JPH04263224A - 集積形光マッハ−ツェンダー干渉計 - Google Patents
集積形光マッハ−ツェンダー干渉計Info
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- JPH04263224A JPH04263224A JP3273257A JP27325791A JPH04263224A JP H04263224 A JPH04263224 A JP H04263224A JP 3273257 A JP3273257 A JP 3273257A JP 27325791 A JP27325791 A JP 27325791A JP H04263224 A JPH04263224 A JP H04263224A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3136—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of interferometric switch type
-
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/101—Ga×As and alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、制御可能な集積形光マ
ッハ−ツェンダー干渉計に関する。
ッハ−ツェンダー干渉計に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料から成る基板上に集積され、
この基板のドーピングされないかまたはｎドーピングさ
れた導波膜によって規定された２つの所定幅の条帯状導
波路から構成され、これらの条帯状導波路は、２つに分
割された結合部分では、この結合部分において一方の条
帯状導波路の導波膜内を案内された光波が他方の条帯状
導波路の導波膜内へ過結合し得るように微小間隔にて互
いに延在し、かつ両結合部分間に位置する移相器領域で
は条帯状導波路間での光波の過結合を排除する大きな間
隔にて互いに延在し、移相器部分においては少なくとも
１つの条帯状導波路は導波膜上に配設された所定幅の半
導体材料製リブを有し、移相器部分の内部におけるリブ
の領域では導波膜の上側または下側に接触部を介して電
気的に制御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合が集積され、そ
の際接合はｐドーピングされた材料からｎドーピングさ
れるかまたはドーピングされない材料に向かって導波膜
から所定間隔にて配置され、ｐドーピングされた材料は
この接合の導波膜とは反対側に設けられ、電気的に制御
可能なｐｎまたはｐｉｎ接合を有する条帯状導波路部分
（第１領域内）は電気的に制御可能な条帯状導波路であ
り、電気的に制御可能な条帯状導波路の外に存在する各
条帯状導波路部分（第２領域内）または条帯状導波路は
受動条帯状導波路を形成する制御可能な集積形光マッハ
−ツェンダー干渉計はドイツ連邦共和国特許出願公開第
３９２９１３１号（特開平３−９８０１６）において提
案されている。
この基板のドーピングされないかまたはｎドーピングさ
れた導波膜によって規定された２つの所定幅の条帯状導
波路から構成され、これらの条帯状導波路は、２つに分
割された結合部分では、この結合部分において一方の条
帯状導波路の導波膜内を案内された光波が他方の条帯状
導波路の導波膜内へ過結合し得るように微小間隔にて互
いに延在し、かつ両結合部分間に位置する移相器領域で
は条帯状導波路間での光波の過結合を排除する大きな間
隔にて互いに延在し、移相器部分においては少なくとも
１つの条帯状導波路は導波膜上に配設された所定幅の半
導体材料製リブを有し、移相器部分の内部におけるリブ
の領域では導波膜の上側または下側に接触部を介して電
気的に制御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合が集積され、そ
の際接合はｐドーピングされた材料からｎドーピングさ
れるかまたはドーピングされない材料に向かって導波膜
から所定間隔にて配置され、ｐドーピングされた材料は
この接合の導波膜とは反対側に設けられ、電気的に制御
可能なｐｎまたはｐｉｎ接合を有する条帯状導波路部分
（第１領域内）は電気的に制御可能な条帯状導波路であ
り、電気的に制御可能な条帯状導波路の外に存在する各
条帯状導波路部分（第２領域内）または条帯状導波路は
受動条帯状導波路を形成する制御可能な集積形光マッハ
−ツェンダー干渉計はドイツ連邦共和国特許出願公開第
３９２９１３１号（特開平３−９８０１６）において提
案されている。
【０００３】既提案のマッハ−ツェンダー干渉計におい
ては、ｐｎまたはｐｉｎ接合はリブ形導波路として形成
された両条帯状導波路の全長に亘って延在している。こ
の条帯状導波路は従って標準的な導波路構造を有してお
り、その場合結合部分におけるｐｎまたはｐｉｎ接合が
電気的接触部を介して電気的に制御可能である。
ては、ｐｎまたはｐｉｎ接合はリブ形導波路として形成
された両条帯状導波路の全長に亘って延在している。こ
の条帯状導波路は従って標準的な導波路構造を有してお
り、その場合結合部分におけるｐｎまたはｐｉｎ接合が
電気的接触部を介して電気的に制御可能である。
【０００４】このマッハ−ツェンダー干渉計は、光入力
信号が電気的制御信号に応じてスイッチの一方の出力端
または他方の出力端に供給される光スイッチとして駆動
され得る。
信号が電気的制御信号に応じてスイッチの一方の出力端
または他方の出力端に供給される光スイッチとして駆動
され得る。
【０００５】既提案のマッハ−ツェンダー干渉計におい
ては、これらの構成要素の機能は一般に入力信号の偏光
に左右される。即ち幾何学形状が定められている場合、
ＴＥ偏光された入力信号はＴＭ偏光された入力信号とは
異なり複数の出力端に分配されるという欠点を有する。
ては、これらの構成要素の機能は一般に入力信号の偏光
に左右される。即ち幾何学形状が定められている場合、
ＴＥ偏光された入力信号はＴＭ偏光された入力信号とは
異なり複数の出力端に分配されるという欠点を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この方向性
結合器の機能が偏光に殆ど左右されず、従ってこのよう
な方向性結合器を用いて実現された光スイッチの機能が
偏光に殆ど左右されないように、冒頭で述べた種類のマ
ッハ−ツェンダー干渉計を改善することを課題とする。
結合器の機能が偏光に殆ど左右されず、従ってこのよう
な方向性結合器を用いて実現された光スイッチの機能が
偏光に殆ど左右されないように、冒頭で述べた種類のマ
ッハ−ツェンダー干渉計を改善することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、受動条帯状導波路がｐｎまたはｐｉｎ接
合のない条帯状導波路構造を有することを特徴とする。
に、本発明は、受動条帯状導波路がｐｎまたはｐｉｎ接
合のない条帯状導波路構造を有することを特徴とする。
【０００８】本発明によるマッハ−ツェンダー干渉計の
特に有利な実施態様は請求項２以降に記載されている。 特に、受動条帯状導波路の条帯状導波路構造はドイツ連
邦共和国特許出願公開第４０１４２３４号明細書に記載
されたレーザダイオードとの集積化に適するという利点
を有する。受動条帯状導波路の条帯状導波路構造は、電
気的に制御可能な条帯状導波路の条帯状導波路構造から
上膜の省略またはエッチング除去によって、このレーザ
ダイオード上に簡単に製作され得る。
特に有利な実施態様は請求項２以降に記載されている。 特に、受動条帯状導波路の条帯状導波路構造はドイツ連
邦共和国特許出願公開第４０１４２３４号明細書に記載
されたレーザダイオードとの集積化に適するという利点
を有する。受動条帯状導波路の条帯状導波路構造は、電
気的に制御可能な条帯状導波路の条帯状導波路構造から
上膜の省略またはエッチング除去によって、このレーザ
ダイオード上に簡単に製作され得る。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図１に示されたマッハ−ツェンダー干渉計
において、基板Ｓ上に集積された幅ｂの条帯状導波路Ｗ
Ｌ１、ＷＬ２は、移相器部分Ｐｈでは、この移相器部分
Ｐｈにおいては一方の条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２
の導波膜内を案内された光波が他方の条帯状導波路ＷＬ
２またはＷＬ１の導波膜内へ過結合しないような大きさ
の間隔ｄ１で互いに配置されている。。
において、基板Ｓ上に集積された幅ｂの条帯状導波路Ｗ
Ｌ１、ＷＬ２は、移相器部分Ｐｈでは、この移相器部分
Ｐｈにおいては一方の条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２
の導波膜内を案内された光波が他方の条帯状導波路ＷＬ
２またはＷＬ１の導波膜内へ過結合しないような大きさ
の間隔ｄ１で互いに配置されている。。
【００１１】条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２の電気的
に制御可能な条帯状導波路を形成する条帯状導波路部分
は移相器部分Ｐｈ内に形成され、例えば領域Ｂ１に亘っ
て延在している。領域Ｂ１の外部つまり領域Ｂ１の左右
の領域Ｂ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２は
受動条帯状導波路である。
に制御可能な条帯状導波路を形成する条帯状導波路部分
は移相器部分Ｐｈ内に形成され、例えば領域Ｂ１に亘っ
て延在している。領域Ｂ１の外部つまり領域Ｂ１の左右
の領域Ｂ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２は
受動条帯状導波路である。
【００１２】移相器部分Ｐｈの左右に存在する２つの結
合部分Ｋ１、Ｋ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、Ｗ
Ｌ２は、案内された光波が条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２
間のこの結合部分Ｋ１、Ｋ２において過結合しかつ互い
に重畳され得るような微小間隔ｄにて互いに案内される
。
合部分Ｋ１、Ｋ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、Ｗ
Ｌ２は、案内された光波が条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２
間のこの結合部分Ｋ１、Ｋ２において過結合しかつ互い
に重畳され得るような微小間隔ｄにて互いに案内される
。
【００１３】制御可能な条帯状導波路の条帯状導波路構
造は図２に断面が示されている。この構造によれば、基
板Ｓ上には導波膜ｗＳが設けられている。導波膜ｗＳ上
には厚さＤの間隔膜ＡＳが設けられ、さらにこの間隔膜
ＡＳ上にはリブＲが設けられている。リブＲの幅ｂは条
帯状導波路の幅を規定する。
造は図２に断面が示されている。この構造によれば、基
板Ｓ上には導波膜ｗＳが設けられている。導波膜ｗＳ上
には厚さＤの間隔膜ＡＳが設けられ、さらにこの間隔膜
ＡＳ上にはリブＲが設けられている。リブＲの幅ｂは条
帯状導波路の幅を規定する。
【００１４】基板Ｓはｎドーピングされた半導体材料か
ら構成されている。同様に導波膜ｗＳもｎドーピングさ
れた半導体材料から構成されている。なお、この導波膜
ｗＳの材料および／またはドーピングはその屈折率が基
板Ｓの屈折率よりも大きくなるように選定されている。
ら構成されている。同様に導波膜ｗＳもｎドーピングさ
れた半導体材料から構成されている。なお、この導波膜
ｗＳの材料および／またはドーピングはその屈折率が基
板Ｓの屈折率よりも大きくなるように選定されている。
【００１５】間隔膜ＡＳはｎドーピングされるかまたは
ドーピングされない半導体材料から構成され、この半導
体材料はその屈折率が導波膜ｗＳの屈折率よりも小さく
なるように選定されている。
ドーピングされない半導体材料から構成され、この半導
体材料はその屈折率が導波膜ｗＳの屈折率よりも小さく
なるように選定されている。
【００１６】リブＲはｐドーピングされた半導体材料か
ら構成されている。
ら構成されている。
【００１７】基板Ｓのｎドーピングされた材料と、導波
膜ｗＳのｎドーピングされた材料と、間隔膜ＡＳのドー
ピングされない材料と、リブＲのｐドーピングされた材
料とによって、ｐｎまたはｐｉｎ接合が形成される。接
合Ｕはｐドーピングされた材料からｎドーピングされる
かまたはドーピングされない材料に向かって導波膜ｗＳ
から間隔Ｄにて配設されている。
膜ｗＳのｎドーピングされた材料と、間隔膜ＡＳのドー
ピングされない材料と、リブＲのｐドーピングされた材
料とによって、ｐｎまたはｐｉｎ接合が形成される。接
合Ｕはｐドーピングされた材料からｎドーピングされる
かまたはドーピングされない材料に向かって導波膜ｗＳ
から間隔Ｄにて配設されている。
【００１８】リブＲの表面の下には高ｐドーピングされ
た接触膜Ｋｓが形成されており、この接触膜は金属接触
部ｐｋと電気的に結合されている。この接触部ｐｋに導
かれているリード線Ｌはこのリード線Ｌを間隔膜ＡＳと
リブＲとから分離する電気絶縁膜ＩＳ、例えば酸化膜上
を案内されている。
た接触膜Ｋｓが形成されており、この接触膜は金属接触
部ｐｋと電気的に結合されている。この接触部ｐｋに導
かれているリード線Ｌはこのリード線Ｌを間隔膜ＡＳと
リブＲとから分離する電気絶縁膜ＩＳ、例えば酸化膜上
を案内されている。
【００１９】接触部ｐｋの対向接触部は基板Ｓの下側に
設けられ、ｎｋが付されている。
設けられ、ｎｋが付されている。
【００２０】基板ＳとリブＲとは例えばＩｎＰから構成
され、一方、導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとはＩｎＧａＡｓ
Ｐから構成されている。その場合、間隔膜ＡＳの材料は
１．１μｍのギャップ波長を有し、導波膜ｗＳの材料は
１．２５μｍのギャップ波長を有し得る。
され、一方、導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとはＩｎＧａＡｓ
Ｐから構成されている。その場合、間隔膜ＡＳの材料は
１．１μｍのギャップ波長を有し、導波膜ｗＳの材料は
１．２５μｍのギャップ波長を有し得る。
【００２１】受動条帯状導波路のｐｎまたはｐｉｎ接合
のない条帯状導波路構造は種々に構成され得る。
のない条帯状導波路構造は種々に構成され得る。
【００２２】図３ａおよびｂに示された実施例において
は、この構造はｎドーピングされるかまたはドーピング
されない半導体材料から成る導波膜ｗＳの厚肉領域を形
成するリブＲ１によって規定されている。なお、リブＲ
１の幅ｂは受動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定
する。導波膜ｗＳは基板Ｓとは反対側の上面Ｏが空気ま
たは他の標準材料、例えば基板Ｓの材料に接する。
は、この構造はｎドーピングされるかまたはドーピング
されない半導体材料から成る導波膜ｗＳの厚肉領域を形
成するリブＲ１によって規定されている。なお、リブＲ
１の幅ｂは受動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定
する。導波膜ｗＳは基板Ｓとは反対側の上面Ｏが空気ま
たは他の標準材料、例えば基板Ｓの材料に接する。
【００２３】図３ｃの実施例においては、この構造は幅
ｂが受動条帯状導波路の幅を規定する条帯状導波膜ｗＳ
を有している。この条帯状導波膜ｗＳは基板Ｓの標準材
料によって取囲まれている。しかしながら、例えば条帯
状導波膜ｗＳが基板Ｓの表面上に形成され、標準材料か
ら成る被覆膜によって被覆されるかまたは被覆されない
ようにすることもできる。この場合、この条帯状導波膜
ｗＳと基板Ｓとに空気または標準材料が接する。
ｂが受動条帯状導波路の幅を規定する条帯状導波膜ｗＳ
を有している。この条帯状導波膜ｗＳは基板Ｓの標準材
料によって取囲まれている。しかしながら、例えば条帯
状導波膜ｗＳが基板Ｓの表面上に形成され、標準材料か
ら成る被覆膜によって被覆されるかまたは被覆されない
ようにすることもできる。この場合、この条帯状導波膜
ｗＳと基板Ｓとに空気または標準材料が接する。
【００２４】図３ｄの実施例においては、ｐｎまたはｐ
ｉｎ接合のない条帯状導波路構造は導波膜ｗＳ上に配設
された標準材料製の他の膜ａＳの厚肉領域を形成するリ
ブＲ２を規定される。なお、そのリブＲ２の幅ｂは受動
条帯状導波路の幅を決定する。他の膜ａＳは導波膜ｗＳ
とは反対側の上面ＯＷが空気または他の標準材料に接す
る。
ｉｎ接合のない条帯状導波路構造は導波膜ｗＳ上に配設
された標準材料製の他の膜ａＳの厚肉領域を形成するリ
ブＲ２を規定される。なお、そのリブＲ２の幅ｂは受動
条帯状導波路の幅を決定する。他の膜ａＳは導波膜ｗＳ
とは反対側の上面ＯＷが空気または他の標準材料に接す
る。
【００２５】本発明によるマッハ−ツェンダー干渉計は
、先ず導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとこの上に配置されたリ
ブＲとを備えた基板Ｓが従来技術によって製造されるよ
うに有利に製造され得る。領域Ｂ１ではリブＲが残留し
続ける。その領域では絶縁膜ＩＳと、接触部ｐｋと、リ
ード線Ｌとが同様に従来技術によって実現される。
、先ず導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとこの上に配置されたリ
ブＲとを備えた基板Ｓが従来技術によって製造されるよ
うに有利に製造され得る。領域Ｂ１ではリブＲが残留し
続ける。その領域では絶縁膜ＩＳと、接触部ｐｋと、リ
ード線Ｌとが同様に従来技術によって実現される。
【００２６】領域Ｂ２においては少なくともリブＲが例
えばエッチングによって除去される。２つの領域Ｂ２に
はリブＲが作成されない。即ちこのリブＲはこの領域Ｂ
２においては初めから省略することもできる。
えばエッチングによって除去される。２つの領域Ｂ２に
はリブＲが作成されない。即ちこのリブＲはこの領域Ｂ
２においては初めから省略することもできる。
【００２７】図３ａないしｃに示された条帯状導波路構
造を製作するために、領域Ｂ２においては間隔膜ＡＳが
例えばエッチングによって除去される。領域Ｂ２にはこ
の間隔膜ＡＳが作成されない、即ち初めから省略するこ
ともできる。
造を製作するために、領域Ｂ２においては間隔膜ＡＳが
例えばエッチングによって除去される。領域Ｂ２にはこ
の間隔膜ＡＳが作成されない、即ち初めから省略するこ
ともできる。
【００２８】導波膜ｗＳのリブＲ１はこの導波膜ｗＳの
薄いエッチングによってリブＲ１の領域の外に作成され
る。
薄いエッチングによってリブＲ１の領域の外に作成され
る。
【００２９】図３ｂの場合には、リブＲ１の作成後、被
覆膜ＤＳが導波膜ｗＳ上に例えばエピタキシーによって
設けられる。この被覆膜ＤＳは例えば基板と同じ材料か
ら構成し得る。
覆膜ＤＳが導波膜ｗＳ上に例えばエピタキシーによって
設けられる。この被覆膜ＤＳは例えば基板と同じ材料か
ら構成し得る。
【００３０】図３ｃの実施例においては、平面状導波膜
ｗＳが幅ｂの条帯になるまでエッチングされる。初めか
ら幅ｂの条帯状導波膜ｗＳだけが作成され、従ってこの
条帯の外の導波膜ｗＳは初めから省略することもできる
。製作された条帯状導波膜ｗＳは被覆膜によって被覆さ
れる。この被覆膜は例えば基板Ｓの材料から構成され、
エピタキシャル法により製作され得る。図３ｃにおいて
は、被覆膜と基板Ｓとは同一材料から構成され、被覆膜
と基板との境界はなくなっている。被覆膜は省くことも
でき、それゆえ条帯状導波膜ｗＳはその場合には基板Ｓ
の上で空気に接する。
ｗＳが幅ｂの条帯になるまでエッチングされる。初めか
ら幅ｂの条帯状導波膜ｗＳだけが作成され、従ってこの
条帯の外の導波膜ｗＳは初めから省略することもできる
。製作された条帯状導波膜ｗＳは被覆膜によって被覆さ
れる。この被覆膜は例えば基板Ｓの材料から構成され、
エピタキシャル法により製作され得る。図３ｃにおいて
は、被覆膜と基板Ｓとは同一材料から構成され、被覆膜
と基板との境界はなくなっている。被覆膜は省くことも
でき、それゆえ条帯状導波膜ｗＳはその場合には基板Ｓ
の上で空気に接する。
【００３１】図３ｄの実施例は、例えば、リブＲの領域
の外の間隔膜ＡＳが薄くエッチング形成され、この間隔
膜ＡＳが他の膜ａＳを形成するようにして製作される。
の外の間隔膜ＡＳが薄くエッチング形成され、この間隔
膜ＡＳが他の膜ａＳを形成するようにして製作される。
【図１】本発明によるマッハ−ツェンダー干渉計の一例
を示す平面図。
を示す平面図。
【図２】電気的に制御可能な条帯状導波路の結合部分に
おける図１のＩＩ−ＩＩ断面線に沿った断面図。
おける図１のＩＩ−ＩＩ断面線に沿った断面図。
【図３】本発明によるマッハ−ツェンダー干渉計の受動
条帯状導波路の図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面線に沿った断
面図で、ａないしｄはこの受動条帯状導波路の条帯状導
波路構造のそれぞれ異なった例を示す断面図。
条帯状導波路の図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面線に沿った断
面図で、ａないしｄはこの受動条帯状導波路の条帯状導
波路構造のそれぞれ異なった例を示す断面図。
Ｓ 基板
Ｋ 結合部分
Ｕ 接合
Ｏ 上面
ｗＳ 導波膜
ＯＷ 上面
ＷＬ１、ＷＬ２ 条帯状導波路
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２ リブ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体材料から成る基板（Ｓ）上に集
積され、この基板（Ｓ）のドーピングされないかまたは
ｎドーピングされた導波膜（ｗＳ）によって規定された
２つの所定幅（ｂ）の条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）
から構成され、これらの条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２
）は、２つに分割された結合部分（Ｋ１、Ｋ２）では、
この結合部分（Ｋ１、Ｋ２）において一方の条帯状導波
路（ＷＬ１またはＷＬ２）の導波膜（ｗＳ）内を案内さ
れた光波が他方の条帯状導波路（ＷＬ２またはＷＬ１）
の導波膜（ｗＳ）内へ過結合し得るような微小間隔（ｄ
）にて互いに延在し、かつ前記両結合部分（Ｋ１、Ｋ２
）間に位置する移相器領域（Ｐｈ）では前記条帯状導波
路（ＷＬ１、ＷＬ２）間での光波の過結合を排除する大
きな間隔（ｄ１）にて互いに延在し、前記移相器部分（
Ｐｈ）においては少なくとも１つの条帯状導波路（ＷＬ
１、ＷＬ２）は前記導波膜（ｗＳ）上に配設された幅（
ｂ）の半導体材料製リブ（Ｒ）を有し、前記移相器部分
（Ｐｈ）の内部における前記リブ（Ｒ）の領域では前記
導波膜（ｗＳ）の上側または下側に接触部を介して電気
的に制御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合が集積され、その
際前記接合（Ｕ）はｐドーピングされた材料からｎドー
ピングされるかまたはドーピングされない材料に向かっ
て前記導波膜（ｗＳ）から間隔（Ｄ）にて配置され、ｐ
ドーピングされた材料はこの接合（Ｕ）の前記導波膜（
ｗＳ）とは反対側に設けられ、前記電気的に制御可能な
ｐｎまたはｐｉｎ接合を有する条帯状導波路部分（領域
Ｂ１内）は電気的に制御可能な条帯状導波路であり、こ
の電気的に制御可能な条帯状導波路の外に存在する各条
帯状導波路部分（領域Ｂ２内）または条帯状導波路は受
動条帯状導波路を形成する制御可能な集積形光マッハ−
ツェンダー干渉計において、前記受動条帯状導波路はｐ
ｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導波路構造を有するこ
とを特徴とする集積形光マッハ−ツェンダー干渉計。 - 【請求項２】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は、ｎドーピングされるかまたはドーピングさ
れない半導体材料から成る導波膜（ｗＳ）の厚肉領域を
形成するリブ（Ｒ１）によって規定され、そのリブ（Ｒ
１）の幅（ｂ）は受動条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）
の幅を決定し、前記導波膜（ｗＳ）は基板（Ｓ）とは反
対側面（Ｏ）が空気または他の標準材料に接することを
特徴とする請求項１記載のマッハ−ツェンダー干渉計。 - 【請求項３】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は、幅（ｂ）が受動条帯状導波路の幅を決定す
る条帯状導波膜（ｗＳ）を有し、この条帯状導波膜（ｗ
Ｓ）は前記基板（Ｓ）の標準材料に取囲まれるかまたは
この条帯状導波膜（ｗＳ）と基板（Ｓ）とに空気または
他の標準材料が接することを特徴とする請求項１記載の
マッハ−ツェンダー干渉計。 - 【請求項４】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は導波膜（ｗＳ）上に配設された標準材料製の
他の膜（ａＳ）の厚肉領域を形成するリブ（Ｒ２）によ
って規定され、そのリブ（Ｒ２）の幅（ｂ）は受動条帯
状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）の幅を決定し、前記他の膜
（ａＳ）は前記導波膜（ｗＳ）とは反対側の上面（ＯＷ
）に空気または他の標準材料が接することを特徴とする
請求項１記載のマッハ−ツェンダー干渉計。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4030755.7 | 1990-09-28 | ||
| DE4030755 | 1990-09-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263224A true JPH04263224A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=6415199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273257A Withdrawn JPH04263224A (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-24 | 集積形光マッハ−ツェンダー干渉計 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5151959A (ja) |
| EP (1) | EP0477605A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04263224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5815609A (en) * | 1995-09-13 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Waveguide type optical external modulator |
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| AU2003291823A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-06-18 | Optimer Photonics, Inc. | Embedded electrode integrated optical devices and methods of fabrication |
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| DE59007534D1 (de) * | 1989-02-08 | 1994-12-01 | Reinhart Franz Karl | Integrierte optische Schaltung. |
| EP0415225B1 (de) * | 1989-09-01 | 1998-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter |
| US5004447A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low loss semiconductor directional coupler switches including gain method of switching light using same |
| US5050180A (en) * | 1989-10-10 | 1991-09-17 | Trw Inc. | Phase-locked arrays of coupled X-junctions |
-
1991
- 1991-08-14 US US07/744,898 patent/US5151959A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-03 EP EP19910114860 patent/EP0477605A3/de not_active Withdrawn
- 1991-09-24 JP JP3273257A patent/JPH04263224A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5815609A (en) * | 1995-09-13 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Waveguide type optical external modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5151959A (en) | 1992-09-29 |
| EP0477605A3 (en) | 1992-10-28 |
| EP0477605A2 (de) | 1992-04-01 |
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