JPH04273482A - 発光ダイオード素子及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード素子及びその製造方法Info
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- JPH04273482A JPH04273482A JP3059306A JP5930691A JPH04273482A JP H04273482 A JPH04273482 A JP H04273482A JP 3059306 A JP3059306 A JP 3059306A JP 5930691 A JP5930691 A JP 5930691A JP H04273482 A JPH04273482 A JP H04273482A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体を用いた緑色から紫外にかける可視短波長を発す
る発光ダイオード素子、特に青色発光ダイオード素子及
びその製造方法に関する。
半導体を用いた緑色から紫外にかける可視短波長を発す
る発光ダイオード素子、特に青色発光ダイオード素子及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】緑色から紫外にかける可視短波長を発す
るＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いた発光ダイオード
素子、特に青色発光ダイオード素子は、オプトエレクト
ロニクス材料として期待されている。
るＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いた発光ダイオード
素子、特に青色発光ダイオード素子は、オプトエレクト
ロニクス材料として期待されている。
【０００３】従来の青色発光ダイオード素子は、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板上にＣｌ添加ｎ型ＺｎＳｅと、Ｌｉ添加ｐ型
ＺｎＳｅから成るｐ−ｎ接合と、ｐ型ＺｎＳｅに蒸着し
た金電極から構成されている（第６回国際分子線エピタ
キシー会議、１９９０年、サンディエゴ、講演番号：Ｐ
ＩＶ−３１）。
ａＡｓ基板上にＣｌ添加ｎ型ＺｎＳｅと、Ｌｉ添加ｐ型
ＺｎＳｅから成るｐ−ｎ接合と、ｐ型ＺｎＳｅに蒸着し
た金電極から構成されている（第６回国際分子線エピタ
キシー会議、１９９０年、サンディエゴ、講演番号：Ｐ
ＩＶ−３１）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＬｉ添加ｐ型Ｚ
ｎＳｅではＬｉ原子がＺｎＳｅ内で拡散しやすいため、
Ｌｉ原子がｎ型ＺｎＳｅに入り込み高品質なｐ−ｎ接合
を形成することが困難である。また金蒸着によるｐ型Ｚ
ｎＳｅ層への電極は接触抵抗が大きい。そのため発光ダ
イオードは必要な電流を流すと発熱等の問題が生じると
いう課題がある。さらにＺｎＳｅのエピタキシャル基板
にＧａＡｓを用いているが、格子不整や熱膨張係数の違
い等によりＺｎＳｅ膜の結晶性は限界がある。
ｎＳｅではＬｉ原子がＺｎＳｅ内で拡散しやすいため、
Ｌｉ原子がｎ型ＺｎＳｅに入り込み高品質なｐ−ｎ接合
を形成することが困難である。また金蒸着によるｐ型Ｚ
ｎＳｅ層への電極は接触抵抗が大きい。そのため発光ダ
イオードは必要な電流を流すと発熱等の問題が生じると
いう課題がある。さらにＺｎＳｅのエピタキシャル基板
にＧａＡｓを用いているが、格子不整や熱膨張係数の違
い等によりＺｎＳｅ膜の結晶性は限界がある。
【０００５】本発明は前記従来技術の課題を解決するた
め、高い効率を有する緑色から紫外にわたる発光ダイオ
ード素子、特に青色発光ダイオード素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
め、高い効率を有する緑色から紫外にわたる発光ダイオ
ード素子、特に青色発光ダイオード素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明の発光ダイオード素子は、基体上に基体と同一
の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と、
前記Ａ層と異なる伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体Ｂ層を順次積層し、形成したｐ−ｎ接合およびｐ
型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）
または金（Ａｕ）電極を備えたという構成を有する。
、本発明の発光ダイオード素子は、基体上に基体と同一
の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と、
前記Ａ層と異なる伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体Ｂ層を順次積層し、形成したｐ−ｎ接合およびｐ
型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）
または金（Ａｕ）電極を備えたという構成を有する。
【０００７】前記構成においては、基体としてセレン化
亜鉛（ＺｎＳｅ）単結晶、硫化亜鉛・カドミウム（Ｚｎ
Ｘ Ｃｄ１−Ｘ Ｓ）混晶単結晶、硫化セレン化亜鉛（
ＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ ）及び砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）から選ばれる少なくとも一種の物質を用いることが好
ましい。
亜鉛（ＺｎＳｅ）単結晶、硫化亜鉛・カドミウム（Ｚｎ
Ｘ Ｃｄ１−Ｘ Ｓ）混晶単結晶、硫化セレン化亜鉛（
ＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ ）及び砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）から選ばれる少なくとも一種の物質を用いることが好
ましい。
【０００８】次に本発明の発光ダイオード素子の製造方
法は、基体上に基体と同一の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体Ａ層と、前記Ａ層と異なる伝導型を有
するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体Ｂ層を順次積層し、形成
したｐ−ｎ接合及びｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層
上にプラチナ（Ｐｔ）または金（Ａｕ）電極を備えた発
光ダイオード素子を製造する方法であって、前記ＩＩ−
ＶＩ 族化合物半導体基体のエッチングとして、弗素（
Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及び沃素（Ｉ）から
選ばれるハロゲン元素のうち少なくとも１つを含む分子
からなるガスを用い、前記ハロゲン元素を含むガス圧力
を５０〜７０ｍＴｏｒｒの範囲に設定し、放電により生
成したプラズマを用いることを特徴とする。
法は、基体上に基体と同一の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体Ａ層と、前記Ａ層と異なる伝導型を有
するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体Ｂ層を順次積層し、形成
したｐ−ｎ接合及びｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層
上にプラチナ（Ｐｔ）または金（Ａｕ）電極を備えた発
光ダイオード素子を製造する方法であって、前記ＩＩ−
ＶＩ 族化合物半導体基体のエッチングとして、弗素（
Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及び沃素（Ｉ）から
選ばれるハロゲン元素のうち少なくとも１つを含む分子
からなるガスを用い、前記ハロゲン元素を含むガス圧力
を５０〜７０ｍＴｏｒｒの範囲に設定し、放電により生
成したプラズマを用いることを特徴とする。
【０００９】前記構成においては、真空蒸着法を用いて
窒素（Ｎ）、燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）のいずれか１
つ以上の元素を含むガスを放電し、生じたラジカルビー
ムと、ＩＩ族元素ビームおよびＶＩ元素ビームを同時に
基体上に照射することにより、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体を製造することが好ましい。
窒素（Ｎ）、燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）のいずれか１
つ以上の元素を含むガスを放電し、生じたラジカルビー
ムと、ＩＩ族元素ビームおよびＶＩ元素ビームを同時に
基体上に照射することにより、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体を製造することが好ましい。
【００１０】また前記構成においては、ｐ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の所望の表面を、スパッタ法でエッチ
ングし、前記エッチング部に金（Ａｕ）またはプラチナ
（Ｐｔ）をスパッタ法により蒸着することにより電極を
形成することが好ましい。
族化合物半導体の所望の表面を、スパッタ法でエッチ
ングし、前記エッチング部に金（Ａｕ）またはプラチナ
（Ｐｔ）をスパッタ法により蒸着することにより電極を
形成することが好ましい。
【００１１】
【作用】前記本発明の構成によれば、基体上に基体と同
一の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と
、前記Ａ層と異なる伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体Ｂ層を順次積層し、形成したｐ−ｎ接合及びｐ
型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）
または金（Ａｕ）電極を備えたので、高い効率を有する
緑色から紫外にわたる発光ダイオード素子とすることが
できる。
一の伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と
、前記Ａ層と異なる伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体Ｂ層を順次積層し、形成したｐ−ｎ接合及びｐ
型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）
または金（Ａｕ）電極を備えたので、高い効率を有する
緑色から紫外にわたる発光ダイオード素子とすることが
できる。
【００１２】また本発明により添加されたｐ型不純物で
あるＮ，Ｐ，Ａｓの原子は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
中で拡散し難いために高品質なｐ−ｎ接合を形成するこ
とができる。
あるＮ，Ｐ，Ａｓの原子は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
中で拡散し難いために高品質なｐ−ｎ接合を形成するこ
とができる。
【００１３】次に、スパッタ法により形成したＰｔまた
はＡｕ電極は接触抵抗が低く、接触抵抗による発熱を低
く抑えることができる。
はＡｕ電極は接触抵抗が低く、接触抵抗による発熱を低
く抑えることができる。
【００１４】また、ドライ・エッチング技術の開発によ
って結晶性の良いホモエピタキシー膜の形成が可能とな
る。
って結晶性の良いホモエピタキシー膜の形成が可能とな
る。
【００１５】
【実施例】本発明の好ましい実施例は、ｐ型不純物とし
てＮ、Ｐ、Ａｓのいずれかの元素を用いている。これら
の元素の付着係数は低いが、これらの元素を含むガスを
放電によりラジカル化し、付着係数を高めることができ
る。このラジカルビームを成長中のＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体に照射して、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を得る。
てＮ、Ｐ、Ａｓのいずれかの元素を用いている。これら
の元素の付着係数は低いが、これらの元素を含むガスを
放電によりラジカル化し、付着係数を高めることができ
る。このラジカルビームを成長中のＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体に照射して、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を得る。
【００１６】また、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体へ
の電極は、まずｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の表面
をスパッタ法でエッチングし、次にＰｔやＡｕをスパッ
タ法蒸着することにより形成した。
の電極は、まずｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の表面
をスパッタ法でエッチングし、次にＰｔやＡｕをスパッ
タ法蒸着することにより形成した。
【００１７】さらに結晶性を飛躍的に向上できるＩＩ−
ＶＩ 族化合物半導体のホモエピタキシーにおいて、必
要なＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体基板処理はハロゲン系
プラズマによるドライ・エッチング技術によって行った
。
ＶＩ 族化合物半導体のホモエピタキシーにおいて、必
要なＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体基板処理はハロゲン系
プラズマによるドライ・エッチング技術によって行った
。
【００１８】以下、具体例について詳細に述べる。本発
明の１実施例である青色発光ダイオード素子の作製方法
について図１〜図３を用いて説明する。
明の１実施例である青色発光ダイオード素子の作製方法
について図１〜図３を用いて説明する。
【００１９】まずｎ型ＺｎＳｅ基板１は基板作製時の研
磨等による加工変質層２が表面に存在する。この加工変
質層２は三塩化ホウ素のプラズマ３を使用することによ
りエッチングすることができる。しかしプラズマ３によ
り基板１の極表面はプラズマダメージ４が形成される。
磨等による加工変質層２が表面に存在する。この加工変
質層２は三塩化ホウ素のプラズマ３を使用することによ
りエッチングすることができる。しかしプラズマ３によ
り基板１の極表面はプラズマダメージ４が形成される。
【００２０】本発明者らは、三塩化ホウ素ガス圧が５０
から７０ｍＴｏｒｒの範囲におけるプラズマ５によるエ
ッチングにおいて、プラズマダメージ４が非常によく抑
えられることを見いだした。ゆえにエピタキシャル成長
する基板１は、このプラズマ５でエッチングする必要が
ある。
から７０ｍＴｏｒｒの範囲におけるプラズマ５によるエ
ッチングにおいて、プラズマダメージ４が非常によく抑
えられることを見いだした。ゆえにエピタキシャル成長
する基板１は、このプラズマ５でエッチングする必要が
ある。
【００２１】基板としてはＺｎＳｅの他に、ＺｎＸ Ｃ
ｄ１−Ｘ ＳやＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ 等の混晶でも有
効である。しかし青色発光ダイオード素子に必要な禁制
帯幅を有するためにはＺｎＸ Ｃｄ１−Ｘ Ｓの組成Ｘ
は、０．３から０．５にする必要がある。同様な理由で
ＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ の組成Ｘは、０．２以下にする
のが好ましい。またこれらのＩＩ−ＶＩ 族化合物半導
体基板より安価ＧａＡｓでも有効である。しかしＧａＡ
ｓ基板を用いた場合はＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体ヘテ
ロエピタキシャル膜の結晶性はホモエピタキシャル膜の
場合に比べて悪いため、発光ダイオード素子の効率は低
くなる。
ｄ１−Ｘ ＳやＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ 等の混晶でも有
効である。しかし青色発光ダイオード素子に必要な禁制
帯幅を有するためにはＺｎＸ Ｃｄ１−Ｘ Ｓの組成Ｘ
は、０．３から０．５にする必要がある。同様な理由で
ＺｎＳＸ Ｓｅ１−Ｘ の組成Ｘは、０．２以下にする
のが好ましい。またこれらのＩＩ−ＶＩ 族化合物半導
体基板より安価ＧａＡｓでも有効である。しかしＧａＡ
ｓ基板を用いた場合はＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体ヘテ
ロエピタキシャル膜の結晶性はホモエピタキシャル膜の
場合に比べて悪いため、発光ダイオード素子の効率は低
くなる。
【００２２】エッチングした基板１を純水や有機溶剤に
よる洗浄後に真空蒸着装置にいれ、温度４００〜６５０
℃で１０分間の熱エッチングを施し基板１の表面に存在
する酸化層や汚染物を昇華させ、清浄な面を得る。亜鉛
（Ｚｎ）、セレン（Ｓｅ）、塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２ ）
の各々をルツボに入れ、それらのルツボからのビームを
基板１に同時に照射し、図２（ａ）のように、Ｃｌドー
プＺｎＳｅ層６及び７を形成する。高キャリヤ密度を有
するｎ＋ 型層６と低抵抗で青色発光効率の高いｎ型層
７をエピタキシャル成長する。ＺｎＣｌ２ のルツボの
温度は、ｎ層成長時よりｎ＋ 型層２成長時の方を高く
設定した。そのためｎ型層のキャリヤ密度は１×１０１
８ｃｍ−３程度であるがｎ＋ 型層では１×１０１９ｃ
ｍ−３程度である。ｎ型不純物としては他にＦ，Ｂｒ，
Ｉ等のハロゲン元素が有効である。
よる洗浄後に真空蒸着装置にいれ、温度４００〜６５０
℃で１０分間の熱エッチングを施し基板１の表面に存在
する酸化層や汚染物を昇華させ、清浄な面を得る。亜鉛
（Ｚｎ）、セレン（Ｓｅ）、塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２ ）
の各々をルツボに入れ、それらのルツボからのビームを
基板１に同時に照射し、図２（ａ）のように、Ｃｌドー
プＺｎＳｅ層６及び７を形成する。高キャリヤ密度を有
するｎ＋ 型層６と低抵抗で青色発光効率の高いｎ型層
７をエピタキシャル成長する。ＺｎＣｌ２ のルツボの
温度は、ｎ層成長時よりｎ＋ 型層２成長時の方を高く
設定した。そのためｎ型層のキャリヤ密度は１×１０１
８ｃｍ−３程度であるがｎ＋ 型層では１×１０１９ｃ
ｍ−３程度である。ｎ型不純物としては他にＦ，Ｂｒ，
Ｉ等のハロゲン元素が有効である。
【００２３】次に図２（ｂ）のｐ型ＺｎＳｅ層８は窒素
のラジカルビームとＺｎ、Ｓｅの各分子線を同時に照射
することにより作製した。窒素のラジカルビームは窒素
ガスを高周波により放電させラジカル化して発生させて
いる。ラジカル化することにより、窒素の付着係数は大
きくなり大量の窒素をＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体に添
加させることができることを我々は見い出した。ｐ型不
純物としては他にＰ，Ａｓ等の元素でも有効である。
のラジカルビームとＺｎ、Ｓｅの各分子線を同時に照射
することにより作製した。窒素のラジカルビームは窒素
ガスを高周波により放電させラジカル化して発生させて
いる。ラジカル化することにより、窒素の付着係数は大
きくなり大量の窒素をＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体に添
加させることができることを我々は見い出した。ｐ型不
純物としては他にＰ，Ａｓ等の元素でも有効である。
【００２４】得られたｐ−ｎ接合構造に電極を付ける工
程を図３を用いて説明する。ｐ型層８に電極を付ける部
分を以外にマスク９を図３（ａ）の如く置く。アルゴン
プラズマによるいわゆるスパッタエッチングを行い、約
１００ｎｍ程度エッチングする。そしてマスク１６を付
けたままの状態で、プラチナ（Ｐｔ）をアルゴンガスに
よるスパッタ法でｐ型層８の上に積層させ、図３（ｂ）
のようにＰｔ電極１０を形成した。Ｐｔの他に仕事関数
の大きいＡｕでも有効である。
程を図３を用いて説明する。ｐ型層８に電極を付ける部
分を以外にマスク９を図３（ａ）の如く置く。アルゴン
プラズマによるいわゆるスパッタエッチングを行い、約
１００ｎｍ程度エッチングする。そしてマスク１６を付
けたままの状態で、プラチナ（Ｐｔ）をアルゴンガスに
よるスパッタ法でｐ型層８の上に積層させ、図３（ｂ）
のようにＰｔ電極１０を形成した。Ｐｔの他に仕事関数
の大きいＡｕでも有効である。
【００２５】最後にｎ型基板１に電極を付ける。インジ
ウム・水銀（Ｉｎ−Ｈｇ）アマルガムを基板１に塗布し
、水素雰囲気１気圧で３２０℃、３０秒間のアニールを
行い、電極１１を形成した。
ウム・水銀（Ｉｎ−Ｈｇ）アマルガムを基板１に塗布し
、水素雰囲気１気圧で３２０℃、３０秒間のアニールを
行い、電極１１を形成した。
【００２６】以上のようにしてＺｎＳｅ半導体による青
色発光ダイオード素子を製造することができた。
色発光ダイオード素子を製造することができた。
【００２７】また本発明を硫化亜鉛（ＺｎＳ）に応用す
ることにより紫外光を発する発光ダイオード素子の作製
も可能である。
ることにより紫外光を発する発光ダイオード素子の作製
も可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によってＩ
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体を用いた発光ダイオード素子
を提供することができた。特に、ＺｎＳｅ半導体を採用
することにより青色発光ダイオード素子を提供すること
ができた。
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体を用いた発光ダイオード素子
を提供することができた。特に、ＺｎＳｅ半導体を採用
することにより青色発光ダイオード素子を提供すること
ができた。
【００２９】また本発明の製造方法によれば、前記本発
明の発光ダイオードを効率よく合理的に製造することが
できる。
明の発光ダイオードを効率よく合理的に製造することが
できる。
【図１】 本発明の実施例のＩＩ−ＶＩ 族化合物半
導体基板処理を示す断面図である。
導体基板処理を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施例の発光ダイオード素子のｐ
− ｎ接合を作る工程を示す断面図である。
− ｎ接合を作る工程を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施例のｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合
物半導体表面に電極を形成する工程を示す断面図である
。
物半導体表面に電極を形成する工程を示す断面図である
。
１…ｎ型ＺｎＳｅ基板
２…加工変質層
３…三塩化ホウ素ガスプラズマ
４…プラズマダメージ
５…ガス圧が５０〜７０ｍＴｏｒｒの範囲にある三塩化
ホウ素ガスプラズマ ６…ｎ＋ 型ＺｎＳｅ層 ７…ｎ型ＺｎＳｅ層（Ａ層） ８…ｐ型ＺｎＳｅ層（Ｂ層） ９…マスク １０…Ｐｔ電極 １１…Ｉｎ−Ｈｇ電極
ホウ素ガスプラズマ ６…ｎ＋ 型ＺｎＳｅ層 ７…ｎ型ＺｎＳｅ層（Ａ層） ８…ｐ型ＺｎＳｅ層（Ｂ層） ９…マスク １０…Ｐｔ電極 １１…Ｉｎ−Ｈｇ電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基体上に基体と同一の伝導型を有する
ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と、前記Ａ層と異なる
伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ｂ層を順次
積層し、形成したｐ−ｎ接合及びｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化
合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）または金（Ａｕ）電
極を備えた発光ダイオード素子。 - 【請求項２】 基体として、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ
）単結晶、硫化亜鉛・カドミウム（ＺｎＸ Ｃｄ１−Ｘ
Ｓ）混晶単結晶、硫化セレン化亜鉛（ＺｎＳＸ Ｓｅ
１−Ｘ ）及び砒化ガリウム（ＧａＡｓ）から選ばれる
少なくとも一種の物質を用いた請求項１記載の発光ダイ
オード素子。 - 【請求項３】 基体上に基体と同一の伝導型を有する
ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ａ層と、前記Ａ層と異なる
伝導型を有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体Ｂ層を順次
積層し、形成したｐ−ｎ接合及びｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化
合物半導体層上にプラチナ（Ｐｔ）または金（Ａｕ）電
極を備えた発光ダイオード素子を製造する方法であって
、前記ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体基体のエッチングと
して、弗素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及び沃
素（Ｉ）から選ばれるハロゲン元素のうち少なくとも１
つを含む分子からなるガスを用い、前記ハロゲン元素を
含むガス圧力を５０〜７０ｍＴｏｒｒの範囲に設定し、
放電により生成したプラズマを用いることを特徴とする
発光ダイオード素子の製造方法。 - 【請求項４】 真空蒸着法を用いて、窒素（Ｎ）、燐
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）のいずれか１つ以上の元素を
含むガスを放電し、生じたラジカルビームと、ＩＩ族元
素ビームおよびＶＩ元素ビームを同時に基体上に照射す
ることにより、ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を製造
する請求項３記載の発光ダイオード素子の製造方法。 - 【請求項５】 ｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の所
望の表面を、スパッタ法でエッチングし、前記エッチン
グ部に金（Ａｕ）またはプラチナ（Ｐｔ）をスパッタ法
により蒸着することにより電極を形成した請求項３また
は４記載の発光ダイオード素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059306A JPH04273482A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059306A JPH04273482A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273482A true JPH04273482A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13109559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059306A Pending JPH04273482A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273482A (ja) |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3059306A patent/JPH04273482A/ja active Pending
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