JPH042752A - 半導体リードのはんだコーティング方法およびはんだコーティング装置 - Google Patents
半導体リードのはんだコーティング方法およびはんだコーティング装置Info
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- JPH042752A JPH042752A JP10182990A JP10182990A JPH042752A JP H042752 A JPH042752 A JP H042752A JP 10182990 A JP10182990 A JP 10182990A JP 10182990 A JP10182990 A JP 10182990A JP H042752 A JPH042752 A JP H042752A
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- Coating With Molten Metal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体リードのはんだコーティング方法に関
し、特にはんだ膜厚を厚くかつ均一にコーティングする
方法およびはんだコーティング装置である。
し、特にはんだ膜厚を厚くかつ均一にコーティングする
方法およびはんだコーティング装置である。
本発明は、フープ状の半導体部品のリード以外の部分に
連続的に高分子材料のコーティングを行い、その後、溶
融はんだを転写コーティングを行う半導体リードのはん
だコーティング方法と、樹脂インク槽およびインク転写
ローラよりなるインク転写装置を一対対面させて配置し
、その上部に樹脂硬化用ランプを一対対面させて配置し
、さらに、樹脂硬化用ランプの上部に溶融はんだ槽およ
びはんだ転写用ローラよりなる溶融はんだ転写装置を一
対対面させて配置した半導体リードのはんだコーティン
グ装置である。
連続的に高分子材料のコーティングを行い、その後、溶
融はんだを転写コーティングを行う半導体リードのはん
だコーティング方法と、樹脂インク槽およびインク転写
ローラよりなるインク転写装置を一対対面させて配置し
、その上部に樹脂硬化用ランプを一対対面させて配置し
、さらに、樹脂硬化用ランプの上部に溶融はんだ槽およ
びはんだ転写用ローラよりなる溶融はんだ転写装置を一
対対面させて配置した半導体リードのはんだコーティン
グ装置である。
従来より半導体部品のリードへのはんだメツキあるいは
コーティングする方法およびは装置は、下記に示すよう
に各種提案されている。
コーティングする方法およびは装置は、下記に示すよう
に各種提案されている。
■第３図に示すようなはんだメツキ槽によるはんだメツ
キ法。
キ法。
■第４図に示すような溶融はんだ槽によるはんだ浸漬法
、およびその改良方法。（例えば、特開昭６２−２７８
２５７号公報、特開昭６３−２１６９５５号公報参照） ■第５図に示すようなフープ状にした半導体部品１１の
リード１２に、溶融はんだを転写ローラ４でコーティン
グするはんだ転写法。
、およびその改良方法。（例えば、特開昭６２−２７８
２５７号公報、特開昭６３−２１６９５５号公報参照） ■第５図に示すようなフープ状にした半導体部品１１の
リード１２に、溶融はんだを転写ローラ４でコーティン
グするはんだ転写法。
しかしながら、第３図に示す方法では以下に説明するよ
うな課題が発生する。
うな課題が発生する。
■製造プロセスが複雑になる。
■排水処理施設が必要になる。
■陰極治具の場所のバラツキによるはんだメツキ膜厚の
バラツキが大きい。
バラツキが大きい。
■リードフレームを１個づつ治具に取りつけ、取り外す
手間がかかる。
手間がかかる。
また、第４図に示す方法では以下に説明するような課題
が発生する。
が発生する。
■溶融はんだ面の揺れ等による半導体パッケージへの熱
ダメージが大きい。
ダメージが大きい。
０１個１個処理する必要があり、作業性がよくない。
■人手による場合は、引き上げ速度の差による膜厚のバ
ラツキが大きい。
ラツキが大きい。
■多ピンリードの半導体の場合、リード間のブリッジが
発生しやすい。特開昭６２−２７８２５７．６３−２１
６９５５号公報はこのブリッジの解消法である。
発生しやすい。特開昭６２−２７８２５７．６３−２１
６９５５号公報はこのブリッジの解消法である。
そして、第５図に示す方法では以下に説明するような課
題が発生する。
題が発生する。
■はんだは面積の広い方向へ広がりやすく、そのためリ
ード１２の外側のリード外エリア１４方向へ広がり、そ
の結果リード１２へのはんだコーティングの際のはんだ
膜厚が薄くなる。
ード１２の外側のリード外エリア１４方向へ広がり、そ
の結果リード１２へのはんだコーティングの際のはんだ
膜厚が薄くなる。
■はんだ膜厚が薄くなるので、その結果第６図に示すよ
うにリードホーミングの際にはんだ膜に亀裂１３が入り
、リード１２の素地が露出しやすい。
うにリードホーミングの際にはんだ膜に亀裂１３が入り
、リード１２の素地が露出しやすい。
■第７図に示すようにはんだがリード１２の外側のリー
ド外エリア１４方向に広がり、その結果搬送用のスプロ
ケットホール１５にはんだが入り込み、後工程の加工工
程で搬送ができない等の重大な問題が発生する。
ド外エリア１４方向に広がり、その結果搬送用のスプロ
ケットホール１５にはんだが入り込み、後工程の加工工
程で搬送ができない等の重大な問題が発生する。
〔課題を解決しようとする手段］
前記課題を解決するために本発明は、フープ状の半導体
部品のリード以外の部分に連続的に高分子材料のコーテ
ィングを行い、その後、溶融はんだを転写コーティング
を行う半導体リードのはんだコーティング方法と、樹脂
インク槽およびインク転写ローラよりなるインク転写装
置を一対対面させて配置し、その上部に樹脂硬化用ラン
プを一対対面させて配置し、さらに、樹脂硬化用ランプ
の上部に溶融はんだ槽およびはんだ転写用ローラよりな
る溶融はんだ転写装置を一対対面させて配置した半導体
リードのはんだコーティング装置を採用する。
部品のリード以外の部分に連続的に高分子材料のコーテ
ィングを行い、その後、溶融はんだを転写コーティング
を行う半導体リードのはんだコーティング方法と、樹脂
インク槽およびインク転写ローラよりなるインク転写装
置を一対対面させて配置し、その上部に樹脂硬化用ラン
プを一対対面させて配置し、さらに、樹脂硬化用ランプ
の上部に溶融はんだ槽およびはんだ転写用ローラよりな
る溶融はんだ転写装置を一対対面させて配置した半導体
リードのはんだコーティング装置を採用する。
本発明は、上述したような半導体リードのはんだコーテ
ィング方法およびはんだコーティング装置を採用するこ
とにより、半導体リードへのはんだコーティングの際に
、はんだが半導体リードのみに厚くコーティングされ、
リード外エリアへのはんだの広がりがなくなり、スプロ
ケ・ントホールへのはんだの入りごみをなくすことが可
能となった。
ィング方法およびはんだコーティング装置を採用するこ
とにより、半導体リードへのはんだコーティングの際に
、はんだが半導体リードのみに厚くコーティングされ、
リード外エリアへのはんだの広がりがなくなり、スプロ
ケ・ントホールへのはんだの入りごみをなくすことが可
能となった。
以下、本発明の一実施例の半導体リードのはんだコーテ
ィング方法およびはんだコーティング装置について図面
を参照して説明する。なお従来例と同一箇所には同一番
号を付して説明する。
ィング方法およびはんだコーティング装置について図面
を参照して説明する。なお従来例と同一箇所には同一番
号を付して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体リードの紫外線硬化
樹脂コーティングおよび硬化工程の要部の斜視図、第２
図は本発明の半導体リードの溶融はんだ転写コーティン
グ工程の要部の斜視図である。
樹脂コーティングおよび硬化工程の要部の斜視図、第２
図は本発明の半導体リードの溶融はんだ転写コーティン
グ工程の要部の斜視図である。
第１図に示すように紫外線硬化樹脂コーティングおよび
硬化工程は、図示されていないが紫外線による紫外線硬
化樹脂インクが硬化しないように、全体を紫外線に対し
て遮光が行われ、またコーティング工程と硬化工程のあ
いだも遮光されている。
硬化工程は、図示されていないが紫外線による紫外線硬
化樹脂インクが硬化しないように、全体を紫外線に対し
て遮光が行われ、またコーティング工程と硬化工程のあ
いだも遮光されている。
そしてインク転写装置１は、一対のインク槽２とインク
転写補助ローラ３およびインク転写ローラ４より構成さ
れ、インク槽２内の紫外線硬化樹脂インク５はインク転
写補助ローラ３を介してインク転写ローラ４のローラ面
に付着させられる。そしてインク転写ローラ４のあいだ
を通過するフープ状の半導体部品１１のリード外エリア
１４に、インク転写ローラ４により紫外線硬化樹脂イン
ク５を転写される。この転写の原理は通常のグラビア印
刷の原理と類似しており、０．５μ〜２μ程度の薄い塗
膜が形成されるため、スプロケットホール１５に入るこ
となく、リード外エリア１４に均一にコーティングされ
る。そして半導体部品１１は図の上部に引き上げられる
。インク転写装置１の上部には紫外線ランプ６があり、
紫外線ランプ６により、転写された紫外線硬化樹脂イン
ク５が瞬時に硬化される。硬化の完了した半導体部品１
１は、はんだ濡れ性を向上するための図示されていない
フランクス塗布加熱工程を経由して第２図に示す溶融は
んだ転写工程へ進んでいくのであるが、紫外線硬化樹脂
インク５の硬化の完了した塗膜はフランクス塗布加熱工
程でフラックスの影響により変質したり、コーティング
が侵されるようなことはない。
転写補助ローラ３およびインク転写ローラ４より構成さ
れ、インク槽２内の紫外線硬化樹脂インク５はインク転
写補助ローラ３を介してインク転写ローラ４のローラ面
に付着させられる。そしてインク転写ローラ４のあいだ
を通過するフープ状の半導体部品１１のリード外エリア
１４に、インク転写ローラ４により紫外線硬化樹脂イン
ク５を転写される。この転写の原理は通常のグラビア印
刷の原理と類似しており、０．５μ〜２μ程度の薄い塗
膜が形成されるため、スプロケットホール１５に入るこ
となく、リード外エリア１４に均一にコーティングされ
る。そして半導体部品１１は図の上部に引き上げられる
。インク転写装置１の上部には紫外線ランプ６があり、
紫外線ランプ６により、転写された紫外線硬化樹脂イン
ク５が瞬時に硬化される。硬化の完了した半導体部品１
１は、はんだ濡れ性を向上するための図示されていない
フランクス塗布加熱工程を経由して第２図に示す溶融は
んだ転写工程へ進んでいくのであるが、紫外線硬化樹脂
インク５の硬化の完了した塗膜はフランクス塗布加熱工
程でフラックスの影響により変質したり、コーティング
が侵されるようなことはない。
つぎに第２図に示すように溶融はんだ転写工程の溶融は
んだ転写装置７は、一対の熔融はんだ槽８とはんだ転写
ローラ９により構成され、溶融はんだ槽８内の溶融はん
だｌＯは、はんだ転写ローラ９に付着させられる。そし
てはんだ転写ローラ９のあいだを通過するフープ状の半
導体部品１１のリード１２およびリード外エリア１４に
転写される。しかし、リード外エリア１４表面には紫外
線硬化樹脂インク５がコーティングされているので、溶
融はんだ１０はリード外エリア１４にコーティングされ
ることなく、リード１２のみに膜厚８μ〜１５μの厚み
でコーティングされる。フープ状の半導体部品１１のリ
ード１２は、第２図の上部に引き上げられるときに自然
冷却され、はんだはリード１２表面に均一な厚みを持っ
てコーティングされる。
んだ転写装置７は、一対の熔融はんだ槽８とはんだ転写
ローラ９により構成され、溶融はんだ槽８内の溶融はん
だｌＯは、はんだ転写ローラ９に付着させられる。そし
てはんだ転写ローラ９のあいだを通過するフープ状の半
導体部品１１のリード１２およびリード外エリア１４に
転写される。しかし、リード外エリア１４表面には紫外
線硬化樹脂インク５がコーティングされているので、溶
融はんだ１０はリード外エリア１４にコーティングされ
ることなく、リード１２のみに膜厚８μ〜１５μの厚み
でコーティングされる。フープ状の半導体部品１１のリ
ード１２は、第２図の上部に引き上げられるときに自然
冷却され、はんだはリード１２表面に均一な厚みを持っ
てコーティングされる。
本発明に使用されるインク材料としては特に紫外線硬化
樹脂にこだわることはなく、熱硬化型樹脂を使用して加
熱工程での熱硬化によるコーティングも可能であるが、
紫外線硬化樹脂を使用した場合、装置がコンパクトなり
、かつ硬化時間を短時間にすることができる。そしてイ
ンク材料としては粘度調整のされた紫外線硬化樹脂であ
れば市販材料で使用可能である。
樹脂にこだわることはなく、熱硬化型樹脂を使用して加
熱工程での熱硬化によるコーティングも可能であるが、
紫外線硬化樹脂を使用した場合、装置がコンパクトなり
、かつ硬化時間を短時間にすることができる。そしてイ
ンク材料としては粘度調整のされた紫外線硬化樹脂であ
れば市販材料で使用可能である。
転写ローラ材料としては紫外線硬化樹脂を使用する場合
は、シリコンゴム系のローラまたはステンレス製メタル
ローラのいずれかまたは組み合わせ使用が可能である。
は、シリコンゴム系のローラまたはステンレス製メタル
ローラのいずれかまたは組み合わせ使用が可能である。
紫外線ランプは超高圧水銀灯７ＱｍＷ／ｃｍ、照射路Ｍ
１５０〜２００ｍｍ、照射時間１〜５秒が好適である。
１５０〜２００ｍｍ、照射時間１〜５秒が好適である。
本発明は、上述したような半導体リードのはんだコーテ
ィング方法およびはんだコーティング装置を採用するこ
とにより、以下に説明するような効果が得られる。
ィング方法およびはんだコーティング装置を採用するこ
とにより、以下に説明するような効果が得られる。
■簡便な方法および装置により半導体部品のリードには
んだを厚くコーティングできる。
んだを厚くコーティングできる。
■またはんだのコーティング膜厚を均一にすることがで
きる。
きる。
■はんだの膜厚が厚いのでリードホーミング時のはんだ
の亀裂による素地の露出が生じない。
の亀裂による素地の露出が生じない。
■搬送用のスプロケットホールにはんだがかからないた
め、後工程の加工工程等への搬送に問題が生じない。
め、後工程の加工工程等への搬送に問題が生じない。
■連続した生産が可能であり、生産性を高くすることが
できる。
できる。
第１図は本発明の一実施例の半導体リードの紫外線硬化
樹脂コーティングおよび硬化工程の要部の斜視図、第２
図は本発明の半導体リードの溶融はんだ転写コーティン
グ工程の要部の斜視図である。第３図、第４図および第
５図は従来例のはんだコーティング方法を示す斜視図で
あり、第３図ははんだメツキ法、第４図ははんだ浸漬法
、第５図ははんだ転写法である。そして第６図および第
７図は従来例のはんだ転写法で発生する課題の例を示す
斜視図で、第６図はリードホーミングによる亀裂の発生
例、第７図はスプロケットホールのはんだ入り込み例で
ある。 １・・・・・インク転写装置 ２・・・・・インク槽 ３・・・・・インク転写補助ローラ ４・・・・・インク転写ローラ ５・・・・・紫外線硬化樹脂インク ６・・・・・紫外線ランプ ７・・・・・溶融はんだ転写装置 ８・・・・・溶融はんだ槽 ９・・・・・転写ローラ １０・・・・・溶融はんだ １１・・・・・半導体部品 １２・・・ ・・リード １３・・・・・亀裂 １４・・・・・リード外エリア １５・・・・・スプロケットホール 第２図本児明の半導体リードの溶融はんｒビ転写コーテ
ィング工程の＃都の斜視図 ティングおよび硬化工程の＃部の斜視図ｂ 第３図 従来例のＬまんｒごメツキ法 第４図 す 従来例のはんだ浸漬法 １２半導４本リード 第５図 従来例のｊゴんｒご転写潰
樹脂コーティングおよび硬化工程の要部の斜視図、第２
図は本発明の半導体リードの溶融はんだ転写コーティン
グ工程の要部の斜視図である。第３図、第４図および第
５図は従来例のはんだコーティング方法を示す斜視図で
あり、第３図ははんだメツキ法、第４図ははんだ浸漬法
、第５図ははんだ転写法である。そして第６図および第
７図は従来例のはんだ転写法で発生する課題の例を示す
斜視図で、第６図はリードホーミングによる亀裂の発生
例、第７図はスプロケットホールのはんだ入り込み例で
ある。 １・・・・・インク転写装置 ２・・・・・インク槽 ３・・・・・インク転写補助ローラ ４・・・・・インク転写ローラ ５・・・・・紫外線硬化樹脂インク ６・・・・・紫外線ランプ ７・・・・・溶融はんだ転写装置 ８・・・・・溶融はんだ槽 ９・・・・・転写ローラ １０・・・・・溶融はんだ １１・・・・・半導体部品 １２・・・ ・・リード １３・・・・・亀裂 １４・・・・・リード外エリア １５・・・・・スプロケットホール 第２図本児明の半導体リードの溶融はんｒビ転写コーテ
ィング工程の＃都の斜視図 ティングおよび硬化工程の＃部の斜視図ｂ 第３図 従来例のＬまんｒごメツキ法 第４図 す 従来例のはんだ浸漬法 １２半導４本リード 第５図 従来例のｊゴんｒご転写潰
Claims (2)
- １．フープ状よりなる半導体部品を、はんだ転写ローラ
により、前記半導体部品のリード部分に、連続的に溶融
はんだを転写コーティングを行う、半導体リードのはん
だコーティング方法において、 前記はんだ転写ローラによるはんだ転写コ ーティングを行う前に、前記半導体部品のリード以外の
部分に、連続的に高分子材料のコーティングを行い、そ
の後、前記半導体部品のリードに溶融はんだを転写コー
ティングを行うことを特徴とする半導体リードのはんだ
コーティング方法。 - ２．樹脂インク槽およびインク転写ローラよりなるイン
ク転写装置を一対、それぞれを対面させて配置し、 前記インク転写装置の上部に樹脂硬化用ラ ンプを一対、それぞれを対面させて配置し、さらに、前
記樹脂硬化用ランプの上部に溶 融はんだ槽およびはんだ転写用ローラよりなる溶融はん
だ転写装置を一対、それぞれを対面させて配置したこと
を特徴とする半導体リードのはんだコーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182990A JPH042752A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体リードのはんだコーティング方法およびはんだコーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182990A JPH042752A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体リードのはんだコーティング方法およびはんだコーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042752A true JPH042752A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14310990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10182990A Pending JPH042752A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体リードのはんだコーティング方法およびはんだコーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562412B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-05-13 | Fontaine Engineering Und Maschinen | Method and apparatus for coating strip shaped materials |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10182990A patent/JPH042752A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562412B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-05-13 | Fontaine Engineering Und Maschinen | Method and apparatus for coating strip shaped materials |
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