JPH04254356A - ガラス封止型ｉｃ用パッケージ - Google Patents
ガラス封止型ｉｃ用パッケージInfo
- Publication number
- JPH04254356A JPH04254356A JP1463491A JP1463491A JPH04254356A JP H04254356 A JPH04254356 A JP H04254356A JP 1463491 A JP1463491 A JP 1463491A JP 1463491 A JP1463491 A JP 1463491A JP H04254356 A JPH04254356 A JP H04254356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- glass
- sealed
- package
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical group F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 2
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス封止型ＩＣ用パッ
ケージに関する。
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージは
図７に示すように、中央部に凹部を設けたセラミック基
板１３の凹部底面にメタライズ層１２を設け、凹部上段
水平面にガラスフリット２７をスクリーン印刷により形
成して焼成した後ガラスフリット２７の上にリードフレ
ーム１５を加熱圧着して接合しケースを形成する。一方
、セラミックのキャップ１６の封着面にガラスフリット
２７と同じ流動性を有するガラスフリット２７ａをスク
リーン印刷し焼成して形成し、ガラス封止型ＩＣパッケ
ージを構成する。
図７に示すように、中央部に凹部を設けたセラミック基
板１３の凹部底面にメタライズ層１２を設け、凹部上段
水平面にガラスフリット２７をスクリーン印刷により形
成して焼成した後ガラスフリット２７の上にリードフレ
ーム１５を加熱圧着して接合しケースを形成する。一方
、セラミックのキャップ１６の封着面にガラスフリット
２７と同じ流動性を有するガラスフリット２７ａをスク
リーン印刷し焼成して形成し、ガラス封止型ＩＣパッケ
ージを構成する。
【０００３】図８は従来のガラス封止型パッケージの使
用例を示す断面図である。
用例を示す断面図である。
【０００４】図８に示すように、ケースのメタライズ層
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により接続し、ケースの上面にキャップ１６
のガラスフリット２７ａを合わせて載置し、４２０〜４
８０℃の温度で加熱しガラスフリット２７，２７ａを熔
融させ気密封止する。
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により接続し、ケースの上面にキャップ１６
のガラスフリット２７ａを合わせて載置し、４２０〜４
８０℃の温度で加熱しガラスフリット２７，２７ａを熔
融させ気密封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のガラス封止
型ＩＣ用パッケージは、気密封止のための封止温度を４
２０〜４８０℃の高温に設定する必要があった。
型ＩＣ用パッケージは、気密封止のための封止温度を４
２０〜４８０℃の高温に設定する必要があった。
【０００６】これは、ガラスフリットの熱膨張率をセラ
ミック基板やリードフレームに合わせるため、各種のフ
ィラーを添加しており、そのフィラーの影響で高温でな
ければ良好なガラス流動性が得られないからである。し
かし、最近、半導体素子の拡散プロセスが低温化してき
ており、アルミニウム配線も４２０℃以下でアロイ処理
が行われているため、パッケージを高温度で封止した場
合にはアロイ温度以上にＩＣチップがさらされて不純物
の拡散領域が拡大し、能動素子の特性がばらつき回路特
性の変動を生ずるという問題点がある。
ミック基板やリードフレームに合わせるため、各種のフ
ィラーを添加しており、そのフィラーの影響で高温でな
ければ良好なガラス流動性が得られないからである。し
かし、最近、半導体素子の拡散プロセスが低温化してき
ており、アルミニウム配線も４２０℃以下でアロイ処理
が行われているため、パッケージを高温度で封止した場
合にはアロイ温度以上にＩＣチップがさらされて不純物
の拡散領域が拡大し、能動素子の特性がばらつき回路特
性の変動を生ずるという問題点がある。
【０００７】また、アロイ温度以上になると、ＩＣチッ
プ表面の絶縁層からＨ２ などのガスが発生し、これが
アルミニウム配線を侵食して断線を発生させる等の問題
点がある。
プ表面の絶縁層からＨ２ などのガスが発生し、これが
アルミニウム配線を侵食して断線を発生させる等の問題
点がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のガラス封
止型ＩＣ用パッケージは、中央部に素子搭載用の凹部を
設けたセラミック基板の前記凹部上段水平面に低流動性
の第１のガラスフリットを設け前記第１のガラスフリッ
ト上に接合して設けたリードフレームを有するケースと
、前記セラミック基板の外縁部に対応する封着面に設け
た低流動性の第２のガラスフリットを有するキャップと
を備えたガラス封止型ＩＣ用パッケージにおいて、前記
ケースのリードフレーム又はキャップの第２のガラスフ
リットのいずれかの上に設けてパッケージを気密封止す
るための高流動性の第３のガラスフリットを有して構成
される。
止型ＩＣ用パッケージは、中央部に素子搭載用の凹部を
設けたセラミック基板の前記凹部上段水平面に低流動性
の第１のガラスフリットを設け前記第１のガラスフリッ
ト上に接合して設けたリードフレームを有するケースと
、前記セラミック基板の外縁部に対応する封着面に設け
た低流動性の第２のガラスフリットを有するキャップと
を備えたガラス封止型ＩＣ用パッケージにおいて、前記
ケースのリードフレーム又はキャップの第２のガラスフ
リットのいずれかの上に設けてパッケージを気密封止す
るための高流動性の第３のガラスフリットを有して構成
される。
【０００９】本発明の第２のガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージは、中央部に素子搭載用の凹部を設けたセラミック
基板の前記凹部上段水平面に設けた低流動性の第１のガ
ラスフリットと、前記第１のガラスフリット上に設けた
高流動性の第５のガラスフリットと、前記第２のガラス
フリット上に接合して設けたリードフレームとを有する
ケースと、前記セラミック基板の外縁部に対応して設け
た接着面に順次積層して設けた低流動性の第２のガラス
フリット及び高流動性の第３のガラスフリットを有する
キャップとを有して構成される。
ージは、中央部に素子搭載用の凹部を設けたセラミック
基板の前記凹部上段水平面に設けた低流動性の第１のガ
ラスフリットと、前記第１のガラスフリット上に設けた
高流動性の第５のガラスフリットと、前記第２のガラス
フリット上に接合して設けたリードフレームとを有する
ケースと、前記セラミック基板の外縁部に対応して設け
た接着面に順次積層して設けた低流動性の第２のガラス
フリット及び高流動性の第３のガラスフリットを有する
キャップとを有して構成される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。
である。
【００１２】図１に示すように、中央部に凹部を設けた
セラミック基板１３の凹部底面に素子搭載用のメタライ
ズ層１２を設け、ＰｂＯ−Ｂ２ Ｏ３ 系硝子の母材に
硅化ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ４ ）やウィレマイト（
Ｚｎ２ ＳｉＯ４ ）等のフィラーを混在させた日本電
気硝子製のＬＳ−３００１（商品コード番号）等の低流
動性のガラスフリット１７をスクリーン印刷により塗布
して焼成する。次に、ガラスフリット１７上にリードフ
レーム１５を加熱圧着して接合しケースを形成する。
セラミック基板１３の凹部底面に素子搭載用のメタライ
ズ層１２を設け、ＰｂＯ−Ｂ２ Ｏ３ 系硝子の母材に
硅化ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ４ ）やウィレマイト（
Ｚｎ２ ＳｉＯ４ ）等のフィラーを混在させた日本電
気硝子製のＬＳ−３００１（商品コード番号）等の低流
動性のガラスフリット１７をスクリーン印刷により塗布
して焼成する。次に、ガラスフリット１７上にリードフ
レーム１５を加熱圧着して接合しケースを形成する。
【００１３】一方、セラミックのキャップ１６の封着面
にガラスフリット１７と同じ材質のガラスフリット１７
ａをスクリーン印刷により塗布して焼成した後ガラスフ
リット１７ａの上にＰｂＯ−Ｂ２ Ｏ３ 系硝子ＬＳ−
３００１のフィラーを２５〜３５％減少させた高流動性
のガラスフリット１８をスクリーン印刷して焼成し２層
構造のガラスフリットを形成し、ガラス封止型ＩＣ用パ
ッケージを構成する。
にガラスフリット１７と同じ材質のガラスフリット１７
ａをスクリーン印刷により塗布して焼成した後ガラスフ
リット１７ａの上にＰｂＯ−Ｂ２ Ｏ３ 系硝子ＬＳ−
３００１のフィラーを２５〜３５％減少させた高流動性
のガラスフリット１８をスクリーン印刷して焼成し２層
構造のガラスフリットを形成し、ガラス封止型ＩＣ用パ
ッケージを構成する。
【００１４】図２は本発明のガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージの使用例を示す断面図である。
ージの使用例を示す断面図である。
【００１５】図２に示すように、ケースのメタライズ層
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により電気的に接続する。次に、ケースの上
面にキャップ１６のガラスフリット１８を合わせて載置
し、３８５〜３９０℃の温度に加熱してガラスフリット
１８を熔融させ気密封止する。
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により電気的に接続する。次に、ケースの上
面にキャップ１６のガラスフリット１８を合わせて載置
し、３８５〜３９０℃の温度に加熱してガラスフリット
１８を熔融させ気密封止する。
【００１６】ここで、ガラスフリット１８はガラスフリ
ット１７，１７ａが４２０℃のときの流動性と同等の流
動性を３９０℃で得られるため、３８５〜３９０℃の封
止が可能となり、アルミニウム配線のアロイ温度４００
〜４２０℃のＩＣチップを搭載した場合にも特性変動や
アルミニウム配線の消失等の不良の発生を抑制すること
ができるという利点がある。
ット１７，１７ａが４２０℃のときの流動性と同等の流
動性を３９０℃で得られるため、３８５〜３９０℃の封
止が可能となり、アルミニウム配線のアロイ温度４００
〜４２０℃のＩＣチップを搭載した場合にも特性変動や
アルミニウム配線の消失等の不良の発生を抑制すること
ができるという利点がある。
【００１７】図３は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。
である。
【００１８】図３に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の表面に高流動性のガラスフリット
１８をスクリーン印刷し焼成してケースを形成し、キャ
ップ１６の封着面には低流動性のガラスフリット１７ａ
のみを設けた以外は第１の実施例と同様の構成を有して
おり、３８５〜３９０℃で封止可能である。
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の表面に高流動性のガラスフリット
１８をスクリーン印刷し焼成してケースを形成し、キャ
ップ１６の封着面には低流動性のガラスフリット１７ａ
のみを設けた以外は第１の実施例と同様の構成を有して
おり、３８５〜３９０℃で封止可能である。
【００１９】図４は本発明の第３の実施例を示す断面図
である。
である。
【００２０】図４に示すように、セラミック基板１３の
凹部上段の水平面に設けた低流動性のガラスフリット１
７の上に高流動性のガラスフリット１８ａをスクリーン
印刷し、焼成して形成し、ガラスフリット１８ａ上にリ
ードフレーム１５を加熱圧着して接合した以外は第１の
実施例と同様の構成を有している。
凹部上段の水平面に設けた低流動性のガラスフリット１
７の上に高流動性のガラスフリット１８ａをスクリーン
印刷し、焼成して形成し、ガラスフリット１８ａ上にリ
ードフレーム１５を加熱圧着して接合した以外は第１の
実施例と同様の構成を有している。
【００２１】図５は本発明の第４の実施例を示す断面図
である。
である。
【００２２】図５に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷して焼成し、更にガラスフリット
１７ｂの上に高流動性のガラスフリット１８をスクリー
ン印刷し焼成して設けた以外は第２の実施例と同様の構
成を有している。
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷して焼成し、更にガラスフリット
１７ｂの上に高流動性のガラスフリット１８をスクリー
ン印刷し焼成して設けた以外は第２の実施例と同様の構
成を有している。
【００２３】ここで、ガラスフリット１８はリードフレ
ームと直接接していないためガラスフリット１８の導電
率が高い場合でも半導体装置のリード間のリーク電流を
増加させることがないという利点がある。
ームと直接接していないためガラスフリット１８の導電
率が高い場合でも半導体装置のリード間のリーク電流を
増加させることがないという利点がある。
【００２４】図６は本発明の第５の実施例を示す断面図
である。
である。
【００２５】図６に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷し、焼成してケースを形成した以
外は第１の実施例と同様の構成を有しており、第４の実
施例と同様に低流動性のガラスフリット１８がリードフ
レーム１５に直接接することが無い。
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷し、焼成してケースを形成した以
外は第１の実施例と同様の構成を有しており、第４の実
施例と同様に低流動性のガラスフリット１８がリードフ
レーム１５に直接接することが無い。
【００２６】なお、ガラスフリット１８の代りに例えば
日本電気硝子製のＬＳ１４０１（商品コード）等のＰｂ
Ｆ２ 系硝子のガラスフリットを使用して良く、３５５
〜３６０℃の低い温度の封止が可能である。
日本電気硝子製のＬＳ１４０１（商品コード）等のＰｂ
Ｆ２ 系硝子のガラスフリットを使用して良く、３５５
〜３６０℃の低い温度の封止が可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ケースに
設けたリードフレームを含む低流動性の第１のガラスフ
リットの上又はキャップに設けた低流動性の第２のガラ
スフリットの上のいずれかに高流動性の第３のガラスフ
リットを設けることにより、搭載するＩＣチップのアロ
イ温度以下の低温封止を可能とし、半導体チップの特性
変動やアルミニウム配線の断線等の発生を防止し、半導
体装置の信頼性を向上させるという効果を有する。
設けたリードフレームを含む低流動性の第１のガラスフ
リットの上又はキャップに設けた低流動性の第２のガラ
スフリットの上のいずれかに高流動性の第３のガラスフ
リットを設けることにより、搭載するＩＣチップのアロ
イ温度以下の低温封止を可能とし、半導体チップの特性
変動やアルミニウム配線の断線等の発生を防止し、半導
体装置の信頼性を向上させるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明のガラス封止型ＩＣ用パッケージの使用
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の第５の実施例を示す断面図である。
【図７】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージの使用例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ ＩＣチップ
１２ メタライズ層
１３ セラミック基板
１４ 金属細線
１５ リードフレーム
１６ キャップ
１７，１７ａ，１７ｂ，１８，１８ａ，２７，２７ａ
ガラスフリット
ガラスフリット
Claims (5)
- 【請求項１】 中央部に素子搭載用の凹部を設けたセ
ラミック基板の前記凹部上段水平面に低流動性の第１の
ガラスフリットを設け前記第１のガラスフリット上に接
合して設けたリードフレームを有するケースと、前記セ
ラミック基板の外縁部に対応する封着面に設けた低流動
性の第２のガラスフリットを有するキャップとを備えた
ガラス封止型ＩＣ用パッケージにおいて、前記ケースの
リードフレーム又はキャップの第２のガラスフリットの
いずれかの上に設けてパッケージを気密封止するための
高流動性の第３のガラスフリットを有することを特徴と
するガラス封止型ＩＣ用パッケージ。 - 【請求項２】 ケースのリードフレームを含む第１の
ガラスフリットの上に設けた低流動性の第４のガラスフ
リットを備えた請求項１記載のガラス封止型ＩＣ用パッ
ケージ。 - 【請求項３】 中央部に素子搭載用の凹部を設けたセ
ラミック基板の前記凹部上段水平面に設けた低流動性の
第１のガラスフリットと、前記第１のガラスフリット上
に設けた高流動性の第５のガラスフリットと、前記第２
のガラスフリット上に接合して設けたリードフレームと
を有するケースと、前記セラミック基板の外縁部に対応
して設けた接着面に順次積層して設けた低流動性の第２
のガラスフリット及び高流動性の第３のガラスフリット
を有するキャップとを有することを特徴とするガラス封
止型ＩＣ用パッケージ。 - 【請求項４】 ガラスフリットの母材硝子がＰｂＯ−
Ｂ２ Ｏ３ 系硝子である請求項１，２又は３記載のガ
ラス封止型ＩＣ用パッケージ。 - 【請求項５】 高流動性ガラスフリットの母材硝子が
ＰｂＦ２ 系硝子である請求項１，２又は３記載のガラ
ス封止型ＩＣ用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014634A JP2701550B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ガラス封止型ｉｃ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014634A JP2701550B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ガラス封止型ｉｃ用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254356A true JPH04254356A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2701550B2 JP2701550B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=11866632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014634A Expired - Lifetime JP2701550B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ガラス封止型ｉｃ用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701550B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168247A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Nec Kansai Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
| JPS6489347A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH0290550A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Nec Corp | 半導体装置のパッケージ |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3014634A patent/JP2701550B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168247A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Nec Kansai Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
| JPS6489347A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH0290550A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Nec Corp | 半導体装置のパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701550B2 (ja) | 1998-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4670771A (en) | Rectifier module | |
| US6958529B2 (en) | Acceleration sensor and method of manufacture thereof | |
| US3673309A (en) | Integrated semiconductor circuit package and method | |
| US4229758A (en) | Package for semiconductor devices with first and second metal layers on the substrate of said package | |
| US3405224A (en) | Sealed enclosure for electronic device | |
| JPS59126665A (ja) | 厚膜混成集積回路 | |
| US8129255B2 (en) | Firm, insulating and electrically conducting connection of processed semiconductor wafers | |
| JPH04254356A (ja) | ガラス封止型ｉｃ用パッケージ | |
| EP0275122B1 (en) | Chip package transmissive to ultraviolet light | |
| JP3036256B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05315467A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2003273357A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03212901A (ja) | 角板型チップ抵抗器 | |
| JP4095280B2 (ja) | 加速度センサ素子 | |
| JPH0620627A (ja) | 蛍光表示管 | |
| JPS62285456A (ja) | ガラス封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH04247645A (ja) | 金属基板の実装構造 | |
| JP3049410B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2631397B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2818506B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
| JP2810551B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2001177112A (ja) | 半導体装置の配線取り出し構造 | |
| JPS60154647A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61112369A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07122666A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |