JPH04268468A - 試験用オーブン装置並びに試験及び付着方法 - Google Patents

試験用オーブン装置並びに試験及び付着方法

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JPH04268468A JP3296425A JP29642591A JPH04268468A JP H04268468 A JPH04268468 A JP H04268468A JP 3296425 A JP3296425 A JP 3296425A JP 29642591 A JP29642591 A JP 29642591A JP H04268468 A JPH04268468 A JP H04268468A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はモジユール試験方法及び
装置に関し、特に集積回路の熱処理方法及び装置におい
て、電気構成部分を試験すると共に組み立てる場合に適
用するものである。本発明はさらに詳細には、最終的に
保持基板上の集積回路(IC又はチツプ)、又はコンピ
ユータ等のような電子装置の製造において使用されるこ
とになる回路カードの焼入れ処理及び付着処理に関する
ものである。焼入れ処理は温度を高めると同時に電気的
な試験を実行することによつてICを試験する工程であ
る。本発明は焼入れと同時に保持基板上の複数のチツプ
について直接チツプ付着処理をする。この直接チツプ付
着処理は保持基板上にICを永久的に配置するカード製
作工程である。
【0002】
【従来の技術】従来のシステムは焼入れをカード製作処
理と比較して別個なかつ異質な作業として実行する。例
えば米国特許第4,881,591号は、ICの電気的
な試験をモニタするためにオーブンにおいて高められた
温度にICを同時にさらすようにするための専用のコン
ピユータをもつ温度可変オーブンを説明している。焼入
れ回路基板が焼入れ試験工程の間ICを載置するために
使用される。さらに米国特許第4,379,259号は
、ICを高い温度の状態のチヤンバ内に置かれたPC(
フタレイン  コンプレクソン)材料の保管カード上に
載せる。PCカードは各チツプの焼入れを確実になし得
るように各ICを分離するように構成されている。焼入
れの後、PCカードはチヤンバから取り出され、ICが
PCカードから取り外される。その後欠陥のあるICは
良好なICと分離され、良好なICは短時間の機能試験
を受ける。米国特許第4,908,385号は、焼入れ
の間ICの試験に利用される典型的な電気回路が説明さ
れている。IBM技術公開報告Vol.32 No 5
A(1989年10月)「C4装置の試験及び焼入れの
ための非永久的マウント技術」は、チツプの頂部に荷重
をかけることにより、テキスト搭載保持基板の金属工学
的処理に片寄りをもたせ、これによりC4はんだボール
を介して非永久的な電気接触を作るようにする装置を説
明している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の焼入れシス
テムは試験チヤンバ内の温度を全体的に高くすることに
より、保持基板材料にストレスを生じさせるおそれがあ
る。従来の焼入れ技術は最終的に製造時には使用されな
い焼入れ用の保持基板を用いることによつて保持基板の
ストレスの問題を処理する。最終的に上述の保持基板へ
のストレスは従来のシステムに必要な時間が長いために
増幅されて焼入れ温度まで「ランプアツプ」される。
【0004】このように、従来の焼入れは試験の後に焼
入れ基板又はPC保管カード等からICを除去すること
が要求される。試験ICに対する能力をもつと共に、単
一処理により回路基板を製造することは回路製造者にと
つて利益があり、これにより能率を増大させると共に、
時間及び費用を大きく節約する。従来技術と対比して本
発明はICの焼入れを行うと共に、同じ処理によつて回
路基板等にICを永久的に付着する手段を提供する。従
来の焼入れ工程は完成製品が試験に用いられ、すなわち
チツプは試験に先立つ保持基板に永久的に付着されてい
た。かくして焼入れの間にチツプに欠陥が出た場合は、
完成製品を捨てるか又は高価で損失が大きい再加工処理
を受けなければならない。
【0005】
【課題を解決するための手段】これに対して、本発明は
製品が完成される前に、すなわちICが保持基板に永久
的に付着されていない内にチツプの試験をする。従つて
焼入れ中のチツプの欠陥のために必要とする再加工が従
来の焼入れシステム及び方法と比較して非常に単純で費
用がかからない。しかしチツプの試験に合格したとき本
発明はICを「製造レベル」の保持基板に対して永久的
に取り付ける。本発明はモジユール試験オーブン、すな
わち保持基板に一時的に付着した複数ICを有する支持
基板を受けることができるような焼入れ用オーブンを含
む。モジユールオーブンは、組み合された複数のチツプ
を有する基板を連続的に挿入及び回収するために使うこ
とができるロボツトのようなものを配設することができ
る。
【0006】本発明はIC及び支持基板間に永久的な接
着材料を形成することなく電気的結合を作ることができ
るような圧力を加える。さらに点加熱源が用意されて従
来システムの2つの主な問題を解決する。第1にICだ
けを加熱し、これにより支持基板材料にかかる熱ストレ
スを徹底的に低減させる。このことは本発明の場合製造
レベルの材料であるので、極めて重要なことである。第
2に、試験オーブン内のチヤンバ全体ではなくチツプだ
けが加熱されるので、焼入れ温度に達するために必要と
する時間が低減する。
【0007】
【作用】電気的試験はチツプが焼入れ温度にある間に行
われる。電気的試験に合格したとき、その後オーブン内
部の温度はさらに高められ、これにより例えばはんだリ
フローのような金属工学的処理を実行して保持基板にI
Cを永久的に付着させる。その後ロボツトは保持基板及
びICを除去してこれをコンピユータ回路基板上などに
位置決めするように準備する。チツプのうちの1つが電
気的試験を合格できないと決定されたとき、ロボツトは
チツプを取りはずすようにプログラムされ(はんだをリ
フローさせることなく)、不合格のチツプを撤去又は置
き換えるのに対して、合格したチツプを将来使用するた
めにとつておく。このように本発明は製造工程を改良す
ると共に、1ロツト工程分の製造量が増大された。従つ
て本発明の前述の概要に従つて、本発明の目的、特徴及
び利点を図面と共に以下に述べるところから明らかにす
る。
【0008】
【実施例】以下図面について本発明の一実施例を詳述す
る。
【0009】図1の本発明によるモジユール試験オーブ
ンの側面立体図が符号1によつて全体として示されてい
る。オーブン扉2は保持基板がその基板上の複数のチツ
プと共にモジユールオーブンから出し入れができるよう
な開口を提供する。オーブン扉2はグルーブ5を含み、
このグルーブ5はロボツト装置(図示せず)のアームの
末端と機械的に連結するような形状を有し、アーム末端
がロボツト(図4)と共に使用されたとき、オーブン扉
2の開閉を容易にする。またオーブン扉2はロボツトア
ームからの試験オーブン装置に力を伝達させるリンクと
しても役立ち、これにより必要な機械的中間動作が実行
される。オーブン扉2はピン3を軸として軸支され、ピ
ン3は本発明の試験オーブンのフレームの底板4に固着
されている。旋回ブロツク6及びピン7はオーブン扉2
の内側にあり、ロボツトアームからの力がリンク部材8
を介して試験オーブン機構に伝達できるようになされて
いる。リンク部材8はピン7を軸として軸支され、他端
がピン9を介してベアリングトラツク部10に枢着され
ている。トラツク部材10は両端に向かい合わせにピン
9及びピン11に固定されている。固定されたピン9及
び11はそれぞれ水平スロツト12及び13内をスライ
ドする。フレーム部材14は水平スロツト12及び13
をもちフレームの底板4に固く固定されている。ピン9
は各端部を支持され、当該ローラ15及び16は回転運
動するように取り付けられている。ベアリングローラ1
5及び16によつて同様にしてピン11の両末端が回転
運動ができるように取り付けられているベアリングロー
ラ17及び18によつて支持されている。
【0010】次にオーブン扉2が矢印19の方向に閉じ
られたとき、リンク8はトラツク部材10に力を伝達し
、トラツク部材10は取り付けられたローラ15、16
、17、18を矢印20の方向に移動する。図示のリフ
トプラツトホーム21は上述のようにオーブン扉2の機
構によつて垂直に移動される。また接続ケーブル22は
試験回路(図示せず)が、例えば集積回路が取り付けら
れる製造レベルの保持基板であるメモリフレームモジユ
ール23に接続できるように用意されている。メモリフ
レームモジユールは実施例として使われたもので、限定
するように構成されるものではないことは注目されるべ
きである。他の形式のモジユール、例えばロジツク、又
は混成モジユールは本発明に含まれている。続いてリフ
トプラツトホーム21が垂直方向に移動すればこれは接
続台及びモジユール23の結合が点加熱源24に接触す
るようにリフトするのに利用される。この垂直方向の動
きはさらに詳細に後述する。垂直ガイド軸25、26、
27、28はフレームの底板4及びフレームの上板29
の4隅にそれぞれ曲がらないように取り付けられている
。さらにカムスロツト34、35、36、37がリフト
プラツトホーム21側に設置される。トラツク部材10
のローラ15、16、17、18はそれぞれカムスロツ
ト34、35、36、37内に連動するようにそれぞれ
収納されている。オーブン扉2が閉じられる時、トラツ
ク部材10及び結合しているローラ15、16、17、
18が矢印20の方向に水平に移動し、これによりロー
ラ15、16、17、18をそれぞれカムスロツト34
、35、36、37と相互作用することによりプラツト
ホーム21を上昇させる。同様にしてオーブン扉2が開
くと、ローラ15、16、17、18が水平方向に移動
してカムスロツト34、35、36、37から離れ、こ
れにより係合を解除するので、プラツトホーム21が下
がることは、理解できるであろう。さらにオーブン扉2
が閉じられると、閉められた位置にある扉を検出作動す
るカムスロツト34、35、36及び37の近傍に存在
するロツク用角100がある。
【0011】電気的ケーブルストリツプ22は、リフト
プラツトホームの上面に配置されている平坦面38に固
着されている。電気的ケーブルストリツプ22は保持基
板23と接触しかつ電気的試験を実行するのに使われる
電気的接触点(図示せず)と結合するパターンを含む。 さらに一列に配列されたピン40及び41がリフトプラ
ツトホーム21の平坦面38から上方に突き出している
。次に本発明の試験オーブン1内へのモジユールフレー
ム23の挿入及び配列について記述する。保持基板23
は、アーム104及び付着装置102を含むロボツト1
06(図4)と結合して用いられるように、グリツパ1
03をもつロボツトによつて大箱から選択される。付着
装置102は、オーブン扉2のグルーブ5と適合するよ
うに前述のような腕先具105を含み、さらにオーブン
1内に保持基板を位置決めするためのグリツパ103を
含み得ることは注目されるべきである。さらにまた、複
数のアーム及び複数の腕先器具及びグリツパなどをもつ
ロボツト106は本発明に含まれる。
【0012】保持基板23はロボツト106によつてオ
ーブン1内に、フレーム突起45及び46の上面43及
び44の上に挿入するように置かれる(図2)。フレー
ム突起45及び46は保持基板23のための底支えのよ
うに働くことは明らかである。上板47は保持基板23
の位置決めのため面60、61、62が上面47の下面
に保持基板23を配置するようになされている。面60
及び61はそれぞれ肩を形成し、肩が試験オーブン1内
へ挿入している間保持基板23を誘動するように機能す
る。この様にして、保持基板23はオーブン1と軸方向
に一直線にされる。ピン63はオーブン扉2の反対側の
オーブン1の端に配置され、保持基板23のオーブン1
への内部移動を止める働きをもつている(図1)。停止
ピン63はピン33がケーブル22に近づかせないよう
に垂直方向に作用するばねをもち、これによりオーブン
扉2が閉じられてケーブル22が上昇されている時にそ
れらの干渉を防ぐ。
【0013】図2に示すように、上板47は軸25、2
6、27、28とそれぞれ関連するブツシング48、4
9、50、51を含んでいる。これらのブツシングは軸
25、26、27、28によつて上板47を垂直方向に
移動運動させる。ピン52、53、54、55は図2に
示すように上板47の下方への移動を抑制する。またば
ね56、57、58、59はそれぞれ軸25、26、2
7、28の周りに配置されていて、プレート42をピン
52、53、54、55に接触するまで降下させる。停
止ピン63と共に、上板47の表面60、61、62に
よつて、保持基板23(非永久的に取り付けた複数のチ
ツプを有する)はモジユール試験オーブン内において粗
く一列に配列された状態になる。けれども、さらにこの
配列は、ケーブル22が保持基板23の電気試験点と接
触し、かつ点加熱源24がチツプ65と接触する状態を
確保できる条件を満たしていなければならない。オーブ
ン扉2が閉じられると、リフトプラツトホーム21は一
列に配列されたピン40及び41を上昇させ、このピン
40及び41が一列になつてそれぞれ保持基板フレーム
23の孔39及び42に挿入される。ばね56、57、
58、59は保持基板23に下方への抵抗を与え、この
抵抗がピン40及び41への座り及び保持基板23及び
底接触パツド(図示せず)上の接触点(図示せず)への
接続ケーブル22の整合を確保する。前述のような方法
によつて、リフトプラツトホーム21は、それぞれロー
ラ15、16、17、18がカムスロツト34、35、
36、37と連動することにより上方の動きを続ける。 これにより電気回路チツプ65は点加熱源24とぴつた
りと一線に整合しかつこれを維持する。点加熱源24及
び結合した回路65間の圧力は試験をすべきチツプへの
熱を効率良く移動をさせ、また下方の力を一様にさせる
ことによりこれが非永久的に付着されているチツプ(は
んだ付けをしていない)を試験の間適切に一線配列状態
に保つように動作する。従つて試験中の電気回路チツプ
の温度が電気的試験をしている間に上昇しても、保持基
板23上に結合した回路65を永久的に付着させないで
済み、その理由は温度上昇がはんだをリフローさせる場
合に必要な温度よりも低いからである。
【0014】図2は扉を開いたオーブン1の前面図であ
る。前述のような本発明の構成及び要素は図2で示され
、当業者がこれらの構成の相互関係を正しく理解できる
ように図示されている。根本的にはケーブル22が保持
基板23に係合しかつ点加熱源24が結合した回路装置
65と係合するように保持基板23がオーブン1の内部
において一線配列されていることが分る。図3はオーブ
ン1の平面の部分的な断面図である。さらに当業者によ
つて本発明の要素関係を見分けて理解することができる
ように図示されている。特にリフト板21が最終停止ピ
ン63と同様に理解できる。従つて保持基板23の内方
への動きはピン63と接触したとき抑制されることが分
る。さらにリフト21が垂直方向に上昇し得る能力を理
解することによりピン25、26、27、28及び対応
するベアリング30、31、32、33を理解できる。
【0015】図4は本発明によるモジユール試験オーブ
ン1の構成を表す。ロボツト106は水平方向及び垂直
方向に移動することができることにより、ICが取り付
けられた基板23が複数のモジユール試験オーブン1に
連続的に挿入し及び取り出すことができる。さらに試験
すべき基板及びICが入つている大箱(図示せず)が用
意され、同様にして不合格のICを捨てるための大箱及
び焼入れ試験に合格したIC及び回路基板を蓄えるため
の大箱が用意される。いくつかの基板は焼入れ試験に合
格したICをもち、また他は不合格のICをもつている
ということに注意すべきである。ICは保持基板に永久
的に付着されていないので、他のロボツト又は方法が焼
入れ試験に不合格のICを取り捨てる間にその後に使用
する合格のICを分離するために用いられる。オーブン
1への基板23の挿入及び取出しのためにロボツト10
6をプログラムする方法は当業者に周知の技術である。 さらに、不合格のICを取り出し、廃棄し及び交換する
ためのロボツト106のプログラムの方法もまたよく知
られているのでこれ以上の説明はしない。
【0016】図5は集積回路について焼入れ試験を実行
するための典型的な構成を示す概略的な図である。試験
オーブン1は組み合された複数のチツプ65を有する保
持基板23を含むことを示している。ケーブル22は保
持基板23及び試験回路108間を相互に接続する。試
験回路108は一般に知られた形式のものすなわち米国
特許第4,918,385号に開示のものを用い得る。 図6は従来の焼入れ処理に必要な時間をグラフによつて
表現したものである。焼入れ又は電気的試験が生じる時
間はT1〜T2、T3〜T4、T5〜T6の間だけであ
る。残る時間は特定の時点に達した時温度を上昇又は降
下させることに使用される。従つて点加熱源がICの温
度を急激に上昇及び下降させる方法によつてはランプ期
間を短縮させることができることにより、焼入れに必要
な全体の時間を短縮し得ることが分る。通常の焼入れは
約15時間ほど必要とするのに対して、本発明は約5時
間で焼入れを実行できることは注意すべきである。従つ
て焼入れ期間の間に点加熱源による温度レベルの加速及
び減速を制御することによつて得られる柔軟性が非常に
重要であることが分る。
【0017】試験オーブン内の温度の上昇及び下降時間
を最小限度にするため、本発明は点加熱源を用意するこ
とによつてオーブンチヤンバ内全体の温度を高める必要
性をなくす。点加熱源は図7に示すように、従来技術で
よく知られているような熱溜め112をもつと共に、そ
のフイン114を通して熱を放散するのに利用する。熱
電気冷却器112はチツプ65に近接する位置に配設さ
れかつチツプと接触する。フイン114が熱溜め112
及び熱電気冷却器(TEC)116の中間に配設され、
及びTEC116及びチツプ65間の接触を持続すると
共に同時に焼入れ試験の間保持基板23上の適切な位置
にチツプ65を保持する助けにするように必要な力を供
給する。適切な結合手段113がフイン114を有する
熱溜め112を取り付けるために設けられている。係合
手段はねじ又は他の適当な取付け手段によつて構成でき
る。
【0018】図8には点加熱源24の集合体が示され、
以下に詳細に記述する。前述したように、熱溜め110
は係合手段113を介してフイン114に係合される。 フイン114はチツプ65を位置決めするためにチツプ
65及び保持基板23間に圧力を与える。フイン114
はアルミニウムなどのように熱が伝達するような熱伝導
性物質で構成する必要がある。熱電気冷却器116は第
1の面115及び第2の面117を同様にリード126
及び128と共に含む。TEC116は Marlow
 Industriesによつて製造されるようなタイ
プのものでなり、リード126及び128の電気的極性
が面115又は117のどちらが冷却又は加熱するかを
決定する。例えば正の電圧をリード126に与えると共
に負の電圧をリード128に与えたとき、TEC116
の面117が冷却器になつて熱がTEC116及び外側
の面115を通つて伝達及び放散するようになされてい
る。これに代え、リード128に正の電圧を与えると共
にリード126に負の電圧を与えたとき、面115が冷
却器になつて面117が面115から熱損失を放散する
ようになり、これにより面117が加熱器になる(TE
C116はチツプ65に対し加熱器として作用する)。 かくしてTEC116がいかにしてチツプ65に対して
加熱器又は冷却器として使用されるかが理解される。ま
た熱センサ118が設けられ、かつTEC116が加熱
器として使用される(チツプ65の温度を上昇させるた
めに)、又は冷却器として使用される(焼入れに続いて
チツプ65の温度を下げて電気的負荷が供給された時に
固有な加熱をすることによつてチツプ65の温度特性を
維持するために)ように、リード126、128の電気
的な極性を制御するようになされている。
【0019】TEC116は誘電体形式の材料によつて
構成され、これにより固有の負荷が与えられることによ
つてチツプ65の温度が上昇したときリード126及び
128の極性をチツプ65を冷却させるようにする。し
かしセンサ118を用いると、TEC116に対する制
御の効率を大きくできる。従つて制御の効率が低下して
も特定の応用例に対して十分である場合には、センサ1
18は省略しても良い。また加熱器120は熱伝導の拡
散を助けるように誘導型加熱要素を含むようになされて
いる。加熱器120は焼入れ時にチツプ65の温度が上
昇している間にTEC116を助けるように動作する。 加熱器120を追加することはいかに図6に示した「ラ
ンプアツプ」時間を減少させ、これにより焼入れに必要
な全ての時間を最少にするように作用するかを当業者に
明らかにする。すなわち時間期間0〜T1(図6)は時
間期間T4〜T5と同じように短縮される。センサ11
8及び加熱器120が熱電気冷却器116と接合される
ことにより単一のユニツトがチツプ65と接触するよう
になされている点は注意すべきである。図8に示すよう
に、チツプ65は入力/出力端子に取り付けるはんだボ
ール122を含んでいる。はんだボール122は保持基
板23内にあるバイアス124と一線に並んでいる。ケ
ーブル22及びチツプ65間の電気的接触は誘電体保持
基板23を通じてバイアス124及びはんだボール12
2を介して作られている。
【0020】焼入れ時記憶チツプ及びロジツクチツプか
ら放出される熱量の間にはくい違いがある。限定されな
い一例として、図8に示すような熱溜め装置110は5
0〔W〕まで放熱するチツプに使用できる。50〔W〕
を超える放熱をするチツプのためには、例えば図9に示
すような熱溜め装置110aが使用される。熱溜め11
0aは孔144、146をもつ胴体部分を含む。チヤン
バ134及び136は胴体部分142内にノズル138
と共に含まれており、ノズル138は流動管140を介
してチヤンバ134及び136間を流体が流れ得るよう
になされている。ノズル138は胴体部142内に一般
的に配置されるか、その内部に放つことができるよう持
続され、さらに上ブタ148及び胴体部142を取り除
くことにより見ることができる。フイン114aはホロ
構造のじやばらを作るチヤンバ130を含む。フイン1
14aは例えばねじのような係合手段113aを介して
胴体部142に取りはずし自在に係合されている。シー
ル手段132は胴体部142及びフイン114a間に流
動性シールを保持するようになされている。胴体部14
2にフイン114aを取り付けたとき、ノズル138は
フイン114aのチヤンバ130内へ突き出している。 次にチツプ65はフイン114aと共に熱接触の状態に
あることを考えると、熱はそれらから放散されなければ
ならず、熱溜め110aの動作を以下に述べる。例えば
水のような冷たい流体等は、孔146を通つてチヤンバ
136に流れると共に、流動管140、ノズル138を
通つてじやばら114a、チヤンバ130内に流れる。
【0021】その時熱はチヤンバ130内の流体に伝達
され、続いてチヤンバ130の外に流出してノズル13
8及びチヤンバ130の内側間の環状領域を通つてチヤ
ンバ134に流入し及び孔144から加熱された流体と
して流出する。孔146を通つて流れる流体に圧力を加
えると共に、孔144から流体を放出させることにより
熱溜め110aを通る流体の流れが増大することが分る
。このようにして高電力のロジツクチツプが本発明の方
法及び装置を用いて焼入れしている間に冷却される。 高電力型チツプの場合点加熱源24はチツプ65を単に
不十分にしか冷却できない手段になると言うより、むし
ろチツプ65の温度を高める装置になることに注意すべ
きである。高電力型チツプ65は試験の間の電気的負荷
のために特性として温度を高める。本発明による点加熱
源24はチヤンバ全体ではなく直接にチツプ25に対し
て熱を供給することによつて標準の焼入れ時間を短縮さ
せることにより保持基板23上の熱ストレスを低減する
。チツプ65の温度をさらに高めることにより、はんだ
ボール122(図8)がリフローし、これによりチツプ
65を保持基板23上に永久的に付着する(金属工学的
接合)。もちろん、保持基板23に結合されるチツプ6
5のすべてが順次焼入れし終らない場合は、温度をさら
に高めることはしない。このように順次焼入れ及びリフ
ローをするので、産品品質が優良な電子部分が製造され
、かつ回路基板などに対する挿入をすることができる。
【0022】従来の焼入れ方法に関連する他の問題は、
はんだペースト122(図8)の付近に酸化物を形成す
ることである。はんだ酸化物の形成を減少及び排除する
ために、本発明はモジユール試験オーブン1のチヤンバ
をチツ素95%及び水素5%で混合した混合ガスを用い
て洗浄する。焼入れ時の酸化物の形成を低減させること
により、混合ガスは従来の焼入れオーブンで起こる問題
を解決すると共に、さらに本発明によつて考案されたよ
うな焼入れ装置及び方法によつて得られる製品レベルの
保持基板及びチツプ65の完全な状態を確保する。本発
明による具体例を図示及び説明したが、特許請求の範囲
から逸脱することなく多くの変更及び変形をなし得るこ
とが理解されるであろう。例えば実施例に説明されたよ
うな特殊な点加熱源に代え、他の構成の加熱源によつて
も上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【0023】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、非永久的
に集積回路を付着した保持基板について熱的試験及び電
気的試験を実行し、不合格な集積回路を除去、置換した
後、合格したものについて永久的な付着処理をするよう
にしたことにより、一段とロツドの合格製品率が大きい
モジユール製造工程を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明はモジユール試験オーブンを示す
側面断面図である。
【図2】図2は本発明のモジユール試験オーブンを示す
正面図である。
【図3】図3はモジユール試験オーブンを示す平面図で
ある。
【図4】図4は複数のモジユール試験オーブン及びロボ
ツトを示す略線図である。
【図5】図5は内部に複数のIC及びICに接続された
試験回路を有する試験オーブンを示すブロツク図である
【図6】図6は従来のシステムにおいて温度を焼入れ温
度にまで高めるような時間を示す曲線図である。
【図7】図7は点加熱源を示す正面図である。
【図8】図8は点加熱源を示す分解側面図である。
【図9】図9はロジツク及びその他の高電力チツプを焼
入れする時の本発明の点加熱源と関連して用いる熱溜め
を示す断面図である。
【符号の説明】
1……モジユール試験オーブン、2……オーブン扉、5
……グルーブ、8……リンク部材、10……トラツク部
材、15、16、17、18……ベアリングローラ、2
1……リフトプラツトホーム、22……接続ケーブル、
23……モジユールフレーム、65……チツプ、106
……ロボツト、112……熱溜め。

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】集積回路を試験しかつ保持基板に上記集積
    回路を付着する方法において、上記集積回路及び上記保
    持基板を一列に配列するステツプと、上記集積回路の温
    度を予定のレベルまで高めるステツプと、上記集積回路
    に電気的試験を実行するステツプと、上記集積回路を上
    記保持基板に付着するステツプとを具えることを特徴と
    するモジユール試験方法。
  2. 【請求項2】上記一列に配列するステツプは圧力を加え
    るステツプと、上記集積回路及び上記保持基板間を電気
    的に接続するステツプとを具えることを特徴とする請求
    項1に記載のモジユール試験方法。
  3. 【請求項3】温度を上記予定のレベル以上に高める上記
    ステツプは、上記集積回路及び上記保持基板を金属工学
    的に結合させるステツプを具えることを特徴とする請求
    項2に記載のモジユール試験方法。
  4. 【請求項4】上記金属工学的に結合させるステツプは上
    記集積回路及び上記保持基板間にはんだをリフローする
    ステツプを含むことを特徴とする請求項3に記載のモジ
    ユール試験方法。
  5. 【請求項5】さらに、上記はんだ上の酸化物の形成を低
    減するチツ素及び水素の混合ガスを供給するステツプを
    具えることを特徴とする請求項4に記載のモジユール試
    験方法。
  6. 【請求項6】集積回路を試験する方法において、上記集
    積回路の温度を予定のレベルに高めるステツプと、上記
    集積回路に電気的な試験を実行するステツプと、上記集
    積回路の温度を上記予定のレベルを超えるまで高めるス
    テツプとを具えることを特徴とするモジユール試験方法
  7. 【請求項7】複数の集積回路を試験するオーブンにおい
    て、少なくとも1つの上記集積回路を非永久的に付着す
    る保持基板を受ける手段と、上記オーブンの内部温度を
    変更する手段と、上記各集積回路が試験を合格したとき
    当該集積回路を上記保持基板に永久的に付着する手段と
    を具えることを特徴とするモジユール試験装置。
  8. 【請求項8】さらに、上記集積回路の電気的試験を実行
    する手段と、上記集積回路の熱的試験を実行する手段と
    を具えることを特徴とする請求項7に記載のモジユール
    試験装置。
  9. 【請求項9】上記温度を変更する手段は温度可変型点加
    熱源を具えることを特徴とする請求項8に記載のモジユ
    ール試験装置。
  10. 【請求項10】上記電気的試験を行う手段は、電気的信
    号を上記集積回路に与える試験回路手段と、上記試験回
    路手段を上記集積回路に電気的に接続する手段とを具え
    ることを特徴とする請求項9に記載のモジユール試験装
    置。
  11. 【請求項11】上記熱的試験を実行する手段は、上記集
    積回路を上記温度可変型点加熱源と一列に配列する手段
    と、上記集積回路を上記点加熱源に整合しかつ上記集積
    回路及び上記点加熱源間に圧力を加える手段と、上記点
    加熱源の温度を予定のレベルに高める手段とを具えるこ
    とを特徴とする請求項10に記載のモジユール試験装置
  12. 【請求項12】上記集積回路はそれぞれすぐ近くにはん
    だを有する複数の入力/出力点を具えることを特徴とす
    る請求項11に記載のモジユール試験装置。
  13. 【請求項13】上記永久的に付着する手段は上記点加熱
    源の温度を上記予定のレベルを超える温度に高め、これ
    により上記はんだをリフローして上記集積回路を上記保
    持基板に金属工学的に接続する手段を具えることを特徴
    とする請求項12に記載のモジユール試験装置。
  14. 【請求項14】上記点加熱源は、上記集積回路の温度を
    決定するセンサ手段と、上記検出された温度に従つて上
    記点加熱源の温度を変更するスイツチ手段と、上記点加
    熱源及び上記集積回路間の接触を維持するバイアス手段
    と、上記集積回路から熱エネルギーを放散する熱溜め手
    段とを具えることを特徴とする請求項13に記載のモジ
    ユール試験装置。
  15. 【請求項15】上記点加熱源は熱電気冷却器を具えるこ
    とを特徴とする請求項14に記載のモジユール試験装置
  16. 【請求項16】上記熱溜め手段は流体を循環する手段を
    具えることを特徴とする請求項14に記載のモジユール
    試験装置。
  17. 【請求項17】上記オーブンはさらに、上記保持基板を
    上記オーブンに自動的に挿入する手段と、上記保持基板
    を上記オーブンから自動的に回収する手段と、上記自動
    挿入手段及び上記自動回収手段を上記オーブンに移動で
    きるように結合する係合手段とを具えることを特徴とす
    る請求項7に記載のモジユール試験方法。
  18. 【請求項18】複数の上記オーブンを具えることを特徴
    とする請求項17に記載のモジユール試験方法。
  19. 【請求項19】上記保持基板を上記オーブンから自動的
    に回収する手段と、上記保持基板から上記試験に不合格
    の上記集積回路を取り除く手段と、上記不合格の集積回
    路を捨てる手段と、上記不合格の集積回路を試験すべき
    新しい集積回路に置き換える手段とを具えることを特徴
    とする請求項18に記載のモジユール試験装置。
  20. 【請求項20】上記保持基板は電子装置の製造に使用さ
    れることを特徴とする請求項19に記載のモジユール試
    験装置。
  21. 【請求項21】上記集積回路を試験する方法は、上記保
    持基板を上記オーブンに自動的に挿入するステツプと、
    上記保持基板を上記オーブンから自動的に回収するステ
    ツプと、上記自動挿入手段及び上記自動回収手段を上記
    オーブンに取り除くことができるように結合するステツ
    プとを具えることを特徴とする請求項1に記載のモジユ
    ール試験方法。
  22. 【請求項22】上記試験方法は、さらに、複数の上記オ
    ーブンを供給するステツプを具えることを特徴とする請
    求項21に記載のモジユール試験方法。
  23. 【請求項23】上記保持基板を上記オーブンから自動的
    に回収するステツプは、上記保持基板から上記試験に不
    合格の上記集積回路を取り除くステツプと、上記不合格
    の集積回路を捨てるステツプと、上記不合格の集積回路
    の代わりに試験すべき新しい集積回路に置き換えるステ
    ツプとを具えることを特徴とする請求項22に記載のモ
    ジユール試験方法。
  24. 【請求項24】上記試験方法はさらに上記保持基板を電
    子装置の製造に使用することを特徴とする請求項23に
    記載のモジユール試験方法。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5086269A (en) * 1991-03-08 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Burn-in process and apparatus
US5601364A (en) * 1994-06-14 1997-02-11 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for measuring thermal warpage
WO1997009740A1 (de) 1995-09-08 1997-03-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zum testen eines chips
WO1997015837A2 (en) * 1995-10-23 1997-05-01 Aetrium Incorporated Flexibly suspended heat exchange head for a dut
US5851845A (en) * 1995-12-18 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Process for packaging a semiconductor die using dicing and testing
JP3330037B2 (ja) * 1996-11-29 2002-09-30 富士通株式会社 チップ部品の接合方法および装置
WO1999018447A1 (en) * 1997-10-07 1999-04-15 Reliability Incorporated Burn-in board with adaptable heat sink device
US6043670A (en) * 1997-12-16 2000-03-28 Lucent Technologies Inc. Method for testing integrated circuits
US6054676A (en) * 1998-02-09 2000-04-25 Kryotech, Inc. Method and apparatus for cooling an integrated circuit device
AU5283399A (en) 1998-07-15 2000-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method for transferring solder to a device and/or testing the device
US6218202B1 (en) * 1998-10-06 2001-04-17 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device testing and burn-in methodology
US6429030B1 (en) 1999-02-08 2002-08-06 Motorola, Inc. Method for testing a semiconductor die using wells
US6144013A (en) * 1999-07-01 2000-11-07 International Business Machines Corporation Local humidity control system for low temperature electronic module
US6307388B1 (en) * 2000-02-23 2001-10-23 Unisys Corporation Electromechanical apparatus for testing IC chips using first and second sets of substrates which are pressed together
US6728653B1 (en) * 2000-03-21 2004-04-27 Unisys Corporation Method for testing multi-chip packages
US7132841B1 (en) * 2000-06-06 2006-11-07 International Business Machines Corporation Carrier for test, burn-in, and first level packaging
US6477047B1 (en) * 2000-11-30 2002-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature sensor mounting for accurate measurement and durability
US7004243B1 (en) * 2003-07-22 2006-02-28 Unisys Corporation Method of extending the operational period of a heat-exchanger in a chip tester
JP4426396B2 (ja) * 2004-07-30 2010-03-03 エスペック株式会社 冷却装置
JP4512815B2 (ja) * 2004-07-30 2010-07-28 エスペック株式会社 バーンイン装置
US7605581B2 (en) * 2005-06-16 2009-10-20 Delta Design, Inc. Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly
JP2007019094A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体試験装置
JP2007171107A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Fujitsu Ltd 炉内の温度測定方法
US8280982B2 (en) 2006-05-24 2012-10-02 Time Warner Cable Inc. Personal content server apparatus and methods
US9386327B2 (en) 2006-05-24 2016-07-05 Time Warner Cable Enterprises Llc Secondary content insertion apparatus and methods
US8024762B2 (en) 2006-06-13 2011-09-20 Time Warner Cable Inc. Methods and apparatus for providing virtual content over a network
US8181206B2 (en) 2007-02-28 2012-05-15 Time Warner Cable Inc. Personal content server apparatus and methods
US9503691B2 (en) 2008-02-19 2016-11-22 Time Warner Cable Enterprises Llc Methods and apparatus for enhanced advertising and promotional delivery in a network
US20140282786A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Time Warner Cable Enterprises Llc Methods and apparatus for providing and uploading content to personalized network storage
US10535538B2 (en) 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
US11011355B2 (en) * 2017-05-12 2021-05-18 Lam Research Corporation Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
WO2020139208A1 (en) * 2018-12-25 2020-07-02 Ozyegin Universitesi A preferred system for measuring junction temperature of photonics devices

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2332368A (en) * 1940-08-02 1943-10-19 Gibson Electric Refrigerator Process of soldering
BE757111A (fr) * 1969-10-07 1971-03-16 Western Electric Co Procede pour manipuler des dispositifs a micropoutres a un poste d'essai
US4374317A (en) * 1979-07-05 1983-02-15 Reliability, Inc. Burn-in chamber
US4379259A (en) * 1980-03-12 1983-04-05 National Semiconductor Corporation Process of performing burn-in and parallel functional testing of integrated circuit memories in an environmental chamber
US4775776A (en) * 1983-02-28 1988-10-04 Electrovert Limited Multi stage heater
US4833301B1 (en) * 1984-01-18 2000-04-04 Vitronics Corp Multi-zone thermal process system utilizing non-focused infrared panel emitters
CA1227886A (en) * 1984-01-26 1987-10-06 Haruhiko Yamamoto Liquid-cooling module system for electronic circuit components
JPS60160149A (ja) * 1984-01-26 1985-08-21 Fujitsu Ltd 集積回路装置の冷却方式
US4801561A (en) * 1984-07-05 1989-01-31 National Semiconductor Corporation Method for making a pre-testable semiconductor die package
US4561040A (en) * 1984-07-12 1985-12-24 Ibm Corporation Cooling system for VLSI circuit chips
JPS6186069A (ja) * 1984-10-02 1986-05-01 Tamura Seisakusho Co Ltd 自動はんだ付けシステムの制御装置
GB8425299D0 (en) * 1984-10-06 1984-11-14 Young D N Heating oven
US4633175A (en) * 1984-11-23 1986-12-30 Avx Corporation Testing method and apparatus for electronic components
DE3686990T2 (de) * 1985-08-23 1993-04-22 Nec Corp Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung wobei ein filmtraegerband angewendet wird.
EP0238598B1 (en) * 1985-09-23 1992-01-02 Sharetree Systems Limited An oven for the burn-in of integrated circuits
JPS62150728A (ja) * 1985-12-25 1987-07-04 Hitachi Ltd テ−プキヤリアおよびそれを用いた半導体装置
US4937203A (en) * 1986-09-26 1990-06-26 General Electric Company Method and configuration for testing electronic circuits and integrated circuit chips using a removable overlay layer
US4811081A (en) * 1987-03-23 1989-03-07 Motorola, Inc. Semiconductor die bonding with conductive adhesive
FR2614134B1 (fr) * 1987-04-17 1990-01-26 Cimsa Sintra Procede de connexion d'un composant electronique pour son test et son montage, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede
US4918385A (en) * 1987-05-18 1990-04-17 Hewlett-Packard Company Method and process for testing the reliability of integrated circuit (IC) chips and novel IC circuitry for accomplishing same
US4855672A (en) * 1987-05-18 1989-08-08 Shreeve Robert W Method and process for testing the reliability of integrated circuit (IC) chips and novel IC circuitry for accomplishing same
JP2501334B2 (ja) * 1987-06-19 1996-05-29 松下電工株式会社 リフロ−炉
JPS6471571A (en) * 1987-09-11 1989-03-16 Senju Metal Industry Co Reflow furnace
US5008614A (en) * 1988-10-11 1991-04-16 Hewlett-Packard Company TAB frame and process of testing same
US4981817A (en) * 1988-12-29 1991-01-01 International Business Machines Corporation Tab method for implementing dynamic chip burn-in
US4975637A (en) * 1989-12-29 1990-12-04 International Business Machines Corporation Method and apparatus for integrated circuit device testing
US5007163A (en) * 1990-04-18 1991-04-16 International Business Machines Corporation Non-destructure method of performing electrical burn-in testing of semiconductor chips
US5139193A (en) * 1990-06-04 1992-08-18 Toddco General, Inc. Fluxless resoldering system and fluxless soldering process

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