JPH04252090A - 面発光半導体レーザ - Google Patents
面発光半導体レーザInfo
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
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- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
-
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- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高並列な光伝送や光情報
処理に用いられる垂直共振器型面発光半導体レーザ（Ｖ
ＣＳＥＬ）に関する。
処理に用いられる垂直共振器型面発光半導体レーザ（Ｖ
ＣＳＥＬ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に垂直な方向に発振する面発
光半導体レーザはコンピュータ間のデータ伝送や、光コ
ンピューティングに欠かせないキーデバイスとなる。面
発光半導体レーザは、図１に示すように、ＩｎＧａＡｓ
活性層７をＡｌＧａＡｓクラッド層６，８で挟んだダブ
ルヘテロ接合構造を有する中間層１５を、レーザ共振器
の反射鏡を構成する半導体多層膜１３，１４の間に配置
した円柱状の積層構造になっており、従来は、バルクの
屈折率を基準として、半導体多層膜の各層及び中間層の
厚さをそれぞれ媒質内有効波長の１／４及び１倍に設定
した構造になっている。
光半導体レーザはコンピュータ間のデータ伝送や、光コ
ンピューティングに欠かせないキーデバイスとなる。面
発光半導体レーザは、図１に示すように、ＩｎＧａＡｓ
活性層７をＡｌＧａＡｓクラッド層６，８で挟んだダブ
ルヘテロ接合構造を有する中間層１５を、レーザ共振器
の反射鏡を構成する半導体多層膜１３，１４の間に配置
した円柱状の積層構造になっており、従来は、バルクの
屈折率を基準として、半導体多層膜の各層及び中間層の
厚さをそれぞれ媒質内有効波長の１／４及び１倍に設定
した構造になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＶＣＳＥＬでは
、素子径を小さくしていくと、図２に示すように、横モ
ードに対応する有効屈折率が大きく変化し、この変化が
縦モードにも影響を与えるために、思うように発振しき
い値電流をさげることができなかった。
、素子径を小さくしていくと、図２に示すように、横モ
ードに対応する有効屈折率が大きく変化し、この変化が
縦モードにも影響を与えるために、思うように発振しき
い値電流をさげることができなかった。
【０００４】本発明の目的は、有効屈折率が大きく変化
する素子径領域においても充分小さなしきい値電流を達
成し、しかも単一モード発振となるようなＶＣＳＥＬを
実現することにある。
する素子径領域においても充分小さなしきい値電流を達
成し、しかも単一モード発振となるようなＶＣＳＥＬを
実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明になる単一横モー
ドＶＣＳＥＬは、半導体多層膜及び中間層の層厚をバル
クの屈折率を基準にして設定するのではなく、素子径に
伴って変化する横モードの有効屈折率を基準にして半導
体多層膜の各層の厚さ、中間層の各層の厚さをそれぞれ
媒質内有効波長の１／４、１倍となるように設定した構
造となっている。
ドＶＣＳＥＬは、半導体多層膜及び中間層の層厚をバル
クの屈折率を基準にして設定するのではなく、素子径に
伴って変化する横モードの有効屈折率を基準にして半導
体多層膜の各層の厚さ、中間層の各層の厚さをそれぞれ
媒質内有効波長の１／４、１倍となるように設定した構
造となっている。
【０００６】なお、各層の有効屈折率は、実測、あるい
は計算により求めた値を用いる。計算により有効屈折率
を求めるには、マクスウェルの方程式より求める。すな
わち、 （Δ＋ｋ０ ２ εｉ ２ ）Ｅｉｊ＝０
…（１）ｋ０ ：真空中
の波数＝２π／λ０ λ０ ：真空中の波長 εｉ ：媒質ｉ中の誘電率 Ｅｉｊ：媒質ｉ中の電場のｉ座標成分 （１）式を円筒座標（ｒ，θ，Ｚ）で表わし、下記に示
す特性方程式を得る。
は計算により求めた値を用いる。計算により有効屈折率
を求めるには、マクスウェルの方程式より求める。すな
わち、 （Δ＋ｋ０ ２ εｉ ２ ）Ｅｉｊ＝０
…（１）ｋ０ ：真空中
の波数＝２π／λ０ λ０ ：真空中の波長 εｉ ：媒質ｉ中の誘電率 Ｅｉｊ：媒質ｉ中の電場のｉ座標成分 （１）式を円筒座標（ｒ，θ，Ｚ）で表わし、下記に示
す特性方程式を得る。
【０００７】＊ＩＭＧ［１０１］
【０００８】
ｕ２ ＝ａ２ （ｎ１ ２ ｋ０ ２ −β２ ）
…（３）ｗ２ ＝ａ２ （β２ −ｎ２ ２ｋ０
２ ） …（３）ａ：円筒半径 ｎｉ ：媒質ｉの屈折率 Ｊν：ν次のベッセル関数 Ｋν：ν次の変形ベッセル関数 β：伝播定数 有効屈折率ｎｅｆｆ は、（２），（３）から求めたβ
からｎｅｆｆ ＝Ｒｅβ／ｋ０ となる。
…（３）ｗ２ ＝ａ２ （β２ −ｎ２ ２ｋ０
２ ） …（３）ａ：円筒半径 ｎｉ ：媒質ｉの屈折率 Ｊν：ν次のベッセル関数 Ｋν：ν次の変形ベッセル関数 β：伝播定数 有効屈折率ｎｅｆｆ は、（２），（３）から求めたβ
からｎｅｆｆ ＝Ｒｅβ／ｋ０ となる。
【０００９】
【作用】図２に示すように、ＧａＡｓ等、半導体中の有
効屈折率はＶＣＳＥＬの径が小さくなるに従って減少し
ていく。この結果、バルクの屈折率を基準として厚さを
設計されていた半導体多層膜と中間層は共振波長が設計
値からずれ、利得の得られる波長領域から外れていく。 ところが、本発明のように、まず素子径を決定し、この
時の有効屈折率を基準として半導体多層膜及び中間層の
膜厚を設定することによって、どんなに小さな素子径に
おいても発振波長を利得の最大波長に一致させることが
可能となる。しかも、素子径の充分小さな領域、例えば
１μｍとすると、基本モードと高次モードとの有効屈折
率の差は５％程度と利得の波長幅にたいして充分大きい
ため、基本モードに対して設計されたＶＣＳＥＬでは、
高次モードでは発振せず、単一モード発振が可能となる
。
効屈折率はＶＣＳＥＬの径が小さくなるに従って減少し
ていく。この結果、バルクの屈折率を基準として厚さを
設計されていた半導体多層膜と中間層は共振波長が設計
値からずれ、利得の得られる波長領域から外れていく。 ところが、本発明のように、まず素子径を決定し、この
時の有効屈折率を基準として半導体多層膜及び中間層の
膜厚を設定することによって、どんなに小さな素子径に
おいても発振波長を利得の最大波長に一致させることが
可能となる。しかも、素子径の充分小さな領域、例えば
１μｍとすると、基本モードと高次モードとの有効屈折
率の差は５％程度と利得の波長幅にたいして充分大きい
ため、基本モードに対して設計されたＶＣＳＥＬでは、
高次モードでは発振せず、単一モード発振が可能となる
。
【００１０】
【実施例】図１は本発明を適用した単一モード屈折率導
波ＶＣＳＥＬの断面図である。ｎ−ＧａＡｓ基板１２の
上に、ＡｌＡｓ１０とＧａＡｓ１１を交互に積層して成
るｎ型半導体多層膜（ドーピング濃度２×１０１８ｃｍ
−３）１４、ｎ−Ａｌ０．５ ＧＡ０．５ Ａｓ９、Ａ
ｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ８、活性層となるノンドープの
Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（層厚８０オングストロ
ーム）７、Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ６、ｐ−Ａｌ０．
５ Ｇａ０．５ Ａｓ５、ｐ型半導体多層膜（ドーピン
グ濃度２×１０１８ｃｍ−３）１３が、分子線ビームエ
ピタキシー法により積層され、ドライエッチングにより
円柱状に加工されている。Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓで
はＡｌ組成ｘが層内で放物線状になるように変えられて
いて、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ７に接するところ
ではｘ＝０としてある。ｎ型半導体多層膜１４ではｎ−
ＧａＡｓ１０とｎ−ＡｌＡｓ９とがいずれも（設計発振
波長）／（４×有効屈折率）の厚さに設定されていて交
互に２２対積層されている。ｐ型半導体多層膜１３でも
同様にｐ−ＧａＡｓ４とｐ−ＡｌＡｓ３とがそれぞれ（
設計発振波長）／（４×有効屈折率）の厚さに設定され
ていて交互に１５対積層されている。円柱の直径は単一
横モードとなる大きさ、ここでは１μｍ程度としてある
。 この場合のＧａＡｓ、ＡｌＡｓの有効屈折率はそれぞれ
３．５４、２．９６であるので、発振波長９５０ｎｍの
場合、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓの厚さはそれぞれ６７０オン
グストローム、８０２オングストロームとなる。
波ＶＣＳＥＬの断面図である。ｎ−ＧａＡｓ基板１２の
上に、ＡｌＡｓ１０とＧａＡｓ１１を交互に積層して成
るｎ型半導体多層膜（ドーピング濃度２×１０１８ｃｍ
−３）１４、ｎ−Ａｌ０．５ ＧＡ０．５ Ａｓ９、Ａ
ｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ８、活性層となるノンドープの
Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（層厚８０オングストロ
ーム）７、Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ６、ｐ−Ａｌ０．
５ Ｇａ０．５ Ａｓ５、ｐ型半導体多層膜（ドーピン
グ濃度２×１０１８ｃｍ−３）１３が、分子線ビームエ
ピタキシー法により積層され、ドライエッチングにより
円柱状に加工されている。Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓで
はＡｌ組成ｘが層内で放物線状になるように変えられて
いて、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ７に接するところ
ではｘ＝０としてある。ｎ型半導体多層膜１４ではｎ−
ＧａＡｓ１０とｎ−ＡｌＡｓ９とがいずれも（設計発振
波長）／（４×有効屈折率）の厚さに設定されていて交
互に２２対積層されている。ｐ型半導体多層膜１３でも
同様にｐ−ＧａＡｓ４とｐ−ＡｌＡｓ３とがそれぞれ（
設計発振波長）／（４×有効屈折率）の厚さに設定され
ていて交互に１５対積層されている。円柱の直径は単一
横モードとなる大きさ、ここでは１μｍ程度としてある
。 この場合のＧａＡｓ、ＡｌＡｓの有効屈折率はそれぞれ
３．５４、２．９６であるので、発振波長９５０ｎｍの
場合、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓの厚さはそれぞれ６７０オン
グストローム、８０２オングストロームとなる。
【００１１】
【発明の効果】本発明を適用するならば、有効屈折率が
大きく変化する小さな径のＶＣＳＥＬにおいても、各層
の厚さを予め設計することによって、発振波長を利得の
最大波長に一致させることができ、発振しきい値電流を
下げることが可能となる。さらに基本モードと高次モー
ドの有効屈折率差の大きな素子径にする事によって、単
一横モードを実現できる。本事例では半導体材料の場合
について説明したが、本発明は他の材料系のＶＣＳＥＬ
に対しても適用できる。
大きく変化する小さな径のＶＣＳＥＬにおいても、各層
の厚さを予め設計することによって、発振波長を利得の
最大波長に一致させることができ、発振しきい値電流を
下げることが可能となる。さらに基本モードと高次モー
ドの有効屈折率差の大きな素子径にする事によって、単
一横モードを実現できる。本事例では半導体材料の場合
について説明したが、本発明は他の材料系のＶＣＳＥＬ
に対しても適用できる。
【図１】ＶＣＳＥＬを示す縦断面図。
【図２】ＧａＡｓ中の各横モードに対応する有効屈折率
の直径依存性を示す特性図。
の直径依存性を示す特性図。
１３ ｐ型半導体多層膜
１４ ｎ型半導体多層膜
１５ 中間層
Claims (1)
- 【請求項１】 クラッド層間に活性層を挟んだダブル
ヘテロ構造を、レーザ共振器の反射鏡を構成する半導体
多層膜間に挟んである円柱状積層構造の垂直共振器を有
する面発光半導体レーザにおいて、素子径に合わせて変
化する各層の有効屈折率を基準にして、各層の層厚を設
定してあることを特徴とする面発光半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008216A JP2699665B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 面発光半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008216A JP2699665B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 面発光半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252090A true JPH04252090A (ja) | 1992-09-08 |
| JP2699665B2 JP2699665B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=11687029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008216A Expired - Lifetime JP2699665B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 面発光半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699665B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190214787A1 (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-11 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting vcsel |
| US20190237936A1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | OEpic SEMICONDUCTORS, INC | Planarization of backside emitting vcsel and method of manufacturing the same for array application |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008216A patent/JP2699665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190214787A1 (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-11 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting vcsel |
| US11283240B2 (en) * | 2018-01-09 | 2022-03-22 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting VCSEL |
| US11424595B2 (en) * | 2018-01-09 | 2022-08-23 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting VCSEL |
| US20190237936A1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | OEpic SEMICONDUCTORS, INC | Planarization of backside emitting vcsel and method of manufacturing the same for array application |
| US11233377B2 (en) * | 2018-01-26 | 2022-01-25 | Oepic Semiconductors Inc. | Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application |
| US11757255B2 (en) * | 2018-01-26 | 2023-09-12 | Oepic Semiconductors, Inc. | Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2699665B2 (ja) | 1998-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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