JPH07147365A - リードフレームの変形防止方法 - Google Patents

リードフレームの変形防止方法

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JPH07147365A
JPH07147365A JP5271430A JP27143093A JPH07147365A JP H07147365 A JPH07147365 A JP H07147365A JP 5271430 A JP5271430 A JP 5271430A JP 27143093 A JP27143093 A JP 27143093A JP H07147365 A JPH07147365 A JP H07147365A
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JP
Japan
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lead frame
adhesive tape
plating
plated
resin film
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JP5271430A
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Tsuneo Kubota
恒雄 久保田
Kazuhiro Taniguchi
和広 谷口
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EEJA Ltd
Original Assignee
Electroplating Engineers of Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面処理工程以前の段階からリードフレーム
の変形を防止することができる方法を提供する。 【構成】 一方でリードフレーム1の、ピン3の先端部
3aとチップを載せるアイランド部分2とを含むめっき
部位S1 に対して、その周囲に非めっき部位S2 を設定
し、他方でリードフレーム1に施す接着テープ4又は樹
脂膜に、リードフレーム1の非めっき部位S2 の形状に
対応する被覆面部5と、この被覆面部5内に位置し且つ
リードフレーム1のめっき部位S1 以上の大きさを有す
る開口部4aとを、設け、 めっき処理前に、予め、こ
の接着テープ4又は樹脂膜をリードフレーム1に施し、
開口部4aから露出するめっき部位S1 にめっき処理を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はめっき処理工程における
リードフレームの変形防止方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リードフレームには、ピンの先端部やチ
ップを載せるアイランド部分を含むめっき部位があり、
このめっき部位に対して貴金属めっき等が施される。こ
のリードフレームはめっき処理を中心とした表面処理工
程が行われた後、ワイヤボンディングや樹脂モールディ
ング等の組立工程が行われ、最終的に電子パッケージ部
品となる。
【0003】リードフレームに対する各工程における処
理は、複数のリードフレームをローラ機構やチャック機
構を用いた機械的搬送ラインで一度に搬送しつつ、その
途中に配されためっき装置(例えば、実開昭60−10
5658号参照)や組立装置により自動的に行われるも
のである。
【0004】最近では、リードフレームが薄型で且つ多
ピン化する傾向にあるため、リードフレームが機械的搬
送ラインで搬送される途中において変形してしまうおそ
れがある。従って、表面処理工程が終了した時点で、め
っき部位以外のモールディングエリアに接着テープや樹
脂膜を被覆することにより、リードフレームの変形防止
を図っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術にあっては、表面処理工程が終了した後
に、リードフレームへ接着テープや樹脂膜を被覆するた
め、表面処理工程後の組立工程においてはリードフレー
ムの変形防止は図れるものの、接着テープや樹脂膜を被
覆する前の表面処理工程においては、リードフレームの
変形防止が図れずにいた。
【0006】この発明はこのような従来の技術に着目し
てなされたものであり、表面処理工程以前の段階からリ
ードフレームの変形を防止することができる方法を提供
するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームの変形防止方法は、上記の目的を達成するため
に、リードフレームのめっき部位の周囲に非めっき部位
が設定されており、該非めっき部位内に少なくとも前記
めっき部位以上の大きさを有する開口が形成された接着
テープ又は樹脂膜を被覆し、その後、該リードフレーム
のめっき部位へめっき処理を施すものである。
【0008】
【作用】この発明によれば、リードフレームの非めっき
部位内に接着テープ又は樹脂膜を被覆してから、リード
フレームにめっき処理を施すため、表面処理工程の段階
からリードフレームの変形防止を図ることができる。接
着テープ又は樹脂膜は非めっき部位内に被覆されるの
で、その後に行われるめっき処理の邪魔にならない。
【0009】また、接着テープ又は樹脂膜の開口がリー
ドフレームのめっき部位と同形で、該開口とめっき部位
とを合致させた状態で、接着テープ又は樹脂膜をリード
フレームに被覆すれば、該接着テープ又は樹脂膜がリー
ドフレームに対するマスキングとなり、めっき部位だけ
に高精度なめっき処理が行えることとなる。接着テープ
と樹脂膜のマスキング性能を比較した場合、樹脂膜の方
がリードフレームの切欠部における側端面(リードフレ
ームの厚さに相当する幅の面)まで被覆できるので優れ
る。被覆方法を比較した場合は、接着テープの方が貼る
だけで済むので簡単で優れる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の好適な一実施例を図面に基
づいて説明する。この実施例は接着テープを用いた場合
を例にして説明する。1はリードフレームで、長手方向
に沿って同一のパターンPが複数連続形成されている。
一つのパターンPは一つの電子パッージ部品になるもの
で、それぞれチップが搭載されるアイランド部2と、該
アイランド部2に先端3aを接近させた複数のピン3と
を備えており、このアイランド部2とピン3の先端3a
を含む範囲がめっき部位S1 となっている。そして、M
がモールディングエリアで、最終的に樹脂モールディン
グされる部分である。このモールディングエリアM内
で、前記めっき部位S1 以外の部分が非めっき部位S2
となっている。
【0011】このリードフレーム1の各パターンPに
は、耐熱性樹脂であるポリイミド製の接着テープ4が予
め貼られる。この接着テープ4には、めっき部位S1
同形の開口4aが形成されている。従って、この接着テ
ープ4は、ちょうど非めっき部位S2 に相応する全体形
状となり、下面に施された接着材により該非めっき部位
2 へ接着される。このように、接着テープ4を貼るこ
とにより、リードフレーム1のモールディングエリアM
内では、めっき部位S1 だけが露出することになり、そ
れ以外は接着テープ4によりマスキングされた状態とな
る。
【0012】この接着テープ4は、リードフレーム1に
めっき処理を行う表面処理工程よりも前の段階で予め貼
られる。すなわち、接着テープ4を貼ったままの状態の
リードフレーム1を搬送ラインで搬送し、搬送ラインの
途中に備えられた自動めっき装置により、このリードフ
レーム1に対してめっき処理(金等の貴金属めっき処
理)を行う。リードフレーム1に接着テープ4を貼って
いるため、このリードフレーム1を搬送ラインで搬送す
る際も、自動めっき装置によりめっき処理を行う際も、
リードフレーム1には変形が生じない。つまり、特に変
形し易いピン3が接着テープ4により固定されているた
め、各ピン3が変形して、各ピン3間の距離が変化する
ようなことはない。
【0013】また、自動めっき装置により、リードフレ
ーム1のめっき部位S1 をめっき処理する際も、リード
フレーム1の非めっき部位S2 が予め接着テープ4によ
りマスキングされているため、自動めっき装置のマスキ
ング手段があまり高精度でなくても、正確な部分めっき
が行える。表面処理工程後の組立工程においても、この
接着テープ4は貼られた状態のままなので、この組立工
程中におけるリードフレーム1の変形も防止できる。
尚、自動めっき装置で使用されるめっき液は、例えばノ
ンシアンめっき液のように、接着テープ4の接着材に影
響を与えにくい組成のものが好適である。
【0014】このリードフレーム1に貼られた接着テー
プ4は最終的には、リードフレーム1のモールディング
エリアMと共に樹脂モールディング内に埋め込まれる。
接着テープ4が耐熱製樹脂であるポリイミド製なので、
樹脂モールディングの高温にも耐えることができる。
【0015】尚、以上の実施例では、めっき部位S1
同形の開口4aを有する接着テープ4を例に説明した
が、めっき部位S1 よりも大きい開口を設けた接着テー
プでも、リードフレーム1の変形防止はなされる。但
し、この場合は、めっき部位Sだけを露出させるマス
キング効果はない。
【0016】更に、リードフレーム1の非めっき部位S
に接着テープ4を貼る例を示したが、これに代え
て、リードフレーム1の非めっき部位S2 を予めポリイ
ミド等の樹脂膜によりコーティングしても良い。
【0017】
【発明の効果】この発明に係るリードフレームの変形防
止方法は、以上説明してきた如き内容のものであって、
リードフレームの非めっき部位内に接着テープ又は樹脂
膜を被覆したりしてから、リードフレームにめっき処理
を施すため、表面処理工程の段階からリードフレームの
変形防止を図ることができる。
【0018】また、接着テープ又は樹脂膜の開口をリー
ドフレームのめっき部位と同形とし、該開口とめっき部
位とを合致させた状態で、接着テープ又は樹脂膜をリー
ドフレームに被覆すれば、該接着テープ又は樹脂膜がリ
ードフレームに対するマスキングとなり、めっき部位だ
けに高精度なめっき処理が行えることとなる。従って、
めっき装置のマスキング手段をあまり高精度なものにす
る必要がなく、めっき装置の簡素化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るリードフレームを示
す斜視図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 4 接着テープ 4a 開口 S1 めっき部位 S2 非めっき部位
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年10月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項2
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はめっき処理工程における
リードフレームの変形防止方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リードフレームには、ピンの先端部やチ
ップを載せるアイランド部分を含むめっき部位があり、
このめっき部位に対して貴金属めっき等が施される。こ
のリードフレームはめっき処理を中心とした表面処理工
程が行われた後、ワイヤボンディングや樹脂モールディ
ング等の組立工程が行われ、最終的に電子パッケージ部
品となる。
【0003】リードフレームに対する各工程における処
理は、複数のリードフレームをローラ機構やチャック機
構を用いた機械的搬送ラインで一度に搬送しつつ、その
途中に配されためっき装置(例えば、実開昭60−10
5658号参照)や組立装置により自動的に行われるも
のである。
【0004】最近では、リードフレームが薄型で且つ多
ピン化する傾向にあるため、リードフレームが機械的搬
送ラインで搬送される途中において変形してしまうおそ
れがある。従って、表面処理工程が終了した時点で、め
っき部位以外のモールディングエリアに接着テープや樹
脂膜を施してそこを被覆することにより、リードフレー
ムの変形防止を図っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術にあっては、表面処理工程が終了した後
に、リードフレームへ接着テープや樹脂膜を施してそこ
を被覆するため、表面処理工程後の組立工程においては
リードフレームの変形防止は図れるものの、接着テープ
や樹脂膜を被覆する前の表面処理工程においては、リー
ドフレームの変形防止が図れずにいた。
【0006】この発明はこのような従来の技術に着目し
てなされたものであり、表面処理工程以前の段階からリ
ードフレームの変形を防止することができる方法を提供
するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームの変形防止方法は、上記の目的を達成するため
に、一方でリードフレームの、ピンの先端部とチップを
載せるアイランド部分とを含むめっき部位に対して、そ
の周囲に非めっき部位を設定し、他方でリードフレーム
に施す接着テープ又は樹脂膜に、リードフレームの非め
っき部位の形状に対応する被覆面部と、この被覆面部内
に位置し且つリードフレームのめっき部位以上の大きさ
を有する開口部とを、設け、めっき処理前に、予め、こ
の接着テープ又は樹脂膜をリードフレームに施し、開口
部から露出するめっき部位にめっき処理を行うものであ
る。
【0008】
【作用】この発明によれば、リードフレームの非めっき
部位内に接着テープ又は樹脂膜を施してそこを被覆して
から、リードフレームにめっき処理を施すため、表面処
理工程の段階からリードフレームの変形防止を図ること
ができる。接着テープ又は樹脂膜は非めっき部位内に施
されるので、その後に行われるめっき処理の邪魔になら
ない。
【0009】また、接着テープ又は樹脂膜の開口がリー
ドフレームのめっき部位と同形で、該開口とめっき部位
とを合致させた状態で、接着テープ又は樹脂膜をリード
フレームに施せば、該接着テープ又は樹脂膜がリードフ
レームに対するマスキングとなり、めっき部位だけに高
精度なめっき処理が行えることとなる。接着テープと樹
脂膜のマスキング性能を比較した場合、樹脂膜の方がリ
ードフレームの切欠部における側端面(リードフレーム
の厚さに相当する幅の面)まで被覆できるので優れる。
被覆方法を比較した場合は、接着テープの方が貼るだけ
で済むので簡単で優れる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の好適な一実施例を図面に基
づいて説明する。この実施例は接着テープを用いた場合
を例にして説明する。1はリードフレームで、長手方向
に沿って同一のパターンPが複数連続形成されている。
リードフレーム1の中で、一つのパターンPが形成され
た部分は一つの電子パッケージ部品となるもので、それ
ぞれチップが搭載されるアイランド部分2と、該アイラ
ンド部分2に先端部3aを接近させた複数のピン3とを
備えており、このアイランド部分2とピン3の先端部3
aを含む範囲がめっき部位S1 となっている。そして、
Mがモールディングエリアで、最終的に樹脂モールディ
ングされる部分である。このモールディングエリアM内
で、前記めっき部位S1 以外の部分が非めっき部位S2
となっている。
【0011】このリードフレーム1中の各パターンPを
形成した部分には、耐熱性樹脂であるポリイミド製の接
着テープ4が予め貼られる。この接着テープ4には、め
っき部位S1 と同形の開口部4aが形成されている。従
って、この接着テープ4は、ちょうど非めっき部位S2
に相応する形状の被覆面部5とめっき部位S1 とに相応
する形状の開口部4aとを有する全体形状となり、下面
に施された接着材により該非めっき部位S2 へ接着され
る。このように、接着テープ4を貼ることにより、リー
ドフレーム1のモールディングエリアM内では、めっき
部位S1 だけが露出することになり、それ以外は接着テ
ープ4によりマスキングされた状態となる。
【0012】この接着テープ4は、リードフレーム1に
めっき処理を行う表面処理工程よりも前の段階で予め貼
られる。すなわち、接着テープ4を貼ったままの状態の
リードフレーム1を搬送ラインで搬送し、搬送ラインの
途中に備えられた自動めっき装置により、このリードフ
レーム1に対してめっき処理(金等の貴金属めっき処
理)を行う。リードフレーム1に接着テープ4を貼って
いるため、このリードフレーム1を搬送ラインで搬送す
る際も、自動めっき装置によりめっき処理を行う際も、
リードフレーム1には変形が生じない。つまり、特に変
形し易いピン3が接着テープ4により固定されているた
め、各ピン3が変形して、各ピン3間の距離が変化する
ようなことはない。
【0013】また、自動めっき装置により、リードフレ
ーム1のめっき部位S1 をめっき処理する際も、リード
フレーム1の非めっき部位S2 が予め接着テープ4によ
りマスキングされているため、自動めっき装置のマスキ
ング手段があまり高精度でなくても、正確な部分めっき
が行える。表面処理工程後の組立工程においても、この
接着テープ4は貼られた状態のままなので、この組立工
程中におけるリードフレーム1の変形も防止できる。
尚、自動めっき装置で使用されるめっき液は、例えばノ
ンシアンめっき液のように、接着テープ4の接着材に影
響を与えにくい組成のものが好適である。
【0014】このリードフレーム1に貼られた接着テー
プ4は最終的には、リードフレーム1のモールディング
エリアMと共に樹脂モールディング内に埋め込まれる。
接着テープ4が耐熱製樹脂であるポリイミド製なので、
樹脂モールディングの高温にも耐えることができる。こ
れによって、接着テープ4の剥離工程を省略できるとい
う利点がある。
【0015】尚、以上の実施例では、めっき部位S1
同形の開口部4aを有する接着テープ4を例に説明した
が、めっき部位S1 よりも大きい開口部を設けた接着テ
ープでも、リードフレーム1の変形防止はなされる。但
し、この場合は、めっき部位S1 だけを露出させるマス
キング効果はない。
【0016】更に、リードフレーム1の非めっき部位S
2 に接着テープ4を貼る例を示したが、これに代えて、
リードフレーム1の非めっき部位S2 を予めポリイミド
等の樹脂膜によりコーティングしても良い。
【0017】
【発明の効果】この発明に係るリードフレームの変形防
止方法は、以上説明してきた如き内容のものであって、
リードフレームの非めっき部位内に接着テープ又は樹脂
膜を施し非めっき部位を被覆してから、リードフレーム
にめっき処理を施すため、表面処理工程の段階からリー
ドフレームの変形防止を図ることができる。
【0018】また、接着テープ又は樹脂膜の開口部をリ
ードフレームのめっき部位と同形とし、該開口部とめっ
き部位とを合致させた状態で、接着テープ又は樹脂膜を
リードフレームに被覆すれば、該接着テープ又は樹脂膜
がリードフレームに対するマスキングとなり、めっき部
位だけに高精度なめっき処理が行えることとなる。従っ
て、めっき装置のマスキング手段をあまり高精度なもの
にする必要がなく、めっき装置の簡素化が図れる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 1 リードフレーム 4 接着テープ 4a 開口 5 被覆面部 S1 めっき部位 S2 非めっき部位
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのめっき部位の周囲に非
    めっき部位が設定されており、該非めっき部位内に少な
    くとも前記めっき部位以上の大きさを有する開口が形成
    された接着テープ又は樹脂膜を被覆し、その後、該リー
    ドフレームのめっき部位へめっき処理を施すことを特徴
    とするリードフレームの変形防止方法。
  2. 【請求項2】 接着テープ又は樹脂膜の開口がリードフ
    レームのめっき部位と同形で、該開口とめっき部位とを
    合致させた状態で、接着テープ又は樹脂膜を被覆するを
    リードフレームに被覆する請求項1記載のリードフレー
    ムの変形防止方法。
JP5271430A 1993-10-01 1993-10-29 リードフレームの変形防止方法 Pending JPH07147365A (ja)

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JP5271430A JPH07147365A (ja) 1993-10-01 1993-10-29 リードフレームの変形防止方法
US08/307,006 US5475918A (en) 1993-10-01 1994-09-16 Method of preventing deformation of lead frames
GB9419043A GB2282485B (en) 1993-10-01 1994-09-21 Method of preventing deformation of lead frames
KR1019940024023A KR950011654A (ko) 1993-10-01 1994-09-23 리드 프레임의 변형방지방법

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JP24670493 1993-10-01
JP5-246704 1993-10-01
JP5271430A JPH07147365A (ja) 1993-10-01 1993-10-29 リードフレームの変形防止方法

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KR (1) KR950011654A (ja)
GB (1) GB2282485B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002210914A (ja) * 2001-01-16 2002-07-31 Nippon New Chrome Kk ドクターブレードの製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
US5729049A (en) * 1996-03-19 1998-03-17 Micron Technology, Inc. Tape under frame for conventional-type IC package assembly
US5717246A (en) 1996-07-29 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Hybrid frame with lead-lock tape
US6124150A (en) 1998-08-20 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Transverse hybrid LOC package
KR100335481B1 (ko) * 1999-09-13 2002-05-04 김덕중 멀티 칩 패키지 구조의 전력소자
US6548764B1 (en) * 2000-06-07 2003-04-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor packages and methods for making the same
US6543510B1 (en) * 2000-06-07 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for coverlay removal and adhesive application
US6576494B1 (en) 2000-06-28 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Recessed encapsulated microelectronic devices and methods for formation
SG111919A1 (en) 2001-08-29 2005-06-29 Micron Technology Inc Packaged microelectronic devices and methods of forming same
SG120879A1 (en) 2002-08-08 2006-04-26 Micron Technology Inc Packaged microelectronic components
SG114585A1 (en) 2002-11-22 2005-09-28 Micron Technology Inc Packaged microelectronic component assemblies
US7368810B2 (en) 2003-08-29 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Invertible microfeature device packages
US6929485B1 (en) * 2004-03-16 2005-08-16 Agilent Technologies, Inc. Lead frame with interdigitated pins
WO2007052652A1 (ja) * 2005-11-01 2007-05-10 Showa Denko K. K. 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP4953090B2 (ja) * 2005-11-01 2012-06-13 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ及びその製造方法
SG135074A1 (en) 2006-02-28 2007-09-28 Micron Technology Inc Microelectronic devices, stacked microelectronic devices, and methods for manufacturing such devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU67061A1 (ja) * 1973-02-19 1974-09-25
US4089733A (en) * 1975-09-12 1978-05-16 Amp Incorporated Method of forming complex shaped metal-plastic composite lead frames for IC packaging
US4033844A (en) * 1975-11-03 1977-07-05 National Semiconductor Corporation Apparatus for selectively plating lead frames
US4835120A (en) * 1987-01-12 1989-05-30 Debendra Mallik Method of making a multilayer molded plastic IC package
JPS642330A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
JPS6418246A (en) * 1987-07-14 1989-01-23 Shinko Electric Ind Co Lead frame for semiconductor device
JPH02156547A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブル基板と集積回路のテスト方法
JP2717200B2 (ja) * 1989-06-30 1998-02-18 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板におけるオーバーレイめっきの形成方法
US5227662A (en) * 1990-05-24 1993-07-13 Nippon Steel Corporation Composite lead frame and semiconductor device using the same
JP3051569B2 (ja) * 1992-05-29 2000-06-12 新光電気工業株式会社 多層リードフレーム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002210914A (ja) * 2001-01-16 2002-07-31 Nippon New Chrome Kk ドクターブレードの製造方法
JP4485076B2 (ja) * 2001-01-16 2010-06-16 日本ニュークローム株式会社 ドクターブレードの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5475918A (en) 1995-12-19
GB2282485B (en) 1998-02-25
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GB9419043D0 (en) 1994-11-09
KR950011654A (ko) 1995-05-15

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