JPH04258143A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH04258143A JPH04258143A JP2005691A JP2005691A JPH04258143A JP H04258143 A JPH04258143 A JP H04258143A JP 2005691 A JP2005691 A JP 2005691A JP 2005691 A JP2005691 A JP 2005691A JP H04258143 A JPH04258143 A JP H04258143A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置をトランス
ファーモールドにより樹脂で封止する方法に関するもの
である。
ファーモールドにより樹脂で封止する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の、樹脂で半導体装置を封止する方
法（以下、半導体装置の樹脂封止方法と称する）は、特
定の溶融粘度の一種類のエポキシ系樹脂を用いていトラ
ンスファーモールドを行っていた。
法（以下、半導体装置の樹脂封止方法と称する）は、特
定の溶融粘度の一種類のエポキシ系樹脂を用いていトラ
ンスファーモールドを行っていた。
【０００３】エポキシ系樹脂としては、例えばエポキシ
樹脂、フェノール硬化剤、シリカフィラー、難燃エポキ
シ、離型剤などを混合し、１００ °Ｃ前後で混練する
ことにより、Ｂステージまでゲル化させ、さらに冷却後
、粉砕して打錠したものを用いていた。
樹脂、フェノール硬化剤、シリカフィラー、難燃エポキ
シ、離型剤などを混合し、１００ °Ｃ前後で混練する
ことにより、Ｂステージまでゲル化させ、さらに冷却後
、粉砕して打錠したものを用いていた。
【０００４】図５に、上述した従来の半導体装置の樹脂
封止方法の一例を示す。
封止方法の一例を示す。
【０００５】図５に示すように、上述した樹脂のタブレ
ット３１を、１７０ 〜１８０ °Ｃ前後に加熱した上
型３２及び下型３３から形成された金型３４に投入し、
８０〜１００ Ｋｇ／平方ｃｍの圧力を加えて樹脂を金
型３４のキャビティ部３５に注入する。
ット３１を、１７０ 〜１８０ °Ｃ前後に加熱した上
型３２及び下型３３から形成された金型３４に投入し、
８０〜１００ Ｋｇ／平方ｃｍの圧力を加えて樹脂を金
型３４のキャビティ部３５に注入する。
【０００６】キャビティ部３５にはワイヤボンドされた
半導体装置３６がセットされており、注入される樹脂に
より封止される。
半導体装置３６がセットされており、注入される樹脂に
より封止される。
【０００７】ここで注入されるときの樹脂の溶融粘度は
、およそ３００ 〜６００ ポイズであり、高粘度の樹
脂がキャビティ部３５に注入されることになる。そのた
め樹脂の粘性力によって半導体装置３６のワイヤ３７が
変形しやすく、特に２０８ ピンＱＦＰ（クワァド・フ
ラット・パッケ−ジ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ））などのようにピン数の多い面実装型半導体
装置では、ワイヤボンド間隔も短く、ワイヤ長も長い。
、およそ３００ 〜６００ ポイズであり、高粘度の樹
脂がキャビティ部３５に注入されることになる。そのた
め樹脂の粘性力によって半導体装置３６のワイヤ３７が
変形しやすく、特に２０８ ピンＱＦＰ（クワァド・フ
ラット・パッケ−ジ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ））などのようにピン数の多い面実装型半導体
装置では、ワイヤボンド間隔も短く、ワイヤ長も長い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、上記従来の半
導体装置の樹脂封止方法では、ワイヤ間のショートなど
の不良が発生しやすいという問題点がある。
導体装置の樹脂封止方法では、ワイヤ間のショートなど
の不良が発生しやすいという問題点がある。
【０００９】また、樹脂の粘度は、エポキシ樹脂やフェ
ノール硬化剤の分子量及びシリカフィラーの充填量など
によって決り、樹脂の粘度を低下させることは可能であ
る。
ノール硬化剤の分子量及びシリカフィラーの充填量など
によって決り、樹脂の粘度を低下させることは可能であ
る。
【００１０】しかし、上記従来の半導体装置の樹脂封止
方法では、樹脂の粘度を低下させたときに、半導体封止
用樹脂として必要な物性、例えば低吸湿性、高ガラス転
移温度、高強度などを確保することが困難となり、樹脂
封止された半導体素子の信頼性が低下するという問題点
がある。
方法では、樹脂の粘度を低下させたときに、半導体封止
用樹脂として必要な物性、例えば低吸湿性、高ガラス転
移温度、高強度などを確保することが困難となり、樹脂
封止された半導体素子の信頼性が低下するという問題点
がある。
【００１１】本発明は、上述した従来の半導体装置の樹
脂封止方法の問題点に鑑み、トランスファーモールドを
行うときに半導体装置のワイヤが変形せず、ワイヤのシ
ョートなどの不良が発生することがない半導体装置の樹
脂封止方法を提供する。
脂封止方法の問題点に鑑み、トランスファーモールドを
行うときに半導体装置のワイヤが変形せず、ワイヤのシ
ョートなどの不良が発生することがない半導体装置の樹
脂封止方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の樹
脂封止方法は、封止すべき半導体装置が配置された型内
に溶融粘度の異なる少なくとも２種類の樹脂のうち溶融
粘度の低い方の樹脂を注入し、次いで樹脂のうち溶融粘
度の高い方の樹脂を注入してトランスファーモールドす
るように構成されている。
脂封止方法は、封止すべき半導体装置が配置された型内
に溶融粘度の異なる少なくとも２種類の樹脂のうち溶融
粘度の低い方の樹脂を注入し、次いで樹脂のうち溶融粘
度の高い方の樹脂を注入してトランスファーモールドす
るように構成されている。
【００１３】
【作用】型の内部に注入される溶融粘度の低い樹脂が、
加熱された型の内壁や半導体装置の表面からの伝熱によ
ってゲル化されて型の内壁表面や半導体装置の各部に容
易に固定化され、続いて溶融粘度の高い樹脂が注入され
、同様に型の内壁や半導体装置の表面からの伝熱によっ
てゲル化されて既に溶融粘度の低い樹脂が固定化してい
るワイヤ表面などに重ねて固定される。
加熱された型の内壁や半導体装置の表面からの伝熱によ
ってゲル化されて型の内壁表面や半導体装置の各部に容
易に固定化され、続いて溶融粘度の高い樹脂が注入され
、同様に型の内壁や半導体装置の表面からの伝熱によっ
てゲル化されて既に溶融粘度の低い樹脂が固定化してい
るワイヤ表面などに重ねて固定される。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の半導体装置の
樹脂封止方法の実施例を説明する。
樹脂封止方法の実施例を説明する。
【００１５】図１は、本発明による半導体装置の樹脂封
止方法のフロ−チャ−トを示す。
止方法のフロ−チャ−トを示す。
【００１６】図２は、図１に示す本発明による半導体装
置の樹脂封止方法を用いた装置の一実施例を示断面図で
ある。
置の樹脂封止方法を用いた装置の一実施例を示断面図で
ある。
【００１７】まず、図２に示す装置の構成を説明する。
図に示すように、本実施例の装置は、低粘度樹脂１１と
高粘度樹脂１２，１３の３種類の樹脂を用いている。そ
して各樹脂１１，１２，１３で作成したタブレットを、
所定の温度に加熱した上型１４及び下型１５から構成さ
れた金型１６に投入するように構成されたいる。
高粘度樹脂１２，１３の３種類の樹脂を用いている。そ
して各樹脂１１，１２，１３で作成したタブレットを、
所定の温度に加熱した上型１４及び下型１５から構成さ
れた金型１６に投入するように構成されたいる。
【００１８】次に図１のフロ−チャ−トを参照して本実
施例の半導体装置の樹脂封止方法を説明する。
施例の半導体装置の樹脂封止方法を説明する。
【００１９】図に示すように、まず低粘度樹脂１１のタ
ブレットを投入し（ステップＳ１）、次に高粘度樹脂１
２，１３のタブレットを順次投入する（ステップＳ２）
。その後、これらタブレットに所定の圧力を加える（ス
テップＳ３）。
ブレットを投入し（ステップＳ１）、次に高粘度樹脂１
２，１３のタブレットを順次投入する（ステップＳ２）
。その後、これらタブレットに所定の圧力を加える（ス
テップＳ３）。
【００２０】低粘度樹脂１１を所定の温度に加熱された
金型１６のキャビティ部１７に順次注入する（ステップ
Ｓ４）。キャビティ部１７にはワイヤボンドされた半導
体装置１８がセットされている。最初に溶融し、流動化
して注入される低粘度樹脂１１は、図３に示すように、
金型１６の内壁や半導体装置１８の表面からの伝熱によ
ってゲル化され、金型１６の内壁表面や半導体装置１８
の各部、すなわち半導体チップ１９、リードフレーム２
０及びワイヤ２１の表面に容易に固定化される。最初に
注入された低粘度樹脂１１は、溶融粘度が低いため、低
粘度樹脂１１の注入によってワイヤ２１が変形しない。
金型１６のキャビティ部１７に順次注入する（ステップ
Ｓ４）。キャビティ部１７にはワイヤボンドされた半導
体装置１８がセットされている。最初に溶融し、流動化
して注入される低粘度樹脂１１は、図３に示すように、
金型１６の内壁や半導体装置１８の表面からの伝熱によ
ってゲル化され、金型１６の内壁表面や半導体装置１８
の各部、すなわち半導体チップ１９、リードフレーム２
０及びワイヤ２１の表面に容易に固定化される。最初に
注入された低粘度樹脂１１は、溶融粘度が低いため、低
粘度樹脂１１の注入によってワイヤ２１が変形しない。
【００２１】次に，溶融粘度の低粘度樹脂１１に続いて
溶融粘度の高い高粘度樹脂１２，１３を順次キャビティ
部１７内に注入して充填する（ステップＳ５）。
溶融粘度の高い高粘度樹脂１２，１３を順次キャビティ
部１７内に注入して充填する（ステップＳ５）。
【００２２】ワイヤ２１の表面などには、すでに溶融粘
度の低い低粘度樹脂１１が固定化しているので、この溶
融粘度の高い高粘度樹脂１２，１３の注入によってワイ
ヤ２１が変形しない。
度の低い低粘度樹脂１１が固定化しているので、この溶
融粘度の高い高粘度樹脂１２，１３の注入によってワイ
ヤ２１が変形しない。
【００２３】また、溶融粘度の高いこれらの高粘度樹脂
１２，１３は、低吸湿性、高ガラス転移温度、高強度な
どの樹脂物性を備えているので、樹脂封止された半導体
装置の信頼性が確保される。
１２，１３は、低吸湿性、高ガラス転移温度、高強度な
どの樹脂物性を備えているので、樹脂封止された半導体
装置の信頼性が確保される。
【００２４】なお、上述の実施例では、溶融粘度の異な
る３種類の樹脂を用いたが、他の実施例としては図４に
示すように、溶融粘度の異なる２種類の樹脂、即ち低粘
度樹脂１１、高粘度樹脂１２を順次金型１６に投入し、
トランスファーモールドすることも可能であり、その場
合にも上述した例と同様の効果が得られる。
る３種類の樹脂を用いたが、他の実施例としては図４に
示すように、溶融粘度の異なる２種類の樹脂、即ち低粘
度樹脂１１、高粘度樹脂１２を順次金型１６に投入し、
トランスファーモールドすることも可能であり、その場
合にも上述した例と同様の効果が得られる。
【００２５】また、上述した実施例では溶融粘度の異な
る樹脂のタブレットを個別に作成し、それらを金型に投
入したが、低粘度樹脂と高粘度樹脂のパウダーを一括し
て打錠し、１つのタブレットとして金型に投入すること
により同様の効果が得られる。
る樹脂のタブレットを個別に作成し、それらを金型に投
入したが、低粘度樹脂と高粘度樹脂のパウダーを一括し
て打錠し、１つのタブレットとして金型に投入すること
により同様の効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の半導体装置の樹脂封止方法は、
封止すべき半導体装置が配置された型内に溶融粘度の異
なる少なくとも２種類の樹脂のうち溶融粘度の低い方の
樹脂を注入し、次いで樹脂のうち溶融粘度の高い方の樹
脂を注入してトランスファーモールドするように構成さ
れているので、溶融粘度の高い樹脂の注入によってワイ
ヤが変形せず、その結果、樹脂封止された半導体素子の
信頼性が確保される。
封止すべき半導体装置が配置された型内に溶融粘度の異
なる少なくとも２種類の樹脂のうち溶融粘度の低い方の
樹脂を注入し、次いで樹脂のうち溶融粘度の高い方の樹
脂を注入してトランスファーモールドするように構成さ
れているので、溶融粘度の高い樹脂の注入によってワイ
ヤが変形せず、その結果、樹脂封止された半導体素子の
信頼性が確保される。
【図１】本発明による半導体装置の樹脂封止方法を示す
フロ−チャ−トである。
フロ−チャ−トである。
【図２】図１の半導体装置の樹脂封止方法を説明するた
めの図であり、半導体装置をモールドするための金型の
断面図である。
めの図であり、半導体装置をモールドするための金型の
断面図である。
【図３】図２の金型のキャビティ部を詳しく示す断面図
である。
である。
【図４】本発明による半導体装置の樹脂封止方法の他の
実施例を説明するための図であり、半導体装置をモール
ドするための金型の断面図である。
実施例を説明するための図であり、半導体装置をモール
ドするための金型の断面図である。
【図５】従来の半導体装置の樹脂封止方法の一例を説明
するものであり、半導体装置をモールドするための金型
の断面図である。
するものであり、半導体装置をモールドするための金型
の断面図である。
１１ 低粘度樹脂
１２，１３ 高粘度樹脂
１４ 上型
１５ 下型
１６ 金型
１７ キャビティ部
１８ 半導体装置
１９ 半導体チップ
２０ リードフレーム
２１ ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】封止すべき半導体装置が配置された型内に
溶融粘度の異なる少なくとも２種類の樹脂のうち溶融粘
度の低い方の樹脂を注入し、次いで前記樹脂のうち溶融
粘度の高い方の樹脂を注入してトランスファーモールド
することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005691A JPH04258143A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005691A JPH04258143A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258143A true JPH04258143A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12016421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005691A Pending JPH04258143A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016171648A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | トヨタ自動車株式会社 | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP2005691A patent/JPH04258143A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016171648A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | トヨタ自動車株式会社 | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 |
| CN105978245A (zh) * | 2015-03-12 | 2016-09-28 | 丰田自动车株式会社 | 树脂模制方法以及树脂模制装置 |
| CN105978245B (zh) * | 2015-03-12 | 2018-09-04 | 丰田自动车株式会社 | 树脂模制方法以及树脂模制装置 |
| US10183427B2 (en) * | 2015-03-12 | 2019-01-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin molding method and resin molding apparatus |
| US20190105817A1 (en) * | 2015-03-12 | 2019-04-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin molding method and resin molding apparatus |
| US10583592B2 (en) * | 2015-03-12 | 2020-03-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin molding method and resin molding apparatus |
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