JPH04268427A - 分布型触覚センサ - Google Patents

分布型触覚センサ

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JPH04268427A
JPH04268427A JP2876691A JP2876691A JPH04268427A JP H04268427 A JPH04268427 A JP H04268427A JP 2876691 A JP2876691 A JP 2876691A JP 2876691 A JP2876691 A JP 2876691A JP H04268427 A JPH04268427 A JP H04268427A
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signal processing
sensor
tactile
tactile sensor
chip
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Tomonori Katano
智紀 片野
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Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、分布型触覚センサに関
し、詳しくは、ロボットハンド等に取り付けられて、物
体を把持するときにハンドに加えられる力の分布を検出
することができる分布型触覚センサに関する。
【0002】
【背景の技術】分布型触覚センサは、主にロボットハン
ドなどにおいて、把持力の大きさや面圧分布等の情報を
得る目的で開発が進められており、センサ表面に垂直な
力のみならず、水平な力の分布をも検出できる分布型触
覚センサとして、本出願人による図5に示すようなもの
が特開平2−75924号公報に開示されている。同図
の触覚センサは、シリコンウェハを3次元的に加工して
形成されるもので、同図はそのシリコンウェハを裏面か
ら見た面であり、本例ではセンサが2×2のアレイとし
て構成されている。
【0003】ここで、触覚センサ10はシリコンウェハ
から切り出して形成され、図の左半分が検出部10A、
右半分が信号処理部10Bである。このように触覚セン
サ10の裏面の検出部10A側には斜線を施して示した
部分に4本のY方向の深溝部11およびX方向の深溝部
12がダイヤモンド砥石等により加工されている。さら
にまた、これらの深溝部11および12に沿って交叉線
を施して示した位置に8個の長方形貫通孔13が放電加
工またはレーザ加工により形成される。また、図5で点
々を付して示した部分は、浅溝部14であり、浅溝部1
4はXおよびY方向に深溝部12および11を形成した
後、図示の部分の深溝加工に用いたダイサの砥石よりも
やや厚い砥石で、X方向およびY方向に走査することに
より加工できる。
【0004】このような加工を分布型触覚センサ10の
裏面側に施すことによって検出部10Aに4個の突起部
15を備えた梁が形成される。
【0005】図6は図5のP−P矢視断面を示したもの
であり、図6から分かるように深溝部11,浅溝部14
,および突起部15によって長方形貫通孔13により隔
絶されたX方向の梁20が形成される。また、図7は図
5のQ−Q矢視断面を示したものであり、図7において
深溝部12,浅溝部14,および突起部15によって長
方形貫通孔13により隔絶されたY方向の梁21が形成
される。
【0006】図8は分布型触覚センサ10をシリコンウ
ェハの表面側から見た図である。図8において、8個の
長方形貫通孔13により二つのX方向の梁20,20と
二つのY方向の梁21,21が形成されていることが分
かる。しかして、これらのX方向の梁20およびY方向
の梁21にこの図に示すように合計16個のストレンゲ
ージ22が配設されている。なお、図の右方は信号処理
のためのIC回路が形成されている信号処理部10B、
また、25ははんだバンプである。
【0007】そこで次に、このようにして構成されたX
方向の梁20およびY方向の梁21において、その突起
部15に力が加えられた時の荷重を検出する原理を図9
〜図12に従って説明する。
【0008】いま、図9に示すように、両端がA,Dで
固定され、その中心部に突起部30を有する梁31のそ
の突起部30に、垂直方向の力FV を加えたとすると
、梁31の下面に図10に示すような分布の歪が発生す
る。
【0009】また図11に示すように、同じ梁31に水
平方向の力FH を加えると、梁31の下面に図12に
示すような分布の歪が発生する。なお、これらの図10
および図12において、+記号は引張歪、−記号は圧縮
歪を表わしている。
【0010】そこで、図9の点A〜Dでの歪を図10お
よび図12でみてみると、いずれの点においても大きな
歪を発生し、垂直方向の力に対しては図10に示すよう
にA点およびD点で−α[μstrain]、またB点
およびC点β[μstrain]となる。すなわち梁の
対称性を考慮すれば、A,DおよびB,C点での歪は等
しい。
【0011】また、図11のように水平方向の力FH 
が加わった時に発生する歪は、図12に示すようにB点
およびD点で−γ[μstrain]、A点およびC点
でδ[μstrain]となり、垂直方向の力と水平方
向の力とが同時に加わった時のA〜D点の歪は以下のよ
うになる。
【0012】A点  −α+δ B点  β−γ C点  β+δ D点  −α−γ よって、ストレンゲージを形成したA〜D点の各点での
歪を測定し、次の数1および数2に従って計算すれば垂
直方向の分力と水平方向の分力とを同時に検出すること
ができる。
【0013】
【数1】 (A点の歪−B点の歪)+(D点の歪−C点の歪)={
(−α+δ)−(β−γ)}+{(−α−γ)−(β+
δ)}=−2(α+β)
【0014】
【数2】 (A点の歪−B点の歪)−(D点の歪−C点の歪)={
(−α+δ)−(β−γ)}−{(−α−γ)−(β+
δ)}=2(γ+δ) すなわち数1により垂直方向の分力を同定し、数2によ
り水平方向の分力を同定することができる。
【0015】なおこれらの数式中の項(A点の歪−B点
の歪)はA点に形成したストレンゲージとB点に形成し
たストレンゲージとでハーフブリッジを形成して検出す
ることができ、一方の項(D点の歪−C点の歪)は、D
点に形成したストレンゲージとC点に形成したストレン
ゲージとでハーフブリッジを形成して検出することがで
きる。すなわち、図13に示すようにA点のストレンゲ
ージ42とB点のストレンゲージ41とにより第1のハ
ーフブリッジを、またD点のストレンゲージ44とC点
のストレンゲージ43とにより第2のハーフブリッジを
形成し、それぞれのハーフブリッジからの出力の和を加
算増幅器45により計算すれば垂直方向分力信号46が
得られ、また、それぞれのハーフブリッジからの出力の
差を差動増幅器47により計算すれば、水平方向分力信
号48が得られる。
【0016】そこで再び図8に戻り、分布型触覚センサ
10の表面に形成したストレンゲージ22(図14にそ
の配置の詳細を示す。ここで、22A,22B,22C
および22Dは図13の42,41,43および44に
対応するものである。)間にハーフブリッジを構成し、
信号処理部10Bに図13のような信号処理回路を配設
することによって、X方向の梁20に設けたストレンゲ
ージ22群により分布型触覚センサ10の表面側に発生
する垂直方向の分力FZ と、水平方向でかつX方向の
分力FX とを検出することができる。また同様にして
Y方向の梁21に設けたストレンゲージ22群により、
分布型触覚センサ10の表面側に発生する垂直方向の分
力FZ と、水平方向でかつY方向の分力FY とを検
出することができ、触覚センサ10全体として、その表
面に加えられた荷重の分布を分力FX ,FY および
FZ に分解して検出することができる。
【0017】ところで、これまでの背景技術の説明では
、センサ素子が4個形成される場合について述べてきた
が、センサ素子の数は4個に限られるものではなく、ニ
ーズに応じて任意の数のセンサ素子で同様にして分布型
触覚センサを形成できることはいうまでもない。例えば
図15および図16では素子の数が9個の例を示し、図
15はそのシリコンウェハの裏面側からセンサを見た図
、図16はその表面側からセンサを見た図である。なお
、これらの図において、20はX方向のセンサ素子梁、
21はY方向のセンサ素子梁であり、17はこれらの素
子梁20,21の両端部をそれぞれ支持している梁部(
以下で支持梁という)である。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上に述べ
てきた触覚センサ10では、不感領域が大きいという問
題がある。以下にこの点について詳しく説明する。
【0019】すなわち、上述の触覚センサ10は、かか
るセンサ10が格子状に配置された形で使用されること
によって検出面積の拡大を図ることが可能であり、図1
7では図15,図16に示した形態の触覚センサ10を
4つ、配置した例を示す。ここで、4つの触覚センサ1
0は、信号取り出しのための基板5に図18に示すよう
にしてはんだバンプ25を介してはんだ接合されており
、更に基板5には配線用フレキシブルプリント基板6が
接続されている。しかしながら、このように分布配置さ
れた触覚センサでは二重ハッチングで示したようにセン
サ素子が分布されている触覚部26と、センサ素子が分
布されないその他の非触覚領域30とが存在することに
なり、かかる触覚センサの場合、このような非触覚領域
30の面積が大きいため、図17に示すように大きな不
感領域Dが触覚部26の間に介在してしまう。かかる不
感領域Dは正確な触覚情報検出の妨げとなるものであり
、でき得る限り小さいことが望ましいのはいうまでもな
い。
【0020】なお、従来の触覚センサにおいて上述した
ように非触覚領域の面積が大きくなる原因は次の点にあ
る。
【0021】(1)1つのチップ内で信号処理が行われ
るようにするために図16に示すように信号処理部10
Bで信号処理回路24が大きい面積を占める。
【0022】(2)センサ素子の出力信号をパラレルに
信号処理回路部24に入力させるようにするために、横
枠部27にその信号配線28を配設する必要があり、横
枠部27の面積が大きくなる。
【0023】従って従来の触覚センサでは、その構造上
大きな不感領域の発生は避けれなかった。
【0024】本発明の目的は、上述したような従来の問
題の解決を図り、不感領域が発生するのを極力抑制する
ことができ、それに応じて十分な触覚領域が確保される
ことから正確な触覚情報が得られる分布型触覚センサを
提供することにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】かかる問題を解決するた
めに、本発明は、互いに直交するX方向およびY方向に
それぞれ並列させて穿設した複数組の対をなす貫通長孔
と、該対をなす貫通長孔間に形成され、その一方の面の
スパン中央部に荷重を受ける突起部を有し、前記スパン
の両端部にこれを支持する支持梁が形成され、センサ素
子としてそれぞれ機能する前記X方向およびY方向の梁
部と、該梁部の他方の面にそれぞれ配設され、前記突起
部に加えられた荷重を検出するための半導体ストレンゲ
ージとを具えたセンサ素子形成チップを、前記半導体ス
トレンゲージを介して得られる信号を処理する信号処理
回路が配設された信号処理用チップ上にはんだ接合等に
より接合したことを特徴とするものである。
【0026】
【作用】本発明によれば、センサ素子形成チップと、セ
ンサ素子の梁部に設けられた半導体ストレンゲージから
の信号を処理する信号処理回路が配設された信号処理用
チップとを重ね合わせた状態で、はんだ接合等により接
合するようにしたので、従来不感領域の主たる原因とな
っていた信号処理回路を信号処理用チップに分離するこ
とができ、この面積が平面的に削減できるため、触覚領
域の占める割合を高めることができる。
【0027】さらにまた、突起部を有する梁部を支持す
る支持梁に、それぞれはんだバンプを配置し、ストレン
ゲージに接続される電源供給用の配線および出力信号線
がはんだバンプを介して信号処理用チップに設けた信号
処理回路に接続されるので、従来のように横枠部に信号
配線を設ける必要がなくなり、横枠部の面積をも小さく
することができて一層に不感領域の削減を図ることがで
きる。
【0028】
【実施例】以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳
細、かつ、具体的に説明する。
【0029】図1および図2は本発明の一実施例を示す
。本例は、1つの信号処理用チップ1上に4枚のセンサ
素子形成チップ2を格子状に配列させて取付けたもので
ある。なおこれらの図に示される各センサ素子形成チッ
プ2上には、それぞれ、図3に示すようにセンサ素子梁
20および21とこれらの梁の表面側に配設された複数
の半導体ストレンゲージ22とからなるセンサ素子8が
9個ずつ格子状に形成されている。また、センサ素子梁
20や21の両端部を支持する支持梁17上には、半導
体ストレンゲージ22間に形成される回路への電源供給
用のはんだバンプ3A、接地用のはんだバンプ3Bおよ
び回路からの出力信号取出し用はんだバンプ3Cがそれ
ぞれ設けられている。
【0030】図4は信号処理用チップ1をそのシリコン
ウェハの表面側、すなわち、センサ素子形成チップ2が
接合される側から見たもので、ここで、4はその面上の
図3に示したはんだバンプ3A,3B,3C等に対応す
る位置に設けた電極であり、また、信号処理用チップ1
上に配置されるセンサ素子形成チップ2の位置が破線で
示されている。そこで、これらの位置に各センサ素子形
成チップ2を重ね合わせるようにして配置した上、各は
んだバンプ3A,3B,3Cとそれぞれに対応する各電
極4とをはんだ接合することによって、図1および図2
に示したようにコンパクトに縮められ、不感領域の少な
い分布型触覚センサユニット100を得ることができる
【0031】なお、図1および図2において、5はセン
サユニット100の補強用に設けられた固定基板であり
、信号処理用チップ1に接着材または静電接合等の方法
を用いて、接合されるものである。また、6はセンサユ
ニット100に電気的に接続されるフレキシブルプリン
ト基板であり、その接続のために、信号処理用チップ1
上には図4に示すように電極7が設けられている。
【0032】このように構成した触覚センサユニット1
00においては、先に図17の例で説明したような不感
領域Dを消滅させることができ、また、各センサ素子8
に対する電源供給、信号取出しのための信号処理部への
信号配線をチップ2の周囲部に設ける必要がないために
、従来例に比して非触覚領域のチップ2上に占める割合
を著しく削減することができる。
【0033】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、センサ素子としてそれぞれ機能する前記X方向およ
びY方向の梁部と、該梁部の他方の面にそれぞれ配設さ
れ、前記突起部に加えられた荷重を検出するための半導
体ストレンゲージとを具えたセンサ素子形成チップを、
前記半導体ストレンゲージを介して得られる信号を処理
する信号処理回路が配設された信号処理用チップ上には
んだ接合等により接合したので、従来、不感領域の主た
る原因となっていた信号処理部や信号処理部への信号配
線のために占められていた面積が削減されることにより
触覚領域の分布を密にすることができ、感度のよい正確
な触覚情報が得られる分布型触覚センサを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による分布型触覚センサの構成の一例を
示す平面図である。
【図2】図1の断面図である。
【図3】本発明によるセンサ素子形成チップの表面図で
ある。
【図4】本発明による信号処理用チップの上面図である
【図5】背景技術による分布型触覚センサの一例をウェ
ハ裏面側から見て示す平面図である。
【図6】図5のP−P線断面図である。
【図7】図5のQ−Q線断面図である。
【図8】図5に示す形態の分布型触覚センサをウェハ表
面側から見て示す平面図である。
【図9】両端固定梁にかかる垂直方向の力と発生する歪
との関係を示す図である。
【図10】両端固定梁にかかる垂直方向の力と発生する
歪との関係を示す図である。
【図11】両端固定梁にかかる水平方向の力と発生する
歪との関係を示す図である。
【図12】両端固定梁にかかる水平方向の力と発生する
歪との関係を示す図である。
【図13】センサ素子の信号処理回路の構成図である。
【図14】センサ素子におけるストレンゲージの配置図
である。
【図15】背景技術による分布型触覚センサのウェハ表
面側から見て示す形状の説明図である。
【図16】図15に示すウェハを反対側から見て示す平
面図である。
【図17】背景技術による分布型触覚センサユニットの
平面図である。
【図18】図17の断面図である。
【符号の説明】
1  信号処理用チップ 2  センサ素子形成チップ 3A,3B,3C  はんだバンプ 4,7  電極 6  フレキシブルプリント基板 8  センサ素子 17  支持梁 20,21  センサ素子梁 22  半導体ストレンゲージ 100  分布型触覚センサユニット

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  互いに直交するX方向およびY方向に
    それぞれ並列させて穿設した複数組の対をなす貫通長孔
    と、該対をなす貫通長孔間に形成され、その一方の面の
    スパン中央部に荷重を受ける突起部を有し、前記スパン
    の両端部にこれを支持する支持梁が形成され、センサ素
    子としてそれぞれ機能する前記X方向およびY方向の梁
    部と、該梁部の他方の面にそれぞれ配設され、前記突起
    部に加えられた荷重を検出するための半導体ストレンゲ
    ージとを具えたセンサ素子形成チップを、前記半導体ス
    トレンゲージを介して得られる信号を処理する信号処理
    回路が配設された信号処理用チップ上にはんだ接合等に
    より接合したことを特徴とする分布型触覚センサ。
  2. 【請求項2】  前記支持梁はそれぞれに前記はんだ接
    合用のはんだバンプを有し、前記半導体ストレンゲージ
    への電源供給および該半導体ストレンゲージからの信号
    出力が前記はんだバンプを介して前記信号処理用チップ
    の信号処理回路により行われることを特徴とする請求項
    1に記載の分布型触覚センサ。
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