JPH04287316A - 半導体製造装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及びその製造方法Info
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- JPH04287316A JPH04287316A JP5176591A JP5176591A JPH04287316A JP H04287316 A JPH04287316 A JP H04287316A JP 5176591 A JP5176591 A JP 5176591A JP 5176591 A JP5176591 A JP 5176591A JP H04287316 A JPH04287316 A JP H04287316A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
詳しくは半導体製造用の熱処理用炉芯管及びウエハ支持
用ボートに関する。
詳しくは半導体製造用の熱処理用炉芯管及びウエハ支持
用ボートに関する。
【０００２】半導体装置の製造工程において、半導体ウ
エハは、イオン注入後の拡散等に熱処理が必要である。 この熱処理は高温度で行なう必要があるため、その熱処
理を行なう熱処理炉及びウエハ支持用のボート等は高温
での強度及び耐酸化性が要求される。
エハは、イオン注入後の拡散等に熱処理が必要である。 この熱処理は高温度で行なう必要があるため、その熱処
理を行なう熱処理炉及びウエハ支持用のボート等は高温
での強度及び耐酸化性が要求される。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体装置製造用の熱処理炉を図
７（ａ）に、ウエハ支持用ボートを図７（ｂ）に示す。 図７（ａ）に示す熱処理炉はヒータ１と炉芯管２とによ
り成り、該炉芯管には石英管が用いられている。
７（ａ）に、ウエハ支持用ボートを図７（ｂ）に示す。 図７（ａ）に示す熱処理炉はヒータ１と炉芯管２とによ
り成り、該炉芯管には石英管が用いられている。
【０００４】また図７（ｂ）に示すウエハを支持する熱
処理用ボートは、櫛歯状の凹凸を有する底部の棒状部材
３と、左右の複数本の棒状部材４が、その両端を円弧状
の部材５，５′に結合されており、複数枚のウエハ６を
並列して保持できるようになっている。そして、その材
料は前記炉芯管と同様に石英が用いられている。
処理用ボートは、櫛歯状の凹凸を有する底部の棒状部材
３と、左右の複数本の棒状部材４が、その両端を円弧状
の部材５，５′に結合されており、複数枚のウエハ６を
並列して保持できるようになっている。そして、その材
料は前記炉芯管と同様に石英が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の炉芯管及び
ウエハ支持用のボートでは、その材料として石英が用い
られるが、石英の特徴である「熱による加工のし易さ」
が逆に作用して熱処理時に徐々に熱変形し、炉芯管２は
点線で示す様に上方の管壁が自重で垂れ下る。
ウエハ支持用のボートでは、その材料として石英が用い
られるが、石英の特徴である「熱による加工のし易さ」
が逆に作用して熱処理時に徐々に熱変形し、炉芯管２は
点線で示す様に上方の管壁が自重で垂れ下る。
【０００６】従って、そのまま使用していると変形がひ
どくなり、修理又は取替えが必要となる。本発明は、熱
変形を防止して寿命を長くした炉芯管及びウエハ保持用
のボート等の半導体製造装置を実現しようとする。
どくなり、修理又は取替えが必要となる。本発明は、熱
変形を防止して寿命を長くした炉芯管及びウエハ保持用
のボート等の半導体製造装置を実現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
に於いては、熱処理用石英管の内面に石英よりも高温強
度の大なる材料で形成した補強部材を張り付けて成るこ
とを特徴とする。また石英製の熱処理用ボートに、石英
よりも高温補強の大なる材料で形成した補強部材を張り
付けて成ることを特徴とする。
に於いては、熱処理用石英管の内面に石英よりも高温強
度の大なる材料で形成した補強部材を張り付けて成るこ
とを特徴とする。また石英製の熱処理用ボートに、石英
よりも高温補強の大なる材料で形成した補強部材を張り
付けて成ることを特徴とする。
【０００８】また、それに加えて、上記補強部材がＳｉ
Ｃ 、或いはポリＳｉ、或いはＣＶＤ−ＳｉＣ で形成
されていることを特徴とする。
Ｃ 、或いはポリＳｉ、或いはＣＶＤ−ＳｉＣ で形成
されていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体製造装置の製造方法
に於いては、熱処理用石英管の内径より外径が僅かに小
さく、且つ石英よりも高温強度の大なる材料で形成した
補強用の管を、前記熱処理用石英管に挿入し、全体を
９５０℃乃至１２００℃に加熱して前記補強用の管に熱
処理用石英管を接合させることを特徴とする。
に於いては、熱処理用石英管の内径より外径が僅かに小
さく、且つ石英よりも高温強度の大なる材料で形成した
補強用の管を、前記熱処理用石英管に挿入し、全体を
９５０℃乃至１２００℃に加熱して前記補強用の管に熱
処理用石英管を接合させることを特徴とする。
【００１０】また、熱処理用石英管を水平に置き、その
内径の下側に該熱処理用石英管の内径と曲率が等しく、
且つ石英よりも高温強度の大なる材料で形成されたタイ
ル状の補強用ブロックを並べ、 ９５０℃乃至１２００
℃に加熱して接合する工程を、該熱処理用石英管を回転
して順次行ない、内径の全周に補強用ブロックを接合す
ることを特徴とする。
内径の下側に該熱処理用石英管の内径と曲率が等しく、
且つ石英よりも高温強度の大なる材料で形成されたタイ
ル状の補強用ブロックを並べ、 ９５０℃乃至１２００
℃に加熱して接合する工程を、該熱処理用石英管を回転
して順次行ない、内径の全周に補強用ブロックを接合す
ることを特徴とする。
【００１１】また、石英製熱処理用ボートの補強所要部
に、石英よりも高温強度の大なる材料で形成された棒状
の補強部材を載置し、 ９５０℃乃至１２００℃に加熱
して該熱処理用ボートに補強部材を接合することを特徴
とする。 この構成を採ることにより、熱変形を防止して寿命を長
くした炉芯管及び熱処理用ボート等の半導体製造装置が
得られる。
に、石英よりも高温強度の大なる材料で形成された棒状
の補強部材を載置し、 ９５０℃乃至１２００℃に加熱
して該熱処理用ボートに補強部材を接合することを特徴
とする。 この構成を採ることにより、熱変形を防止して寿命を長
くした炉芯管及び熱処理用ボート等の半導体製造装置が
得られる。
【００１２】
【作用】熱処理用の石英管、及び石英製の熱処理用ボー
トに石英よりも高温強度の大きな材料、例えば、ＳｉＣ
、ポリＳｉ、ＣＶＤ−ＳｉＣ 等で形成した補強部材
を接合することにより、高温での変形を少なくし、寿命
を延長することができる。
トに石英よりも高温強度の大きな材料、例えば、ＳｉＣ
、ポリＳｉ、ＣＶＤ−ＳｉＣ 等で形成した補強部材
を接合することにより、高温での変形を少なくし、寿命
を延長することができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す図である
。これは熱処理用の炉芯管であり、石英管１０の内面に
石英より高温強度の大きな材料、例えば表１に示すよう
な、
。これは熱処理用の炉芯管であり、石英管１０の内面に
石英より高温強度の大きな材料、例えば表１に示すよう
な、
【表１】
ＳｉＣ 、ポリＳｉ、ＣＶＤ−ＳｉＣ 等を用いて形成
した補強用の管１１を接合したものである。
した補強用の管１１を接合したものである。
【００１４】このように構成された本実施例は、図２に
示すように、従来（補強用の管のない場合）の炉芯管１
０が（ａ）図の如く高温において、粘性曲線で言うとこ
ろの歪点を越えて加熱され続けると、自重により点線で
示すように垂直方向に垂れ下り変形するが、本実施例で
は（ｂ）図に示すように自重によるＰ方向の力を、補強
用の管１１がＱ方向に分散させることができ、熱変形を
防止することができる。
示すように、従来（補強用の管のない場合）の炉芯管１
０が（ａ）図の如く高温において、粘性曲線で言うとこ
ろの歪点を越えて加熱され続けると、自重により点線で
示すように垂直方向に垂れ下り変形するが、本実施例で
は（ｂ）図に示すように自重によるＰ方向の力を、補強
用の管１１がＱ方向に分散させることができ、熱変形を
防止することができる。
【００１５】次に本実施例の製造方法を図１により説明
する。先ず、同図（ｂ）に示すように補強用の管１１を
石英管１０と同等の長さで且つ外径が石英管１０の内径
より約１ｍｍ小さく形成する。このように形成した補強
用の管１１を石英管１０の中に挿入し、全体を ９５０
℃乃至１２００℃、好ましくは１２００℃にて数時間加
熱する。この加熱により石英管１０は収縮し、補強用の
管１１に融着接合し、（ａ）図の如くになる。
する。先ず、同図（ｂ）に示すように補強用の管１１を
石英管１０と同等の長さで且つ外径が石英管１０の内径
より約１ｍｍ小さく形成する。このように形成した補強
用の管１１を石英管１０の中に挿入し、全体を ９５０
℃乃至１２００℃、好ましくは１２００℃にて数時間加
熱する。この加熱により石英管１０は収縮し、補強用の
管１１に融着接合し、（ａ）図の如くになる。
【００１６】図３は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。本実施例は熱処理用石英管１０の内側の全長に、石
英より高温強度の大きな、ＳｉＣ 、ポリＳｉ、ＣＶＤ
−Ｓｉ等を用いて形成した複数個の補強用ブロック１２
を接合したものである。このブロック１２の並べ方は石
英と補強材の熱膨張差を考慮して数ｍｍの目地をあけ、
図３（ａ）の格子状又は図３（ｂ）の如く千鳥状に張り
付けると良い。
る。本実施例は熱処理用石英管１０の内側の全長に、石
英より高温強度の大きな、ＳｉＣ 、ポリＳｉ、ＣＶＤ
−Ｓｉ等を用いて形成した複数個の補強用ブロック１２
を接合したものである。このブロック１２の並べ方は石
英と補強材の熱膨張差を考慮して数ｍｍの目地をあけ、
図３（ａ）の格子状又は図３（ｂ）の如く千鳥状に張り
付けると良い。
【００１７】このように構成された本実施例は、タイル
状の補強用ブロック１２により前実施例と同様な効果が
得られる。なお本実施例も前実施例も補強材を石英管１
０の全長にわたって設けたが、横型炉の場合には、炉芯
管の中心付近、もしくは炉体の中心付近が変形し易いの
で、各中心から水平方向に前後約３０ｃｍの範囲（均熱
帯部分）に張り付けるだけでも良い。
状の補強用ブロック１２により前実施例と同様な効果が
得られる。なお本実施例も前実施例も補強材を石英管１
０の全長にわたって設けたが、横型炉の場合には、炉芯
管の中心付近、もしくは炉体の中心付近が変形し易いの
で、各中心から水平方向に前後約３０ｃｍの範囲（均熱
帯部分）に張り付けるだけでも良い。
【００１８】次に本実施例の製造方法を図４により説明
する。先ず、図４（ａ）に示すように、熱処理用石英管
１０を水平に置き、その内側の底部に、図４（ｂ）の如
く該石英管１０の内径と曲率の等しい数ｃｍ角のタイル
状の補強用ブロック１２を（ａ）図の如く数ｍｍずつの
間隙をあけて配置し、これを ９５０℃乃至１２００℃
、好ましくは１２００℃にて数時間加熱する。これによ
り補強用ブロック１２は石英管１０に融着接合する。
する。先ず、図４（ａ）に示すように、熱処理用石英管
１０を水平に置き、その内側の底部に、図４（ｂ）の如
く該石英管１０の内径と曲率の等しい数ｃｍ角のタイル
状の補強用ブロック１２を（ａ）図の如く数ｍｍずつの
間隙をあけて配置し、これを ９５０℃乃至１２００℃
、好ましくは１２００℃にて数時間加熱する。これによ
り補強用ブロック１２は石英管１０に融着接合する。
【００１９】次に熱処理用石英管１０を回転させ、図４
（ｃ）の如く次に接合する補強用ブロック１２′が石英
管内径の底部にくるように並べ、再び９５０℃乃至１２
００℃に加熱して石英管１０に補強用ブロック１２を接
合する。この工程を繰返して行ない、図４（ｄ）の如く
石英管１０の内径の全周にわたり補強用ブロック１２を
張り付けるのである。
（ｃ）の如く次に接合する補強用ブロック１２′が石英
管内径の底部にくるように並べ、再び９５０℃乃至１２
００℃に加熱して石英管１０に補強用ブロック１２を接
合する。この工程を繰返して行ない、図４（ｄ）の如く
石英管１０の内径の全周にわたり補強用ブロック１２を
張り付けるのである。
【００２０】図５及び図６は本発明の第３の実施例を説
明するための図である。本実施例はウエハ熱処理用のボ
ート１３であり、その底部の櫛歯状凹凸を有する底部棒
状部材１４と上部の複数本の上部棒状部材１５とが左右
の円弧状の部材１６， １６′に結合されている。
明するための図である。本実施例はウエハ熱処理用のボ
ート１３であり、その底部の櫛歯状凹凸を有する底部棒
状部材１４と上部の複数本の上部棒状部材１５とが左右
の円弧状の部材１６， １６′に結合されている。
【００２１】そして各棒状部材１４， １５には石英よ
り高温強度の大きな、例えばＳｉＣ，、ポリＳｉ、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ 等の材料で形成された棒状の補強部材１７
， １８が接合されている。 なお補強部材１７， １８の厚さは１〜２ｍｍであり、
その接合部位は図６の（ａ），（ｂ），（ｃ） に示す
ように１面、２面又は４面に接合する。また櫛歯状の凹
凸を有する棒状部材１４へ接合する補強部材１７は棒状
部材１４と同様な櫛歯状凹凸を有するものとする。
り高温強度の大きな、例えばＳｉＣ，、ポリＳｉ、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ 等の材料で形成された棒状の補強部材１７
， １８が接合されている。 なお補強部材１７， １８の厚さは１〜２ｍｍであり、
その接合部位は図６の（ａ），（ｂ），（ｃ） に示す
ように１面、２面又は４面に接合する。また櫛歯状の凹
凸を有する棒状部材１４へ接合する補強部材１７は棒状
部材１４と同様な櫛歯状凹凸を有するものとする。
【００２２】このように構成された本実施例は、各棒状
部材１４， １５が石英より高温強度の大きな補強部材
１７， １８で補強されているため、高温における変形
を抑えることができる。
部材１４， １５が石英より高温強度の大きな補強部材
１７， １８で補強されているため、高温における変形
を抑えることができる。
【００２３】このように形成される本実施例の製造方法
は、石英より高温強度の大なる材料で形成された棒状の
補強部材１７， １８をそれぞれ棒状部材１４， １５
の上に載置し、 ９５０℃乃至１２００℃、好ましくは
１２００℃にて数時間加熱することにより高温強度の大
きな熱処理用ボートを形成することができる。
は、石英より高温強度の大なる材料で形成された棒状の
補強部材１７， １８をそれぞれ棒状部材１４， １５
の上に載置し、 ９５０℃乃至１２００℃、好ましくは
１２００℃にて数時間加熱することにより高温強度の大
きな熱処理用ボートを形成することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に依れば、半導体製造用の石英炉
芯管及び石英ボートに、石英よりも高温強度の大きい材
料で形成した補強部材を接合し補強することにより、高
温における変形を防止することができ、寿命の延長が可
能となる。
芯管及び石英ボートに、石英よりも高温強度の大きい材
料で形成した補強部材を接合し補強することにより、高
温における変形を防止することができ、寿命の延長が可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例の作用を説明するための
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図６】本発明の第３の実施例の一部断面を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の半導体製造装置の熱処理炉及び熱処理用
ボートを示す図である。
ボートを示す図である。
１０…熱処理用石英管
１１…補強用の管（補強部材）
１２， １２′…補強用ブロック（補強部材）１３…熱
処理用ボート １４…底部棒状部材 １５…上部棒状部材 １６， １６′…円弧状部材 １７， １８…補強部材
処理用ボート １４…底部棒状部材 １５…上部棒状部材 １６， １６′…円弧状部材 １７， １８…補強部材
Claims (8)
- 【請求項１】 熱処理用石英管（１０）の内面に、石
英よりも高温強度の大なる材料で形成した補強部材（１
１， １２）を張り付けて成ることを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】 石英製の熱処理用ボート（１３）に、
石英よりも高温強度の大なる材料で形成した補強部材（
１７， １８）を張り付けて成ることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項３】 上記補強部材（１１， １２， １７
，１８ ）がＳｉＣで形成されていることを特徴とする
請求項１又は２の半導体製造装置。 - 【請求項４】 上記補強部材（１１， １２， １７
，１８ ）がポリＳｉで形成されていることを特徴とす
る請求項１又は２の半導体製造装置。 - 【請求項５】 上記補強部材（１１， １２， １７
，１８ ）がＣＶＤ−ＳｉＣ で形成されていることを
特徴とする請求項１又は２の半導体製造装置。 - 【請求項６】 熱処理用石英管（１０）の内径より外
径が僅かに小さく、且つ石英よりも高温強度の大なる材
料で形成した補強用の管（１１）を、前記熱処理用石英
管に挿入し、全体を９５０ ℃乃至１２００℃に加熱し
、前記補強用の管（１１）に熱処理用石英管（１０）を
接合させることを特徴とする半導体製造装置の製造方法
。 - 【請求項７】 熱処理用石英管（１０）を水平に置き
、その内径の下側に該熱処理用石英管（１０）の内径と
曲率が等しく、且つ石英よりも高温強度の大なる材料で
形成されたタイル状の補強用ブロック（１２）を並べ、
９５０℃乃至１２００℃に加熱して接合する工程を、
該熱処理用石英管（１０）を回転して順次行ない、内径
の全周に補強用ブロック（１２）を接合することを特徴
とする半導体製造装置の製造方法。 - 【請求項８】 石英製熱処理用ボート（１３）の補強
所要部に、石英よりも高温強度の大なる材料で形成され
た棒状の補強部材（１７， １８）を載置し、 ９５０
℃乃至１２００℃に加熱して該熱処理用石英管（１３）
に補強部材（１７， １８）を接合することを特徴とす
る半導体製造装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176591A JPH04287316A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176591A JPH04287316A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287316A true JPH04287316A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12896048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176591A Withdrawn JPH04287316A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287316A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526370A (ja) * | 2001-05-14 | 2005-09-02 | セムコ エンジニアリング エス．アー． | 減圧下でのシリコンウェーハのドーピング、拡散、および酸化の方法と装置 |
| JP2009272332A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
1991
- 1991-03-16 JP JP5176591A patent/JPH04287316A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526370A (ja) * | 2001-05-14 | 2005-09-02 | セムコ エンジニアリング エス．アー． | 減圧下でのシリコンウェーハのドーピング、拡散、および酸化の方法と装置 |
| JP2009272332A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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