JPH04280459A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04280459A JPH04280459A JP4211791A JP4211791A JPH04280459A JP H04280459 A JPH04280459 A JP H04280459A JP 4211791 A JP4211791 A JP 4211791A JP 4211791 A JP4211791 A JP 4211791A JP H04280459 A JPH04280459 A JP H04280459A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 20
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N copper iron Chemical compound [Fe].[Cu] IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止パッケージ
を有した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
を有した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置について、
そのパッケージを構成する樹脂部の厚みが１〔ｍｍ〕〜
２〔ｍｍ〕程度の薄型パッケージのものを説明する。図
４は従来の樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図で
ある。図４において、２０は樹脂封止型半導体装置、２
はリードフレーム、３は半導体装置載置台、４は素子載
置面、５は半導体素子、６は銀ペースト、７はボンディ
ングパッド、８は内部リード、９は金属細線、３０は合
成樹脂からなる樹脂封止パッケージである。
そのパッケージを構成する樹脂部の厚みが１〔ｍｍ〕〜
２〔ｍｍ〕程度の薄型パッケージのものを説明する。図
４は従来の樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図で
ある。図４において、２０は樹脂封止型半導体装置、２
はリードフレーム、３は半導体装置載置台、４は素子載
置面、５は半導体素子、６は銀ペースト、７はボンディ
ングパッド、８は内部リード、９は金属細線、３０は合
成樹脂からなる樹脂封止パッケージである。
【０００３】このように構成された従来の樹脂封止型半
導体装置について、先ず、ウエハ（図示せず）から半導
体素子５を切断し、半導体素子載置台４に搭載するまで
の状態を説明する。パターンニング工程を終了したウエ
ハは、電気的特性試験が行われた後、所定の半導体素子
５の大きさに切断される。さらに、切断されたウエハは
、ダイスボンダ（図示せず）にセットされ、単一の半導
体素子５に分離される。
導体装置について、先ず、ウエハ（図示せず）から半導
体素子５を切断し、半導体素子載置台４に搭載するまで
の状態を説明する。パターンニング工程を終了したウエ
ハは、電気的特性試験が行われた後、所定の半導体素子
５の大きさに切断される。さらに、切断されたウエハは
、ダイスボンダ（図示せず）にセットされ、単一の半導
体素子５に分離される。
【０００４】そして、分離された半導体素子５は拾い上
げられ、銅合金または鉄ニッケル合金等からなるリード
フレーム２を構成する半導体素子載置台３の素子載置面
４に銀ペースト６（エポキシ樹脂の中に銀粉末を配合し
たもの。）を介して設置される。この状態で銀ペースト
６を温度１５０〔°Ｃ〕〜２００〔°Ｃ〕の加熱雰囲気
中に１時間放置することにより、半導体素子５が素子載
置面４に固着される。
げられ、銅合金または鉄ニッケル合金等からなるリード
フレーム２を構成する半導体素子載置台３の素子載置面
４に銀ペースト６（エポキシ樹脂の中に銀粉末を配合し
たもの。）を介して設置される。この状態で銀ペースト
６を温度１５０〔°Ｃ〕〜２００〔°Ｃ〕の加熱雰囲気
中に１時間放置することにより、半導体素子５が素子載
置面４に固着される。
【０００５】半導体素子５上の所定の位置には、上記パ
ターンニング工程において形成した電子回路を機能させ
るために電気信号を外部に取り出したり、外部の電気信
号を取り入れたりするための端子（以下「ボンディング
パッド７」という。）が所定の数だけ設けられており、
このボンディングパッド７と、リードフレーム２の半導
体素子載置台３の近傍に設けた内部リード８の先端部と
は、ワイヤーボンディング技術により２０〔φμｍ〕〜
４０〔φμｍ〕の金属細線により接続される。
ターンニング工程において形成した電子回路を機能させ
るために電気信号を外部に取り出したり、外部の電気信
号を取り入れたりするための端子（以下「ボンディング
パッド７」という。）が所定の数だけ設けられており、
このボンディングパッド７と、リードフレーム２の半導
体素子載置台３の近傍に設けた内部リード８の先端部と
は、ワイヤーボンディング技術により２０〔φμｍ〕〜
４０〔φμｍ〕の金属細線により接続される。
【０００６】次に、このように半導体素子５を半導体素
子載置台３の素子載置面４に搭載し、内部リード８と電
気的に接続した状態のものは、合成樹脂（フェノールノ
ボラックエポキシ等）により封止するために、樹脂封止
パッケージ形状のキャビティを有した樹脂成形金型（図
示せず）の所定の位置に固定される。樹脂成形金型は、
予め温度（１７０〔°Ｃ〕〜１９０〔°Ｃ〕）に加熱さ
れており、この樹脂成形金型に合成樹脂（フェノールノ
ボラックエポキシ等）を注入することより合成樹脂が溶
け、成形可能な粘度となる。合成樹脂は樹脂成形金型の
上記加熱温度で一定時間加熱することにより固化するい
わゆる熱硬化性を有したものである。したがって、数時
間放置することにより、合成樹脂が硬化し、これにより
、半導体素子載置台３上に固着した半導体素子５が合成
樹脂からなる樹脂封止パッケージ３０に封じ込まれる。
子載置台３の素子載置面４に搭載し、内部リード８と電
気的に接続した状態のものは、合成樹脂（フェノールノ
ボラックエポキシ等）により封止するために、樹脂封止
パッケージ形状のキャビティを有した樹脂成形金型（図
示せず）の所定の位置に固定される。樹脂成形金型は、
予め温度（１７０〔°Ｃ〕〜１９０〔°Ｃ〕）に加熱さ
れており、この樹脂成形金型に合成樹脂（フェノールノ
ボラックエポキシ等）を注入することより合成樹脂が溶
け、成形可能な粘度となる。合成樹脂は樹脂成形金型の
上記加熱温度で一定時間加熱することにより固化するい
わゆる熱硬化性を有したものである。したがって、数時
間放置することにより、合成樹脂が硬化し、これにより
、半導体素子載置台３上に固着した半導体素子５が合成
樹脂からなる樹脂封止パッケージ３０に封じ込まれる。
【０００７】その後、樹脂封止パッケージ３０から突き
出ている外部リード１７およびこの外部リード１７に継
がっているフレーム（図示せず）の表面に厚み１０〔μ
ｍ〕程度の錫または半田によるメッキを施した後、外部
リード１７からフレームを切断し、外部リード１７を所
望の形状に成形することにより、樹脂封止型半導体装置
２０が得られる。
出ている外部リード１７およびこの外部リード１７に継
がっているフレーム（図示せず）の表面に厚み１０〔μ
ｍ〕程度の錫または半田によるメッキを施した後、外部
リード１７からフレームを切断し、外部リード１７を所
望の形状に成形することにより、樹脂封止型半導体装置
２０が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された従来の樹脂封止型半導体装置２０では、
湿度の高い雰囲気中で保管した場合、短時間で水分が表
面から樹脂封止パッケージ２０中に拡散し、この水分が
半導体素子の表面または半導体素子載置台の裏面と樹脂
封止パッケージとの界面まで浸透するという問題があっ
た。
うに構成された従来の樹脂封止型半導体装置２０では、
湿度の高い雰囲気中で保管した場合、短時間で水分が表
面から樹脂封止パッケージ２０中に拡散し、この水分が
半導体素子の表面または半導体素子載置台の裏面と樹脂
封止パッケージとの界面まで浸透するという問題があっ
た。
【０００９】その結果、この状態の樹脂封止型半導体装
置２０を基板に実装するために、赤外線リフロー法また
はハンダ浴浸漬法により加熱した場合、樹脂封止パッケ
ージ２０の内部に拡散した水分が高圧の水蒸気となり、
これにより、樹脂封止パッケージ２０を構成する合成樹
脂にクラックが生じるという問題があった。この発明の
目的は上記問題点に鑑み、合成樹脂からなる樹脂封止パ
ッケージ中への水分の拡散を防止することができる樹脂
封止型半導体装置を提供することである。
置２０を基板に実装するために、赤外線リフロー法また
はハンダ浴浸漬法により加熱した場合、樹脂封止パッケ
ージ２０の内部に拡散した水分が高圧の水蒸気となり、
これにより、樹脂封止パッケージ２０を構成する合成樹
脂にクラックが生じるという問題があった。この発明の
目的は上記問題点に鑑み、合成樹脂からなる樹脂封止パ
ッケージ中への水分の拡散を防止することができる樹脂
封止型半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の樹脂封止
型半導体装置は、樹脂封止パッケージ中で半導体素子の
上部または半導体素子の上部と半導体素子載置台の下部
とに水分遮蔽板を封じ込んだものである。請求項２記載
の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止パッケージの上面
または上下の両面に形成した窪みの内部に水分遮蔽板を
設けたものである。
型半導体装置は、樹脂封止パッケージ中で半導体素子の
上部または半導体素子の上部と半導体素子載置台の下部
とに水分遮蔽板を封じ込んだものである。請求項２記載
の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止パッケージの上面
または上下の両面に形成した窪みの内部に水分遮蔽板を
設けたものである。
【００１１】請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置において
、水分遮蔽板の片面または両面を有機被膜により被覆し
たことを特徴とする。
請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置において
、水分遮蔽板の片面または両面を有機被膜により被覆し
たことを特徴とする。
【００１２】
【作用】請求項１記載の構成によれば、樹脂封止パッケ
ージ中で半導体素子の上部または半導体素子の上部と半
導体素子載置台の下部とに封じ込んだ水分遮蔽板により
、高湿な雰囲気中でも樹脂封止パッケージ中に表面から
水分が拡散するのを防止することができ、樹脂封止パッ
ケージの耐湿性を向上させることができる。
ージ中で半導体素子の上部または半導体素子の上部と半
導体素子載置台の下部とに封じ込んだ水分遮蔽板により
、高湿な雰囲気中でも樹脂封止パッケージ中に表面から
水分が拡散するのを防止することができ、樹脂封止パッ
ケージの耐湿性を向上させることができる。
【００１３】請求項２記載の構成によれば、樹脂封止パ
ッケージの上面または上下の両面に形成した窪みの内部
に設けた水分遮蔽板により、高湿な雰囲気中でも樹脂封
止パッケージ中に表面から水分が拡散するのを完全に防
止することができ、樹脂封止パッケージの耐湿性を向上
させることができる。請求項３記載の構成によれば、請
求項１または２記載の構成において、水分遮蔽板の片面
または両面を被覆した有機被膜により、水分遮蔽板と合
成樹脂との接着を促進することができる。
ッケージの上面または上下の両面に形成した窪みの内部
に設けた水分遮蔽板により、高湿な雰囲気中でも樹脂封
止パッケージ中に表面から水分が拡散するのを完全に防
止することができ、樹脂封止パッケージの耐湿性を向上
させることができる。請求項３記載の構成によれば、請
求項１または２記載の構成において、水分遮蔽板の片面
または両面を被覆した有機被膜により、水分遮蔽板と合
成樹脂との接着を促進することができる。
【００１４】
【実施例】図１は、この発明の第１の実施例の樹脂封止
型半導体装置の構成を示す断面図である。図１において
、１は樹脂封止型半導体装置、２はリードフレーム、３
は半導体装置載置台、４は素子載置面、５は半導体素子
、６は銀ペースト、７はボンディングパッド、８は内部
リード、９は金属細線、１０は合成樹脂からなる樹脂封
止パッケージ、１２ａおよび１２ｂは厚み０．１〔ｍｍ
〕〜０．５〔ｍｍ〕の水分遮蔽板であり、銅合金（銅−
鉄）または鉄ニッケル合金（４２アロイ，５０アロイ等
）からなる。１３は速硬化エポキシ樹脂からなる接着材
、１４は被覆膜、１７は外部リードを示す。
型半導体装置の構成を示す断面図である。図１において
、１は樹脂封止型半導体装置、２はリードフレーム、３
は半導体装置載置台、４は素子載置面、５は半導体素子
、６は銀ペースト、７はボンディングパッド、８は内部
リード、９は金属細線、１０は合成樹脂からなる樹脂封
止パッケージ、１２ａおよび１２ｂは厚み０．１〔ｍｍ
〕〜０．５〔ｍｍ〕の水分遮蔽板であり、銅合金（銅−
鉄）または鉄ニッケル合金（４２アロイ，５０アロイ等
）からなる。１３は速硬化エポキシ樹脂からなる接着材
、１４は被覆膜、１７は外部リードを示す。
【００１５】図１に示すように、樹脂封止型半導体装置
１は、リードフレーム２を構成する半導体素子載置台３
の素子載置面４に固着した半導体素子５と、この半導体
素子５を封じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケー
ジ１０中、半導体素子５の上部および半導体素子載置台
３の下部に水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂを封じ込んだ
ものである。
１は、リードフレーム２を構成する半導体素子載置台３
の素子載置面４に固着した半導体素子５と、この半導体
素子５を封じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケー
ジ１０中、半導体素子５の上部および半導体素子載置台
３の下部に水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂを封じ込んだ
ものである。
【００１６】半導体素子５は、半導体素子載置台３の素
子載置面４に銀ペースト６により固着されている。すな
わち、厚み０．１〜０．２５〔ｍｍ〕の鉄−ニッケル合
金や銅−鉄合金等からなる半導体素子載置台３の素子載
置面４に、エポキシ系の銀ペースト６を介して、半導体
素子５を設置した後、この状態のまま不活性ガスを満た
した温度１５０〔°Ｃ〕〜２００〔°Ｃ〕の雰囲気で１
時間放置することにより、固着したものである。半導体
素子５と素子載置面４との位置合わせ精度は、その後の
工程で影響を生じない程度とする。また、半導体素子５
上の所定の位置には、ボンディングパッド７が設けられ
ている。
子載置面４に銀ペースト６により固着されている。すな
わち、厚み０．１〜０．２５〔ｍｍ〕の鉄−ニッケル合
金や銅−鉄合金等からなる半導体素子載置台３の素子載
置面４に、エポキシ系の銀ペースト６を介して、半導体
素子５を設置した後、この状態のまま不活性ガスを満た
した温度１５０〔°Ｃ〕〜２００〔°Ｃ〕の雰囲気で１
時間放置することにより、固着したものである。半導体
素子５と素子載置面４との位置合わせ精度は、その後の
工程で影響を生じない程度とする。また、半導体素子５
上の所定の位置には、ボンディングパッド７が設けられ
ている。
【００１７】また、内部リード８の先端近傍には膜厚１
〔μｍ〕〜５〔μｍ〕程度の金や銀等の薄いメッキが施
されており、この内部リード８と半導体素子５のボンデ
ィングパッド７との間は、熱圧着および超音波を併用し
たワイヤボンディング法により金や銅等の金属細線９を
用いて電気的に接続されている。また、図１および図３
（ａ） ，（ｂ） に示す水分遮蔽板１２ａ，１２ｂは
、樹脂成形用金型（図示せず）を用いて合成樹脂により
全てを一体成形する前に、半導体素子５の表面および半
導体素子載置台３の裏面に、速硬化エポキシ樹脂からな
る接着材１３により、接着したものである。水分遮蔽板
１２ａ，１２ｂの両面は、ポリイミドまたはポリエステ
ル膜等の有機被膜１４により覆われており、これにより
、水分遮蔽板１２ａ，１２ｂを合成樹脂からなる樹脂封
止パッケージ１０に良好に一体化することができる。
〔μｍ〕〜５〔μｍ〕程度の金や銀等の薄いメッキが施
されており、この内部リード８と半導体素子５のボンデ
ィングパッド７との間は、熱圧着および超音波を併用し
たワイヤボンディング法により金や銅等の金属細線９を
用いて電気的に接続されている。また、図１および図３
（ａ） ，（ｂ） に示す水分遮蔽板１２ａ，１２ｂは
、樹脂成形用金型（図示せず）を用いて合成樹脂により
全てを一体成形する前に、半導体素子５の表面および半
導体素子載置台３の裏面に、速硬化エポキシ樹脂からな
る接着材１３により、接着したものである。水分遮蔽板
１２ａ，１２ｂの両面は、ポリイミドまたはポリエステ
ル膜等の有機被膜１４により覆われており、これにより
、水分遮蔽板１２ａ，１２ｂを合成樹脂からなる樹脂封
止パッケージ１０に良好に一体化することができる。
【００１８】このように半導体素子載置台３の素子載置
面４に半導体素子５を固着し、ボンディングパッド７と
内部リード８とを電気的に接続し、半導体素子５の表面
および半導体素子載置台３の裏面に水分遮蔽板１２ａお
よび１２ｂを接着したものを予め温度１７０〔°Ｃ〕〜
１９０〔°Ｃ〕に加熱した樹脂成形用金型の所定位置に
固定し、この樹脂成形用金型に樹脂を注入し、所定の時
間、上記温度に保持する。これにより、半導体素子５の
上部および半導体素子載置台３の下部の樹脂封止パッケ
ージ１０に水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂを封じ込んだ
樹脂封止型半導体装置１を得る。
面４に半導体素子５を固着し、ボンディングパッド７と
内部リード８とを電気的に接続し、半導体素子５の表面
および半導体素子載置台３の裏面に水分遮蔽板１２ａお
よび１２ｂを接着したものを予め温度１７０〔°Ｃ〕〜
１９０〔°Ｃ〕に加熱した樹脂成形用金型の所定位置に
固定し、この樹脂成形用金型に樹脂を注入し、所定の時
間、上記温度に保持する。これにより、半導体素子５の
上部および半導体素子載置台３の下部の樹脂封止パッケ
ージ１０に水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂを封じ込んだ
樹脂封止型半導体装置１を得る。
【００１９】このように、樹脂封止パッケージ１１中で
半導体素子５の上部および半導体載置台３の下部に封じ
込んだ水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂにより、高湿な雰
囲気中でも樹脂封止パッケージ１０中に表面から水分が
拡散するのを完全に防止することができ、樹脂封止パッ
ケージ１０の耐湿性を向上させることができる。したが
って、基板実装時における樹脂封止型半導体装置１の加
熱により樹脂封止パッケージ１０の温度が急激に上昇し
ても、樹脂封止パッケージ１０を構成する合成樹脂にク
ラックが生じることがない。
半導体素子５の上部および半導体載置台３の下部に封じ
込んだ水分遮蔽板１２ａおよび１２ｂにより、高湿な雰
囲気中でも樹脂封止パッケージ１０中に表面から水分が
拡散するのを完全に防止することができ、樹脂封止パッ
ケージ１０の耐湿性を向上させることができる。したが
って、基板実装時における樹脂封止型半導体装置１の加
熱により樹脂封止パッケージ１０の温度が急激に上昇し
ても、樹脂封止パッケージ１０を構成する合成樹脂にク
ラックが生じることがない。
【００２０】図２はこの発明の第２の実施例の樹脂封止
型半導体装置の構成を示す断面図である。図２において
、１８は樹脂封止型半導体装置、１１は樹脂封止パッケ
ージ、１５は樹脂封止パッケージの上面および下面に形
成した平板状の窪み、１６は液状エポキシ樹脂からなる
固定材、１２ｃは厚み０．１〔ｍｍ〕〜０．５〔ｍｍ〕
の水分遮蔽板であり、銅合金（銅−鉄）または鉄ニッケ
ル合金（４２アロイ，５０アロイ等）からなる。なお、
図１と同符号の部分は同様の部分を示す。
型半導体装置の構成を示す断面図である。図２において
、１８は樹脂封止型半導体装置、１１は樹脂封止パッケ
ージ、１５は樹脂封止パッケージの上面および下面に形
成した平板状の窪み、１６は液状エポキシ樹脂からなる
固定材、１２ｃは厚み０．１〔ｍｍ〕〜０．５〔ｍｍ〕
の水分遮蔽板であり、銅合金（銅−鉄）または鉄ニッケ
ル合金（４２アロイ，５０アロイ等）からなる。なお、
図１と同符号の部分は同様の部分を示す。
【００２１】図２に示すように、樹脂封止型半導体装置
１８は、リードフレーム２を構成する半導体素子載置台
３の素子載置面４に固着した半導体素子５と、この半導
体素子５を封じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケ
ージ１１の上面および下面に形成した窪み１５の内部に
水分遮蔽板１２ｃを設けたものである。このように構成
した樹脂封止型半導体装置１８は、第１の実施例と同様
にして、半導体素子載置台３の素子載置面４に銀ペース
ト６を介して半導体素子５を固着し、ボンディングパッ
ド７とリードフレーム２とを金属細線９により電気的に
接続した状態もの（以下「被封止部」という。）を得る
。そして、この被封止部を樹脂封止パッケージ１１とな
る成形体の上面および下面に平板状の窪み１５が形成さ
れるような樹脂成形用金型（図示せず）の所定の位置に
設置した後、合成樹脂を注入して硬化させることにより
、樹脂封止パッケージ１１を得る。その後、この樹脂封
止パッケージ１１の上面および下面に形成した窪み１５
の内部に、図３（ｃ） に示す平板状の水分遮蔽板１２
ｃを液状エポキシ樹脂からなる固定材１６を介して設置
した後、温度１００〔°Ｃ〕〜１８０〔°Ｃ〕で１時間
硬化することによって、水分遮蔽板１２ｃを固着させる
。 そして、リードフレーム２の表面に半田メッキを施し、
外部リード１７を所定の形状に成形することにより、樹
脂封止型半導体装置１８を得る。
１８は、リードフレーム２を構成する半導体素子載置台
３の素子載置面４に固着した半導体素子５と、この半導
体素子５を封じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケ
ージ１１の上面および下面に形成した窪み１５の内部に
水分遮蔽板１２ｃを設けたものである。このように構成
した樹脂封止型半導体装置１８は、第１の実施例と同様
にして、半導体素子載置台３の素子載置面４に銀ペース
ト６を介して半導体素子５を固着し、ボンディングパッ
ド７とリードフレーム２とを金属細線９により電気的に
接続した状態もの（以下「被封止部」という。）を得る
。そして、この被封止部を樹脂封止パッケージ１１とな
る成形体の上面および下面に平板状の窪み１５が形成さ
れるような樹脂成形用金型（図示せず）の所定の位置に
設置した後、合成樹脂を注入して硬化させることにより
、樹脂封止パッケージ１１を得る。その後、この樹脂封
止パッケージ１１の上面および下面に形成した窪み１５
の内部に、図３（ｃ） に示す平板状の水分遮蔽板１２
ｃを液状エポキシ樹脂からなる固定材１６を介して設置
した後、温度１００〔°Ｃ〕〜１８０〔°Ｃ〕で１時間
硬化することによって、水分遮蔽板１２ｃを固着させる
。 そして、リードフレーム２の表面に半田メッキを施し、
外部リード１７を所定の形状に成形することにより、樹
脂封止型半導体装置１８を得る。
【００２２】このように、樹脂封止パッケージ１１の上
面および下面に形成した窪み１５の内部に設けた水分遮
蔽板１２ｃにより、高湿な雰囲気中でも樹脂封止パッケ
ージ１１中に表面から水分が拡散するのを完全に防止す
ることができ、樹脂封止パッケージ１１の耐湿性を向上
させることができる。したがって、基板実装時における
樹脂封止型半導体装置１８の加熱により樹脂封止パッケ
ージ１１の温度が急激に上昇しても、樹脂封止パッケー
ジ１１を構成する合成樹脂にクラックが生じることがな
い。
面および下面に形成した窪み１５の内部に設けた水分遮
蔽板１２ｃにより、高湿な雰囲気中でも樹脂封止パッケ
ージ１１中に表面から水分が拡散するのを完全に防止す
ることができ、樹脂封止パッケージ１１の耐湿性を向上
させることができる。したがって、基板実装時における
樹脂封止型半導体装置１８の加熱により樹脂封止パッケ
ージ１１の温度が急激に上昇しても、樹脂封止パッケー
ジ１１を構成する合成樹脂にクラックが生じることがな
い。
【００２３】なお、第１の実施例において、半導体素子
載置台３の下部に設けた水分遮蔽板１２ｂは必ずしも必
要ではない。また、第２の実施例において、樹脂封止パ
ッケージ１１の下面の窪み１５の内部に設けた水分遮蔽
板１２ｃは必ずしも必要ではない。また、第１および第
２の実施例において、素子載置面４に半導体素子５を固
着するための銀ペースト６はこれに限らず、ポリイミド
またはポリエステル等でも良い。
載置台３の下部に設けた水分遮蔽板１２ｂは必ずしも必
要ではない。また、第２の実施例において、樹脂封止パ
ッケージ１１の下面の窪み１５の内部に設けた水分遮蔽
板１２ｃは必ずしも必要ではない。また、第１および第
２の実施例において、素子載置面４に半導体素子５を固
着するための銀ペースト６はこれに限らず、ポリイミド
またはポリエステル等でも良い。
【００２４】また、水分遮蔽板の形状は特に限定されず
、例えば第１の実施例において、半導体素子５の上部お
よび半導体素子載置台３の下部に設けた水分遮蔽板の形
状は、図３（ｄ） に示すものでも良い。
、例えば第１の実施例において、半導体素子５の上部お
よび半導体素子載置台３の下部に設けた水分遮蔽板の形
状は、図３（ｄ） に示すものでも良い。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
よれば、樹脂封止パッケージ中で半導体素子の上部また
は半導体素子の上部と半導体素子載置台の下部とに封じ
込んだ水分遮蔽板により、高湿な雰囲気中でも樹脂封止
パッケージ中に表面から水分が拡散するのを防止するこ
とができ、樹脂封止パッケージの耐湿性を向上させるこ
とができる。その結果、基板実装時における樹脂封止型
半導体装置の加熱により樹脂封止パッケージの温度が急
激に上昇しても、樹脂封止パッケージを構成する合成樹
脂にクラックが生じることがない。
よれば、樹脂封止パッケージ中で半導体素子の上部また
は半導体素子の上部と半導体素子載置台の下部とに封じ
込んだ水分遮蔽板により、高湿な雰囲気中でも樹脂封止
パッケージ中に表面から水分が拡散するのを防止するこ
とができ、樹脂封止パッケージの耐湿性を向上させるこ
とができる。その結果、基板実装時における樹脂封止型
半導体装置の加熱により樹脂封止パッケージの温度が急
激に上昇しても、樹脂封止パッケージを構成する合成樹
脂にクラックが生じることがない。
【００２６】請求項２記載の樹脂封止型半導体装置によ
れば、樹脂封止パッケージの上面または上下の両面に形
成した窪みの内部に設けた水分遮蔽板により、高湿な雰
囲気中でも樹脂封止パッケージ中に表面から水分が拡散
するのを完全に防止することができ、樹脂封止パッケー
ジの耐湿性を向上させることができる。その結果、基板
実装時における樹脂封止型半導体装置の加熱により樹脂
封止パッケージの温度が急激に上昇しても、樹脂封止パ
ッケージを構成する合成樹脂にクラックが生じることが
ない。
れば、樹脂封止パッケージの上面または上下の両面に形
成した窪みの内部に設けた水分遮蔽板により、高湿な雰
囲気中でも樹脂封止パッケージ中に表面から水分が拡散
するのを完全に防止することができ、樹脂封止パッケー
ジの耐湿性を向上させることができる。その結果、基板
実装時における樹脂封止型半導体装置の加熱により樹脂
封止パッケージの温度が急激に上昇しても、樹脂封止パ
ッケージを構成する合成樹脂にクラックが生じることが
ない。
【００２７】請求項３記載の樹脂封止型半導体装置によ
れば、請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、水分遮蔽板の片面または両面を被覆した有機被
膜により、水分遮蔽板と合成樹脂との接着を促進させる
。これにより、水分遮蔽板を合成樹脂からなる樹脂封止
パッケージに良好に一体化することができる。
れば、請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、水分遮蔽板の片面または両面を被覆した有機被
膜により、水分遮蔽板と合成樹脂との接着を促進させる
。これにより、水分遮蔽板を合成樹脂からなる樹脂封止
パッケージに良好に一体化することができる。
【図１】図１はこの発明の第１の実施例の樹脂封止型半
導体装置の構成を示す断面図である。
導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２はこの発明の第２の実施例の樹脂封止型半
導体装置の構成を示す断面図である。
導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】図３（ａ） 〜（ｄ） は水分遮蔽板の形状を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図４】図４は従来の樹脂封止型半導体装置の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１，１８ 樹脂封止型半導体装置２ リー
ドフレーム ３ 半導体素子載置台 ５ 半導体素子
ドフレーム ３ 半導体素子載置台 ５ 半導体素子
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームを構成する半導体素子
載置台上に固着した半導体素子と、この半導体素子を封
じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケージとを備え
た樹脂封止型半導体装置であって、前記樹脂封止パッケ
ージ中で前記半導体素子の上部または前記半導体素子の
上部と前記半導体素子載置台の下部とに水分遮蔽板を封
じ込んだ樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 リードフレームを構成する半導体素子
載置台上に固着した半導体素子と、この半導体素子を封
じ込んだ合成樹脂からなる樹脂封止パッケージとを備え
た樹脂封止型半導体装置であって、前記樹脂封止パッケ
ージの上面または上下の両面に形成した窪みの内部に水
分遮蔽板を設けた樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記水分遮蔽板の片面または両面を有
機被膜により被覆したことを特徴とする請求項１または
２記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211791A JPH04280459A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211791A JPH04280459A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280459A true JPH04280459A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12627011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4211791A Pending JPH04280459A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030045612A (ko) * | 2001-12-03 | 2003-06-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 모듈과 그 제조 방법 및 ｉｃ 카드 등을 위한 모듈 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4211791A patent/JPH04280459A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030045612A (ko) * | 2001-12-03 | 2003-06-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 모듈과 그 제조 방법 및 ｉｃ 카드 등을 위한 모듈 |
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