JPS63160010A - 磁気デイスク用ガラス基板と製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、耐久性に優れた磁気記録媒体に適した。磁気
ディスク用ガラス基板と製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 磁気ディスク用基板と、その上にスパッタ。

メッキ、蒸着等のプロセスにより形成した磁性膜及び保
護膜からなる構成体は、磁気記録媒体（以下、メディア
と称する）と呼ばれる。

磁気記憶装置は、このメディアと記録再生磁気ヘッド（
以下、ヘッドと称する）を主構成部とし、操作開始時に
はヘッドとメディアは接触状態でセットしたあと、前記
のメディアに所要の回転を与えることにより、前記ヘフ
・ドとメディア面との間に空気層分の空間を作り、この
状態で記録再生動作を行う、又、操作終了時にはメディ
アの回転が止まり、この時ヘッドとメディアは操作開始
時と同様に接触状態に戻る。

このように、装置の起動時及び停止時にヘッドとメディ
アの間に生ずる接触摩擦力は、ヘッドおよびメディアを
摩耗させ磁気特性の劣化原因となる（この方式をコンタ
クト・スタート・ストップＣ５Ｓと通称している）。

又、多湿雰囲気中でメディアを放置してメディア表面に
水分が吸着している状態では、ヘッドとメディアの間に
水が入り込み、凝着現象を引き起こす、したがって、こ
の状態で起動すると、ヘッドおよびメディアに大きな抵
抗ヵを生じ、ヘッドの損傷やメディアの破壊を招くこと
がある（これをヘッド・ステイ・ンクあるいはへンド・
クラッシュと通称している）。

一般にガラスは表面の平滑性に優れ、硬く、変形抵抗が
大きく、かつ表面欠陥が少ない等の理由から高富度化に
適した磁気ディスク用基板として注目されている（特開
昭４９−１２２７０７号、特開昭５２−１８００２号）
。

しかしながら、上述した１ｃｓｓ性およびヘッドスティ
ック性に対しては、ガラスは鏡面性が優れているが故に
、ガラス基板を用いたメディアは、他の平滑性の劣る基
板を用いたメディアに比へ、ヘッドとメディアの接触面
積が増大するため摩擦抵抗の増加や凝着力の増大を招く
ことから問題があった。

このような欠点を解消するために、基板表面に機械的手
段により微小な凹凸を形成させることにより、ヘッドと
メディアの間に生ずる摩擦力および凝着力を低減させる
方法が特開昭５３−１２３９０１３号に提案されている
。

又、化学エツチングによりガラス基板表面に凹凸を形成
させる方法が特開昭８０−１３６０３５号に提案されて
いる。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は磁気ディスク用ガラス基板のもつ上記した耐Ｃ
５Ｓ特性およびヘッドスティック性といった問題点を解
決せんとするものである。

従来の機械的方法により凹凸を形成する方法ではガラス
のような脆性材料を基板とする場合には、ガラス表面に
クラックが発生することがあり平坦性を損なうおそれや
ガラス基板表面の強度低下を惹き起こすおそれなど該ク
ラックによる問題を否定できなかった。

又、鋭い凹部及びクラック等で発生したすき間部は洗浄
乾燥等が不充分となり、汚れ等の残渣が残り、そのため
磁気特性の経時的劣化等を惹き起こす原因になった。又
Ｃ８Ｓ時の磁気ヘッドの衝突時にガラスの凸部が欠は落
ちヘッドクラッシュを惹き起こすこともあった。更に、
これら問題の発生をできるだけ少なくするように、粒径
の小さい砥粒でソフトに筋をつける方法の場合には筋材
は作業時間を長くする必要かあり、テープ材料や砥粒を
多量に使う結果にもなった。又、粒径の小さな砥粒では
所望の凹凸を形成することはできなかった。

更に特開昭ｅＯ−１３８０３５号に提案されている化学
的方法ではガラス基板りにあらかじめ金属層を形成し、
かつ熱処理する必要かあった。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、スパッタ、メッキ、蒸着等のプロセスにより磁性膜が
形成される磁気ディスク用基板であって、該基板として
平坦性を損なわず、表面に異方性がなく微小な凹凸を形
成したガラスからなる磁気ディスク用基板において、前
記凹凸の形状が触針式の粗さ計を用いて半径２．５μｍ
の触針でガラス表面を走査させて粗さを測定したとき、
高さが５０〜７００人の範囲にある前記凹凸の山が０．
１〜１０１の範囲のピッチで形成されていることを特徴
とする磁気ディスク用基板を提供するものである。

また本発明は、表面に微細な凹凸が形成され、前記凹凸
の形状が触針式の粗さ計を用い半径２．５μｍの触針で
ガラス表面を走査させて粗さを測定したとき高さが５０
〜７００人の範囲にある前記凹凸の山が０．１〜１０μ
ｍの範囲のピッチで形成されている磁気ディスク用ガラ
ス基板の製造方法であって、ガラス基板の表面に微細な
凹凸を機械的な方法で形成させたのちに化学的な表面処
理を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の
製造方法を提供するものである。

上記した山の高さは基板の全面にわたって全ての山が７
００Å以下であることが望ましいが、本発明の前記した
目的を達成するのに支障のない範囲において７００人を
超える高さの山が存在していてもかまわない。

なお、凹凸の形状と山のピッチは、先端の半径が２．５
μｍの触針を有する表面粗さ計で、針荷重２５ｍｇ、走
査速度５０μｒｓ／分で測定するものとする。

本発明の磁気ディスク用ガラス基板を図面に従って説明
する。

第１図は、磁気ディスク用ガラス基板（以下ガラス基板
あるいは基板と書く）の平面図である。ガラス基板とし
ては、通常のソーダライムシリケートガラス、無アルカ
リガラス、硼珪酸ガラス、石英ガラス、風冷または液冷
等による物理強化ガラス、化学強化ガラス、あるいは結
晶化ガラス等を用いることができる。凹凸のパターンを
例示すると、第２図（ａ）が同心円状、同（ｂ）が単独
または複数本からなるスパイラル状である。第４図（ａ
）は直線状、同（ｂ）、（ｃ）は放射状のパターンを例
示したものである。また第２図（Ｃ）はメディアが回転
していないときヘットが接触している部分（ＣＳＳゾー
ン）に対応した部分にのみ凹凸を形成した基板を例示し
たものである。この他にもこれらの代表的なパターンを
複数重畳させたパターンや、特定の規則的なパターンを
もたず凹凸が一様に分布した基板も用いることができる
。

第５図は、第２図（ａ）におけるＡ−Ｂで切断したとき
のＣ付近の拡大断面図である。第２図（ｂ）におけるＡ
−Ｂで切断したときのＣ付近についても同様の形態であ
り、第４図（ａ）　、　Ｃｂ）におけるＡ−Ｂ切断の際
のＣ付近についても、断面形態はほぼ類似である。

第６図は、第５図を更に拡大した断面説明図である０本
発明において「山の高さ」とは山と谷の落差Ｈを表わし
、「山のピッチ」とは隣り合う山の先端の間隔Ｗを表わ
すものとする。

ここで、表面凹凸を形成する以前のガラス板を、ガラス
素板あるいは素板と記すこととする。素板としては、通
常のソーダライムシリケートガラス、無アルカリガラス
、硼珪酸ガラス、石英ガラス、風冷または液冷等による
物理強化ガラス、化学強化ガラス、結晶性ガラスあるい
は結晶化ガラス等を用いることができる。

本発明の磁気ディスク基板としては、通常のソーダライ
ムシリケートガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラス
、石英ガラス、風冷または液冷等による物理強化ガラス
、化学強化ガラス、あるいは結晶化ガラス等を用いるこ
とができる。物理強化ガラスあるいは化学強化ガラスか
らなる本発明の基板は、上記の如く素板としてそれぞれ
物理強化ガラス、あるいは化学強化ガラスを用いること
ができるが、また物理強化あるいは化学強化処理を施す
以前の前記物理強化ガラス、化学強化ガラス以外の素板
の表面に凹凸を形成してから物理強化処理あるいは化学
強化処理を施したものであってもよい。

本発明のガラス基板の製造方法において凹凸の形成に用
いられる機械的な方法としては、研磨砥粒を接着剤で固
定したテープ（以下研磨テープと呼ぶ）でガラス素板表
面をこすることによって傷をつけることで微小凹凸を形
成する方法や、研磨砥粒を含む液を介在させた状態で回
転するパッドや定盤に押しつけることによるガラス素板
表面の微小凹凸形成法や、回転パッドや回転定盤にあら
かじめ砥粒を固定し−ておいたものにガラス素板を押し
つけることによる微小凹凸形成方法がある。

これらの微小凹凸を形成する方法では砥粒の径は、０．
３μｍ〜２０μ麿の砥粒を使用すると良い凹凸ができる
。砥粒の種類は、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム
、酸化ケイ素、酸化クロム、酸化鉄などの酸化物粒子は
もちろんのこと、チタンカーバイド、シリコンカーバイ
ドなどの炭化物、アルミナイドライド、シリコンナイト
ライド、チタンナイトライドなどのチッ化物、ホウ化ジ
ルコニウムなどのホウ化物、ダイヤモンドなどが良い。

化学的方法としては、フッ酸、又はフッ化物を含む溶液
で化学的エツチングを行なうことが良い。

フッ酸濃度としては５０重量％以下の溶液が使えるが、
侵食速度の点から０．１〜２０重量％の範囲が好ましい
。本明細書において濃度を表わす％は重量％である。

フッ酸だけの溶液でも化学的エツチング能力としては充
分であるが、エツチングの一様性を向上させるために他
の薬品を添加することが好ましい。この添加薬品として
はＨ２Ｓ０ａ　を使うことができるが、ＨＣＩ、ＨＢｒ
、　ＨＩ、　）１３ＰＯａ、ＨＮＯ＋等の酸類も使用で
き、ガラスとフッ酸の反応で生成した不溶性の反応生成
物の可溶化に効果がある。前記添加薬品としては上記し
たものの他に、（ただし、　ＲＩ：パーフルオロアルキ
ル、例えば、　ＣＦ３−、　Ｃ２Ｆ５−）を用いること
もできる。

又、フッ化物の溶液は、フッ酸に比較してエツチング速
度が遅い等の効果があるので微小凹凸の高さや形状をコ
ントロールすることができるので良い。

フッ化物としては、金属のフッ化物を用いることができ
る。たとえば、ＫＦ、ＮａＦ、Ｃ：ｓＦ、ＬｉＦといっ
たアルカリ金属元素のフッ化物、ＣａＦ２などのアルカ
リ土類金属元素のフッ化物、フッ化アンモニウム、フッ
化水素アンモニウムなどカ良く、また、ＩＢ族、ＩＢ族
、■族、■族、■族金屈元素のフッ化物、その他Ｃｏ、
Ｆｅ、Ｏｒ、Ｍｎ。

Ｔｉ等のフッ化物を用いることもできる。

化学的方法でガラス表面を侵食するときの基板の厚さ方
向の侵食量は平均０．１〜５μｍが好ましい。特に０．
３〜２μｍが好ましい。０．１μｍ未満では効果が無く
、５μｍを超えると凹部の巾が広がりすぎ、あるいは大
きい径のビットが発生しやすくなるためＳ／Ｎ比の低下
を招き好ましくない。

微細な凹凸は、先端の半径２．５μ厘の触針を使用した
表面粗さ計で測定して、高さ５０人〜７００人の山が１
０１以下のピッチで形成されているのが好ましい、５０
人未満の山はヘッドスティックの防止に効果が乏しい、
７００人を超える山はＳ／Ｎ比の低下を招き好ましくな
いが、本発明の前記した目的を達成するのに支障のない
範囲、ならびにメディアの品質上支障のない範囲におい
て存在していてもかまわない。１０１を超えるピーフチ
ではヘッドスティックの防止に効果が乏しい。

また、磁気ディスク用ガラス基板として特に強度の高い
ものが望まれることがある。この場合、本発明における
化学エツチング処理の後の基板にイオン交換法等による
化学強化処理を施せばよい。またこの場合、表面に凹凸
を形成する以前の素板として、イオン交換法等による化
学処理を施されたものを用いてもよい。

［作用］ 本発明において基板表面に形成される適度の凹凸は、記
録密度の低下を招かず、磁気記録と再生ができ、信号ノ
イズを増大させることなく、ヘッドとメディア間の接触
面積を減少させることにより、ヘッドとメディア間の摩
擦を低減させることによって耐Ｃ３Ｓ性やヘッドスティ
ック性を改善できるものと考えられる。また１本発明に
おいてはガラスのような脆性材料の表面に機械的な方法
で微小凹凸を形成したのちに化学的な表面処理である化
学エツチングを施すことにより前記表面の微小なワレ、
クラック、ビリや応力残存部等はもちろんのこと、潜傷
部分に化学エツチング液が優先的に作用することでこれ
らを取り除きガラス表面を安定な状態にする。従って、
単に機械的な方法により表面に微細な凹凸が形成された
ガラス基板より、表面に機械的な強度があり、＃ｃｓｓ
性や耐ヘツドスティック性も改善される。

又１機械的な方法で形成した微小凹凸の山谷の深さを化
学エツチングで　１〜１０倍に深くすることができるの
で、機械的な方法による微小凹凸形成を浅くでき、した
がって機械的方法による乎坦度の損ないや面強度の低下
を減少させることができる。しかも化学エツチングした
ガラス面は微小クラックが除かれ、応力集中が起こりに
くい形状になるのでガラス基板全体の強度を落さずに目
的を達成することができる。

第３図（ａ）は機械的方法で素板の表面に形成された微
小凹凸のプロファイルの１例を示す。

更にその上に本発明の化学エツチングを施したときのガ
ラス面の溶解侵食とその結果形成された微小凹凸のプロ
ファイルを第３図（ｂ）に示す。

又、化学エツチングでガラスを溶解することで、クラッ
ク部等のすき間や鋭い凹部がなめらかな曲線になり、す
き間や底部の入口が広がり洗浄しやすい形状になること
で残渣が残りにくくなる。又、エツチングによってクラ
ック部等のすき間や鋭い凹部に残っていた砥粒、バイン
ダーやガラスのかけら等の汚れ成分の残渣も取り除かれ
る。従って残渣の影響により磁気特性の劣化が大幅に減
少し、信頼性の向上した磁気ディスクが得られる。

また、機械的な方法で形成されたビットや傷等が化学的
方法で深さ、巾方向に拡大されるわけであるが、化学的
方法によるガラスのエツチング量を　０．１〜５μｍと
制限することにより、特に巾方向の広がりが必要以上と
なり磁気ディスクとしての記録再生時のノイズあるいデ
ィフェクトの原因になるような大きなサイズのピットあ
るいは溝の形成を抑制することができる。

［実施例コ 実施例１ ガラス素板を固定された砥粒を有する研磨テープでこす
り、表面に微小凹凸を形成した。

次にこの基板をあらかじめ準備したＨＦを含む水溶液に
浸漬後、水で洗浄し乾燥した。この基板上にスパッタ法
により、ＣＯ系磁性膜を形成し、更にその上にカーボン
保護膜を形成した後、Ｃ５Ｓ特性、Ｓ／Ｎ比およびディ
フェクトを評価した。

実施例２ ガラス素板を研磨砥粒を介在させながら、回転するパッ
ド面に押しあてて、表面に微小凹凸の形成された基板を
得た。この基板をフッ化物の水溶液からなる化学エツチ
ング液に浸漬後、水で洗浄し乾燥した。この基板上にス
パッタ法により磁性膜を形成し、更にその上にカーボン
保護膜を形成した後、Ｃ５Ｓ特性、Ｓ／Ｎ比およびディ
フェクトを評価した。

実施例３ ガラス素板を回転させながら、研削テープでこすり、表
面凹凸を形成した０次にこの基板をＨＦ及びＨ２ＳＯ４
を含む水溶液に浸漬し、基板厚さ方向に平均１μｍ侵食
させた後、水で洗浄し乾燥した。この基板上にスパッタ
法により磁性膜を形成し、更にカーボン保護膜を形成し
た後、Ｃ８Ｓ特性、Ｓ／Ｎ比およびディフェクトを評価
した。

この磁気ディスクの表面の凹凸は溝形状をしておりその
パターンは同心円状又はスパイラル状の曲線の一部の重
なりあったものであった。

実施例４ ガラス素板を自転させながら、ダイヤモンド砥石でこす
り、表面凹凸を形成した０次にこの基板をあらかじめ準
備しておいたＨＦを含む水溶液に浸漬し、基板の厚さ方
向に平均２μｍ侵食させた桟木で洗浄し乾燥した。この
基板上にスパッタ法により磁性膜を形成し、更にカーボ
ン保護膜を形成した後、ＣＳＳ特性、Ｓ／Ｎ比およびデ
ィフェクトを評価した。この時表面の溝のパターンは同
心円状及びスパイラル状の曲線の一部が重なりあったも
のであった。

実施例５ ガラス素板を研磨砥粒を含む研磨液を介在させてパッド
と接触させ、相対移動させ表面凹凸を形成した０次にこ
の基板をＨＦを含む水溶液に浸漬し、基板の厚さ方向に
平均０．３μｍ侵食させた抜水で洗浄し乾燥した。この
基板上にスパッタ法により磁性膜を形成し、更にカーボ
ン保護膜を形成した後、Ｃ５Ｓ特性、Ｓ／Ｎ比およびデ
ィフェクトを評価した。

実施例６ ガラス素板を回転させながらダイヤモンド工具でこすり
、表面凹凸を形成した６次にこの基板をＨＦを含む水溶
液に浸漬し、基板の厚さ方向に平均４．５μｍ侵食させ
た桟木で洗節し乾燥した。この基板上にスパッタ法によ
り磁性膜を形成し、更にカーボン保護膜を形成した後、
Ｃ５Ｓ特性、Ｓ／Ｎ比およびディフェクトを評価した。

この磁気ディスクの表面の凹凸は溝形状をしており、そ
のパターンはスパイラル状の曲線が重なりあったもので
あった。

比較例１〜３ 凹凸の機械的な形成方法は、固定された砥粒を有するテ
ープの砥粒面にガラス素板の面をこすりつけて核部に微
小凹凸を形成したものである。

化学エツチング法としてはＨＦを含んだ水溶液を用いた
。水洗、乾燥、　Ｇｏ系系外性膜よびカーボン保護膜の
形成は実施例１〜６と同様に行った。次いでＣ５Ｓ特性
、Ｓ／Ｎ比およびディフェクトを評価した。

以下の結果を表１に示す。

表１ 木１　磁気ディスク評価装置で測定した。

木２　磁気ディスク評価装置で測定したディフェクトは
ミッシングパルスを測定した。ミッシングパルスのしき
い値は７０％とした。

木３動摩擦係数が０．４以下かっ出力が９ｏ％以上維持
しているとき合格。

［発明の効果コ ■　本発明は、ガラス表面に適度の凹凸を形成させるこ
とにより斤擦力を軽減し。

１耐Ｃ５Ｓ性やベッドスティック性を改善できる効果を
有し、さらに凹凸が微細であるために磁気特性に悪影響
を与えない。

■　機械的な方法でカラス表面に化学エツチングをスタ
ートさせる微細な筋、クランク等を形成させるので、隣
接する山と山の間隔や凹凸の深さ、山谷のパターン等を
容易にコントロールでき、したがって目的の特性の磁気
ディスク用ガラス基板を得ることができる。

■　化学エツチングを行なうことで機械的な凹凸形成方
法によって生じた問題点を取り除くことができる。従っ
てガラス基板表面が安定するので経時変化がなくなり、
＃ＣＳＳ性が南北する。

■　化学エツチング法で山谷の深さを深くすることがで
きるようなエツチング液を使用できるので、凹凸を形成
するにあたり微小粒径の砥粒を使用して機械的方法を用
いることができ、大きなワレやカケなど欠陥を少なくし
た磁気ディスク用ガラス基板が得られる。機械的な方法
で形成する凹凸の深さは浅くてよく、そのため短時間で
形成でき、テープ、砥粒等の使用量も少なくてすむ。

■　化学エツチングだけで微小凹凸を形成するのはガラ
スの表面性状の影響が大きいが、化学エツチングに先立
って機械的な方法で凹凸を形成しておき、次いで化学エ
ツチングを行うことにより表面性状が一定になり、均一
な微小凹凸を得ることができる。

（Φ　化学エツチングによってクラックのすき間部や鋭
い凹部の底部の残渣が取り除かれ、しかもその後の洗浄
も容易な形状となるので、洗浄性の良い清浄な磁気ディ
スク用ガラス基板が得られる。洗浄性が良いので磁性膜
の性能劣化がなくなり磁気ディスクの４３頼性が向とす
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気ディスク用ガラス基板の平面図、第２図（
ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）および第４図（ａ）、（
ｂ）。 （ｃ）は本発明の凹凸のパターンを例示した説明図、第
３図（ａ）、（ｂ）は基板表面凹凸のプロファイル説明
図、第５図は第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、第４図（
ａ）、（ｂ）におけるＡ−Ｂ断面のＣ部分の拡大断面説
明図であり、第６図は「山の高さＨ」および「山のピッ
チＷ」の説明図である。 第２　面 ＋１１１）　　　　　　　　　　ｌｂｌ　　　　　　　
　　　ＬＣＪ茅４１１ 屯ＩＩｂ）ｔｃノ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）スパッタ、メッキ、蒸着等のプロセスにより磁性
   膜が形成される磁気ディスク用基板であって、該基板と
   して平坦性を損なわず、表面に異方性がなく微小な凹凸
   を形成したガラスからなる磁気ディスク用基板において
   、前記凹凸の形状が触針式の粗さ計を用い半径
2. ２．５μｍの触針でガラス表面を走査させて粗さを測定
   したとき、高さが５０〜７００Åの範囲にある前記凹凸
   の山が０．１〜１０１の範囲のピッチで形成されている
   ことを特徴とする磁気 ディスク用基板。 （２）前記凹凸の凹部が該凹部から形成される溝である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディ
   スク用ガラス基板。
3. （３）前記の溝が、方向性をもった溝であることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の磁気ディスク用ガラ
   ス基板。
4. （４）前記の方向性をもった溝が、磁気ディスク用ガラ
   ス基板円盤とほぼ同心の円周の少なくとも一部であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気ディス
   ク用ガラス基 板。
5. （５）前記の方向性をもった溝がスパイラル状の曲線の
   少なくとも一部であることを特徴とする特許請求の範囲
   第３項記載の磁気ディスク用ガラス基板。
6. （６）前記の方向性をもった溝が互にほぼ平行な直線の
   少なくとも一部であることを特徴とする特許請求の範囲
   第３項記載の磁気ディスク用ガラス基板。
7. （７）前記の方向性をもった溝が放射状のラインをなし
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁
   気ディスク用ガラス基板。
8. （８）前記の溝が磁気ディスク用ガラス基板円盤とほぼ
   同心の円周の少なくとも一部、スパイラル状の曲線の少
   なくとも一部、互にほぼ平行な直線の少なくとも一部お
   よび放射状のラインのうち、少なくとも２つを重畳させ
   てなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁
   気ディスク用ガラス基板。
9. （９）表面に微細な凹凸が形成され、前記凹凸の形状が
   触針式の粗さ計を用い半径２．５μｍの触針でガラス表
   面を走査させて粗さを測定したとき高さが５０〜７００
   Åの範囲にある前記凹凸の山が０．１〜１０μｍの範囲
   のピッチで形成されている磁気ディスク用ガラス基板の
   製造方法であって、ガラス基板の表面に微細な凹凸を機
   械的な方法で形成させたのちに化学的な表面処理を施す
   ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
   。
10. （１０）前記の機械的な方法が、研磨砥粒が付着された
    テープによってガラス基板表面に微細な凹凸を形成する
    方法からなることを特徴とする特許請求の範囲第９項記
    載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
11. （１１）前記の機械的な方法が、研磨砥粒を含む研磨液
    を介在させてパッドもしくは定盤とガラス基板を接触さ
    せ、相対移動させることに よってガラス基板表面に微細な凹凸を形成する方法から
    なることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の磁気
    ディスク用ガラス基板の製造方法。
12. （１２）前記の化学的な表面処理が、２０重量％以下の
    濃度のフッ酸を含む水溶液による化学エッチングである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の磁気ディ
    スク用ガラス基板の製造方法。
13. （１３）前記の化学的な表面処理が、フッ酸および硫酸
    を含む水溶液による化学エッチングであることを特徴と
    する特許請求の範囲第９項記載の磁気ディスク用ガラス
    基板の製造方法。
14. （１４）前記の化学的な表面処理が、フッ化物を含む溶
    液による化学エッチングであることを特徴とする特許請
    求の範囲第９項記載の磁気 ディスク用ガラス基板の製造方法。
15. （１５）前記の化学的な表面処理が化学エッチングであ
    って該化学エッチングによるガラス基板の厚さ方向の侵
    食量が、平均０．１〜５μｍの範囲であることを特徴と
    する特許請求の範囲第９項記載の磁気ディスク用ガラス
    基板の製造方法。
16. （１６）前記の化学的な表面処理が、化学エッチングを
    施したのちに化学強化処理を施すことからなることを特
    徴とする特許請求の範囲第９項記載の磁気ディスク用ガ
    ラス基板の製造方法。