JPH04251437A - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスク状ガラス板の
表面に凹凸を形成する方法に関するものである。特に、
本発明の方法により表面に凹凸を形成したディスク状ガ
ラス板は、磁気ディスク用基板として用いることができ
る。

【０００２】

【従来の技術】ディスク状の基板の上に磁性膜と保護膜
を形成した磁気記録媒体（以下、メディアと称する。）
と、記録再生用磁気ヘッド（以下、ヘッドと称する。）
は、ハードディスクドライブ装置の主構成部を成してい
る。操作開始時にはヘッドとメディアは接触状態にあり
、メディアの回転中は空気抵抗によってヘッドがメディ
ア表面から浮上する。操作終了時にはヘッドは再びメデ
ィアに接触する。この方式をコンタクトスタートストッ
プ（ＣＳＳ）方式と呼んでいる。

【０００３】メディアの表面が平滑であると、ヘッドは
メディアに吸着して（この現象をヘッドスティックと称
する。）ヘッドクラッシュを生じる因となる。機械的な
方法等によって予めメディアの表面に微細な凹凸を形成
しておけば、ヘッドとメディア間の摩擦係数が減じて、
ヘッドスティックの発生を防止することができる。

【０００４】磁気ディスク基板の材質は、アルミニウム
合金が広く用いられるが、ガラスはアルミニウムに比べ
剛性が高いことから、基板の厚みを減らしてもメディア
に要求される高度な平坦性を損なわずに済み、従ってド
ライブ装置の小型化が期待される。

【０００５】基板にガラスを用いた場合も、ヘッドステ
ィックを防止するため、メディアの表面に微細な凹凸を
形成する必要がある。ガラス磁気ディスクは高記録密度
のメディア（例えば磁性膜をスパッタリング法により１
０００Å以下の厚みに基板上に形成する薄膜メディア）
の基板に適している。この場合、磁性膜に凹凸を形成す
ることは難しく、基板に凹凸を形成しておく必要がある
。

【０００６】凹凸の形成方法として、機械的な擦傷を基
板表面に与える方法は、基板の材質がガラスの場合には
、アルミニウム合金またはアルミニウム合金上のニッケ
ル燐合金に擦傷を与える場合と比較して、基板表面が塑
性流動する度合が小さく、表面に無数のマイクロクラッ
クを発生させるため、このクラック中に吸蔵された水分
や洗浄液が、磁性膜に悪影響（コロージョン）を及ぼす
恐れがある。

【０００７】ガラス表面に凹凸を形成する方法として、
薬品を用いて化学的に処理する方法が広く知られている
。工業的に実用化されている方式のほとんどは、フッ化
水素酸またはフッ素化合物の水溶液中にガラスを浸漬す
る方式である。この方式では、ガラス表面の凹凸の山の
高さが、メディアに必要とされる５０〜１０００Åの範
囲、さらに好ましくは　１００〜４００　Åの範囲に揃
えることが難しく、一般にはノングレアやフロストガラ
スに見られるように、Ｒｍａｘ　で１０００Åを超す凹
凸を形成するのに向いている。

【０００８】アルカリまたはアルカリ土類の金属を含む
ガラスの表面に、酸性ガス、例えばＣＯ２　、ＳＯ２　
等を接触させると、ガラスの表面にＮａ２ＣＯ３、Ｎａ
ＨＣＯ３、ＣａＳＯ４　等の微粒子が生成し、ガラス表
面からＮａ、Ｃａ　等が除去され、内部よりＳｉＯ２に
富み、屈折率がわずかに小さな層を形成する。これはヤ
ケと呼ばれる現象で、生成物を酸洗で除去した後のガラ
ス表面の凹凸は、一般にはＳｉＯ２の骨格構造が残され
ているため、メディアに必要とされる上記粗さに達しな
い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気ディス
ク用ガラス基板、特にＣＳＳ特性および静止摩擦特性の
改善された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供
することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、表面に微小な凹凸を
形成したガラスから成る磁気ディスク用基板の前記凹凸
が、最大高さ（Ｒｍａｘ　）が５０〜１０００Åの範囲
にありかつ　０．１〜１０μｍの範囲のピッチで形成さ
れている磁気ディスク用基板の製造方法であって、単数
あるいは複数のディスク状ガラス板を回転の中心を共有
するように相互に平行かつ離隔し取外し自在に結合しさ
らに回転軸を設けてディスク状ガラス板集合体を形成し
、該ディスク状ガラス板集合体を前記回転軸を中心とし
て回転させながら、前記ディスク状ガラス板集合体の少
くともディスク状ガラス板間に設けられた吐出管から同
伴ガス中にフッ化水素および水を含有する混合ガスを吐
出させて前記ディスク状ガラス板に該混合ガスを接触さ
せることにより、前記ディスク状ガラス板の表面に前記
の凹凸を形成することを特徴とする磁気ディスク用基板
の製造方法を提供するものである。

【００１１】本発明の基板に用いるガラスは、骨格成分
としてＳｉＯ２を有する珪酸塩ガラスであればよい。こ
こで、表面に凹凸を形成する以前のガラス板を素板と記
すこととし、凹凸を形成してメディアの用に供するガラ
ス板を基板と記して区別することにする。素板としては
、ソーダ石灰珪酸ガラス、アルカリ含有もしくはアルカ
リを含まないホウ珪酸ガラス、またはＳｉＯ２を含むガ
ラスであってＳｉＯ２を構成酸化物の重量％で概ね４０
％以上含有するものであればよい。

【００１２】本発明により基板の表面に形成される凹凸
は、磁気ディスクに要求されるＣＳＳ特性と静止摩擦特
性を充足するために、前記凹凸からなる表面粗さの最大
高さ（Ｒｍａｘ　）が５０Å以上であることが必要であ
る。ここに表面粗さは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（表面粗
さ）に準拠しており、触針式の表面粗さ計で公称半径　
２．５μｍの触針を用い、針荷重２５ｍｇ，走査速度約
５０μｍ／分で、基準長さを５０μｍとした条件で測定
して得られるものを採用することにする。

【００１３】また、本発明において山のピッチとは、上
述の方法で測定して得た粗さ曲線の隣り合う山頂の間隔
をいう。本発明の方法で製造されたガラス基板の凹凸は
、上述の方法で測定した場合に一つ一つの山頂が比較的
独立しており、山頂の肩に小さな山（突起）を形成する
ことが少ない。このような山頂の肩に形成された小さな
山の上端と、それに隣り合う山頂または山との間に形成
された谷の下端とを結んだ距離が、その部分における山
頂と上記山をはさんで存在する谷底とを結んだ距離の２
０％に達しない時は、該山を山頂とはみなさないことに
する（ここに、山頂、山、谷底、谷の用語は、ＪＩＳ　
Ｂ　０６０１に準拠する）。

【００１４】Ｒｍａｘ　が５０Åに達せぬ基板は、メデ
ィアとして用いた場合には、静止摩擦特性が悪化するた
め磁気ディスク基板として適さない。一方、本発明によ
り基板の表面に形成される凹凸は、磁気ディスクに要求
される磁気特性を充足するために、Ｒｍａｘ　が少なく
とも１０００Å以下であることを必要とする。ここに磁
気特性とは、モジュレーションエラー、ミッシングビッ
ト、ビットシフト、Ｓ／Ｎ比等をいうが、これらの磁気
特性は一般に、ＣＳＳ特性と静止摩擦特性を悪化させな
い範囲で、基板が平滑な方が良好になる。

【００１５】したがって基板に適当な凹凸は、前述の表
面粗さの測定方法を用いた場合に、Ｒｍａｘ　が５０〜
１０００Åの範囲であることが必要であるが、より好ま
しくは５０〜　７００Å、さらに好ましくは１００　〜
４００　Åの範囲に保つのがよく、山のピッチは　０．
１〜１０μｍに一山、さらに好ましくは０．５　〜５μ
ｍに一山のピッチに保つのがよい。

【００１６】この粗さをもたらす方法としては、例えば
アルミニウム磁気ディスクの場合は一般に酸化アルミニ
ウムの砥粒等を用いた研磨を施すことによって達成され
ているが、素板がＳｉＯ２を含有するガラスの場合には
、フッ化水素を用いた化学的な方法で、面内に方向性を
有しない凹凸を素板の表面に形成することが可能である
。ここに方向性を有しないとは、本発明の方法により基
板表面に形成された凹凸が、表面粗さの基準長さをディ
スク表面の半径方向、円周方向あるいは任意の方向にと
ったとき、粗さ曲線が方向によって格別の特徴を有しな
いことを云う。

【００１７】基板表面に凹凸を形成するために用いられ
る混合ガスは、０．０１〜１０　ｍｏｌ％のフッ化水素
を含有することが望ましい。さらには、０．０１〜１０
ｍｏｌ　％の水（蒸気）を含有することが望ましい。フ
ッ化水素濃度が　０．０１ｍｏｌ％未満の場合には、望
ましい凹凸を得るために長時間のエッチングを必要とし
、１０　ｍｏｌ％を超える場合には、エッチング速度が
速すぎて凹凸を制御することが困難であり、望ましくな
い。水（蒸気）濃度が０．０１　ｍｏｌ％未満の場合に
は、ガラス表面をエッチングすることが困難であり、１
０　ｍｏｌ％を超える場合には、Ｒｍａｘが１０００Å
を超えるか、ピッチが１０μｍを超えるため、望ましく
ない。

【００１８】フッ化水素および水（蒸気）の濃度を制御
するためには、同伴ガスがこれらのガスを含まないか、
含まれても微量であることが望ましく、具体的には、露
点０℃以下に調節された空気および液体窒素を蒸発させ
ることにより得られる窒素ガスのうちの少くともいずれ
か一種を使用することが望ましい。

【００１９】混合ガスと接触させられるときのディスク
状ガラス板の温度は、５℃以上９０℃以下であることが
望ましい。ディスク状ガラス板の温度が５℃未満の場合
には、１０００Åを超える大きな凹凸が生じ、９０℃を
超える場合には、Ｒｍａｘ　が５０Å未満となり、望ま
しくない。

【００２０】また、工業的利用のためには、基板の表面
に形成された凹凸が、面内および面間でほぼ同一である
基板を再現性良く製造する必要がある。本発明による凹
凸の形成方法は、ガラスとフッ酸蒸気の固気反応を利用
しており、面内および面間で凹凸を均一にするためには
、面内および面間で反応を均一に起こす必要があり、面
内および面間での温度と物質移動の均一化に配慮しなけ
ればならないと考えられる。

【００２１】本発明の方法は、この考察に基づいて成さ
れたものである。図１に本発明の一実施例を示す。即ち
、単数あるいは複数のディスク状ガラス板３１を回転軸
４０を共有させ相互に平行かつ離隔し取外し自在に結合
して串刺し状のディスク状ガラス板集合体３０を形成し
、該ディスク状ガラス板集合体３０をその回転軸４０を
中心として回転させながら前記ディスク状ガラス板集合
体３０のディスク状ガラス板間および／または両外側端
に設けられた混合ガス吐出管３４から、不活性ガス中に
フッ化水素および水（蒸気）を含有する混合ガスを吐出
させる。

【００２２】前記混合ガス吐出管３４における混合ガス
を吐出させる吐出口は、吐出管３４の先端部分に設ける
ことができる。また、前記吐出口を吐出管３４の側部に
少くとも１個、好ましくは複数個設けることができる（
図示せず）が、この場合、該吐出口は前記したディスク
状ガラス板の内周および外周の中央の位置より中心側に
のみ設けるとは限らない。前記側部に吐出口を設ける場
合、吐出管３４の先端部分の吐出口は設けなくてもよい
が、必要に応じて設けることもできる。

【００２３】上記回転は、熱および物質を均一に移動さ
せるために不可欠なことであり、どちらか一方が欠ける
と、凹凸を均一に形成することができない。ディスク状
ガラス板集合体を形成する際、両端のディスク状ガラス
板をダミー板にすれば、両端の混合ガス吐出管を省略す
ることができる。

【００２４】ディスク状ガラス板集合体３０は、例えば
、図２に示した如く、ディスク状ガラス板３１の中心孔
に内孔を有するホルダー４２，４３，４４を嵌合させ、
該ホルダーの内孔に回転軸３９を通し、固定具４１およ
びナット４０を用いてディスク状ガラス板３１を前記ホ
ルダーを介して回転軸３９に取外し自在に固定すること
により形成できる。

【００２５】ディスク状ガラス板集合体３０の形成方法
の別の例としては、図３に示した如く、ディスク状ガラ
ス板３１を挟み込むようにホルダー４５〜４８を連結す
る方法が挙げられる。隣り合うホルダーは中心部のねじ
込みにより連結され、同時に全体として回転軸を形成す
る

【００２６】ディスク状ガラス板集合体３０は、回転
の中心を共有する回転軸にディスク状ガラス板が相互に
平行かつ離隔し取外し自在に取付けられているものであ
り、上記例示したものの他適切な形成方法を採用するこ
とができる。

【００２７】ディスク状ガラス板の間隔は、２ｍｍ以上
１０ｍｍ以下であることが望ましい。２ｍｍ未満の場合
には、ディスク状ガラス板集合体の隣接するガラス板間
に、混合ガスの吐出管を設置することが困難であり、１
００ｍｍ　より大きい場合には、装置容積が大きくなり
経済的でない。

【００２８】混合ガスの吐出管は、隣接するディスク状
ガラス板間の中心に、ディスク状ガラス板の表面と平行
に、かつ、ディスク状ガラス板の回転軸に対して垂直に
設置されることが望ましい。吐出管の設置における、隣
接するディスク状ガラス板間の中心からのずれ、ディス
ク状ガラス板の表面との平行度のずれ、あるいは、ディ
スク状ガラス板の回転軸に対しての垂直度のずれが大き
い場合には、吐出管をはさんで対向する２つのディスク
状ガラス板表面への物質の供給が均一に成されない。

【００２９】混合ガスの吐出管の先端はディスク状ガラ
ス板の中心から０．２５×（ディスクの内径＋ディスク
の外径）の距離の位置（内周および外周の中央の位置）
より中心側にあり、かつホルダーに接触していない。前
記先端とホルダーとの隔たりは　０．５ｍｍ以上が好ま
しい。０．５ｍｍ　未満の場合には、本発明の目的を達
成すべくディスク状ガラス板集合体の支持体と接触させ
ずに吐出管を設置することが困難であり、また吐出管の
先端部分のみに吐出口を設けた場合にガラス板表面に混
合ガスが有効かつ均一に供給され難い。またその場合、
先端の位置が中心から上記の距離の位置より外側にある
と、ディスク状ガラス板の中心孔付近の表面へのガス供
給が不充分となる。

【００３０】

【作用】本発明において、フッ化水素および水（蒸気）
の作用機構は必ずしも明確でないが、これらは、ガラス
表面において、ガラスの骨格構造であるＳｉＯ２と反応
してＳｉＦ４（ガス）を生成し、その結果、骨格を失っ
た残りの成分（ソーダ石灰珪酸塩ガラスであれば、Ｎａ
、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ等）は珪フッ化物となって、表面に
多孔質の層を形成し、さらに、フッ化水素および水（蒸
気）はこの層を拡散して内部のＳｉＯ２を侵蝕するため
に、この多孔質層がマスクとして働き、微細な凹凸を形
成する効果を生じるものと考えられる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例とともに説明する。

【００３２】実施例１ 本実施例のガラス素板は、ソーダ石灰珪酸塩ガラス（Ｓ
ｉＯ２を４０重量％以上含有）であって、外径　１３０
ｍｍのディスク状で、厚みが１．９　ｍｍになるように
両面を所定の粗摺研磨と艶出し研磨を行なった後、洗浄
乾燥を行なった。

【００３３】この様にして準備したガラス素板３枚を、
図２に示した如く、回転軸３９を中心にホルダー４２、
４３、４４、固定具４１およびナット４０を用いて固定
し、ディスク状ガラス板集合体３０を形成した。隣り合
うガラス素板の中心間距離は約１３ｍｍである。図１に
示したエッチング槽上部３５を取り外した後、前記ディ
スク状ガラス板集合体３０をモーター３２に取り付け、
再びエッチング槽上部３５をエッチング槽３６に取り付
けた。

【００３４】面状発熱体３８および配管加熱用ヒーター
１６によってエッチング槽上部３５、エッチング槽下部
３６、混合ガス供給管３３および配管（図示せず）を所
定の温度に制御し、混合ガス吐出管３４の先端に設けた
吐出口から窒素ガスを　１０　リットル／分で吐出させ
、かつモーター３２を駆動してディスク状ガラス板集合
体３０を２００ｒｐｍで回転させながら３０分間放置し
た後、所定の濃度、流量および温度に調整された混合ガ
ス（フッ化水素、水蒸気および窒素）を混合ガス吐出管
３４の前記吐出口から所定の時間吐出させ、エッチング
を行なった。混合ガス吐出管３４の前記吐出口とホルダ
ー４２、４３、４４との隔たりは、約７ｍｍであった。

【００３５】前記のエッチングを行なった後、混合ガス
吐出管３４の前記吐出口から窒素を吹き出してエッチン
グ槽のパージを行なった。エッチング槽上部３５を取り
外してディスク状ガラス板集合体３０を取出してディス
ク状ガラス板などに分解した。ディスク状ガラス板３１
を水洗、乾燥後、触針式表面粗さ計で表面の凹凸を測定
した。測定点は、ディスク状ガラス板の一面について３
点（内周付近、外周付近およびその中央）であった。

【００３６】エッチング時の温度、フッ化水素濃度およ
び水（蒸気）濃度を変化した時の結果を表１に示した。 表１から、処理時間を適当に選べば、素板温度と混合ガ
ス中のフッ化水素濃度および水（蒸気）濃度の広い範囲
にわたって、磁気ディスク基板に適する凹凸を形成する
ことが可能である。

【００３７】ただし、フッ化水素濃度が低すぎると望ま
しい凹凸を得るためには長時間のエッチングを要するこ
と、フッ化水素濃度が高すぎるとエッチングが極めて速
く進むために凹凸の制御が困難であること、水濃度が低
すぎるとエッチングがほとんど起こらないこと、水濃度
が高すぎると巨大な凹凸が生じること、素板温度が低す
ぎるとＲｍａｘ　が１０００Åを超える大きな凹凸が生
じやすいこと、素板温度が高すぎるとＲｍａｘ　が大き
くならずスムースエッチングになる傾向を有すること等
が判明した。 また、表１、例２の１８点のＲｍａｘ　測定値の最大値
と最小値の差は、平均値の９％であり、均一性にも優れ
ていることがわかった。

【００３８】実施例２ 本実施例は、ガラス素板がソーダアルミノホウ珪酸塩ガ
ラス（ＳｉＯ２を４０重量％以上、アルカリ７重量％含
有）であることを除けば、実施方法は実施例１と同じで
ある。 結果を表２に示した。表２から、磁気ディスク基板に適
する前述の凹凸を得るためには、先の実施例であるソー
ダ石灰珪酸塩ガラスの場合に比べて、同一混合ガス組成
の場合にガラス温度を１５℃程度高めれば良いことがわ
かった。

【００３９】実施例３ 本実施例は、ガラス素板がアルミノホウ珪酸ガラス（Ｓ
ｉＯ２を４０重量％以上含有、アルカリ含有率　０．１
重量％以下）であることを除けば、実施方法は実施例１
と同じである。結果を表３に示した。このガラスに対し
ては、フッ化水素濃度０．０３ｍｏｌ％、水濃度０．３
０ｍｏｌ　％、ガラス温度６０℃の時、処理時間３分で
磁気ディスク基板に適する凹凸が得られた。

【００４０】実施例４ 吐出口を吐出管の先端部分に設けず側部に設けた混合ガ
ス吐出管を用い、その他は、前記実施例１、実施例２、
実施例３と同じ条件でそれぞれガラス素板に凹凸を形成
した。その結果は前記の対応する実施例とそれぞれ同様
であった。

【００４１】実施例５ 前掲の表１の例２により形成された凹凸は、山の高さが
Ｒｍａｘ　で約　３００Å、山のピッチが約３μｍであ
った。この基板上に、スパッタ法によりコバルト系磁性
膜を形成し、さらにその上にカーボン保護膜を形成した
後、ＣＳＳ特性、ヘッドスティック性、Ｓ／Ｎ比および
ミッシングパルスを評価した。ここにＣＳＳ特性とは、
ディスク内の特定の一点に集中的にヘッドを停止・摩耗
させるとき、何回繰り返すと摩擦特性あるいは磁気特性
が劣化するかを測定するものであるが、ＣＳＳ特性は、
テスト機の静止摩擦係数が０．５　を上回ったとき、あ
るいは、テスト後の出力が９０％を下回ったとき不合格
という条件下で、７万回テストを繰り返した後も合格で
あった。

【００４２】また、ヘッドとメディアの間に水分を浸透
させ、起動時の磁性膜の損傷程度を観察することによっ
てヘッドスティク性を評価した結果、特に問題はなかっ
た。また、Ｓ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）は３５ｄＢ
と良好であった。さらに、ミッシングパルス（メディア
表面の微細な欠陥により、情報を書き込んだ後に読み出
す際に生じる読み出し波形の落込み）は、しきい値０％
のとき、２コ／面以下と良好であった。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】

【００４５】

【表３】

【００４６】

【発明の効果】以上に示した様に、本発明における凹凸
の形成方法は、前記した方法により珪酸を含むガラスの
表面にフッ化水素および水の蒸気を接触させ、エッチン
グすることによって表面に凹凸を形成する方法であるの
で、方向性を有さない凹凸を均一に形成することが可能
となり、ガス組成、温度により、凹凸形状を容易に制御
でき、磁気ディスク基板に適する表面粗さを有する凹凸
を得ることができるという効果を有するものである。

【００４７】この結果、この凹凸の上には磁化と角型比
が大きい薄膜磁気膜を１０００Å以下の厚みにスパッタ
リング等の方法で形成することができ、Ｒｍａｘ　が面
内で揃っていることから磁気ヘッドの浮上高さを１００
０Å以内に下げることが可能となって、ビットシフトや
モジュレーションエラーが小さく、Ｓ／Ｎ比の高い高密
度磁気ディスクを製造できるという効果をも有するもの
である。さらに、上記実施例１〜４においてはガラス素
板の処理枚数は３枚であるが、処理枚数を増やすことが
容易であることから、磁気ディスク基板に適した凹凸を
表面に有するディスク状ガラス板を製造する際、生産性
に優れるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を実施するために用いる製造装置
の実施例のエッチング槽部分の部分拡大図。

【図２】本発明におけるディスク状ガラス板集合体の形
成方法の実施例の説明図。

【図３】本発明におけるディスク状ガラス板集合体の形
成方法の実施例の説明図。

【符号の説明】

３０　　ディスク状ガラス板集合体 ３１　　ディスク状ガラス板 ３２　　モーター ３３　　混合ガス供給管 ３４　　混合ガス吐出管 ３５　　エッチング槽上部 ３６　　エッチング槽下部 ３７　　排気管 ３８　　面状発熱体 ３９　　回転軸 ４０　　ナット ４１　　固定具 ４２〜４８　　ホルダ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面に微小な凹凸を形成したガラスから成
   る磁気ディスク用基板の前記凹凸が、最大高さ（Ｒｍａ
   ｘ　）が５０〜１０００Åの範囲にありかつ　０．１〜
   １０μｍの範囲のピッチで形成されている磁気ディスク
   用基板の製造方法であって、単数あるいは複数のディス
   ク状ガラス板を回転の中心を共有するように相互に平行
   かつ離隔し取外し自在に結合しさらに回転軸を設けてデ
   ィスク状ガラス板集合体を形成し、該ディスク状ガラス
   板集合体を前記回転軸を中心として回転させながら、前
   記ディスク状ガラス板集合体の少くともディスク状ガラ
   ス板間に設けられた吐出管から同伴ガス中にフッ化水素
   および水を含有する混合ガスを吐出させて前記ディスク
   状ガラス板に該混合ガスを接触させることにより、前記
   ディスク状ガラス板の表面に前記の凹凸を形成すること
   を特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
2. 【請求項２】ガラス板がソーダ石灰珪酸ガラス、アルカ
   リ含有ホウ珪酸ガラス、アルカリを含まないホウ珪酸ガ
   ラスのいずれか一つからなることを特徴とする請求項１
   記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
3. 【請求項３】ガラス板がＳｉＯ２を少くとも４０重量％
   含むガラスからなることを特徴とする請求項１記載の磁
   気ディスク用基板の製造方法。
4. 【請求項４】混合ガスが０．０１〜１０　ｍｏｌ％のフ
   ッ化水素を含有することを特徴とする請求項１記載の磁
   気ディスク用基板の製造方法。
5. 【請求項５】混合ガスが０．０１〜１０　ｍｏｌ％の水
   を含有することを特徴とする請求項１記載の磁気ディス
   ク用基板の製造方法。
6. 【請求項６】混合ガスが同伴ガスとして、露点０℃以下
   に調節された空気および液体窒素を蒸発させることによ
   り得られる窒素ガスのうちの少くともいずれか一種を含
   有することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用
   基板の製造方法。
7. 【請求項７】混合ガスと接触させられるときのディスク
   状ガラス板の温度が５℃以上９０℃以下であることを特
   徴とする請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法
   。
8. 【請求項８】ディスク状ガラス板集合体において、ディ
   スク状ガラス板がその中心孔に嵌合するホルダーを介し
   て前記回転軸に取外し自在に支持されていることを特徴
   とする請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
9. 【請求項９】ディスク状ガラス板集合体において、隣り
   合うディスク状ガラス板がその中心孔に嵌合するホルダ
   ーによって取外し自在に結合され、かつ該ホルダーによ
   って回転軸が形成されていることを特徴とする請求項１
   記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
10. 【請求項１０】ディスク状ガラス板集合体のガラス板間
    隔が、２ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることを特徴とす
    る請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
11. 【請求項１１】ディスク状ガラス板集合体において、デ
    ィスク状ガラス板が回転軸に垂直であり、混合ガスの吐
    出管が隣接するディスク状ガラス板間の中心の位置に、
    ディスク状ガラス板の表面と平行にかつディスク状ガラ
    ス板の回転軸に対して垂直に設けられていることを特徴
    とする請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
12. 【請求項１２】混合ガスの吐出管の先端が、ディスク状
    ガラス板の中心から０．２５×（ディスクの内径＋ディ
    スクの外径）の距離の位置より中心側にあり、かつホル
    ダーに接触していないことを特徴とする請求項１または
    １１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。