの上昇および大形化を招くとい
う不具合があった、また、組立に手間が掛かり、組立コ
ストも高くなるという不具合もある。
【０００９】本発明はこれらの事情を考慮してなされた
ものであり、その目的とするところは、トランスやチョ
ークコイルなどの大形な部品を削除し、これにより小型
で、かつ装置コストおよび組立コストを低く抑えること
ができる給電伝送システムを提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、トランスやチョ
ークコイルなどの大形な部品を削除し、これにより小型
で、かつ装置コストおよび組立コストを低く抑えること
ができる給電伝送システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、送信回路
が入力信号を変形して信号源抵抗と第１の直流遮断コン
デンサを介して線路に出力するとともに、前記線路を介
して電力供給を行う送信側装置と、前記線路を介して前
記送信側装置から供給された電力を例えばＤＣ／ＤＣ変
換回路などの変換手段で受信回路の動作電力に変換し、
この動作電力で動作する前記受信回路が前記線路からの
信号を第２の直流遮断コンデンサと終端抵抗を介して受
け取って前記入力信号を再生する受信側装置とからなる
給電伝送システムにあって、前記送信側装置は、高圧電
源が発生する電力を第１のアクティブインダクタンスを
介して前記線路に印加して前記線路を介しての電力供給
を行い、前記受信側装置は、前記線路を介して供給され
た電力を第２のアクティブインダクタンスを介して抽出
し、前記変換手段へと与えるようにした。第２の発明は
、前記第１の発明における送信側装置が、線路に出力す
る信号から同相成分を除去するようにした。
が入力信号を変形して信号源抵抗と第１の直流遮断コン
デンサを介して線路に出力するとともに、前記線路を介
して電力供給を行う送信側装置と、前記線路を介して前
記送信側装置から供給された電力を例えばＤＣ／ＤＣ変
換回路などの変換手段で受信回路の動作電力に変換し、
この動作電力で動作する前記受信回路が前記線路からの
信号を第２の直流遮断コンデンサと終端抵抗を介して受
け取って前記入力信号を再生する受信側装置とからなる
給電伝送システムにあって、前記送信側装置は、高圧電
源が発生する電力を第１のアクティブインダクタンスを
介して前記線路に印加して前記線路を介しての電力供給
を行い、前記受信側装置は、前記線路を介して供給され
た電力を第２のアクティブインダクタンスを介して抽出
し、前記変換手段へと与えるようにした。第２の発明は
、前記第１の発明における送信側装置が、線路に出力す
る信号から同相成分を除去するようにした。
【００１１】第３の発明は、前記第１の発明における第
１および第２のアクティブインダクタンスを、線路に接
続される第１の端子と、この第１の端子にコレクタが接
続される第１のパワートランジスタと、電源または変換
手段に接続される第２の端子と、前記パワートランジス
タのエミッタと前記第２の端子とを接続する第１の抵抗
と、前記第１の端子の電圧をレベルシフトする第１のレ
ベルシフト回路と、前記第２の端子の電圧をレベルシフ
トする第２のレベルシフト回路と、前記第１のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＰＮＰトランジスタのエミッタと前記第２のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＮＰＮトランジスタのエミッタとを第２の抵抗で接続
してなる電流源と、この電流源の出力となる前記ＰＮＰ
トランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタのいずれか
一方のコレクタに負荷として接続される定電流源と、前
記ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタの
いずれか一方のコレクタと前記定電流源との接続点に一
端が接続されたコンデンサと、前記ＰＮＰトランジスタ
および前記ＮＰＮトランジスタのいずれか一方のコレク
タと前記定電流源との接続点の電圧をレベルシフトし、
このレベルシフトした電圧を前記パワートランジスタの
ベースに印加する第３のレベルシフト回路とを備えて構
成するとともに、前記第１のレベルシフト回路と前記Ｐ
ＮＰトランジスタとでのレベルシフト数および前記第２
のレベルシフト回路と前記ＮＰＮトランジスタとでのレ
ベルシフト数とを等しくして、さらに第２のアクティブ
インダクタンスは、前記パワートランジスタのベースを
駆動するエミッタホロワの負荷電流を前記第１の端子か
らカレントミラーを用いて定電流源で取るようにした。
１および第２のアクティブインダクタンスを、線路に接
続される第１の端子と、この第１の端子にコレクタが接
続される第１のパワートランジスタと、電源または変換
手段に接続される第２の端子と、前記パワートランジス
タのエミッタと前記第２の端子とを接続する第１の抵抗
と、前記第１の端子の電圧をレベルシフトする第１のレ
ベルシフト回路と、前記第２の端子の電圧をレベルシフ
トする第２のレベルシフト回路と、前記第１のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＰＮＰトランジスタのエミッタと前記第２のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＮＰＮトランジスタのエミッタとを第２の抵抗で接続
してなる電流源と、この電流源の出力となる前記ＰＮＰ
トランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタのいずれか
一方のコレクタに負荷として接続される定電流源と、前
記ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタの
いずれか一方のコレクタと前記定電流源との接続点に一
端が接続されたコンデンサと、前記ＰＮＰトランジスタ
および前記ＮＰＮトランジスタのいずれか一方のコレク
タと前記定電流源との接続点の電圧をレベルシフトし、
このレベルシフトした電圧を前記パワートランジスタの
ベースに印加する第３のレベルシフト回路とを備えて構
成するとともに、前記第１のレベルシフト回路と前記Ｐ
ＮＰトランジスタとでのレベルシフト数および前記第２
のレベルシフト回路と前記ＮＰＮトランジスタとでのレ
ベルシフト数とを等しくして、さらに第２のアクティブ
インダクタンスは、前記パワートランジスタのベースを
駆動するエミッタホロワの負荷電流を前記第１の端子か
らカレントミラーを用いて定電流源で取るようにした。
【００１２】
【作用】第１の発明によれば、送信回路および受信回路
への給電電流の流入をコンデンサにより遮断された上で
、アクティブインダクタンスを通して線路への給電がな
される。またアクティブインダクタンスにより給電電流
のみの抽出がなされる。従って、トランスやチョークコ
イルが必要ない。
への給電電流の流入をコンデンサにより遮断された上で
、アクティブインダクタンスを通して線路への給電がな
される。またアクティブインダクタンスにより給電電流
のみの抽出がなされる。従って、トランスやチョークコ
イルが必要ない。
【００１３】第２の発明によれば、送信回路では例えば
ＡＭＩ符号等の信号の正負を表わすフリップフロップの
差動信号は極性を考慮して合成されて線路に送出される
。従って、線路に同相成分が送出されることが防止され
る。
ＡＭＩ符号等の信号の正負を表わすフリップフロップの
差動信号は極性を考慮して合成されて線路に送出される
。従って、線路に同相成分が送出されることが防止され
る。
【００１４】第３の発明によれば、入力２端子の電圧の
レベルシフトの数が電流源を構成するトランジスタによ
るものも含めて等しくなっており、入力２端子間の電圧
が温度により変動しない。従って、入力２端子間の電圧
が小さくなる。また受信側装置に適用されるものでは、
パワートランジスタのベースを駆動するエミッタホロワ
の負荷電流が線路側の端子からカレントミラーを用いて
定電流で取られる。従って、入力２端子間の電圧が小さ
くなる。
レベルシフトの数が電流源を構成するトランジスタによ
るものも含めて等しくなっており、入力２端子間の電圧
が温度により変動しない。従って、入力２端子間の電圧
が小さくなる。また受信側装置に適用されるものでは、
パワートランジスタのベースを駆動するエミッタホロワ
の負荷電流が線路側の端子からカレントミラーを用いて
定電流で取られる。従って、入力２端子間の電圧が小さ
くなる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に付
き説明する。図１は本実施例に係る給電伝送システムの
構成を示す図である。なお、図５と同一部分には同一符
号を付し、その詳細な説明を省略する。
き説明する。図１は本実施例に係る給電伝送システムの
構成を示す図である。なお、図５と同一部分には同一符
号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００１６】図中、４は送信側装置、５は受信側装置で
あり、線路２を介して接続されている。ここで送信側装
置４が特徴とするところは、高圧電源１７からの線路２
への電圧印加をアクティブインダクタンス４２，４３を
介して行うようにした点にある。また受信側装置５が特
徴とするところは、線路２からの電圧抽出をアクティブ
インダクタンス５２，５３を介して行うようにした点に
ある。なお、アクティブインダクタンス４２，４３と送
信回路１２とは例えば１チップのＩＣに集積化する。ア
クティブインダクタンス５２，５３と受信回路３３とは
例えば１チップのＩＣに集積化する。
あり、線路２を介して接続されている。ここで送信側装
置４が特徴とするところは、高圧電源１７からの線路２
への電圧印加をアクティブインダクタンス４２，４３を
介して行うようにした点にある。また受信側装置５が特
徴とするところは、線路２からの電圧抽出をアクティブ
インダクタンス５２，５３を介して行うようにした点に
ある。なお、アクティブインダクタンス４２，４３と送
信回路１２とは例えば１チップのＩＣに集積化する。ア
クティブインダクタンス５２，５３と受信回路３３とは
例えば１チップのＩＣに集積化する。
【００１７】さらに送信側装置４および受信側装置５に
は、高圧電源１７から線路２に印加した電圧が送信回路
１２および受信回路３３に流入するのを防止すべく、直
流遮断コンデンサ４０，４１および５０、５１がそれぞ
れ設けられている。
は、高圧電源１７から線路２に印加した電圧が送信回路
１２および受信回路３３に流入するのを防止すべく、直
流遮断コンデンサ４０，４１および５０、５１がそれぞ
れ設けられている。
【００１８】かくして本実施例によれば、送信側装置４
では、直流遮断コンデンサ４０，４１により供給電力の
送信回路１２への流入を遮断した上で、アクティブイン
ダクタンス４２，４３を通して線路２に給電がなされる
。また受信側装置５では、直流遮断コンデンサ５０，５
１により供給電力の受信回路３３への流入を遮断した上
で、アクティブインダクタンス５２，５３により供給電
力のみが抽出される。従って、大形で高価なトランスや
チョークコイルを用いる必要がなくなり、送信側装置４
および受信側装置５を小形かつ安価なものとすることが
できる。
では、直流遮断コンデンサ４０，４１により供給電力の
送信回路１２への流入を遮断した上で、アクティブイン
ダクタンス４２，４３を通して線路２に給電がなされる
。また受信側装置５では、直流遮断コンデンサ５０，５
１により供給電力の受信回路３３への流入を遮断した上
で、アクティブインダクタンス５２，５３により供給電
力のみが抽出される。従って、大形で高価なトランスや
チョークコイルを用いる必要がなくなり、送信側装置４
および受信側装置５を小形かつ安価なものとすることが
できる。
【００１９】ところで以上のような構成とすると、送信
回路１２が直接線路２を駆動していると考えられる。従
って送信回路１２が同相成分を伴って線路２を駆動する
と多大の不要電磁放射が発生してしまう。このため本実
施例では、送信回路１２を以下の如く構成し、同相成分
を出さないようにしている。
回路１２が直接線路２を駆動していると考えられる。従
って送信回路１２が同相成分を伴って線路２を駆動する
と多大の不要電磁放射が発生してしまう。このため本実
施例では、送信回路１２を以下の如く構成し、同相成分
を出さないようにしている。
【００２０】図２はこの送信回路１２の構成例を示す回
路図である。端子１０からの入力ディジタル信号は、ト
グルフリップフロップ２０１とＤフリップフロップ２０
２に与えられる。トグルフリップフロップ２０１とＤフ
リップフロップ２０２のクロック入力は端子１０に入力
される入力ディジタル信号に同期したクロック信号２０
３（図１には図示していない）により駆動されている。 トグルフリップフロップ２０１の肯定出力はアンドゲー
ト２０４の一方の入力端子に、否定出力はアンドゲート
２０５の一方の入力端子に入力されている。Ｄフリップ
フロップ２０２の出力はアンドゲート２０４と２０５の
他方の入力端子に接続されている。これにより、アンド
ゲート２０４と２０５の出力には入力ディジタル信号１
にハイレベルが現われるたびに交互にハイレベルが現わ
れるようになっている。
路図である。端子１０からの入力ディジタル信号は、ト
グルフリップフロップ２０１とＤフリップフロップ２０
２に与えられる。トグルフリップフロップ２０１とＤフ
リップフロップ２０２のクロック入力は端子１０に入力
される入力ディジタル信号に同期したクロック信号２０
３（図１には図示していない）により駆動されている。 トグルフリップフロップ２０１の肯定出力はアンドゲー
ト２０４の一方の入力端子に、否定出力はアンドゲート
２０５の一方の入力端子に入力されている。Ｄフリップ
フロップ２０２の出力はアンドゲート２０４と２０５の
他方の入力端子に接続されている。これにより、アンド
ゲート２０４と２０５の出力には入力ディジタル信号１
にハイレベルが現われるたびに交互にハイレベルが現わ
れるようになっている。
【００２１】アンドゲート２０４と２０５の出力は、ト
グルフリップフロップ２０１とＤフリップフロップ２０
２の動作速度の差による誤り信号を避けるために、それ
ぞれＤフリップフロップ２０６と２０７に入力されクロ
ック信号２０３で成形される。Ｄフリップフロップ２０
６と２０７の出力には、アンドゲート２０４と２０５の
出力と同じように、入力ディジタル信号１にハイレベル
が現われるたびに交互にハイレベルが現われるようにな
っている。なお、Ｄフリップフロップ２０６と２０７を
はじめとする各論理回路は、ハイレベルが電源電圧に一
致し、ローレベルが接地に一致するＣＭＯＳ回路が望ま
しい。図２中において上記構成より後段の部分の回路は
３値化および差動化を行う回路であり、以下のような構
成となっている。
グルフリップフロップ２０１とＤフリップフロップ２０
２の動作速度の差による誤り信号を避けるために、それ
ぞれＤフリップフロップ２０６と２０７に入力されクロ
ック信号２０３で成形される。Ｄフリップフロップ２０
６と２０７の出力には、アンドゲート２０４と２０５の
出力と同じように、入力ディジタル信号１にハイレベル
が現われるたびに交互にハイレベルが現われるようにな
っている。なお、Ｄフリップフロップ２０６と２０７を
はじめとする各論理回路は、ハイレベルが電源電圧に一
致し、ローレベルが接地に一致するＣＭＯＳ回路が望ま
しい。図２中において上記構成より後段の部分の回路は
３値化および差動化を行う回路であり、以下のような構
成となっている。
【００２２】電源２０８を抵抗２０９と２１０で分圧し
た基準電圧はオペアンプを用いたボルテージフォロワ２
１１でバッファされてクリップ用ダイオード２１２，２
１３，２１４のアノードに与えられる。クリップ用ダイ
オード２１４のカソードは、抵抗２１５（値はＲｃ）に
より接地され、クリップレベルを発生し、オペアンプ２
１６，２１７，２１８，２１９の正極性入力端子に与え
られている。Ｄフリップフロップ２０６と２０７の出力
はそれぞれ駆動用ダイオード２２０と２２１のアノード
に接続されている。駆動用ダイオード２２０と２２１の
カソードは、それぞれ、クリップ用ダイオード２１２と
２１３のカソードに接続され、抵抗２２２と２２３（値
は抵抗２１５と同じＲｃ）により接地されている。駆動
用ダイオード２２０と２２１のカソードの電圧は、Ｄフ
リップフロップ２０６と２０７の出力がハイレベル（電
源電圧）のときにハイレベルから駆動用ダイオードのア
ノード、カソード間電圧を差引いた値となり、ローレベ
ル（接地電位）のときにクリップレベルとなる。駆動用
ダイオード２２０と２２１のカソードの前記電圧振幅を
クリップ振幅とする。次に、オペアンプ２１６，２１７
，２１８，２１９に関係する接続を説明する。
た基準電圧はオペアンプを用いたボルテージフォロワ２
１１でバッファされてクリップ用ダイオード２１２，２
１３，２１４のアノードに与えられる。クリップ用ダイ
オード２１４のカソードは、抵抗２１５（値はＲｃ）に
より接地され、クリップレベルを発生し、オペアンプ２
１６，２１７，２１８，２１９の正極性入力端子に与え
られている。Ｄフリップフロップ２０６と２０７の出力
はそれぞれ駆動用ダイオード２２０と２２１のアノード
に接続されている。駆動用ダイオード２２０と２２１の
カソードは、それぞれ、クリップ用ダイオード２１２と
２１３のカソードに接続され、抵抗２２２と２２３（値
は抵抗２１５と同じＲｃ）により接地されている。駆動
用ダイオード２２０と２２１のカソードの電圧は、Ｄフ
リップフロップ２０６と２０７の出力がハイレベル（電
源電圧）のときにハイレベルから駆動用ダイオードのア
ノード、カソード間電圧を差引いた値となり、ローレベ
ル（接地電位）のときにクリップレベルとなる。駆動用
ダイオード２２０と２２１のカソードの前記電圧振幅を
クリップ振幅とする。次に、オペアンプ２１６，２１７
，２１８，２１９に関係する接続を説明する。
【００２３】駆動用ダイオード２２０のカソードは、抵
抗２２４（値はＲｓ）によってオペアンプ２１６の負極
性入力端子に接続され、抵抗２２５（値はＲｓ）によっ
てオペアンプ２１８の負極性入力端子に接続されている
。オペアンプ２１６の負極性入力端子は抵抗２２６（値
はＲｓ）によってその出力端子に接続されている。 駆動用ダイオード２２１のカソードは、抵抗２２７（値
はＲｓ）によってオペアンプ２１７の負極性入力端子に
接続され、抵抗２２８（値はＲｓ）によってオペアンプ
２１９の負極性入力端子に接続されている。オペアンプ
２１７の負極性入力端子は抵抗２２９（値はＲｓ）によ
ってその出力端子に接続されている。オペアンプ２１６
の出力端子は抵抗２３０（値はＲｓ）によってオペアン
プ２１９の負極性入力端子に接続されている。オペアン
プ２１７の出力端子は抵抗２３１（値はＲｓ）によって
オペアンプ２１８の負極性入力端子に接続されている。 オペアンプ２１８はその負極性入力端子と出力端子の間
を抵抗２３２（値はＲｆ）により接続されている。オペ
アンプ２１９はその負極性入力端子と出力端子の間を抵
抗２３３（値はＲｆ）により接続されている。オペアン
プ２１８の出力端子は、送信回路１２の第１の出力端子
２３４となり、図１において抵抗１３と接続される。オ
ペアンプ２１９の出力端子は、送信回路１２の第２の出
力端子２３５となり、図１における抵抗１４に接続され
る。以上のように構成された送信回路１２は次のように
動作する。
抗２２４（値はＲｓ）によってオペアンプ２１６の負極
性入力端子に接続され、抵抗２２５（値はＲｓ）によっ
てオペアンプ２１８の負極性入力端子に接続されている
。オペアンプ２１６の負極性入力端子は抵抗２２６（値
はＲｓ）によってその出力端子に接続されている。 駆動用ダイオード２２１のカソードは、抵抗２２７（値
はＲｓ）によってオペアンプ２１７の負極性入力端子に
接続され、抵抗２２８（値はＲｓ）によってオペアンプ
２１９の負極性入力端子に接続されている。オペアンプ
２１７の負極性入力端子は抵抗２２９（値はＲｓ）によ
ってその出力端子に接続されている。オペアンプ２１６
の出力端子は抵抗２３０（値はＲｓ）によってオペアン
プ２１９の負極性入力端子に接続されている。オペアン
プ２１７の出力端子は抵抗２３１（値はＲｓ）によって
オペアンプ２１８の負極性入力端子に接続されている。 オペアンプ２１８はその負極性入力端子と出力端子の間
を抵抗２３２（値はＲｆ）により接続されている。オペ
アンプ２１９はその負極性入力端子と出力端子の間を抵
抗２３３（値はＲｆ）により接続されている。オペアン
プ２１８の出力端子は、送信回路１２の第１の出力端子
２３４となり、図１において抵抗１３と接続される。オ
ペアンプ２１９の出力端子は、送信回路１２の第２の出
力端子２３５となり、図１における抵抗１４に接続され
る。以上のように構成された送信回路１２は次のように
動作する。
【００２４】まず、Ｄフリップフロップ２０６と２０７
は共に出力がハイレベルになることはない。ここで、Ｄ
フリップフロップ２０６の出力がハイレベルであり、Ｄ
フリップフロップ２０７の出力がローレベルである場合
を説明する。この場合ダイオード２２１のカソードのレ
ベルはオペアンプ２１７，２１９の正極性入力端子のレ
ベルと同じクリップレベルにあるので第１の出力端子２
３４及び第２の出力端子２３５に影響をおよぼさない。
は共に出力がハイレベルになることはない。ここで、Ｄ
フリップフロップ２０６の出力がハイレベルであり、Ｄ
フリップフロップ２０７の出力がローレベルである場合
を説明する。この場合ダイオード２２１のカソードのレ
ベルはオペアンプ２１７，２１９の正極性入力端子のレ
ベルと同じクリップレベルにあるので第１の出力端子２
３４及び第２の出力端子２３５に影響をおよぼさない。
【００２５】一方、ダイオード２２０のカソードのレベ
ルはクリップレベルよりクリップ振幅だけ高くなってい
る。従って、抵抗２２４と２２６とオペアンプ２１６に
より、オペアンプ２１６の出力端子がクリップレベルよ
りクリップ振幅だけ低いレベルにされて抵抗２３０と２
３３とオペアンプ２１９により第２の出力端子２３５が
クリップレベルよりも クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） だけ高いレベルにされる。
ルはクリップレベルよりクリップ振幅だけ高くなってい
る。従って、抵抗２２４と２２６とオペアンプ２１６に
より、オペアンプ２１６の出力端子がクリップレベルよ
りクリップ振幅だけ低いレベルにされて抵抗２３０と２
３３とオペアンプ２１９により第２の出力端子２３５が
クリップレベルよりも クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） だけ高いレベルにされる。
【００２６】さらに、抵抗２２５と２３２とオペアンプ
２１８により第１の出力端子２３４がクリップレベルよ
りも クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） だけ低いレベルにされる。すなわち、第１の出力端子２
３４と第２の出力端子２３５がクリップレベルを中心に
第２の出力端子を正とする ２×クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） の差動出力を持つ。
２１８により第１の出力端子２３４がクリップレベルよ
りも クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） だけ低いレベルにされる。すなわち、第１の出力端子２
３４と第２の出力端子２３５がクリップレベルを中心に
第２の出力端子を正とする ２×クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） の差動出力を持つ。
【００２７】Ｄフリップフロップ２０６の出力がローレ
ベルであり、Ｄフリップフロップ２０７の出力がハイレ
ベルである場合は、回路の対称性から、第１の出力端子
２３４と第２の出力端子２３５がクリップレベルを中心
に第１の出力端子２３４を正とする ２×クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） の差動出力を持つ。
ベルであり、Ｄフリップフロップ２０７の出力がハイレ
ベルである場合は、回路の対称性から、第１の出力端子
２３４と第２の出力端子２３５がクリップレベルを中心
に第１の出力端子２３４を正とする ２×クリップ振幅×（Ｒｆ／Ｒｓ） の差動出力を持つ。
【００２８】Ｄフリップフロップ２０６と２０７の両方
の出力がローレベルである場合は、ダイオード２２０と
２２１のカソードがクリップレベルになるので、第１の
出力端子２３４と第２の出力端子２３５はともにクリッ
プレベルとなる。従って、図２の送信回路はクリップレ
ベルを中心に交流の同相成分の無い出力を出す。なお、
クリップレベルは直流の同相成分であるが、これは図１
の直流遮断コンデンサ１２４と１２５によって阻止され
る。
の出力がローレベルである場合は、ダイオード２２０と
２２１のカソードがクリップレベルになるので、第１の
出力端子２３４と第２の出力端子２３５はともにクリッ
プレベルとなる。従って、図２の送信回路はクリップレ
ベルを中心に交流の同相成分の無い出力を出す。なお、
クリップレベルは直流の同相成分であるが、これは図１
の直流遮断コンデンサ１２４と１２５によって阻止され
る。
【００２９】ところで、オペアンプ２１６と２１７によ
る遅延のために過渡的に同相成分が発生して問題になる
場合は、ダイオード２２０のカソードと抵抗２２５の間
およびダイオード２２１のカソードと抵抗２２８の間に
ボルテージホロワを入れれば遅延を合わすことができる
。この場合は、ボルテージホロワの同相入力範囲を下げ
るため、ダイオードを全て２重にすることが望ましい。
る遅延のために過渡的に同相成分が発生して問題になる
場合は、ダイオード２２０のカソードと抵抗２２５の間
およびダイオード２２１のカソードと抵抗２２８の間に
ボルテージホロワを入れれば遅延を合わすことができる
。この場合は、ボルテージホロワの同相入力範囲を下げ
るため、ダイオードを全て２重にすることが望ましい。
【００３０】かくして以上のように構成された送信回路
を用いていることにより、例えばＡＭＩ符号等の信号の
正負を表わすフリップフロップの差動信号が極性を考慮
して合成されて線路２に送出されることとなり、線路２
に同相成分が送出されることがない。従って、トランス
を用いずに送信回路１２が直接線路２を駆動する第１図
の構成を取っても、不要電磁放射が発生することがない
。なお、フリップフロップ出力の接地側をダイオードク
リップしているので差動成分の生成、合成は論理回路の
電源電圧と同じ電圧の単１電源で行なえるものとなって
いる。
を用いていることにより、例えばＡＭＩ符号等の信号の
正負を表わすフリップフロップの差動信号が極性を考慮
して合成されて線路２に送出されることとなり、線路２
に同相成分が送出されることがない。従って、トランス
を用いずに送信回路１２が直接線路２を駆動する第１図
の構成を取っても、不要電磁放射が発生することがない
。なお、フリップフロップ出力の接地側をダイオードク
リップしているので差動成分の生成、合成は論理回路の
電源電圧と同じ電圧の単１電源で行なえるものとなって
いる。
【００３１】ところで、従来よりある、例えばフィルタ
などに用いられるようなアクティブインダクタンスは損
失が大きく、本実施例のように給電を行うのには向かな
い。そこで本実施例では、以下のような新規な構成のア
クティブインダクタンスを用いている。
などに用いられるようなアクティブインダクタンスは損
失が大きく、本実施例のように給電を行うのには向かな
い。そこで本実施例では、以下のような新規な構成のア
クティブインダクタンスを用いている。
【００３２】図３と図４はこのアクティブインダクタン
スの構成例を示す回路図であり、図３が図１中のの高圧
電源１７のプラス側に入るアクティブインダクタンス４
２に対応し、図４がＤＣ／ＤＣ変換回路３７のマイナス
側入力に入るアクティブインダクタンス５３に対応して
いる。
スの構成例を示す回路図であり、図３が図１中のの高圧
電源１７のプラス側に入るアクティブインダクタンス４
２に対応し、図４がＤＣ／ＤＣ変換回路３７のマイナス
側入力に入るアクティブインダクタンス５３に対応して
いる。
【００３３】これらのアクティブインダクタンスは、負
荷コンデンサの電流と電圧が入力側から入れ替って見え
るというジャイレイタ（Ｇｙｒａｔｏｒ）の原理を用い
てなる。本実施例で用いるアクティブインダクタンスで
重要なことは、アクティブインダクタンスの端子間直流
電圧を小さくしてアクティブインダクタンスによる給電
電圧損失を小さくすることである。
荷コンデンサの電流と電圧が入力側から入れ替って見え
るというジャイレイタ（Ｇｙｒａｔｏｒ）の原理を用い
てなる。本実施例で用いるアクティブインダクタンスで
重要なことは、アクティブインダクタンスの端子間直流
電圧を小さくしてアクティブインダクタンスによる給電
電圧損失を小さくすることである。
【００３４】まず、図３について説明する。図１の高圧
電源１７のプラス側端子は接地されており、これに接続
されるアクティブインダクタンスの一方の端子３０１は
接地されている。アクティブインダクタンスの他方の端
子３０２は図１の線路２のコンデンサ４０に接続されて
いる配線に接続されている。なお以下では、説明を具体
的にするため、端子３０２を通して最大 ２００ｍＡの
電流が流出するものとして説明する。
電源１７のプラス側端子は接地されており、これに接続
されるアクティブインダクタンスの一方の端子３０１は
接地されている。アクティブインダクタンスの他方の端
子３０２は図１の線路２のコンデンサ４０に接続されて
いる配線に接続されている。なお以下では、説明を具体
的にするため、端子３０２を通して最大 ２００ｍＡの
電流が流出するものとして説明する。
【００３５】端子３０２はＰＮＰパワートランジスタ３
０３のコレクタに接続されている。ＰＮＰパワートラン
ジスタ３０３のエミッタは ２．５Ωの抵抗３０４を介
して端子３０１に接続されている。
０３のコレクタに接続されている。ＰＮＰパワートラン
ジスタ３０３のエミッタは ２．５Ωの抵抗３０４を介
して端子３０１に接続されている。
【００３６】端子３０１の電圧は端子３０１をベースと
するＮＰＮトランジスタによりなるエミッタホロワ３０
５、このエミッタホロワ３０５のエミッタに直列に接続
されたトランジスタのダイオード接続３０６〜３０９お
よび高圧電源１７に接続された０．２５ｍＡの定電流源
３１０でレベルシフトされ、ＮＰＮトランジスタ３１１
のベースに与えられる。
するＮＰＮトランジスタによりなるエミッタホロワ３０
５、このエミッタホロワ３０５のエミッタに直列に接続
されたトランジスタのダイオード接続３０６〜３０９お
よび高圧電源１７に接続された０．２５ｍＡの定電流源
３１０でレベルシフトされ、ＮＰＮトランジスタ３１１
のベースに与えられる。
【００３７】端子３０２の電圧は端子３０２をベースと
するＮＰＮトランジスタによりなるエミッタホロワ３１
２、このエミッタホロワ３１２のエミッタに直列に接続
されたトランジスタのダイオード接続３１３〜３１８お
よび高電圧源１７に接続された０．２５ｍＡの定電流源
３１９でレベルシフトされ、ＰＮＰトランジスタ３２０
のベースに与えられる。
するＮＰＮトランジスタによりなるエミッタホロワ３１
２、このエミッタホロワ３１２のエミッタに直列に接続
されたトランジスタのダイオード接続３１３〜３１８お
よび高電圧源１７に接続された０．２５ｍＡの定電流源
３１９でレベルシフトされ、ＰＮＰトランジスタ３２０
のベースに与えられる。
【００３８】ＮＰＮトランジスタ３１１とＰＮＰトラン
ジスタ３２０のエミッタの間には６ｋΩの抵抗３２１が
接続されている。抵抗３２１にかかる電圧は、周囲温度
にかかわらずに端子３０１と端子３０２とにかかる電圧
差に等しくなる。なぜならば、端子３０１側のレベルシ
フトが端子３０２側のレベルシフトに比べてダイオード
２個分少なくなっており、さらに端子３０１側はＮＰＮ
トランジスタ３１１のベース・エミッタ間電圧でレベル
シフトがダイオード１個分多く、また端子３０２側はＰ
ＮＰトランジスタ３２０のベース・エミッタ間電圧でレ
ベルシフトがダイオード１個分打消されため、端子３０
１からのレベルシフトと３０２からのレベルシフトとが
等しくなるからである。
ジスタ３２０のエミッタの間には６ｋΩの抵抗３２１が
接続されている。抵抗３２１にかかる電圧は、周囲温度
にかかわらずに端子３０１と端子３０２とにかかる電圧
差に等しくなる。なぜならば、端子３０１側のレベルシ
フトが端子３０２側のレベルシフトに比べてダイオード
２個分少なくなっており、さらに端子３０１側はＮＰＮ
トランジスタ３１１のベース・エミッタ間電圧でレベル
シフトがダイオード１個分多く、また端子３０２側はＰ
ＮＰトランジスタ３２０のベース・エミッタ間電圧でレ
ベルシフトがダイオード１個分打消されため、端子３０
１からのレベルシフトと３０２からのレベルシフトとが
等しくなるからである。
【００３９】ＰＮＰトランジスタ３２０のコレクタは高
電圧源１７に接続されている。端子３０１と端子３０２
との間の電圧を電流に変換して吸込むＮＰＮトランジス
タ３１１のコレクタには電流を出力する定電流源３２２
が接続されている。これにより、端子３０１と端子３０
２との間の電圧は非常に大きく増幅されてＮＰＮトラン
ジスタ３１１のコレクタに出力されることになる。定電
流源３２２の出力はエミッタを１ｋΩの抵抗３２３で接
地されたＰＮＰトランジスタ３２４のコレクタであり、
ＰＮＰトランジスタ３２４のベースには高電圧源１７に
接続された０．２８ｍＡの定電流源３２５と接地された
トランジスタのダイオード接続３２６と１ｋΩの抵抗３
２７の直列接続が接続されている。従って、定電流源の
出力は約０．２８ｍＡである。
電圧源１７に接続されている。端子３０１と端子３０２
との間の電圧を電流に変換して吸込むＮＰＮトランジス
タ３１１のコレクタには電流を出力する定電流源３２２
が接続されている。これにより、端子３０１と端子３０
２との間の電圧は非常に大きく増幅されてＮＰＮトラン
ジスタ３１１のコレクタに出力されることになる。定電
流源３２２の出力はエミッタを１ｋΩの抵抗３２３で接
地されたＰＮＰトランジスタ３２４のコレクタであり、
ＰＮＰトランジスタ３２４のベースには高電圧源１７に
接続された０．２８ｍＡの定電流源３２５と接地された
トランジスタのダイオード接続３２６と１ｋΩの抵抗３
２７の直列接続が接続されている。従って、定電流源の
出力は約０．２８ｍＡである。
【００４０】ＮＰＮトランジスタ３１１のコレクタにエ
ミッタホロワをなすＰＮＰトランジスタ３２８のベース
が接続されている。ＰＮＰトランジスタ３２８のコレク
タは高電圧源１７に接続されており、エミッタは接地さ
れた １０ｋΩの負荷抵抗３２９とエミッタホロワをな
すＰＮＰトランジスタ３３０のベースとに接続されてい
る。 ＰＮＰトランジスタ３３０のコレクタは高電圧源１７に
接続されており、エミッタは接地された５ｋΩの負荷抵
抗３３１とＰＮＰパワートランジスタ３０３のベースと
に接続されている。すなわち、ＮＰＮトランジスタ３１
１のコレクタとＰＮＰパワートランジスタ３０３のベー
スをエミッタホロワ２段で接続している。
ミッタホロワをなすＰＮＰトランジスタ３２８のベース
が接続されている。ＰＮＰトランジスタ３２８のコレク
タは高電圧源１７に接続されており、エミッタは接地さ
れた １０ｋΩの負荷抵抗３２９とエミッタホロワをな
すＰＮＰトランジスタ３３０のベースとに接続されてい
る。 ＰＮＰトランジスタ３３０のコレクタは高電圧源１７に
接続されており、エミッタは接地された５ｋΩの負荷抵
抗３３１とＰＮＰパワートランジスタ３０３のベースと
に接続されている。すなわち、ＮＰＮトランジスタ３１
１のコレクタとＰＮＰパワートランジスタ３０３のベー
スをエミッタホロワ２段で接続している。
【００４１】ここで、ＮＰＮトランジスタ３１１のコレ
クタとＰＮＰパワートランジスタ３０３のベースをエミ
ッタホロワ２段で接続した理由は、高耐圧の集積回路で
はトランジスタの直流電流増幅率ｈＦＥ が５０程度し
かとれず、パワートランジスタの駆動電流がＮＰＮトラ
ンジスタ３１１のコレクタの電圧増幅出力の負荷になら
ないように考慮した結果である。ＮＰＮトランジスタ３
１１のコレクタにはインダクタンスに反転する外づけの
０．１μＦのコンデンサ３３２が接地されて接続され
る。アクティブインダクタンスとしての端子間電圧、す
なわち端子３０１が接地されているので端子３０２の電
圧は次のように定められる。
クタとＰＮＰパワートランジスタ３０３のベースをエミ
ッタホロワ２段で接続した理由は、高耐圧の集積回路で
はトランジスタの直流電流増幅率ｈＦＥ が５０程度し
かとれず、パワートランジスタの駆動電流がＮＰＮトラ
ンジスタ３１１のコレクタの電圧増幅出力の負荷になら
ないように考慮した結果である。ＮＰＮトランジスタ３
１１のコレクタにはインダクタンスに反転する外づけの
０．１μＦのコンデンサ３３２が接地されて接続され
る。アクティブインダクタンスとしての端子間電圧、す
なわち端子３０１が接地されているので端子３０２の電
圧は次のように定められる。
【００４２】最大電流 ２００ｍＡのときを考えると、
抵抗３０４に ０．５Ｖ、ＰＮＰパワートランジスタ３
０３のエミッタ・ベース間に ０．７Ｖ、信号電圧振幅
が０．４２Ｖ、さらにＰＮＰパワートランジスタ３０３
がコレクタ電圧がベース電圧に達するまで飽和しないと
して温度が３０℃下がるときのベース・エミッタ間の電
圧の増分 ０．００２×３０Ｖがあり、端子３０２の電
圧は、 − ０．５Ｖ− ０．７Ｖ− ０．００２×３０Ｖ−０
．４２Ｖ＝−１．６８Ｖ以下となる。
抵抗３０４に ０．５Ｖ、ＰＮＰパワートランジスタ３
０３のエミッタ・ベース間に ０．７Ｖ、信号電圧振幅
が０．４２Ｖ、さらにＰＮＰパワートランジスタ３０３
がコレクタ電圧がベース電圧に達するまで飽和しないと
して温度が３０℃下がるときのベース・エミッタ間の電
圧の増分 ０．００２×３０Ｖがあり、端子３０２の電
圧は、 − ０．５Ｖ− ０．７Ｖ− ０．００２×３０Ｖ−０
．４２Ｖ＝−１．６８Ｖ以下となる。
【００４３】この点を踏まえアクティブインダクタンス
による給電損失を最小にすべく、端子３０２の電圧を−
１．６８Ｖに合わせるために、トリミングを用いて以下
のよう調整を行う。すなわち、端子３０２を定電流（
２００ｍＡ以下）で駆動しておき、０．２８ｍＡの定電
流源３２５をトリミングして端子３０２の電圧を−１．
６８Ｖに合わせる。さらに、ＰＮＰパワートランジスタ
３０３のベース・エミッタ間電圧のばらつきを補正する
ために、定電流駆動を ２００ｍＡにしてＰＮＰパワー
トランジスタ３０３のベースが− １．２Ｖになるよう
に ２．５Ωの抵抗３０４をトリミングする。以上説明
した回路がアクティブインダクタンスとして動作するこ
とは次のように理解できる。
による給電損失を最小にすべく、端子３０２の電圧を−
１．６８Ｖに合わせるために、トリミングを用いて以下
のよう調整を行う。すなわち、端子３０２を定電流（
２００ｍＡ以下）で駆動しておき、０．２８ｍＡの定電
流源３２５をトリミングして端子３０２の電圧を−１．
６８Ｖに合わせる。さらに、ＰＮＰパワートランジスタ
３０３のベース・エミッタ間電圧のばらつきを補正する
ために、定電流駆動を ２００ｍＡにしてＰＮＰパワー
トランジスタ３０３のベースが− １．２Ｖになるよう
に ２．５Ωの抵抗３０４をトリミングする。以上説明
した回路がアクティブインダクタンスとして動作するこ
とは次のように理解できる。
【００４４】端子３０２の電圧を直流的に動かすとＮＰ
Ｎトランジスタ３１１のコレクタ電圧が大きく変動する
。従って、ＰＮＰパワートランジスタ３０３のベース電
圧が大きく変動し、端子３０２の電流が大きく変動する
。すなわち、直流抵抗は零である。これに対して端子３
０２に高周波の電圧を加えたときは、ＮＰＮトランジス
タ３１１のコレクタは ０．１μＦのコンデンサ３３２
によりバイパスされ、そこには高周波電圧が発生しない
。 従って端子３０２には高周波電流が流れず、高周波イン
ピーダンスが高くなる。実際に図３の回路は、２．５Ω
×６ｋΩ× ０．１μＦ＝ １．５ｍＨのインダクタン
スを持つ。以上のように図３に示すのアクティブインダ
クタンスは、 ２００ｍＡという大電流を流せる電力用
アクティブインダクタンスの条件を満足している。
Ｎトランジスタ３１１のコレクタ電圧が大きく変動する
。従って、ＰＮＰパワートランジスタ３０３のベース電
圧が大きく変動し、端子３０２の電流が大きく変動する
。すなわち、直流抵抗は零である。これに対して端子３
０２に高周波の電圧を加えたときは、ＮＰＮトランジス
タ３１１のコレクタは ０．１μＦのコンデンサ３３２
によりバイパスされ、そこには高周波電圧が発生しない
。 従って端子３０２には高周波電流が流れず、高周波イン
ピーダンスが高くなる。実際に図３の回路は、２．５Ω
×６ｋΩ× ０．１μＦ＝ １．５ｍＨのインダクタン
スを持つ。以上のように図３に示すのアクティブインダ
クタンスは、 ２００ｍＡという大電流を流せる電力用
アクティブインダクタンスの条件を満足している。
【００４５】また、端子３０１および３０２の電圧のレ
ベルシフトの数を、ＮＰＮトランジスタ３１１およびＰ
ＮＰトランジスタ３２０によるものも含めて等しくして
いることにより、端子３０１と端子３０２との間の電圧
が温度により変動せず、入力２端子間の電圧が小さくな
る。さらに、定電流源３２５および抵抗３０４のトリミ
ングを行なうことにより、端子３０１と端子３０２との
間の電圧が必要最小限となる。かくして、損失を最小限
に抑えることができるものとなっている。
ベルシフトの数を、ＮＰＮトランジスタ３１１およびＰ
ＮＰトランジスタ３２０によるものも含めて等しくして
いることにより、端子３０１と端子３０２との間の電圧
が温度により変動せず、入力２端子間の電圧が小さくな
る。さらに、定電流源３２５および抵抗３０４のトリミ
ングを行なうことにより、端子３０１と端子３０２との
間の電圧が必要最小限となる。かくして、損失を最小限
に抑えることができるものとなっている。
【００４６】なお、図１の高圧電源１７のマイナス側に
入るアクティブインダクタンス４３も、ＰＮＰトランジ
スタとＮＰＮトランジスタとを入れ替えるなどの若干の
変更のみで、図３に示すものと同様の回路で実現できる
。
入るアクティブインダクタンス４３も、ＰＮＰトランジ
スタとＮＰＮトランジスタとを入れ替えるなどの若干の
変更のみで、図３に示すものと同様の回路で実現できる
。
【００４７】次に、図１のＤＣ／ＤＣ変換回路３７のマ
イナス側入力に入るアクティブインダクタンス５３の構
成例である図４について説明する。図４において、アク
ティブインダクタンス５３の一方の端子４０１はＤＣ／
ＤＣ変換回路３７のマイナス側入力端子４０２に接続さ
れている。アクティブインダクタンス５３の他方の端子
４０３は図１の線路２のコンデンサ５１に接続されてい
る配線に接続されている。以下、図４のアクティブイン
ダクタンスも、説明を具体的にするために、端子４０３
を通して最大 ２００ｍＡの電流が流出するものとする
。
イナス側入力に入るアクティブインダクタンス５３の構
成例である図４について説明する。図４において、アク
ティブインダクタンス５３の一方の端子４０１はＤＣ／
ＤＣ変換回路３７のマイナス側入力端子４０２に接続さ
れている。アクティブインダクタンス５３の他方の端子
４０３は図１の線路２のコンデンサ５１に接続されてい
る配線に接続されている。以下、図４のアクティブイン
ダクタンスも、説明を具体的にするために、端子４０３
を通して最大 ２００ｍＡの電流が流出するものとする
。
【００４８】端子４０３はＰＮＰパワートランジスタ４
０４のコレクタに接続される。ＰＮＰパワートランジス
タ４０４のエミッタは２．５Ωの抵抗４０５を介して端
子４０１に接続されている。
０４のコレクタに接続される。ＰＮＰパワートランジス
タ４０４のエミッタは２．５Ωの抵抗４０５を介して端
子４０１に接続されている。
【００４９】端子４０１の電圧はＰＮＰトランジスタの
ダイオード接続４０６〜４１３とＤＣ／ＤＣ変換回路３
７のプラス側入力端子４１４に接続された０．２５ｍＡ
の定電流源４１５とでレベルシフトされて、ＮＰＮトラ
ンジスタ４１６のベースに与えられる。
ダイオード接続４０６〜４１３とＤＣ／ＤＣ変換回路３
７のプラス側入力端子４１４に接続された０．２５ｍＡ
の定電流源４１５とでレベルシフトされて、ＮＰＮトラ
ンジスタ４１６のベースに与えられる。
【００５０】端子４０３の電圧はＰＮＰトランジスタの
ダイオード接続４１７〜４２２と端子４１４に接続され
た０．２５ｍＡの定電流源４２３でレベルシフトされて
ＰＮＰトランジスタ４２４のベースに与えられる。
ダイオード接続４１７〜４２２と端子４１４に接続され
た０．２５ｍＡの定電流源４２３でレベルシフトされて
ＰＮＰトランジスタ４２４のベースに与えられる。
【００５１】ＮＰＮトランジスタ４１６とＰＮＰトラン
ジスタ４２４のエミッタの間には６ｋΩの抵抗４２５が
接続されている。抵抗４２５にかかる電圧は、周囲温度
にかかわらずに端子４０１と端子４０３とにかかる電圧
差に等しくなる。なぜならば、端子４０１側のレベルシ
フトが端子４０３側のレベルシフトに比べてダイオード
２個分多くなっており、さらに端子４０１側はＮＰＮト
ランジスタ４１６のベース・エミッタ間電圧でレベルシ
フトがダイオード１個分打消され、また端子４０３側Ｐ
ＮＰトランジスタ４２４のベース・エミッタ間電圧でレ
ベルシフトがダイオード１個分多くなるため、端子４０
１と端子４０３からのレベルシフトが等しくなるからで
ある。
ジスタ４２４のエミッタの間には６ｋΩの抵抗４２５が
接続されている。抵抗４２５にかかる電圧は、周囲温度
にかかわらずに端子４０１と端子４０３とにかかる電圧
差に等しくなる。なぜならば、端子４０１側のレベルシ
フトが端子４０３側のレベルシフトに比べてダイオード
２個分多くなっており、さらに端子４０１側はＮＰＮト
ランジスタ４１６のベース・エミッタ間電圧でレベルシ
フトがダイオード１個分打消され、また端子４０３側Ｐ
ＮＰトランジスタ４２４のベース・エミッタ間電圧でレ
ベルシフトがダイオード１個分多くなるため、端子４０
１と端子４０３からのレベルシフトが等しくなるからで
ある。
【００５２】ＰＮＰトランジスタ４２４のコレクタは端
子４０１に接続されている。端子４０１と端子４０３と
の間の電圧を電流に変換して吸込むＮＰＮトランジスタ
４１６のコレクタには端子４１４に接続された ０．４
０７ｍＡの定電流源４２６が接続されている。これによ
り、端子４０１と端子４０３との間の電圧は非常に大き
く増幅されてＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタに出
力されることになる。
子４０１に接続されている。端子４０１と端子４０３と
の間の電圧を電流に変換して吸込むＮＰＮトランジスタ
４１６のコレクタには端子４１４に接続された ０．４
０７ｍＡの定電流源４２６が接続されている。これによ
り、端子４０１と端子４０３との間の電圧は非常に大き
く増幅されてＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタに出
力されることになる。
【００５３】ＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタにエ
ミッタホロワをなすＮＰＮトランジスタ４２７のベース
が接続されている。ＮＰＮトランジスタ４２７のコレク
タは端子４１４に接続されており、またＮＰＮトランジ
スタ４２７のエミッタは端子４０１に接続された ２０
ｋΩの負荷抵抗４２８とエミッタホロワをなすＮＰＮト
ランジスタ４２９のベースとに接続されている。ＮＰＮ
トランジスタ４２９のコレクタは端子４１４に接続され
ている。またＮＰＮトランジスタ４２９のエミッタはダ
イオード接続されたトランジスタ４３０〜４３８を介し
てＰＮＰパワートランシスタ４０４のベースに接続され
ている。ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベースには
さらに、ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベース電流
とＮＰＮトランジスタ４２９のエミッタ電流を供給する
ＮＰＮトランジスタ４３９のコレクタが接続されている
。ＮＰＮトランジスタ４３９のコレクタは約 ５ｍＡの
電流を供給する。アクティブインダクタンス５３が ２
００ｍＡの最大電流を流すとき、ｈＦＥ が５０である
ことから、ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベース電
流が ４ｍＡとなり、残りの １ｍＡはＮＰＮトランジ
スタ４２９のエミッタ電流となる。
ミッタホロワをなすＮＰＮトランジスタ４２７のベース
が接続されている。ＮＰＮトランジスタ４２７のコレク
タは端子４１４に接続されており、またＮＰＮトランジ
スタ４２７のエミッタは端子４０１に接続された ２０
ｋΩの負荷抵抗４２８とエミッタホロワをなすＮＰＮト
ランジスタ４２９のベースとに接続されている。ＮＰＮ
トランジスタ４２９のコレクタは端子４１４に接続され
ている。またＮＰＮトランジスタ４２９のエミッタはダ
イオード接続されたトランジスタ４３０〜４３８を介し
てＰＮＰパワートランシスタ４０４のベースに接続され
ている。ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベースには
さらに、ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベース電流
とＮＰＮトランジスタ４２９のエミッタ電流を供給する
ＮＰＮトランジスタ４３９のコレクタが接続されている
。ＮＰＮトランジスタ４３９のコレクタは約 ５ｍＡの
電流を供給する。アクティブインダクタンス５３が ２
００ｍＡの最大電流を流すとき、ｈＦＥ が５０である
ことから、ＰＮＰパワートランジスタ４０４のベース電
流が ４ｍＡとなり、残りの １ｍＡはＮＰＮトランジ
スタ４２９のエミッタ電流となる。
【００５４】ＮＰＮトランジスタ４３９のエミッタは端
子４０３に接続されている。またＮＰＮトランジスタ４
３９のベースは、エミッタが端子４０３に接続されてダ
イオード接続されたＮＰＮトランジスタ４４０のベース
とコレクタとの接点に接続されている。ＮＰＮトランジ
スタ４４０のベースとコレクタの接点は端子４１４に接
続された １ｍＡの定電流源４４１で駆動されている。 ＮＰＮトランジスタ４４０と４３９はいわゆるカレント
ミラーを構成しており、 １ｍＡと ５ｍＡの比はトラ
ンジスタの大きさの比による。
子４０３に接続されている。またＮＰＮトランジスタ４
３９のベースは、エミッタが端子４０３に接続されてダ
イオード接続されたＮＰＮトランジスタ４４０のベース
とコレクタとの接点に接続されている。ＮＰＮトランジ
スタ４４０のベースとコレクタの接点は端子４１４に接
続された １ｍＡの定電流源４４１で駆動されている。 ＮＰＮトランジスタ４４０と４３９はいわゆるカレント
ミラーを構成しており、 １ｍＡと ５ｍＡの比はトラ
ンジスタの大きさの比による。
【００５５】なお、ＰＮＰパワートランジスタ４０４の
ベースを駆動するのにエミッタホロワ２段で接続した理
由は、トランジスタのｈＦＥ が５０程度しかとれず、
ＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタの電圧増幅出力に
負荷がつかないように考慮した結果である。
ベースを駆動するのにエミッタホロワ２段で接続した理
由は、トランジスタのｈＦＥ が５０程度しかとれず、
ＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタの電圧増幅出力に
負荷がつかないように考慮した結果である。
【００５６】ＮＰＮトランジスタ４１６のコレクタには
インダクタンスに反転する外づけの０．１μＦのコンデ
ンサ４４２が接続されている。コンデンサ４４２は他端
が端子４０１に接続されている。アクティブインダクタ
ンスとしての端子間電圧、すなわち端子４０３と４０１
の間の電圧は次のように定められる。
インダクタンスに反転する外づけの０．１μＦのコンデ
ンサ４４２が接続されている。コンデンサ４４２は他端
が端子４０１に接続されている。アクティブインダクタ
ンスとしての端子間電圧、すなわち端子４０３と４０１
の間の電圧は次のように定められる。
【００５７】最大電流 ２００ｍＡのときを考えると、
抵抗４０５に ０．５Ｖ、ＰＮＰパワートランジスタ４
０４のエミッタ・ベース間に ０．７Ｖ、ＮＰＮトラン
ジスタ４３９のコレクタがハイインピーダンスを維持す
る条件であるコレクタ・エミッタ間の電圧がベース・エ
ミッタ間電圧 ０．７Ｖに等しいこと、信号振幅０．４
２Ｖ、さらに温度が３０℃下がるときのＰＮＰパワート
ランジスタ４０４のベースとＮＰＮトランジスタ４３９
とのベース・エミッタ間の電圧の増分 ２× ０．００
２×３０Ｖがあり、端子４０３と４０１との間の電圧は
、 − ０．５Ｖ− ０．７Ｖ− ０．７Ｖ− ２
× ０．００２×３０Ｖ−０．４２Ｖ＝−２．４４Ｖ以
下となる。
抵抗４０５に ０．５Ｖ、ＰＮＰパワートランジスタ４
０４のエミッタ・ベース間に ０．７Ｖ、ＮＰＮトラン
ジスタ４３９のコレクタがハイインピーダンスを維持す
る条件であるコレクタ・エミッタ間の電圧がベース・エ
ミッタ間電圧 ０．７Ｖに等しいこと、信号振幅０．４
２Ｖ、さらに温度が３０℃下がるときのＰＮＰパワート
ランジスタ４０４のベースとＮＰＮトランジスタ４３９
とのベース・エミッタ間の電圧の増分 ２× ０．００
２×３０Ｖがあり、端子４０３と４０１との間の電圧は
、 − ０．５Ｖ− ０．７Ｖ− ０．７Ｖ− ２
× ０．００２×３０Ｖ−０．４２Ｖ＝−２．４４Ｖ以
下となる。
【００５８】この点を踏まえアクティブインダクタンス
による給電損失を最小にすべく、端子４０３と４０１と
の間の電圧を−２．４４Ｖに合せるために、トリミング
を用いて以下のよう調整を行う。すなわち、端子４０３
から端子４０２を定電流（ ２００ｍＡ以下）で駆動し
ておき、 ０．４０７ｍＡの定電流源４２６をトリミン
グして端子４０３と４０１との間の電圧が−２．４４Ｖ
になるように合わせる。さらに、ＰＮＰパワートランジ
スタ４０４のベース・エミッタ間電圧のばらつきを補正
するために、定電流駆動を ２００ｍＡにしてＰＮＰパ
ワートランジスタ４０４のベースから端子４０１までの
電圧が− １．２Ｖになるように ２．５Ωの抵抗４０
５をトリミングする。
による給電損失を最小にすべく、端子４０３と４０１と
の間の電圧を−２．４４Ｖに合せるために、トリミング
を用いて以下のよう調整を行う。すなわち、端子４０３
から端子４０２を定電流（ ２００ｍＡ以下）で駆動し
ておき、 ０．４０７ｍＡの定電流源４２６をトリミン
グして端子４０３と４０１との間の電圧が−２．４４Ｖ
になるように合わせる。さらに、ＰＮＰパワートランジ
スタ４０４のベース・エミッタ間電圧のばらつきを補正
するために、定電流駆動を ２００ｍＡにしてＰＮＰパ
ワートランジスタ４０４のベースから端子４０１までの
電圧が− １．２Ｖになるように ２．５Ωの抵抗４０
５をトリミングする。
【００５９】以上説明した回路がアクティブインダクタ
ンスとして動作することは、図３に示した回路の場合と
同じである。しかし図４に示す回路で特徴的なことは、
エミッタホロワをなすＮＰＮトランジスタ４２９の負荷
電流を抵抗ではなくてＮＰＮトランジスタ４３９と４４
０からなるカレントミラーで供給していることである。 これにより、アクティブインダクタンスの端子電圧の増
加をトランジスタのベース・エミッタ間電圧に抑えてい
る。
ンスとして動作することは、図３に示した回路の場合と
同じである。しかし図４に示す回路で特徴的なことは、
エミッタホロワをなすＮＰＮトランジスタ４２９の負荷
電流を抵抗ではなくてＮＰＮトランジスタ４３９と４４
０からなるカレントミラーで供給していることである。 これにより、アクティブインダクタンスの端子電圧の増
加をトランジスタのベース・エミッタ間電圧に抑えてい
る。
【００６０】なお、図１中のＤＣ／ＤＣ変換回路３７の
プラス側入力に入るアクティブインダクタンス５２も、
ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタとを入れ替え
るなどの若干の変更のみで、図４に示すものと同様の回
路で実現できる。
プラス側入力に入るアクティブインダクタンス５２も、
ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタとを入れ替え
るなどの若干の変更のみで、図４に示すものと同様の回
路で実現できる。
【００６１】以上詳述したように本実施例の給電伝送シ
ステムであれば、不要電磁放射の発生を防止し、また給
電効率を高く確保した上で、大形で高価なトランスやチ
ョークコイルを用いることなく１つの線路２を用いての
信号伝送と給電を行うことができ、送信側装置４および
受信側装置５が小形かつ安価に、すなわち簡易構成かつ
安価なシステムとなる。
ステムであれば、不要電磁放射の発生を防止し、また給
電効率を高く確保した上で、大形で高価なトランスやチ
ョークコイルを用いることなく１つの線路２を用いての
信号伝送と給電を行うことができ、送信側装置４および
受信側装置５が小形かつ安価に、すなわち簡易構成かつ
安価なシステムとなる。
【００６２】なお本発明は上記実施例に限定されるもの
ではない。例えば上記実施例では、送信回路１２を同相
成分を出力しない構成としたが、これは必ずしも必要で
はない。また上記実施例では、アクティブインダクタン
スを低損失な新規の構成のものとしているが、従来より
ある構成のアクティブインダクタンスを適用することも
可能である。
ではない。例えば上記実施例では、送信回路１２を同相
成分を出力しない構成としたが、これは必ずしも必要で
はない。また上記実施例では、アクティブインダクタン
スを低損失な新規の構成のものとしているが、従来より
ある構成のアクティブインダクタンスを適用することも
可能である。
【００６３】また例えば上記実施例では、ディジタル伝
送を行なうものとして説明したが、送信回路１２と受信
回路３３を変更することにより、直流成分を持たないア
ナグロ信号の伝送を行うこともできる。このほか、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能であ
る。
送を行なうものとして説明したが、送信回路１２と受信
回路３３を変更することにより、直流成分を持たないア
ナグロ信号の伝送を行うこともできる。このほか、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能であ
る。
【００６４】
【発明の効果】第１の発明は、送信回路が入力信号を変
形して信号源抵抗と第１の直流遮断コンデンサを介して
線路に出力するとともに、前記線路を介して電力供給を
行う送信側装置と、前記線路を介して前記送信側装置か
ら供給された電力を例えばＤＣ／ＤＣ変換回路などの変
換手段で受信回路の動作電力に変換し、この動作電力で
動作する前記受信回路が前記線路からの信号を第２の直
流遮断コンデンサと終端抵抗を介して受け取って前記入
力信号を再生する受信側装置とからなる給電伝送システ
ムにあって、前記送信側装置は、高圧電源が発生する電
力を第１のアクティブインダクタンスを介して前記線路
に印加して前記線路を介しての電力供給を行い、前記受
信側装置は、前記線路を介して供給された電力を第２の
アクティブインダクタンスを介して抽出し、前記変換手
段へと与えるようにした。第２の発明は、前記第１の発
明における送信側装置が、線路に出力する信号から同相
成分を除去するようにした。
形して信号源抵抗と第１の直流遮断コンデンサを介して
線路に出力するとともに、前記線路を介して電力供給を
行う送信側装置と、前記線路を介して前記送信側装置か
ら供給された電力を例えばＤＣ／ＤＣ変換回路などの変
換手段で受信回路の動作電力に変換し、この動作電力で
動作する前記受信回路が前記線路からの信号を第２の直
流遮断コンデンサと終端抵抗を介して受け取って前記入
力信号を再生する受信側装置とからなる給電伝送システ
ムにあって、前記送信側装置は、高圧電源が発生する電
力を第１のアクティブインダクタンスを介して前記線路
に印加して前記線路を介しての電力供給を行い、前記受
信側装置は、前記線路を介して供給された電力を第２の
アクティブインダクタンスを介して抽出し、前記変換手
段へと与えるようにした。第２の発明は、前記第１の発
明における送信側装置が、線路に出力する信号から同相
成分を除去するようにした。
【００６５】第３の発明は、前記第１の発明における第
１および第２のアクティブインダクタンスを、線路に接
続される第１の端子と、この第１の端子にコレクタが接
続される第１のパワートランジスタと、電源または変換
手段に接続される第２の端子と、前記パワートランジス
タのエミッタと前記第２の端子とを接続する第１の抵抗
と、前記第１の端子の電圧をレベルシフトする第１のレ
ベルシフト回路と、前記第２の端子の電圧をレベルシフ
トする第２のレベルシフト回路と、前記第１のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＰＮＰトランジスタのエミッタと前記第２のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＮＰＮトランジスタのエミッタとを第２の抵抗で接続
してなる電流源と、この電流源の出力となる前記ＰＮＰ
トランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタのいずれか
一方のコレクタに負荷として接続される定電流源と、前
記ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタの
いずれか一方のコレクタと前記定電流源との接続点に一
端が接続されたコンデンサと、前記ＰＮＰトランジスタ
および前記ＮＰＮトランジスタのいずれか一方のコレク
タと前記定電流源との接続点の電圧をレベルシフトし、
このレベルシフトした電圧を前記パワートランジスタの
ベースに印加する第３のレベルシフト回路とを備えて構
成するとともに、前記第１のレベルシフト回路と前記Ｐ
ＮＰトランジスタとでのレベルシフト数および前記第２
のレベルシフト回路と前記ＮＰＮトランジスタとでのレ
ベルシフト数とを等しくして、さらに第２のアクティブ
インダクタンスは、前記パワートランジスタのベースを
駆動するエミッタホロワの負荷電流を前記第１の端子か
らカレントミラーを用いて定電流源で取るようにした。
１および第２のアクティブインダクタンスを、線路に接
続される第１の端子と、この第１の端子にコレクタが接
続される第１のパワートランジスタと、電源または変換
手段に接続される第２の端子と、前記パワートランジス
タのエミッタと前記第２の端子とを接続する第１の抵抗
と、前記第１の端子の電圧をレベルシフトする第１のレ
ベルシフト回路と、前記第２の端子の電圧をレベルシフ
トする第２のレベルシフト回路と、前記第１のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＰＮＰトランジスタのエミッタと前記第２のレベルシ
フト回路でレベルシフトされた電圧がベースに印加され
るＮＰＮトランジスタのエミッタとを第２の抵抗で接続
してなる電流源と、この電流源の出力となる前記ＰＮＰ
トランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタのいずれか
一方のコレクタに負荷として接続される定電流源と、前
記ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタの
いずれか一方のコレクタと前記定電流源との接続点に一
端が接続されたコンデンサと、前記ＰＮＰトランジスタ
および前記ＮＰＮトランジスタのいずれか一方のコレク
タと前記定電流源との接続点の電圧をレベルシフトし、
このレベルシフトした電圧を前記パワートランジスタの
ベースに印加する第３のレベルシフト回路とを備えて構
成するとともに、前記第１のレベルシフト回路と前記Ｐ
ＮＰトランジスタとでのレベルシフト数および前記第２
のレベルシフト回路と前記ＮＰＮトランジスタとでのレ
ベルシフト数とを等しくして、さらに第２のアクティブ
インダクタンスは、前記パワートランジスタのベースを
駆動するエミッタホロワの負荷電流を前記第１の端子か
らカレントミラーを用いて定電流源で取るようにした。
【００６６】これらにより、トランスやチョークコイル
などの大形な部品を削除し、これにより小型で、かつ装
置コストおよび組立コストを低く抑えることができる給
電伝送システムとなる。
などの大形な部品を削除し、これにより小型で、かつ装
置コストおよび組立コストを低く抑えることができる給
電伝送システムとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る給電伝送システム
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図２】 図１中の送信回路１２の具体的構成例を示
す回路図。
す回路図。
【図３】 図１中のアクティブインダクタンス４２の
具体的構成例を示す回路図。
具体的構成例を示す回路図。
【図４】 図１中のアクティブインダクタンス５３の
具体的構成例を示す回路図。
具体的構成例を示す回路図。
【図５】 従来技術を説明する図。
２…線路、４…送信側装置、５…受信側装置、１２…送
信回路、１３，１４…信号源抵抗、１７…高圧電源、４
０，４１…直流遮断コンデンサ、４２，４３…アクティ
ブインダクタンス、３２…終端抵抗、３３…受信回路、
５０，５１…直流遮断コンデンサ、５２，５３…アクテ
ィブインダクタンス。
信回路、１３，１４…信号源抵抗、１７…高圧電源、４
０，４１…直流遮断コンデンサ、４２，４３…アクティ
ブインダクタンス、３２…終端抵抗、３３…受信回路、
５０，５１…直流遮断コンデンサ、５２，５３…アクテ
ィブインダクタンス。
Claims (3)
- 【請求項１】 送信回路が入力信号を変形して信号源
抵抗と第１の直流遮断コンデンサを介して線路に出力す
るとともに、前記線路を介して電力供給を行う送信側装
置と、前記線路を介して前記送信側装置から供給された
電力を変換手段で受信回路の動作電力に変換し、この動
作電力で動作する前記受信回路が前記線路からの信号を
第２の直流遮断コンデンサと終端抵抗を介して受け取っ
て前記入力信号を再生する受信側装置とからなる給電伝
送システムであって、前記送信側装置は、高圧電源が発
生する電力を第１のアクティブインダクタンスを介して
前記線路に印加して前記線路を介しての電力供給を行い
、前記受信側装置は、前記線路を介して供給された電力
を第２のアクティブインダクタンスを介して抽出し、前
記変換手段へと与えることを特徴とする給電伝送システ
ム。 - 【請求項２】 送信側装置は、線路に出力する信号か
ら同相成分を除去する同相成分除去手段を有することを
特徴とする請求項１記載の給電伝送システム。 - 【請求項３】 第１および第２のアクティブインダク
タンスは、線路に接続される第１の端子と、この第１の
端子にコレクタが接続される第１のパワートランジスタ
と、電源または変換手段に接続される第２の端子と、前
記パワートランジスタのエミッタと前記第２の端子とを
接続する第１の抵抗と、前記第１の端子の電圧をレベル
シフトする第１のレベルシフト回路と、前記第２の端子
の電圧をレベルシフトする第２のレベルシフト回路と、
前記第１のレベルシフト回路でレベルシフトされた電圧
がベースに印加されるＰＮＰトランジスタのエミッタと
前記第２のレベルシフト回路でレベルシフトされた電圧
がベースに印加されるＮＰＮトランジスタのエミッタと
を第２の抵抗で接続してなる電流源と、この電流源の出
力となる前記ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトラ
ンジスタのいずれか一方のコレクタに負荷として接続さ
れる定電流源と、前記ＰＮＰトランジスタおよび前記Ｎ
ＰＮトランジスタのいずれか一方のコレクタと前記定電
流源との接続点に一端が接続されたコンデンサと、前記
ＰＮＰトランジスタおよび前記ＮＰＮトランジスタのい
ずれか一方のコレクタと前記定電流源との接続点の電圧
をレベルシフトし、このレベルシフトした電圧を前記パ
ワートランジスタのベースに印加する第３のレベルシフ
ト回路と、前記第１のレベルシフト回路と前記ＰＮＰト
ランジスタとでのレベルシフト数および前記第２のレベ
ルシフト回路と前記ＮＰＮトランジスタとでのレベルシ
フト数とを等しくしてあり、さらに第２のアクティブイ
ンダクタンスは、前記パワートランジスタのベースを駆
動するエミッタホロワの負荷電流を前記第１の端子から
カレントミラーを用いて定電流源で取っているものであ
ることを特徴とする請求項１記載の給電伝送システム。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP05482691A JP3322889B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 給電伝送システム |
| US07/852,538 US5396555A (en) | 1991-03-19 | 1992-03-17 | Power and signal transmission system |
| CA002063223A CA2063223C (en) | 1991-03-19 | 1992-03-17 | Power and signal transmission system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05482691A JP3322889B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 給電伝送システム |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290368A true JPH04290368A (ja) | 1992-10-14 |
| JP3322889B2 JP3322889B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=12981480
Family Applications (1)
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| JP (1) | JP3322889B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CA1258930A (en) * | 1986-12-24 | 1989-08-29 | Reinhard Rosch | Active impedance line feed circuit |
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1991
- 1991-03-19 JP JP05482691A patent/JP3322889B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-17 US US07/852,538 patent/US5396555A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-17 CA CA002063223A patent/CA2063223C/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11075541B2 (en) | 2017-08-22 | 2021-07-27 | Hangzhou Hikvision Digital Technology Co., Ltd. | Signal transmission system and signal transmission method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5396555A (en) | 1995-03-07 |
| CA2063223C (en) | 1996-10-01 |
| CA2063223A1 (en) | 1992-09-20 |
| JP3322889B2 (ja) | 2002-09-09 |
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