JPH04260209A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
- Publication number
- JPH04260209A JPH04260209A JP2203191A JP2203191A JPH04260209A JP H04260209 A JPH04260209 A JP H04260209A JP 2203191 A JP2203191 A JP 2203191A JP 2203191 A JP2203191 A JP 2203191A JP H04260209 A JPH04260209 A JP H04260209A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- amplification element
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- frequency amplification
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- Prior art date
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- Pending
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 37
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波増幅器に関し、特
にマイクロ波の出力部に設けられたレベル可変回路を改
良した高周波増幅器に関する。
にマイクロ波の出力部に設けられたレベル可変回路を改
良した高周波増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高周波増幅器の出力レベ
ル可変回路は、図３に示すように、高周波増幅素子１２
，１３と、高周波増幅素子１２，１３のバイアス電圧を
制御するバイアス電圧制御回路１４，１５で構成されて
いる。又別の従来例として図４に示すように、高周波増
幅素子１６，１８と、高周波増幅素子１６の出力部の高
周波信号を減衰させる為の利得可変回路１７とその利得
可変制御を行う利得制御回路１９とを有している。
ル可変回路は、図３に示すように、高周波増幅素子１２
，１３と、高周波増幅素子１２，１３のバイアス電圧を
制御するバイアス電圧制御回路１４，１５で構成されて
いる。又別の従来例として図４に示すように、高周波増
幅素子１６，１８と、高周波増幅素子１６の出力部の高
周波信号を減衰させる為の利得可変回路１７とその利得
可変制御を行う利得制御回路１９とを有している。
【０００３】次に動作について説明する。図３の高周波
増幅素子は一般にベース接地型のバイポーラトランジス
タの様なＢ，Ｃ級動作の高周波増幅素子でそこに印加す
るバイアス電圧によりベース接地型のバイポーラトラン
ジスタではコレクタ電圧を制御することにより、出力レ
ベルの飽和出力を可変する。一般的には最終段の高周波
増幅素子１３をバイアス電圧制御回路１５で出力レベル
可変を行うのが通常である。図４は高周波増幅素子１６
，１８にＧａＡｓＦＥＴの様なＡ級動作の高周波増幅素
子を用いた場合の出力可変機能を有した高周波増幅器の
例であり、利得制御回路１９により利得可変回路１７の
バイアス電流，あるいはバイアス電圧を変化させて、利
得可変回路１７の減衰量を制御して高周波増幅素子１８
の入力信号レベルを増減させることにより、出力レベル
を増加又は減少させている。
増幅素子は一般にベース接地型のバイポーラトランジス
タの様なＢ，Ｃ級動作の高周波増幅素子でそこに印加す
るバイアス電圧によりベース接地型のバイポーラトラン
ジスタではコレクタ電圧を制御することにより、出力レ
ベルの飽和出力を可変する。一般的には最終段の高周波
増幅素子１３をバイアス電圧制御回路１５で出力レベル
可変を行うのが通常である。図４は高周波増幅素子１６
，１８にＧａＡｓＦＥＴの様なＡ級動作の高周波増幅素
子を用いた場合の出力可変機能を有した高周波増幅器の
例であり、利得制御回路１９により利得可変回路１７の
バイアス電流，あるいはバイアス電圧を変化させて、利
得可変回路１７の減衰量を制御して高周波増幅素子１８
の入力信号レベルを増減させることにより、出力レベル
を増加又は減少させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の高周波増幅
器の出力レベル可変回路では、前者の場合にはレベル可
変を高周波増幅素子のバイアス電圧制御により行ってお
り、後者では利得可変回路の減衰量制御で行っているの
で、出力レベル低下時の低消費電力化が望めない。特に
図３の様な構成の場合にレベル可変範囲が小さい。また
図３のように、２素子以上のバイアス制御を行うと、回
路構成がさらに複雑になるのみならず、出力レベルの温
度に対する安定性が劣化する欠点もある。さらに、両方
の従来例のぞれぞれがバイアス電圧制御回路、利得制御
回路等を構成しなければならないので、回路構成が複雑
となり、大型化するという欠点がある。
器の出力レベル可変回路では、前者の場合にはレベル可
変を高周波増幅素子のバイアス電圧制御により行ってお
り、後者では利得可変回路の減衰量制御で行っているの
で、出力レベル低下時の低消費電力化が望めない。特に
図３の様な構成の場合にレベル可変範囲が小さい。また
図３のように、２素子以上のバイアス制御を行うと、回
路構成がさらに複雑になるのみならず、出力レベルの温
度に対する安定性が劣化する欠点もある。さらに、両方
の従来例のぞれぞれがバイアス電圧制御回路、利得制御
回路等を構成しなければならないので、回路構成が複雑
となり、大型化するという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波増幅器は
前段の高周波増幅素子と、後段の高周波増幅素子との間
に前記後段の高周波増幅素子を接続するか又はバイパス
するかを選択する高周波信号切替部と、出力側高周波レ
ベルを低下させる外部からの要求信号により前記高周波
信号切替部を制御する切替器制御回路部とを有する。
前段の高周波増幅素子と、後段の高周波増幅素子との間
に前記後段の高周波増幅素子を接続するか又はバイパス
するかを選択する高周波信号切替部と、出力側高周波レ
ベルを低下させる外部からの要求信号により前記高周波
信号切替部を制御する切替器制御回路部とを有する。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１の実施例のブロック図
である。高周波増幅素子２と、高周波増幅素子６との間
に、高周波信号切替部３、切替器制御回路部４を備えて
高周波信号切替部３の切り替え制御を行う。高周波信号
切替部３は高周波増幅素子６の入力部に接続される主線
路５及び高周波増幅素子６をバイパスして出力部に接続
されるバイパス線路７のどちらか一方の線路を選択する
。通常の出力レベルを得たい場合には、高周波信号線路
切替部３は主線路５側を選択して、高周波増幅素子６の
出力をそのまま出力端子８へ送出する。ここで、バイパ
ス線路７は、高周波増幅素子６の出力側接続点から高周
波信号切替部３の開放接点までの電気的線路長が１／２
波長になる様にしてあるので、主線路５になんら影響を
与えない。また出力レベルを低下させる場合には、高周
波信号切替器３をバイパス線路７側に選択して高周波増
幅素子６をバイパスするので、高周波増幅素子の利得分
だけ出力レベルを低下させることができる。
である。高周波増幅素子２と、高周波増幅素子６との間
に、高周波信号切替部３、切替器制御回路部４を備えて
高周波信号切替部３の切り替え制御を行う。高周波信号
切替部３は高周波増幅素子６の入力部に接続される主線
路５及び高周波増幅素子６をバイパスして出力部に接続
されるバイパス線路７のどちらか一方の線路を選択する
。通常の出力レベルを得たい場合には、高周波信号線路
切替部３は主線路５側を選択して、高周波増幅素子６の
出力をそのまま出力端子８へ送出する。ここで、バイパ
ス線路７は、高周波増幅素子６の出力側接続点から高周
波信号切替部３の開放接点までの電気的線路長が１／２
波長になる様にしてあるので、主線路５になんら影響を
与えない。また出力レベルを低下させる場合には、高周
波信号切替器３をバイパス線路７側に選択して高周波増
幅素子６をバイパスするので、高周波増幅素子の利得分
だけ出力レベルを低下させることができる。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例のブロック図
である。第２の実施例で、第１の実施例と相違する点は
、高周波増幅素子２，６のそれぞれにバイアス電圧制御
回路９，１０を合わせ持ち、第１の実施例の高周波信号
切替部３に高周波リレー１１を用いた回路構成をとって
いる。第２の実施例では、可変範囲の狭いメインの出力
レベルの設定をバイアス電圧制御回路１０による高周波
増幅素子６で行い、大きな出力レベル降下が必要な場合
には、高周波リレー１１を切替制御回路部４にて作動さ
せ、高周波増幅素子６をバイパスさせて出力レベル低下
を行う。この出力レベル低下した出力レベルをさらにレ
ベル調整する場合には、高周波増幅素子２のバイアス電
圧制御回路９にて微調整設定を行う。なお、高周波増幅
素子にベース接地型のバイポーラトランジスタ等を用い
た場合に、切替え回路をバイパス線路側に選択すると、
バイパスされる高周波増幅素子部に入力信号がドライブ
されなくなり、コレクタ電流が流れなくなる為、出力レ
ベル低下時において低消費電力をはかることができる。
である。第２の実施例で、第１の実施例と相違する点は
、高周波増幅素子２，６のそれぞれにバイアス電圧制御
回路９，１０を合わせ持ち、第１の実施例の高周波信号
切替部３に高周波リレー１１を用いた回路構成をとって
いる。第２の実施例では、可変範囲の狭いメインの出力
レベルの設定をバイアス電圧制御回路１０による高周波
増幅素子６で行い、大きな出力レベル降下が必要な場合
には、高周波リレー１１を切替制御回路部４にて作動さ
せ、高周波増幅素子６をバイパスさせて出力レベル低下
を行う。この出力レベル低下した出力レベルをさらにレ
ベル調整する場合には、高周波増幅素子２のバイアス電
圧制御回路９にて微調整設定を行う。なお、高周波増幅
素子にベース接地型のバイポーラトランジスタ等を用い
た場合に、切替え回路をバイパス線路側に選択すると、
バイパスされる高周波増幅素子部に入力信号がドライブ
されなくなり、コレクタ電流が流れなくなる為、出力レ
ベル低下時において低消費電力をはかることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、２つの高
周波増幅素子間に、主線路及び後段高周波増幅素子のバ
イパス線路の切り替え回路を備えて出力レベル可変を行
うことにより、バイパスする一方の高周波増幅素子の利
得分を大幅にレベル調整することができる。また、従来
例のような、利得可変回路及び利得制御回路を必要とし
ないので回路を簡易にできる。また、切替え回路前段の
高周波増幅素子の出力レベルは常に飽和状態にある為出
力レベル低下をさせても安定した出力レベルが得られる
という効果がある。又、高周波増幅素子にベース接地型
トランジスタを用い、この高周波増幅素子をバイパスす
る場合には、この増幅素子の低消費電力化をはかること
ができる。
周波増幅素子間に、主線路及び後段高周波増幅素子のバ
イパス線路の切り替え回路を備えて出力レベル可変を行
うことにより、バイパスする一方の高周波増幅素子の利
得分を大幅にレベル調整することができる。また、従来
例のような、利得可変回路及び利得制御回路を必要とし
ないので回路を簡易にできる。また、切替え回路前段の
高周波増幅素子の出力レベルは常に飽和状態にある為出
力レベル低下をさせても安定した出力レベルが得られる
という効果がある。又、高周波増幅素子にベース接地型
トランジスタを用い、この高周波増幅素子をバイパスす
る場合には、この増幅素子の低消費電力化をはかること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す高周波増幅器のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】本発明の第２の実施例のブロック図である。
【図３】従来の周波増幅器の第１例のブロック図である
。
。
【図４】従来の高周波増幅器の第２例のブロック図であ
る。
る。
１ 入力端子
２，６ 高周波増幅素子
３ 高周波信号切替部
４ 切替器制御回路部
５ 主線路
７ バイパス線路
８ 出力端子
９，１０ バイアス電圧制御回路１１ 高
周波リレー
周波リレー
Claims (3)
- 【請求項１】 前段の高周波増幅素子と、後段の高周
波増幅素子との間に前記後段の高周波増幅素子を接続す
るか又はバイパスするかを選択する高周波信号切替部と
、出力側高周波レベルを低下させる外部からの要求信号
により前記高周波信号切替部を制御する切替器制御回路
部とを有することを特徴とする高周波増幅器。 - 【請求項２】 前記前段の高周波増幅素子および前記
後段の高周波増幅素子のそれぞれが出力レベルを微調整
するバイアス電圧制御回路によりレベル制御されること
を特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。 - 【請求項３】 前記後段の高周波増幅素子の出力部と
前記高周波信号切替部のバイパス端子との間を接続する
バイパス線路の長さを使用帯域周波数のほぼ１／２ｎ（
ｎは整数）波長の線路長とすることを特徴とする請求項
１記載の高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203191A JPH04260209A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203191A JPH04260209A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260209A true JPH04260209A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=12071610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2203191A Pending JPH04260209A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04260209A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172559B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Variable gain amplifying device |
| JP2009188962A (ja) * | 2008-02-09 | 2009-08-20 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅器 |
| JP2009207209A (ja) * | 2009-06-18 | 2009-09-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | バイパススイッチなしでバイアス変調オプションを有する複数電力モード用電力増幅器 |
| JP2013507863A (ja) * | 2010-02-11 | 2013-03-04 | ▲華▼▲為▼▲終▼端有限公司 | ワイヤレスローカルエリアアクセスネットワークのルーティングデバイスおよび信号伝送方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321507A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Nec Corp | Transmitted output switching unit |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP2203191A patent/JPH04260209A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321507A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Nec Corp | Transmitted output switching unit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172559B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Variable gain amplifying device |
| JP2009188962A (ja) * | 2008-02-09 | 2009-08-20 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅器 |
| JP2009207209A (ja) * | 2009-06-18 | 2009-09-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | バイパススイッチなしでバイアス変調オプションを有する複数電力モード用電力増幅器 |
| JP2013507863A (ja) * | 2010-02-11 | 2013-03-04 | ▲華▼▲為▼▲終▼端有限公司 | ワイヤレスローカルエリアアクセスネットワークのルーティングデバイスおよび信号伝送方法 |
| US9215671B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-12-15 | Huawei Device Co., Ltd. | Routing device and signal transmitting method for wireless local area network |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980217 |