JPH04260351A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPH04260351A
JPH04260351A JP4424691A JP4424691A JPH04260351A JP H04260351 A JPH04260351 A JP H04260351A JP 4424691 A JP4424691 A JP 4424691A JP 4424691 A JP4424691 A JP 4424691A JP H04260351 A JPH04260351 A JP H04260351A
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JP
Japan
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wiring
functional
functional block
block
cells
Prior art date
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Application number
JP4424691A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Hori
俊彦 堀
Shinji Suda
須田 眞二
Hiroyuki Nakao
中尾 浩之
Kyoko Tanabe
田部 恭子
Tsugumi Matsuishi
松石 継巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable the number of wires which has pass a wiring region which is provided at a semiconductor chip to be reduced by using a block passing wire which is formed by connecting an extra feed-through wire which remains within a third functional block. CONSTITUTION:There are a microcomputer core 2 as a first functional block, a plurality of peripheral I/O cells 3 as a second functional block, and a random logic portion 5 on a semiconductor chip 1, where remaining feed-through wires which are not used for wiring within the third functional blocks 4 and 5 are joined at a wiring layer between the functional cells and a block passing wire passing through the third functional block in a vertical row direction or a horizontal row direction is formed and then is used for connecting the first functional block 2 and the second functional block 3. Therefore, the number of wires passing through the wiring regions 6 and 7 is reduced so that the third functional blocks 4 and 5 may be avoided.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路装置に
関し、特にセルベース方式を用いて設計される集積回路
の配置,配線の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor integrated circuit devices, and more particularly to improvements in the layout and wiring of integrated circuits designed using a cell-based method.

【0002】0002

【従来の技術】図5は従来例における複数の機能ブロッ
ク間を接続するための配線を示した図であり、図におい
て、半導体チップ1上に例えば第1の機能ブロックであ
る、マイクロコンピュータコア2(以下マイコンコアと
略す)、第2の機能ブロックである周辺入出力セル3、
第3の機能ブロックであるランダムロジック部(A)4
とランダムロジック部(B)5があり、マイコンコア2
と周辺入出力セル3とを電気的に接続する配線401,
501がある。また同図に示すように、第1の機能ブロ
ック2と第2の機能ブロック3とを接続する配線401
,501は、第3の機能ブロック4,5のある方向につ
いては(この場合のみ図示している)第3の機能ブロッ
ク4,5を避けて配線領域(A)6,配線領域(B)7
及び配線領域(C)8に配置されている。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a diagram showing wiring for connecting a plurality of functional blocks in a conventional example. (hereinafter abbreviated as microcomputer core), peripheral input/output cell 3 which is the second functional block,
Random logic section (A) 4 which is the third functional block
There is a random logic section (B) 5, and a microcontroller core 2.
Wiring 401 electrically connects the and peripheral input/output cells 3,
There is 501. Further, as shown in the figure, a wiring 401 connecting the first functional block 2 and the second functional block 3
, 501 avoids the third functional blocks 4, 5 (only this case is shown) in the direction where the third functional blocks 4, 5 are located, wiring area (A) 6, wiring area (B) 7.
and is arranged in the wiring area (C) 8.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、電気的に接続
される第1の機能ブロック2と第2の機能ブロック3と
の間に第3の機能ブロック4及び5が配置されており、
第1の機能ブロック2と第2の機能ブロック3とを接続
する配線401,501は第3の機能ブロック4や5を
避けるように配置する必要があるため、配線レイアウト
が複雑化して配線領域6,7及び8が増大し、半導体チ
ップ1の高集積化を妨げるという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional semiconductor integrated circuit device is constructed as described above, there is a problem that there is a 3 functional blocks 4 and 5 are arranged,
Wiring lines 401 and 501 connecting the first functional block 2 and the second functional block 3 must be arranged to avoid the third functional blocks 4 and 5, so the wiring layout becomes complicated and the wiring area 6 , 7 and 8 increase, which poses a problem in that it impedes higher integration of the semiconductor chip 1.

【0004】この発明は上記の様な問題点を解消するた
めになされたもので、第1の機能ブロックと第2の機能
ブロックとの接続配線レイアウトを容易にし、かつ配線
領域の配線数を減少させた半導体集積回路装置を得るこ
とを目的とする。
[0004] This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it facilitates the wiring layout for connecting the first functional block and the second functional block, and reduces the number of wiring lines in the wiring area. The object of the present invention is to obtain a semiconductor integrated circuit device with improved performance.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路装置は、少なくとも電気的に接続される第1と第2
の機能ブロックと、その間に配置された第3の機能ブロ
ックと、第1と第2の機能ブロックとを接続する配線が
通過する配線領域とからなり、この第3の機能ブロック
を構成する複数の機能セルが、並列方向は密着し縦列方
向は配線層をはさんだ縦向きの段状になるように、或い
は直列方向が密着し横列方向が配線層をはさんだ横向き
の段状になるように配置され、この複数の機能セル上に
、機能セル内部とは電気的に接続のない縦列方向或いは
横列方向のフィードスルー配線を有し、その第3の機能
ブロック内での配線に使用せず余ったフィードスルー配
線を機能セル間の配線層で接ぎ合わせて、第3の機能ブ
ロックを縦列方向或いは横列方向に通過するブロック通
過配線を形成したものである。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit device according to the present invention provides at least a first and a second electrically connected circuit.
It consists of a functional block, a third functional block placed between them, and a wiring area through which wiring connecting the first and second functional blocks passes, and a plurality of Functional cells are arranged so that they are in close contact in the parallel direction and in a vertical step shape with wiring layers in the column direction, or so that they are in close contact in the series direction and in a horizontal step shape with wiring layers in the horizontal direction. The plurality of functional cells have vertical or horizontal feed-through wiring that is not electrically connected to the inside of the functional cells, and the remaining wiring is not used for wiring in the third functional block. Feed-through wiring is connected in wiring layers between functional cells to form block passing wiring that passes through the third functional block in the column direction or the horizontal direction.

【0006】[0006]

【作用】本発明においては上記構成としたので、半導体
チップに設けた配線領域を通過する配線数を減少もしく
はなくすことができ、半導体チップの高集積化及び小チ
ップサイズ化が図れる。
[Function] Since the present invention has the above structure, the number of wires passing through the wiring area provided on the semiconductor chip can be reduced or eliminated, and the semiconductor chip can be highly integrated and the chip size can be reduced.

【0007】[0007]

【実施例】図1はこの発明の一実施例による半導体集積
回路装置における複数の機能ブロック間を電気的に接続
するための配線を説明する図であり、図において、半導
体チップ1上に第1の機能ブロックとしてのマイコンコ
ア2と第2の機能ブロックとしての複数の周辺入出力セ
ル3と第3の機能ブロックとしてのランダムロジック部
(A)4,ランダムロジック部(B)5とがある。さら
にマイコンコア2から複数の周辺入出力セル3への配線
のうち、同図の上部方向へ行く配線401や上部右方向
へ行く配線502は全て、マイコンコア2からみて縦列
方向にランダムロジック部(A)4内のブロック通過配
線を通り、また右方向へ行く配線501が、やはりマイ
コンコア2からみて横列方向に走るランダムロジック部
(B)5内のブロック通過配線を通るように配置されて
いるので、配線401は配線領域(A)6及び配線領域
(B)7を通過する必要がなくなった上に、配線501
が通過していた配線領域(C)8は不要となる。
Embodiment FIG. 1 is a diagram illustrating wiring for electrically connecting a plurality of functional blocks in a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. There are a microcomputer core 2 as a functional block, a plurality of peripheral input/output cells 3 as a second functional block, and a random logic section (A) 4 and a random logic section (B) 5 as a third functional block. Furthermore, among the wiring from the microcomputer core 2 to the plurality of peripheral input/output cells 3, the wiring 401 going to the top and the wiring 502 going to the top right in the figure are all arranged in random logic sections ( The wiring 501 passing through the block passing wiring in A) 4 and going to the right is arranged so as to pass through the block passing wiring in the random logic section (B) 5, which also runs in the horizontal direction when viewed from the microcomputer core 2. Therefore, the wiring 401 no longer needs to pass through the wiring area (A) 6 and the wiring area (B) 7, and the wiring 501
The wiring area (C) 8 through which the line passed is no longer necessary.

【0008】また、図2は上記実施例による半導体集積
回路装置の第3の機能ブロック(A)4や(B)5を概
略的に示しており、ここでは第3の機能ブロックを構成
する複数の機能セルが、並列方向は密着し縦列方向は複
数の機能セル間に配線層をはさんだ縦向きの段状になる
よう配置されている。図において、元の機能を構成する
ための配線は省略してあり、ランダムロジック部4又は
5を構成する機能セルのうち、41には10のフィード
スルー配線が、42には11のフィードスルー配線が、
43には12のフィードスルー配線がそれぞれ使用され
ずに残っており、これらのフィードスルー配線をそれぞ
れ接ぎ合わせて一つのブロック通過配線13を構成する
ので、機能ブロック自体の大きさは変わらない。
FIG. 2 schematically shows the third functional blocks (A) 4 and (B) 5 of the semiconductor integrated circuit device according to the above embodiment. Functional cells are arranged in a vertically oriented step-like manner with interconnection layers sandwiched between a plurality of functional cells in the column direction and in close contact in the parallel direction. In the figure, the wiring for configuring the original function is omitted. Of the functional cells configuring the random logic section 4 or 5, 41 has 10 feed-through wirings, and 42 has 11 feed-through wirings. but,
43, each of the 12 feed-through wires remains unused, and these feed-through wires are joined together to form one block passing wire 13, so the size of the functional block itself does not change.

【0009】更に、図3は上記実施例による半導体集積
回路装置の第3の機能ブロックであるランダムロジック
部4,5を構成する機能セル41を例として示している
。機能はインバータで、1本のフィードスルー配線10
を備えている。
Further, FIG. 3 shows, as an example, a functional cell 41 constituting random logic sections 4 and 5, which is the third functional block of the semiconductor integrated circuit device according to the above embodiment. Function is inverter, 1 feed through wiring 10
It is equipped with

【0010】一般に、大きな機能ブロックを複数個集め
た半導体集積回路装置では、そのブロック間の配線をど
うするかが課題であるが、続く図4(a)は、上記実施
例による半導体集積回路装置における、セルベース方式
等予めフィードスルー配線を有する基本セルを準備した
パターン配置方式での一例を示している。同図ではその
構成要素である複数の機能セルが並列方向は密着し縦列
方向は配線層をはさんだ縦向きの段状になるよう配置さ
れた状態が示されており、第3の機能ブロック4,5に
おいて、このような配置の機能セルによって実現された
のが、図1の配線401及び502のブロック通過配線
である。一方配線501のブロック通過配線部分は、同
例をそのまま90°回転させた状態即ち、複数の機能セ
ルが直列方向は密着し横列方向は配線層をはさんだ横向
きの段状になるよう配置されたものである。
Generally, in a semiconductor integrated circuit device in which a plurality of large functional blocks are assembled, the problem is how to arrange wiring between the blocks. , shows an example of a pattern arrangement method such as a cell-based method in which basic cells having feed-through wiring are prepared in advance. The figure shows a state in which a plurality of functional cells, which are its constituent elements, are arranged in close contact in the parallel direction and in vertical steps with wiring layers sandwiched in the column direction. , 5, the block passing wiring of the wirings 401 and 502 in FIG. 1 was realized by the functional cells arranged in this manner. On the other hand, the block-passing wiring portion of the wiring 501 is the same example rotated by 90 degrees, that is, a plurality of functional cells are arranged in close contact in the serial direction and in horizontal steps with wiring layers in the horizontal direction. It is something.

【0011】つまり通常のセルベース方式で配置,配線
する場合、機能セル間の配線領域410では横方向には
最大3本の配線が可能であり、機能セル同士の上下間隔
はそれで決まる。同図においては、配線領域410での
他の部分、例えばA領域411やB領域412にはまだ
他の配線をする余裕がある。このような構成の機能セル
における縦方向の配線は、例えば機能セル45から46
へ接続されている配線404は機能セル46内の内部配
線405を経て機能セル47へも接がれているが、この
内部配線405は機能セル46を構成する論理ゲートの
信号入力ピンへの信号入力配線をも兼ねている。一方機
能セル49へ接続されるべき外部信号は、機能セル48
内のフィードスルー配線406を通じて接がれている。 このように縦方向の配線は、機能セルの内部配線を論理
ゲートへの信号入力とも兼用したものと、各機能セル内
のフィードスルー配線を利用したものとの二種類に分か
れる。
That is, when arranging and wiring in the usual cell-based method, a maximum of three wirings can be arranged in the horizontal direction in the wiring area 410 between functional cells, and the vertical spacing between functional cells is determined by this. In the figure, there is still room for other wiring in other parts of the wiring area 410, such as area A 411 and area B 412. The vertical wiring in the functional cells having such a configuration is, for example, from functional cells 45 to 46.
The wiring 404 connected to the functional cell 46 is also connected to the functional cell 47 via an internal wiring 405, but this internal wiring 405 is connected to the signal input pin of the logic gate that constitutes the functional cell 46. Also serves as input wiring. On the other hand, external signals to be connected to the functional cell 49 are
It is connected through a feed-through wiring 406 inside. In this way, vertical wiring is divided into two types: one in which the internal wiring of the functional cell also serves as a signal input to the logic gate, and one in which the feed-through wiring within each functional cell is utilized.

【0012】同図(b)はこうした機能セル同士の配線
状況を例えばNANDで構成された機能セル420とN
OR で構成された機能セル421を使って、具体的な
配線例で示したものであり、図において両機能セルは、
その出力側に信号出力配線各1本と入力側に信号入力配
線422,423,424及び425,426,427
各3本を有している。まず入力Aでは、信号入力配線4
23がNANDゲート420の信号入力ピンへの信号入
力配線であるとともに、NOR ゲート421へと続く
内部配線でもある。そしてNOR ゲート421でも信
号入力ピンの信号入力配線426であり且つまた次段の
機能セルへと続いている。入力Bでも同様に、信号入力
配線425と信号入力配線422とで内部配線を構成し
、同時にそれぞれのゲートの信号入力ピンへの信号入力
配線としても機能するものである。しかし入力Cにおい
て、NANDゲート420は信号入力ピンを有していな
いため、信号入力配線424はフィードスルー配線とし
て機能セル内を通過し、NOR ゲート421へと接が
れて信号入力配線427によって次段のセルへと続いて
ゆく。
FIG. 4(b) shows the wiring situation between these functional cells, for example, a functional cell 420 configured with NAND and N
A specific wiring example is shown using a functional cell 421 configured with an OR. In the figure, both functional cells are
One signal output wiring each on the output side and signal input wiring 422, 423, 424 and 425, 426, 427 on the input side
Each has 3 pieces. First, for input A, signal input wiring 4
23 is a signal input wiring to the signal input pin of the NAND gate 420, and is also an internal wiring that continues to the NOR gate 421. The NOR gate 421 also serves as a signal input wiring 426 of a signal input pin, and continues to the next stage functional cell. Similarly, for input B, the signal input wiring 425 and the signal input wiring 422 constitute an internal wiring, and simultaneously function as signal input wiring to the signal input pin of each gate. However, at input C, since the NAND gate 420 does not have a signal input pin, the signal input line 424 passes through the functional cell as a feed-through line, is connected to the NOR gate 421, and is then connected to the next signal input line 427 by the signal input line 427. Continuing to the next cell.

【0013】このように機能セル内における縦方向の内
部配線は、機能セルの信号入力ピンへの信号入力配線に
も兼用されたものと、フィードスルー配線を利用するも
のとの二種類に分かれるが、当然使用されないフィード
スルー配線が残る。この未使用のフィードスルー配線を
、例えばA領域402等の余裕のあるところで接ぎ合わ
せてブロック通過配線13を形成したのが図2の第3の
機能ブロック(A)4や(B)5であり、このような第
3の機能ブロック内のブロック通過配線を縦列方向に或
いは横列方向に用いることにより、図1に示した、配線
領域(A)6,(B)7を通過する配線数が減少し配線
領域(C)はない、集積度が高く配線レイアウトが容易
な半導体チップ1を形成できる。
[0013] As described above, the vertical internal wiring within a functional cell can be divided into two types: those that also serve as signal input wiring to the signal input pins of the functional cell, and those that utilize feed-through wiring. , which naturally leaves unused feedthrough wiring. In the third functional blocks (A) 4 and (B) 5 in FIG. 2, the block passing wiring 13 is formed by joining these unused feed-through wirings in areas with room, such as the A area 402. By using the block passing wiring in the third functional block in the column direction or the horizontal direction, the number of wiring passing through the wiring areas (A) 6 and (B) 7 shown in FIG. 1 is reduced. However, it is possible to form a semiconductor chip 1 with no wiring region (C), a high degree of integration, and easy wiring layout.

【0014】本実施例では上述のように、第3の機能ブ
ロック4,5内での配線に使用せず余ったフィードスル
ー配線を機能セル間の配線層で接ぎ合わせて第3の機能
ブロックを縦列方向或いは横列方向に通過するブロック
通過配線を形成し、第1の機能ブロック2と第2の機能
ブロック3との接続に用いたので、第3の機能ブロック
4や5を避けるように配線領域6,7を通過する配線数
が減少し、更に配線領域8を通過する配線はなくなるた
め配線レイアウトが容易化し、また配線領域6,7の面
積は縮小し、配線領域8は不要となるので、機能ブロッ
ク自身の大きさを変えずに半導体チップ1の高集積化及
びチップサイズの縮小化が可能となる。
[0014] In this embodiment, as described above, the third functional block is constructed by joining the remaining feed-through wiring that is not used for wiring in the third functional blocks 4 and 5 in the wiring layer between the functional cells. Since the block passing wiring that passes in the column direction or the horizontal direction is formed and used to connect the first functional block 2 and the second functional block 3, the wiring area is The number of wires passing through the wires 6 and 7 is reduced, and there are no wires that pass through the wire region 8, making the wire layout easier. Also, the area of the wire regions 6 and 7 is reduced, and the wire region 8 is no longer necessary. The semiconductor chip 1 can be highly integrated and the chip size can be reduced without changing the size of the functional blocks themselves.

【0015】なお本実施例は、特に第1の機能ブロック
がマイコンコア等であれば、各ポート出力等第3の機能
ブロックへ行く配線の多いもの等に有効である。
Note that this embodiment is particularly effective when the first functional block is a microcomputer core or the like, and there are many wirings such as port outputs going to the third functional block.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第3の
機能ブロック内の余ったフィードスルー配線を接ぎ合わ
せて形成したブロック通過配線を用いることによって、
第1の機能ブロックと第2の機能ブロックとを電気的に
接続する配線を、第1の機能ブロックと第2の機能ブロ
ックとの間にある第3の機能ブロック中をそのブロック
の大きさを変えずに通すことが可能で、配線領域を通過
する配線数及び配線領域自体を減らせ、半導体チップの
高集積化及び小チップサイズ化が図れる効果がある。
As described above, according to the present invention, by using the block passing wiring formed by joining the surplus feedthrough wiring in the third functional block,
The wiring that electrically connects the first functional block and the second functional block is routed through the third functional block located between the first functional block and the second functional block. It is possible to pass through the wiring without changing it, reduce the number of wires passing through the wiring area and the wiring area itself, and have the effect of achieving higher integration and smaller chip size of semiconductor chips.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
における複数の機能ブロック間を電気的に接続するため
の配線図である。
FIG. 1 is a wiring diagram for electrically connecting a plurality of functional blocks in a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記実施例による半導体集積回路装置における
第3の機能ブロックを示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a third functional block in the semiconductor integrated circuit device according to the above embodiment.

【図3】上記実施例による半導体集積回路装置における
ランダムロジックを構成する機能セルの例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of functional cells forming random logic in the semiconductor integrated circuit device according to the above embodiment.

【図4】上記実施例による半導体集積回路装置における
セルベース方式等で予めフィードスルー配線を有する基
本セルを準備したパターン配置方式での一例及び各セル
間での具体的な配線状況を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a pattern arrangement method in which basic cells having feed-through wiring are prepared in advance in a cell-based method or the like in the semiconductor integrated circuit device according to the above embodiment, and a specific wiring situation between each cell; be.

【図5】従来の半導体集積回路装置における複数の機能
ブロック間を電気的に接続するための配線図である。
FIG. 5 is a wiring diagram for electrically connecting a plurality of functional blocks in a conventional semiconductor integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    半導体チップ 2    第1の機能ブロックであるマイコンコア3 
   第2の機能ブロックである周辺入出力セル4  
  第3の機能ブロックであるランダムロジックA5 
   第3の機能ブロックであるランダムロジックB6
    半導体チップ内の配線領域A7    半導体
チップ内の配線領域B10,11,12    フィー
ドスルー配線13  ブロック通過配線 41,42,43,44,45,46,47,48,4
9    機能セル 401,501,502    第1の機能ブロックと
第2の機能ブロックとを繋ぐ配線 404    機能セル間の配線領域内の配線405 
   機能セルの内部配線 406    フィードスルー配線 410,411,412    機能セル間の配線領域
420    NANDゲート 421    NORゲート 422,423,424    NANDゲートの信号
入力配線 425,426,427    NORゲートの信号入
力配線
1 Semiconductor chip 2 Microcomputer core 3 which is the first functional block
Peripheral input/output cell 4, which is the second functional block
Random logic A5, which is the third functional block
Random logic B6, which is the third functional block
Wiring area A7 in the semiconductor chip Wiring area B10, 11, 12 in the semiconductor chip Feed-through wiring 13 Block passing wiring 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 4
9 Functional cells 401, 501, 502 Wiring 404 connecting the first functional block and second functional block Wiring 405 in the wiring area between functional cells
Internal wiring of functional cells 406 Feed-through wiring 410, 411, 412 Wiring area between functional cells 420 NAND gate 421 NOR gate 422, 423, 424 Signal input wiring of NAND gate 425, 426, 427 Signal input wiring of NOR gate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  第1の機能ブロックと、第2の機能ブ
ロックと、該両ブロックの間に配置された第3の機能ブ
ロックと、前記第1の機能ブロックと前記第2の機能ブ
ロックとを接続する配線が通過する配線領域とを備えた
半導体集積回路装置において、前記第3の機能ブロック
を構成する複数の機能セルは、並列方向は密着し縦列方
向は配線層をはさんだ縦向きの段状に、或いは直列方向
が密着し横列方向が配線層をはさんで横向きの段状にな
るよう配置され、該機能セル内部とは電気的に接続のな
い縦列方向或いは横列方向のフィードスルー配線を前記
機能セル上に有し、該配線を前記機能セル間の配線層で
接ぎ合わせて前記第3の機能ブロックを縦列方向或いは
横列方向に通過する配線を形成したことを特徴とする半
導体集積回路装置。
Claim 1: A first functional block, a second functional block, a third functional block disposed between the two blocks, and the first functional block and the second functional block. In a semiconductor integrated circuit device, a plurality of functional cells constituting the third functional block are arranged in vertical stages with wiring layers in close contact with each other in the parallel direction and with wiring layers in the column direction. Feed-through wiring in the column direction or row direction is arranged so that the series direction is in close contact with each other and the row direction is arranged in a horizontal step shape across the wiring layer, and there is no electrical connection to the inside of the functional cell. A semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device is provided on the functional cell, and the wiring is connected in a wiring layer between the functional cells to form a wiring that passes through the third functional block in a column direction or a row direction. .
JP4424691A 1991-02-14 1991-02-14 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH04260351A (en)

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