JPH04255254A - 金属基板 - Google Patents
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- JPH04255254A JPH04255254A JP3036933A JP3693391A JPH04255254A JP H04255254 A JPH04255254 A JP H04255254A JP 3036933 A JP3036933 A JP 3036933A JP 3693391 A JP3693391 A JP 3693391A JP H04255254 A JPH04255254 A JP H04255254A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プリント配線板、ハ
イブリッドＩＣ基板、ＬＳＩ実装基板、多層金属基板Ｃ
ＯＢ基板、フィリップチップ基板、ＴＡＢ用基板等に好
適に用いられ、高放熱性及び高熱伝導性を有する金属基
板に関するものである。
イブリッドＩＣ基板、ＬＳＩ実装基板、多層金属基板Ｃ
ＯＢ基板、フィリップチップ基板、ＴＡＢ用基板等に好
適に用いられ、高放熱性及び高熱伝導性を有する金属基
板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子部品実装技術における進歩は
目覚ましく、電子部品の小型化、チップ化及び表面実装
技術の急激な進展回路の多層化等により一層の高集積化
、高密度化、多機能化を遂げてきており、これらの実装
基板においては搭載される電子部品からの発熱が大きな
問題となっている。
目覚ましく、電子部品の小型化、チップ化及び表面実装
技術の急激な進展回路の多層化等により一層の高集積化
、高密度化、多機能化を遂げてきており、これらの実装
基板においては搭載される電子部品からの発熱が大きな
問題となっている。
【０００３】上記の電子部品の動作特性は一般に温度依
存性が大きく、部品によっては周囲温度の変化に対して
著しく特性が変化してしまうものも少なくない。また、
これらの電子部品の特性を十分把握せずに誤った回路設
計を行うと、部品が誤動作したりあるいはこれらの部品
に過負荷がかかったりすることとなり、ひいては機器や
システムが故障する原因となる。これらの電子部品の動
作異常は、機器やシステム全体の信頼性及び安全性に深
く拘わってくる問題であり、したがって、実装基板の放
熱性は電子回路を設計する際の大きな要素になっており
、これらの電子部品から発する熱エネルギーをいかに素
早く放熱させるかが重要な課題になっている。
存性が大きく、部品によっては周囲温度の変化に対して
著しく特性が変化してしまうものも少なくない。また、
これらの電子部品の特性を十分把握せずに誤った回路設
計を行うと、部品が誤動作したりあるいはこれらの部品
に過負荷がかかったりすることとなり、ひいては機器や
システムが故障する原因となる。これらの電子部品の動
作異常は、機器やシステム全体の信頼性及び安全性に深
く拘わってくる問題であり、したがって、実装基板の放
熱性は電子回路を設計する際の大きな要素になっており
、これらの電子部品から発する熱エネルギーをいかに素
早く放熱させるかが重要な課題になっている。
【０００４】電子部品の信頼性が問われる分野は、従来
の電子計算機、航空機、自動車、産業機器、化学プラン
ト等の高度の制御が要求される分野から最近では民生用
の電気機器の分野に急速に広がりつつあり、多種多様の
放熱構造のものが提案され採用されている。
の電子計算機、航空機、自動車、産業機器、化学プラン
ト等の高度の制御が要求される分野から最近では民生用
の電気機器の分野に急速に広がりつつあり、多種多様の
放熱構造のものが提案され採用されている。
【０００５】例えば、電子部品自体の放熱を高めるもの
としては、これらの電子部品に放熱フィンを設けたり、
あるいはヒートシンクを設けたりしたものがあり、更に
、発熱の大きい電子計算機、通信機器、各種システム等
においては、通常これらの機器やシステム全体を冷却フ
ァンにより空冷したり冷却液を循環させて冷却する方法
が採られている。
としては、これらの電子部品に放熱フィンを設けたり、
あるいはヒートシンクを設けたりしたものがあり、更に
、発熱の大きい電子計算機、通信機器、各種システム等
においては、通常これらの機器やシステム全体を冷却フ
ァンにより空冷したり冷却液を循環させて冷却する方法
が採られている。
【０００６】しかしながら、電子部品の小型化、チップ
化により電子部品自体を放熱構造とすることは極めて困
難であり、上記の冷却方法ではシステム自体が非常に大
掛かりなものとならざるを得ず、各種小型機器類の冷却
には不向きである。そこで、実装基板自体を放熱構造と
することが強く望まれており、従来の放熱性の十分でな
いガラス基板やエポキシ樹脂等からなる樹脂系のプリン
ト基板にかわり放熱を考慮した金属基板や、例えば、ダ
イヤモンド、ベリリヤ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）等の高熱伝導性の基板材料を用い
た各種基板が開発され実用に供されている。
化により電子部品自体を放熱構造とすることは極めて困
難であり、上記の冷却方法ではシステム自体が非常に大
掛かりなものとならざるを得ず、各種小型機器類の冷却
には不向きである。そこで、実装基板自体を放熱構造と
することが強く望まれており、従来の放熱性の十分でな
いガラス基板やエポキシ樹脂等からなる樹脂系のプリン
ト基板にかわり放熱を考慮した金属基板や、例えば、ダ
イヤモンド、ベリリヤ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）等の高熱伝導性の基板材料を用い
た各種基板が開発され実用に供されている。
【０００７】上記の金属基板は、例えば、アルミニウム
合金板、ステンレス板、銅板等の金属板の表面に、エポ
キシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、ポリ
イミド樹脂、ガラス布基材、フェノール樹脂等からなる
絶縁層、及び銅箔を順次積層してなるもので、従来の樹
脂系プリント基板と比べて放熱性が良く、金属自体強度
があることからそのまま外装として用いることもでき、
電磁シールド効果もあること等の利点があることから急
速に普及しつつある。
合金板、ステンレス板、銅板等の金属板の表面に、エポ
キシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、ポリ
イミド樹脂、ガラス布基材、フェノール樹脂等からなる
絶縁層、及び銅箔を順次積層してなるもので、従来の樹
脂系プリント基板と比べて放熱性が良く、金属自体強度
があることからそのまま外装として用いることもでき、
電磁シールド効果もあること等の利点があることから急
速に普及しつつある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】また、上記の金属基板
では、基板の放熱性を高めるために表面積を大きくした
り、基板の熱伝導率を高めたり、更に熱容量を増やすた
めに基板の厚みを増したりしているが、これらは全体の
面積、体積、重量等を増加させ、製造コストも上昇させ
るという欠点があった。また、機器の小型化に逆行する
という問題もあり早急に改善する必要にせまられていた
。
では、基板の放熱性を高めるために表面積を大きくした
り、基板の熱伝導率を高めたり、更に熱容量を増やすた
めに基板の厚みを増したりしているが、これらは全体の
面積、体積、重量等を増加させ、製造コストも上昇させ
るという欠点があった。また、機器の小型化に逆行する
という問題もあり早急に改善する必要にせまられていた
。
【０００９】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、以上の欠点や問題点を有効に解決することがで
き、特に基板からの放射特性を高めることができる金属
基板を提供することにある。
もので、以上の欠点や問題点を有効に解決することがで
き、特に基板からの放射特性を高めることができる金属
基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な金属基板を採用した。すなわち
、金属板に絶縁層及び銅箔を順次積層してなる金属基板
において、該金属板の表面にＬ値が４０以下、光吸収率
が０．５以上の酸化膜を設けたことを特徴とした金属基
板である。
に、この発明は次の様な金属基板を採用した。すなわち
、金属板に絶縁層及び銅箔を順次積層してなる金属基板
において、該金属板の表面にＬ値が４０以下、光吸収率
が０．５以上の酸化膜を設けたことを特徴とした金属基
板である。
【００１１】また、前記金属板はアルミニウムもしくは
アルミニウム合金からなり、前記酸化膜は厚さ０．００
５〜０．１００ｍｍの酸化アルミニウム膜からなること
を特徴とした基板板である。
アルミニウム合金からなり、前記酸化膜は厚さ０．００
５〜０．１００ｍｍの酸化アルミニウム膜からなること
を特徴とした基板板である。
【００１２】また、請求項３記載の金属基板としては、
請求項１または２記載の金属基板において、前記酸化膜
は、溶射法、陽極酸化法、塗装法、酸処理法、蒸着法、
傾斜機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合わせる
方法により形成された酸化皮膜からなることを特徴とし
ている。
請求項１または２記載の金属基板において、前記酸化膜
は、溶射法、陽極酸化法、塗装法、酸処理法、蒸着法、
傾斜機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合わせる
方法により形成された酸化皮膜からなることを特徴とし
ている。
【００１３】
【作用】ところで、熱の伝搬には伝導、対流、放射の３
つの形態があり、放射についてはステファンーボルツマ
ンの法則が成り立ち、更に分光放射輝度についてはプラ
ンクの法則が成り立つ。熱の放射量を多くするためには
吸収率１、反射率０の完全黒体が理想であるから、上記
金属基板の吸収率を１に近付けるためには、この金属基
板を完全黒体に近付ければよい。特に、赤外線領域の放
射量を大きくすることができれば、上記の放射エネルギ
ーは赤外線領域の電磁波エネルギーとして速やかに放射
される。
つの形態があり、放射についてはステファンーボルツマ
ンの法則が成り立ち、更に分光放射輝度についてはプラ
ンクの法則が成り立つ。熱の放射量を多くするためには
吸収率１、反射率０の完全黒体が理想であるから、上記
金属基板の吸収率を１に近付けるためには、この金属基
板を完全黒体に近付ければよい。特に、赤外線領域の放
射量を大きくすることができれば、上記の放射エネルギ
ーは赤外線領域の電磁波エネルギーとして速やかに放射
される。
【００１４】この発明の金属基板では、該金属板の表面
にＬ値が４０以下、光吸収率が０．５以上の酸化膜を設
けたことにより、この金属基板の放熱特性が大幅に向上
する。
にＬ値が４０以下、光吸収率が０．５以上の酸化膜を設
けたことにより、この金属基板の放熱特性が大幅に向上
する。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図１ない
し図３を参照して説明する。図１において、符号１はこ
の発明に係る金属基板である。
し図３を参照して説明する。図１において、符号１はこ
の発明に係る金属基板である。
【００１６】この金属基板１は、アルミニウム合金板（
金属板）２の表面に、酸化アルミニウム膜（酸化膜）３
、絶縁層４及び銅箔５が順次積層されている。
金属板）２の表面に、酸化アルミニウム膜（酸化膜）３
、絶縁層４及び銅箔５が順次積層されている。
【００１７】なお金属板２としては、アルミニウム又は
アルミニウム合金以外にも銅系、ケイ素鋼系、ステンレ
ス系、鉄系のもの、もしくはこれらの合金等、あるいは
これらの組み合わせによるクラッド材等が好適に用いら
れる。
アルミニウム合金以外にも銅系、ケイ素鋼系、ステンレ
ス系、鉄系のもの、もしくはこれらの合金等、あるいは
これらの組み合わせによるクラッド材等が好適に用いら
れる。
【００１８】酸化アルミニウム膜３は、Ｌ値が４０以下
、光吸収率が０．５以上で厚みが０．００５〜０．１０
０ｍｍの暗色の酸化皮膜である。この酸化アルミニウム
膜３は陽極酸化法によりアルミニウム板２の表面２ａに
形成されている。酸化アルミニウム膜３の形成方法とし
ては、陽極酸化法の他に、溶射、塗装法、酸処理法、蒸
着法、傾斜機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合
わせる方法が好適に用いられる。
、光吸収率が０．５以上で厚みが０．００５〜０．１０
０ｍｍの暗色の酸化皮膜である。この酸化アルミニウム
膜３は陽極酸化法によりアルミニウム板２の表面２ａに
形成されている。酸化アルミニウム膜３の形成方法とし
ては、陽極酸化法の他に、溶射、塗装法、酸処理法、蒸
着法、傾斜機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合
わせる方法が好適に用いられる。
【００１９】絶縁層４は、例えば、エポキシ樹脂、ガラ
ス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、ポリイミド樹脂、ガ
ラス布基材、フェノール樹脂等の絶縁性の樹脂から構成
されている。また、銅箔５は電気回路を形成するもので
ある。なお、金属基板の板厚は薄いものでもまた厚いも
のでもよく、通常０．０５〜１０ｍｍであるが特にこれ
に限定されるものではない。
ス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、ポリイミド樹脂、ガ
ラス布基材、フェノール樹脂等の絶縁性の樹脂から構成
されている。また、銅箔５は電気回路を形成するもので
ある。なお、金属基板の板厚は薄いものでもまた厚いも
のでもよく、通常０．０５〜１０ｍｍであるが特にこれ
に限定されるものではない。
【００２０】ここで、酸化アルミニウム膜３の作用につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２１】一般に、金属の表面に酸化膜を形成して暗
色化させることにより、この金属の赤外線放射特性が高
まることが知られている。例えば、アルミニウム合金の
組成について考えてみると、ジルコニウム（Ｚｒ）、マ
ンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の
遷移元素やケイ素（Ｓｉ）等の元素を多く含有している
もの程、これらの元素が酸化膜中に分散して暗色化し、
同時にこれらの元素が効果的に働き金属表面の赤外線放
射特性を高めることとなる。したがって、アルミニウム
板２の表面に、Ｌ値が４０以下、光吸収率が０．５以上
で厚みが０．００５〜０．１００ｍｍの暗色の酸化アル
ミニウム膜３を形成することにより、アルミニウム板２
の赤外線放射特性を高めることが可能になる。また、こ
の酸化アルミニウム膜３と絶縁層４との接着界面の密着
度が高まることにより、電子部品から発せられる熱は金
属基板１に速やかに吸収されこの金属基板１全体に速や
かに分散され、大気中に速やかに放散される。
色化させることにより、この金属の赤外線放射特性が高
まることが知られている。例えば、アルミニウム合金の
組成について考えてみると、ジルコニウム（Ｚｒ）、マ
ンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の
遷移元素やケイ素（Ｓｉ）等の元素を多く含有している
もの程、これらの元素が酸化膜中に分散して暗色化し、
同時にこれらの元素が効果的に働き金属表面の赤外線放
射特性を高めることとなる。したがって、アルミニウム
板２の表面に、Ｌ値が４０以下、光吸収率が０．５以上
で厚みが０．００５〜０．１００ｍｍの暗色の酸化アル
ミニウム膜３を形成することにより、アルミニウム板２
の赤外線放射特性を高めることが可能になる。また、こ
の酸化アルミニウム膜３と絶縁層４との接着界面の密着
度が高まることにより、電子部品から発せられる熱は金
属基板１に速やかに吸収されこの金属基板１全体に速や
かに分散され、大気中に速やかに放散される。
【００２２】次に、金属基板１の実験例について説明す
る。
る。
【００２３】（実験例１）組成が２．５Ｍｎー１．０Ｍ
ｇー０．５Ｚｒ−Ａｌのアルミニウム合金の板を圧延加
工した後に３５０℃で５時間焼鈍処理し、板厚１．０ｍ
ｍのアルミニウム合金板を製作した。その後硫酸１５％
、浴温度１５℃、電流分布２Ａ／ｄｍ２の条件で陽極酸
化処理を行い両面に２５μｍの酸化膜を形成し、９５℃
の温水で半封孔し、アルミニウム合金板を製作した。次
に、図２に示すように、３０×４０ｍｍの大きさのアル
ミニウム合金板２１に接着剤、銅箔を順次積層しエッチ
ングして中央部に１０×１５ｍｍの大きさの銅箔を残し
たサンプルＡを作成した。接着剤の厚みは５０μｍ及び
１００μｍの２種類、銅箔の厚みは３５μｍとし、加熱
積層の条件は１６０℃で９０分とした。
ｇー０．５Ｚｒ−Ａｌのアルミニウム合金の板を圧延加
工した後に３５０℃で５時間焼鈍処理し、板厚１．０ｍ
ｍのアルミニウム合金板を製作した。その後硫酸１５％
、浴温度１５℃、電流分布２Ａ／ｄｍ２の条件で陽極酸
化処理を行い両面に２５μｍの酸化膜を形成し、９５℃
の温水で半封孔し、アルミニウム合金板を製作した。次
に、図２に示すように、３０×４０ｍｍの大きさのアル
ミニウム合金板２１に接着剤、銅箔を順次積層しエッチ
ングして中央部に１０×１５ｍｍの大きさの銅箔を残し
たサンプルＡを作成した。接着剤の厚みは５０μｍ及び
１００μｍの２種類、銅箔の厚みは３５μｍとし、加熱
積層の条件は１６０℃で９０分とした。
【００２４】（実験例２）厚み１．０ｍｍのアルミニウ
ム合金板（Ａ１１００−Ｈ２４）に、硫酸１５％、浴温
度２０℃、電流分布１．５Ａ／ｄｍ２の条件で陽極酸化
処理を行い、更に交流電解着色法により浴温度２０℃の
ニッケル塩含有水溶液に１５Ｖの交流電流を１０分間通
電し、９５℃の温水で半封孔し、黒色化したアルミニウ
ム合金板２２を製作した。次に、実験例１と同様に、図
２に示すように、３０×４０ｍｍの大きさのアルミニウ
ム合金板２２の中央部に１０×１５ｍｍの大きさに接着
剤、銅箔を順次積層しサンプルＢを作成した。接着剤の
厚みは５０μｍ及び１００μｍの２種類、銅箔の厚みは
３５μｍとし、加熱積層の条件は１６０℃で９０分とし
た。
ム合金板（Ａ１１００−Ｈ２４）に、硫酸１５％、浴温
度２０℃、電流分布１．５Ａ／ｄｍ２の条件で陽極酸化
処理を行い、更に交流電解着色法により浴温度２０℃の
ニッケル塩含有水溶液に１５Ｖの交流電流を１０分間通
電し、９５℃の温水で半封孔し、黒色化したアルミニウ
ム合金板２２を製作した。次に、実験例１と同様に、図
２に示すように、３０×４０ｍｍの大きさのアルミニウ
ム合金板２２の中央部に１０×１５ｍｍの大きさに接着
剤、銅箔を順次積層しサンプルＢを作成した。接着剤の
厚みは５０μｍ及び１００μｍの２種類、銅箔の厚みは
３５μｍとし、加熱積層の条件は１６０℃で９０分とし
た。
【００２５】上記のサンプルＡ，ＢのＬ値及び吸収率（
放射率）を、表１に示す。なお、アルミニウム合金板（
Ａ５０５２ーＨ３４）に陽極酸化処理をほどこさずに接
着剤、銅箔を順次積層した基板を作成し、対照例とした
。
放射率）を、表１に示す。なお、アルミニウム合金板（
Ａ５０５２ーＨ３４）に陽極酸化処理をほどこさずに接
着剤、銅箔を順次積層した基板を作成し、対照例とした
。
【００２６】
【表１】
【００２７】また、上記のサンプルＡ，Ｂの特性評価を
行った結果を表２に示す。ここでは、熱抵抗の測定は、
図３に示す様に基板１にトランジスタを搭載し定負荷制
御器３３を用いて１０ー５０Ｗの負荷をかけ、熱電対３
４によりトランジスタ３２の端子の温度を測定し、この
温度が安定したところでトランジスタ３２の熱抵抗を測
定して求めた。
行った結果を表２に示す。ここでは、熱抵抗の測定は、
図３に示す様に基板１にトランジスタを搭載し定負荷制
御器３３を用いて１０ー５０Ｗの負荷をかけ、熱電対３
４によりトランジスタ３２の端子の温度を測定し、この
温度が安定したところでトランジスタ３２の熱抵抗を測
定して求めた。
【００２８】
【表２】
【００２９】これらの結果により、本発明のサンプルＡ
，Ｂにおいては、熱抵抗が小さくなっていることがわか
る。
，Ｂにおいては、熱抵抗が小さくなっていることがわか
る。
【００３０】以上説明した様に、この発明の金属基板１
によれば、アルミニウム板２の表面２ａに、酸化アルミ
ニウム膜３、絶縁層４及び銅箔５が順次積層され、酸化
アルミニウム膜３は、Ｌ値が４０以下、光吸収率が０．
５以上で厚みが０．００５〜０．１００ｍｍの暗色の酸
化皮膜から構成されることとしたので、アルミニウム板
２の赤外線放射特性を大幅に高めることができる。また
、この酸化アルミニウム膜３と絶縁層４との接着界面の
密着度が高まるので、電子部品から発せられる熱が金属
基板１に速やかに吸収されこの金属基板１全体に速やか
に分散され、大気中に速やかに放散される。したがって
、金属基板１の放熱特性を大幅に向上させることができ
る。
によれば、アルミニウム板２の表面２ａに、酸化アルミ
ニウム膜３、絶縁層４及び銅箔５が順次積層され、酸化
アルミニウム膜３は、Ｌ値が４０以下、光吸収率が０．
５以上で厚みが０．００５〜０．１００ｍｍの暗色の酸
化皮膜から構成されることとしたので、アルミニウム板
２の赤外線放射特性を大幅に高めることができる。また
、この酸化アルミニウム膜３と絶縁層４との接着界面の
密着度が高まるので、電子部品から発せられる熱が金属
基板１に速やかに吸収されこの金属基板１全体に速やか
に分散され、大気中に速やかに放散される。したがって
、金属基板１の放熱特性を大幅に向上させることができ
る。
【００３１】また、陽極酸化膜の硬度が高いので、金属
基板１上に電子部品を搭載する際に取り付け及び作業上
の疵が付き難く、絶縁層４の耐電圧を大きくとることが
でき、したがって、金属基板１の信頼性を大幅に向上さ
せることができる。
基板１上に電子部品を搭載する際に取り付け及び作業上
の疵が付き難く、絶縁層４の耐電圧を大きくとることが
でき、したがって、金属基板１の信頼性を大幅に向上さ
せることができる。
【００３２】なお、酸化アルミニウム膜３等の酸化皮膜
のポーラス部に染料、顔料等の着色材を充填することに
よりさらに暗色化させて放射特性を向上させることも可
能である。
のポーラス部に染料、顔料等の着色材を充填することに
よりさらに暗色化させて放射特性を向上させることも可
能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の金属基板
によれば、金属板に絶縁層及び銅箔を順次積層してなる
金属基板において、該金属板の表面にＬ値が４０以下、
光吸収率が０．５以上の酸化膜を設けたことにより、金
属基本の赤外線放射特性を大幅に高め放熱特性を大幅に
向上させることができる。また、この酸化膜と絶縁層と
の接着界面の密着度が高まるので、電子部品から発せら
れる熱が金属基板に速やかに吸収されこの金属基板全体
に速やかに分散され、大気中に速やかに放散され、した
がって、金属基板の放熱特性を大幅に向上させることが
できる。
によれば、金属板に絶縁層及び銅箔を順次積層してなる
金属基板において、該金属板の表面にＬ値が４０以下、
光吸収率が０．５以上の酸化膜を設けたことにより、金
属基本の赤外線放射特性を大幅に高め放熱特性を大幅に
向上させることができる。また、この酸化膜と絶縁層と
の接着界面の密着度が高まるので、電子部品から発せら
れる熱が金属基板に速やかに吸収されこの金属基板全体
に速やかに分散され、大気中に速やかに放散され、した
がって、金属基板の放熱特性を大幅に向上させることが
できる。
【００３４】また、前記金属板がアルミニウムもしくは
アルミニウム合金からなり、前記酸化膜を厚み０．００
５〜０．１００ｍｍの酸化アルミニウム膜からなること
としたので、高熱伝導度を有しかつ赤外線放射特性が大
幅に改善されたアルミニウム基板もしくはアルミニウム
合金基板を得ることができる。
アルミニウム合金からなり、前記酸化膜を厚み０．００
５〜０．１００ｍｍの酸化アルミニウム膜からなること
としたので、高熱伝導度を有しかつ赤外線放射特性が大
幅に改善されたアルミニウム基板もしくはアルミニウム
合金基板を得ることができる。
【００３５】また、前記酸化膜を形成する手段として、
溶射法、陽極酸化法、塗装法、酸処理法、蒸着法、傾斜
機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合わせる方法
により金属板の表面に硬度の高い酸化膜を形成すること
ができる。
溶射法、陽極酸化法、塗装法、酸処理法、蒸着法、傾斜
機能法、あるいはこれらの方法を複数組み合わせる方法
により金属板の表面に硬度の高い酸化膜を形成すること
ができる。
【００３６】以上により、基板からの放熱特性を大幅に
高めることができる金属基板を提供することが可能にな
る。
高めることができる金属基板を提供することが可能にな
る。
【図１】本発明の金属基板を示す断面図である。
【図２】本発明の金属基板の実験例のサンプルを示す平
面図である。
面図である。
【図３】熱抵抗の測定方法を示す図である。
１ 金属基板
２ アルミニウム板（金属板）
３ 酸化アルミニウム膜（酸化膜）
４ 絶縁層
５ 銅箔
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板の少なくとも片面に、絶縁層及
び銅箔を順次積層してなる金属基板において、該金属板
の表面にＬ値が４０以下、光吸収率が０．５以上の酸化
膜を設けたことを特徴とする金属基板。 - 【請求項２】 前記金属板はアルミニウムもしくはア
ルミニウム合金からなり、前記酸化膜は厚み０．００５
〜０．１００ｍｍの酸化アルミニウム膜からなることを
特徴とする請求項１記載の金属基板。 - 【請求項３】 前記酸化膜は、溶射法、陽極酸化法、
塗装法、酸処理法、蒸着法、傾斜機能法、もしくはこれ
らの方法を複数組み合わせる方法により形成された酸化
皮膜からなることを特徴とする請求項１または２記載の
金属基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036933A JP2529780B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 金属基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036933A JP2529780B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 金属基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255254A true JPH04255254A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2529780B2 JP2529780B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=12483560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036933A Expired - Lifetime JP2529780B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 金属基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529780B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014135479A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-07-24 | Mitsubishi Materials Corp | アルミニウム製熱交換器、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、アルミニウム製熱交換器の製造方法 |
| WO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
| JP2015099834A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体および電気接続箱 |
| KR20160054117A (ko) * | 2014-11-05 | 2016-05-16 | 현대자동차주식회사 | 알루미늄 버스바 및 그 제조방법 |
| WO2018060231A1 (en) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Highly thermally conductive dielectric structure for heat spreading in component carrier |
| CN109714916A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 日进材料股份有限公司 | 冲击吸收复合片 |
| CN110831323A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-21 | 惠州市欣可达科技有限公司 | 一种高导热金属基板 |
| CN112342551A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-09 | 仪征常众汽车部件有限公司 | 一种用于汽车配件的表面强化处理工艺 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI340010B (en) | 2006-08-04 | 2011-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Circuit board with cooling functionality |
| CN100586252C (zh) * | 2006-08-04 | 2010-01-27 | 亿光电子工业股份有限公司 | 具有散热功能的电路板的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787190A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Sumitomo Electric Industries | Metallic core printed circuit board |
| JPS603587U (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-11 | 三洋電機株式会社 | 電磁調理器 |
| US4675784A (en) * | 1983-12-13 | 1987-06-23 | Rolf Dahlberg | Printed circuit board |
| JPS633587A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Toshiba Corp | 動画像伝送方式 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3036933A patent/JP2529780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
| JPWO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-03-09 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
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| WO2018060231A1 (en) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Highly thermally conductive dielectric structure for heat spreading in component carrier |
| CN109863835A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-06-07 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 部件承载件中用于散热的高导热介电结构 |
| US10880988B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-12-29 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Highly thermally conductive dielectric structure for heat spreading in component carrier |
| CN109863835B (zh) * | 2016-09-27 | 2022-04-05 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 部件承载件及其组成件的制造方法 |
| CN109714916A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 日进材料股份有限公司 | 冲击吸收复合片 |
| CN110831323A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-21 | 惠州市欣可达科技有限公司 | 一种高导热金属基板 |
| CN112342551A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-09 | 仪征常众汽车部件有限公司 | 一种用于汽车配件的表面强化处理工艺 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2529780B2 (ja) | 1996-09-04 |
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