JPH04275322A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPH04275322A JPH04275322A JP5821291A JP5821291A JPH04275322A JP H04275322 A JPH04275322 A JP H04275322A JP 5821291 A JP5821291 A JP 5821291A JP 5821291 A JP5821291 A JP 5821291A JP H04275322 A JPH04275322 A JP H04275322A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ耐熱性に優れた
、低応力で成形性に優れた半導体封止用樹脂組成物に関
する。
、低応力で成形性に優れた半導体封止用樹脂組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化が急速に進
められており、素子サイズの大型化と配線幅の微細化が
著しく進展している。これらは高集積化された半導体装
置も含め、半導体装置は現在ほとんどが樹脂封止されて
いる。これは信頼性の高い優れた性能を有する封止用樹
脂の開発によるところが大きい。
められており、素子サイズの大型化と配線幅の微細化が
著しく進展している。これらは高集積化された半導体装
置も含め、半導体装置は現在ほとんどが樹脂封止されて
いる。これは信頼性の高い優れた性能を有する封止用樹
脂の開発によるところが大きい。
【０００３】一方、プリント基板への部品実装において
は、高密度実装、作業性合理化のため挿入型パッケージ
であるＤＩＰパッケージから、表面実装型パッケージで
あるＳＯＰパッケージに変化してきた。これにともない
、エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を使用
する方法が提案されている（特開昭５８−３９６７７号
公報、特開昭６１−４７７２５号公報、特開昭６１−２
５９５５２号公報）。
は、高密度実装、作業性合理化のため挿入型パッケージ
であるＤＩＰパッケージから、表面実装型パッケージで
あるＳＯＰパッケージに変化してきた。これにともない
、エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を使用
する方法が提案されている（特開昭５８−３９６７７号
公報、特開昭６１−４７７２５号公報、特開昭６１−２
５９５５２号公報）。
【０００４】また、近年ではより高密度実装化のため、
表面実装素子第１世代であるＳＯＰ、ＱＦＰパッケージ
から、薄型化が進められたＴＳＯＰ、ＴＱＦＰパッケー
ジに移行しつつある。
表面実装素子第１世代であるＳＯＰ、ＱＦＰパッケージ
から、薄型化が進められたＴＳＯＰ、ＴＱＦＰパッケー
ジに移行しつつある。
【０００５】パッケージの薄型化にともない、チップ上
面の樹脂厚が非常に薄くなってきている。このため、実
装時における加熱による樹脂部分のクラックがより深刻
な問題となっている。はんだ付け工程におけるクラック
発生は、後硬化させてから実装工程までの間に吸湿され
た水分が、はんだ付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張
することに起因すると言われており、その対策として、
後硬化したのち完全に乾燥し、防湿梱包させて出荷する
方法が採られている。
面の樹脂厚が非常に薄くなってきている。このため、実
装時における加熱による樹脂部分のクラックがより深刻
な問題となっている。はんだ付け工程におけるクラック
発生は、後硬化させてから実装工程までの間に吸湿され
た水分が、はんだ付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張
することに起因すると言われており、その対策として、
後硬化したのち完全に乾燥し、防湿梱包させて出荷する
方法が採られている。
【０００６】また、封止用樹脂の改良も検討されてきた
。たとえば、封止用樹脂にゴム成分を配合し、内部応力
を低下させる方法、新構造樹脂を使用する方法、充填剤
を高充填し線膨張係数を低下させる方法等がある（特開
昭５８−１４５６１３号公報、特開昭６３−１６４４５
１号公報、特開昭６３−１６０２５５号公報、特開昭６
３−３１７５４０号公報）。
。たとえば、封止用樹脂にゴム成分を配合し、内部応力
を低下させる方法、新構造樹脂を使用する方法、充填剤
を高充填し線膨張係数を低下させる方法等がある（特開
昭５８−１４５６１３号公報、特開昭６３−１６４４５
１号公報、特開昭６３−１６０２５５号公報、特開昭６
３−３１７５４０号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
、防湿梱包方式は製品の取り扱い作業が煩雑となり、製
造コストが上昇する。
、防湿梱包方式は製品の取り扱い作業が煩雑となり、製
造コストが上昇する。
【０００８】また、各種方法で改良された樹脂も、それ
ぞれ少しずつ効果をあげてきているが、実装技術の進歩
にともなうより高度な要求に応えるには十分でない。例
えば、ゴム成分を配合する方法では曲げ強度の低下を招
き、また、破砕シリカ高充填には流動性の点で限界があ
り、流動性改良のための球状シリカの使用は強度低下を
招くといった欠点がある。具体的にはこれらの従来の方
法で封止された半導体装置を吸湿処理後、例えば８５℃
／８５％ＲＨ処理７２時間後にはんだ浸漬を行うと、パ
ッケージダイパット裏面に、ふくれ又はクラックが発生
する。すなわち、はんだ付け時のクラックを完全に防止
した封止用樹脂は得られておらず、よりはんだ耐熱性に
優れた封止用樹脂の開発が望まれている。
ぞれ少しずつ効果をあげてきているが、実装技術の進歩
にともなうより高度な要求に応えるには十分でない。例
えば、ゴム成分を配合する方法では曲げ強度の低下を招
き、また、破砕シリカ高充填には流動性の点で限界があ
り、流動性改良のための球状シリカの使用は強度低下を
招くといった欠点がある。具体的にはこれらの従来の方
法で封止された半導体装置を吸湿処理後、例えば８５℃
／８５％ＲＨ処理７２時間後にはんだ浸漬を行うと、パ
ッケージダイパット裏面に、ふくれ又はクラックが発生
する。すなわち、はんだ付け時のクラックを完全に防止
した封止用樹脂は得られておらず、よりはんだ耐熱性に
優れた封止用樹脂の開発が望まれている。
【０００９】したがって、本発明の目的は上記問題点を
解決し、はんだ耐熱性に優れ、低応力で成形性に優れた
半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
解決し、はんだ耐熱性に優れ、低応力で成形性に優れた
半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記問題点
を解決するために鋭意研究を行った結果、溶融粘度が１
Ｐ以下のエポキシ樹脂に粒径１０μｍ以上の破砕シリカ
、粒径１０μｍ以下の球状シリカを高密度に充填させる
ことにより、上記問題点を解決できるという知見に基づ
き本発明を完成するに到った。
を解決するために鋭意研究を行った結果、溶融粘度が１
Ｐ以下のエポキシ樹脂に粒径１０μｍ以上の破砕シリカ
、粒径１０μｍ以下の球状シリカを高密度に充填させる
ことにより、上記問題点を解決できるという知見に基づ
き本発明を完成するに到った。
【００１１】すなわち本発明は、
（ａ）１５０℃での溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹脂
又はこれを３０重量％以上含有するエポキシ樹脂１００
重量部に対して、 （ｂ）粒径１０μｍ以上の球状シリカ２００〜１０００
重量部 （ｃ）粒径１０μｍ以下の破砕シリカ２００〜１０００
重量部 （ｄ）硬化剤２０〜１００重量部 を必須の成分として配合してなる半導体封止用樹脂組成
物であり、好ましくは、硬化剤として下記一般式（１）
又はこれを３０重量％以上含有するエポキシ樹脂１００
重量部に対して、 （ｂ）粒径１０μｍ以上の球状シリカ２００〜１０００
重量部 （ｃ）粒径１０μｍ以下の破砕シリカ２００〜１０００
重量部 （ｄ）硬化剤２０〜１００重量部 を必須の成分として配合してなる半導体封止用樹脂組成
物であり、好ましくは、硬化剤として下記一般式（１）
【化２】
で表される少なくとも２個のフェノール性水酸基を有す
る多価フェノールを用いることを特徴とする半導体封止
用樹脂組成物である。
る多価フェノールを用いることを特徴とする半導体封止
用樹脂組成物である。
【００１２】１５０℃での溶融粘度が１Ｐ以下のエポキ
シ樹脂を使用し、粒径１０μｍ以上の球状シリカと、粒
径１０μｍ以下の破砕シリカを組み合わせることで、破
砕シリカによる強度を維持した上で、流動性を改良し、
シリカの充填量を高め、線膨張率を低下させ、低応力で
耐はんだ性に優れた硬化物とすることができる。
シ樹脂を使用し、粒径１０μｍ以上の球状シリカと、粒
径１０μｍ以下の破砕シリカを組み合わせることで、破
砕シリカによる強度を維持した上で、流動性を改良し、
シリカの充填量を高め、線膨張率を低下させ、低応力で
耐はんだ性に優れた硬化物とすることができる。
【００１３】本発明による効果を最大限に引き出すため
には、粒径１０μｍ以上の球状シリカと粒径１０μｍ以
下の破砕シリカの合計が、エポキシ樹脂１００重量部に
対して、５００重量部以上添加することが好ましい。ま
た、粒径１０μｍ以上の球状シリカは全充填量の２０〜
８０重量％の範囲が望ましい。この範囲より少ないと流
動性改良効果が得られず、また、多いと強度が低下し、
はんだ耐熱性が悪化する。
には、粒径１０μｍ以上の球状シリカと粒径１０μｍ以
下の破砕シリカの合計が、エポキシ樹脂１００重量部に
対して、５００重量部以上添加することが好ましい。ま
た、粒径１０μｍ以上の球状シリカは全充填量の２０〜
８０重量％の範囲が望ましい。この範囲より少ないと流
動性改良効果が得られず、また、多いと強度が低下し、
はんだ耐熱性が悪化する。
【００１４】エポキシ樹脂としては、溶融粘度が１Ｐ以
下のエポキシ樹脂を用いることではんだ耐熱性に優れた
硬化物を得ることができる。本発明で用いるエポキシ樹
脂は、１００℃以上で溶融するエポキシ樹脂であり、特
に１５０℃での溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹脂であ
る。このようなエポキシ樹脂の代表的な例としてはビフ
ェニル型エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂の全量をビ
フェニル型エポキシ樹脂のような溶融粘度が１Ｐ以下の
エポキシ樹脂とすることが好ましいが、他のエポキシ樹
脂と混合使用することもできる。ビフェニル型エポキシ
樹脂ような溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹脂と併用で
きる他のエポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
等公知のものを用いることができる。この際ビフェニル
型エポキシ樹脂ような溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹
脂は、エポキシ樹脂の全量の３０重量％以上用いる。こ
れより少ないと、はんだ耐熱性が悪化する。
下のエポキシ樹脂を用いることではんだ耐熱性に優れた
硬化物を得ることができる。本発明で用いるエポキシ樹
脂は、１００℃以上で溶融するエポキシ樹脂であり、特
に１５０℃での溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹脂であ
る。このようなエポキシ樹脂の代表的な例としてはビフ
ェニル型エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂の全量をビ
フェニル型エポキシ樹脂のような溶融粘度が１Ｐ以下の
エポキシ樹脂とすることが好ましいが、他のエポキシ樹
脂と混合使用することもできる。ビフェニル型エポキシ
樹脂ような溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹脂と併用で
きる他のエポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
等公知のものを用いることができる。この際ビフェニル
型エポキシ樹脂ような溶融粘度が１Ｐ以下のエポキシ樹
脂は、エポキシ樹脂の全量の３０重量％以上用いる。こ
れより少ないと、はんだ耐熱性が悪化する。
【００１５】硬化剤はエポキシ樹脂１００重量部に対し
て好ましくは２０〜１００重量部、より好ましくは３０
〜７０重量部を添加する。硬化剤として特に好ましいも
のとしては、下記一般式（１）
て好ましくは２０〜１００重量部、より好ましくは３０
〜７０重量部を添加する。硬化剤として特に好ましいも
のとしては、下記一般式（１）
【化３】
で表される少なくとも２個のフェノール性水酸基を有す
る多価フェノールである。これを用いることで、はんだ
耐熱性に優れた硬化物を得ることができる。上記一般式
（１）で表される硬化剤は単独で用いることが好ましい
が、他の硬化剤と併用することもできる。この場合、上
記一般式（１）で表される硬化剤は硬化剤の全量に対し
て３０重量％以上用いることが望ましい。これより少な
いと、強度が低下しはんだ耐熱性が低下する。
る多価フェノールである。これを用いることで、はんだ
耐熱性に優れた硬化物を得ることができる。上記一般式
（１）で表される硬化剤は単独で用いることが好ましい
が、他の硬化剤と併用することもできる。この場合、上
記一般式（１）で表される硬化剤は硬化剤の全量に対し
て３０重量％以上用いることが望ましい。これより少な
いと、強度が低下しはんだ耐熱性が低下する。
【００１６】本発明においては、エポキシ樹脂の硬化剤
の他に硬化促進剤を配合することができる。硬化促進剤
としては公知のものが使用できるが、好適な硬化促進剤
としては、例えばトリフェニルフォスフィン、イミダゾ
ール、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセ
ン−１などがある。添加量は用いる硬化促進剤により異
なり、例えばトリフェニルフォスフィンでは、エポキシ
樹脂１００重量部に対して０．２〜５重量部の範囲が好
ましい。
の他に硬化促進剤を配合することができる。硬化促進剤
としては公知のものが使用できるが、好適な硬化促進剤
としては、例えばトリフェニルフォスフィン、イミダゾ
ール、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセ
ン−１などがある。添加量は用いる硬化促進剤により異
なり、例えばトリフェニルフォスフィンでは、エポキシ
樹脂１００重量部に対して０．２〜５重量部の範囲が好
ましい。
【００１７】また本発明の半導体封止用樹脂組成物には
、必要に応じてＯＰワックス、カルバナワックスなどの
離型剤、γ−グリトキシプロピルトリメトキシシランな
どのカップリング剤、カーボンブラックなどの着色剤、
三酸化アンチモンなどの難燃剤を添加することもできる
。
、必要に応じてＯＰワックス、カルバナワックスなどの
離型剤、γ−グリトキシプロピルトリメトキシシランな
どのカップリング剤、カーボンブラックなどの着色剤、
三酸化アンチモンなどの難燃剤を添加することもできる
。
【００１８】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、従来
公知の方法にしたがって混合、混練され、粉砕されたの
ち、加熱成形することによって半導体素子を封止した半
導体装置とすることができる。
公知の方法にしたがって混合、混練され、粉砕されたの
ち、加熱成形することによって半導体素子を封止した半
導体装置とすることができる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明をさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【００２０】実施例１
溶融粘度０．２Ｐ（１５０℃）のビフェニル型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ａ（
テトラフェノールエタン）、平均粒径２１μｍの球状溶
融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、
硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）、その他の添
加剤を表１に示す割合で混合したのち、ミキシングロー
ルを用い、１１０℃で４分間混練し、冷却後粉砕し、封
止用樹脂組成物を調整した。これらの封止用樹脂組成物
を用いて、スパイラルフローを測定した。また、同じ封
止用樹脂組成物を用いて８４ｐｉｎＩＣを成形し、ポス
トキュア後、８５℃、８５％の恒温恒湿器中で吸湿を２
４時間、４８時間、及び７２時間行った後、２６０℃の
はんだ浴に１０秒間浸漬させ、パッケージのクラックを
観察した。これらの結果を表１に示す。
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ａ（
テトラフェノールエタン）、平均粒径２１μｍの球状溶
融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、
硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）、その他の添
加剤を表１に示す割合で混合したのち、ミキシングロー
ルを用い、１１０℃で４分間混練し、冷却後粉砕し、封
止用樹脂組成物を調整した。これらの封止用樹脂組成物
を用いて、スパイラルフローを測定した。また、同じ封
止用樹脂組成物を用いて８４ｐｉｎＩＣを成形し、ポス
トキュア後、８５℃、８５％の恒温恒湿器中で吸湿を２
４時間、４８時間、及び７２時間行った後、２６０℃の
はんだ浴に１０秒間浸漬させ、パッケージのクラックを
観察した。これらの結果を表１に示す。
【００２１】表１に示した結果より、本発明の半導体封
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
【００２２】実施例２
溶融粘度０．２Ｐ（１５０℃）のビフェニル型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ｂ（
トリヒドロキシフェニルメタン）、平均粒径２１μｍの
球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ
粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）、その
他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち、実施例１
と同様にして各物性を測定した。
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ｂ（
トリヒドロキシフェニルメタン）、平均粒径２１μｍの
球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ
粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）、その
他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち、実施例１
と同様にして各物性を測定した。
【００２３】表１に示した結果より、本発明の半導体封
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
【００２４】実施例３
溶融粘度０．２Ｐ（１５０℃）のビフェニル型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ａ、
硬化剤Ｂ、平均粒径２１μｍの球状溶融シリカ粉末、平
均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、硬化促進剤（トリ
フェニルフォスフィン）、その他の添加剤を表１に示す
割合で混合したのち、実施例１と同様にして各物性を測
定した。
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ａ、
硬化剤Ｂ、平均粒径２１μｍの球状溶融シリカ粉末、平
均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、硬化促進剤（トリ
フェニルフォスフィン）、その他の添加剤を表１に示す
割合で混合したのち、実施例１と同様にして各物性を測
定した。
【００２５】表１に示した結果より、本発明の半導体封
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
【００２６】実施例４
溶融粘度０．２Ｐ（１５０℃）のビフェニル型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ｃ（
ジヒドロキシフェニルフェニルメタン）、平均粒径２１
μｍの球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融
シリカ粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）
、その他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち、実
施例１と同様にして各物性を測定した。
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤Ｃ（
ジヒドロキシフェニルフェニルメタン）、平均粒径２１
μｍの球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融
シリカ粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィン）
、その他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち、実
施例１と同様にして各物性を測定した。
【００２７】表１に示した結果より、本発明の半導体封
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
【００２８】実施例５
溶融粘度０．２Ｐ（１５０℃）のビフェニル型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤（フ
ェノールノボラック樹脂、軟化点１００℃）、平均粒径
２１μｍの球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕
溶融シリカ粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィ
ン）、その他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち
、実施例１と同様にして各物性を測定した。
樹脂（油化シェル社製、ＹＸ−４０００）、硬化剤（フ
ェノールノボラック樹脂、軟化点１００℃）、平均粒径
２１μｍの球状溶融シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕
溶融シリカ粉末、硬化促進剤（トリフェニルフォスフィ
ン）、その他の添加剤を表１に示す割合で混合したのち
、実施例１と同様にして各物性を測定した。
【００２９】表１に示した結果より、本発明の半導体封
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
止用樹脂組成物は、流動性、強度、はんだ耐熱性に優れ
ていることがわかる。
【表１】
【００３０】比較例１
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成社
製、ＹＤＣＮ７００），硬化剤（フェノールノボラック
樹脂、軟化点１００℃）、平均粒径２１μｍの球状溶融
シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、ポ
リエチレングリコール、硬化促進剤（トリフェニルフォ
スフィン）、その他の添加剤を表２に示す割合で混合し
たのち、実施例１と同様にして各物性を測定した。結果
を表２に示す。
製、ＹＤＣＮ７００），硬化剤（フェノールノボラック
樹脂、軟化点１００℃）、平均粒径２１μｍの球状溶融
シリカ粉末、平均粒径６μｍの破砕溶融シリカ粉末、ポ
リエチレングリコール、硬化促進剤（トリフェニルフォ
スフィン）、その他の添加剤を表２に示す割合で混合し
たのち、実施例１と同様にして各物性を測定した。結果
を表２に示す。
【００３１】比較例２
充填剤として、平均粒径２１μｍの球状溶融シリカ粉末
のみを用いて表２に示す割合で混合し、実施例１と同様
にして各物性を測定した。結果を表２に示す。
のみを用いて表２に示す割合で混合し、実施例１と同様
にして各物性を測定した。結果を表２に示す。
【００３２】比較例３
充填剤として、平均粒径６μｍの溶融破砕シリカ粉末の
みを用いて表２に示す割合で混合し、実施例１と同様に
して各物性を測定した。結果を表２に示す。
みを用いて表２に示す割合で混合し、実施例１と同様に
して各物性を測定した。結果を表２に示す。
【表２】
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の樹脂組成物を使用
すれば、強度を維持した上ではんだ耐熱性に優れた硬化
物を得ることができるので、これを用いることによりク
ラックの発生しない良好な半導体を得ることができる。
すれば、強度を維持した上ではんだ耐熱性に優れた硬化
物を得ることができるので、これを用いることによりク
ラックの発生しない良好な半導体を得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）１５０℃での溶融粘度が１Ｐ以
下のエポキシ樹脂又はこれを３０重量％以上含有するエ
ポキシ樹脂１００重量部に対して、 （ｂ）粒径１０μｍ以上の球状シリカ２００〜１０００
重量部 （ｃ）粒径１０μｍ以下の破砕シリカ２００〜１０００
重量部 （ｄ）硬化剤２０〜１００重量部 を必須の成分として配合してなる半導体封止用樹脂組成
物。 - 【請求項２】 硬化剤が下記一般式（１）【化１】 で表される少なくとも２個のフェノール性水酸基を有す
る多価フェノールであることを特徴とする請求項１記載
の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821291A JPH04275322A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821291A JPH04275322A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275322A true JPH04275322A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=13077747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5821291A Withdrawn JPH04275322A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04275322A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001002486A1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-01-11 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Composition de resine thermodurcissable liquide et procede de remplissage par trou permanent pour carte de circuits imprimes utilisant celle-ci |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5821291A patent/JPH04275322A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001002486A1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-01-11 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Composition de resine thermodurcissable liquide et procede de remplissage par trou permanent pour carte de circuits imprimes utilisant celle-ci |
| US6618933B2 (en) | 1999-07-06 | 2003-09-16 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Liquid thermosetting insulating resin composition and method for permanently filling holes in printed circuit board by the use thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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