JPH04247636A - 断面研磨観察箇所の検出方法 - Google Patents
断面研磨観察箇所の検出方法Info
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- JPH04247636A JPH04247636A JP3345091A JP3345091A JPH04247636A JP H04247636 A JPH04247636 A JP H04247636A JP 3345091 A JP3345091 A JP 3345091A JP 3345091 A JP3345091 A JP 3345091A JP H04247636 A JPH04247636 A JP H04247636A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
の故障解析のための断面研磨において研磨作業中の観察
対象箇所を容易に検出するための方法に関するものであ
る。
の故障解析のための断面研磨において研磨作業中の観察
対象箇所を容易に検出するための方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】断面研磨による観察は、一般に被観察箇
所近傍まで荒削りした後、鏡面研磨を行なって被観察箇
所の形状を顕微鏡等によって観察するものである。従来
の断面研磨における観察対象箇所の位置決定は、荒削り
，鏡面研磨いずれにおいても僅かに研磨した後、顕微鏡
で表面のパターンを観察して研磨位置を推定し、不足と
判断した場合には更に研磨を繰り返すといった作業を行
なっていた。
所近傍まで荒削りした後、鏡面研磨を行なって被観察箇
所の形状を顕微鏡等によって観察するものである。従来
の断面研磨における観察対象箇所の位置決定は、荒削り
，鏡面研磨いずれにおいても僅かに研磨した後、顕微鏡
で表面のパターンを観察して研磨位置を推定し、不足と
判断した場合には更に研磨を繰り返すといった作業を行
なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このため従来の方法で
は、■研磨／位置観察の繰り返しが頻繁で作業の能率が
極めて低い、■研磨途中での研磨位置確認は研磨面とそ
れに研磨角で交差する表面パターンの両方を観察する必
要があり、顕微鏡の倍率は高々２００倍程度留りであり
、観察箇所の位置合わせが正確にできない、■往々にし
て過度に研磨し過ぎて初期の目的を達成できない、等の
問題があった。
は、■研磨／位置観察の繰り返しが頻繁で作業の能率が
極めて低い、■研磨途中での研磨位置確認は研磨面とそ
れに研磨角で交差する表面パターンの両方を観察する必
要があり、顕微鏡の倍率は高々２００倍程度留りであり
、観察箇所の位置合わせが正確にできない、■往々にし
て過度に研磨し過ぎて初期の目的を達成できない、等の
問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの問題点
を解決するために、観察しようとする箇所の近傍表面か
ら所定の深さにマーカ（マークともいう）を形成し、こ
れを研磨時における観察箇所の位置検出手段として利用
することにより、迅速，かつ正確に断面研磨が行なえる
ようにしたものである。
を解決するために、観察しようとする箇所の近傍表面か
ら所定の深さにマーカ（マークともいう）を形成し、こ
れを研磨時における観察箇所の位置検出手段として利用
することにより、迅速，かつ正確に断面研磨が行なえる
ようにしたものである。
【０００５】
【作用】このため本発明によると、研磨作業中における
観察箇所を研磨面に現われたマーカにより極めて容易に
検出することができる。
観察箇所を研磨面に現われたマーカにより極めて容易に
検出することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基いて詳
細に説明する。図１は本発明を半導体部品に適用した一
実施例を示す平面図であり、図２はその正面断面図であ
る。図において、１は半導体素子を構成する基板として
のシリコン基板、２はこのシリコン基板１上の微小な観
察対象箇所、３はこの観察対象箇所２を断面研磨すべき
研磨面、４はその観察対象箇所２の近傍の表面から数μ
ｍ〜数百μｍの深さに形成された第１および第２，第３
のマーカ４１〜４３からなるマーカである。すなわち本
実施例では、シリコン基板１上の観察対象箇所２を挟ん
で第１および第２，第３のマーカ４１〜４３を形成した
場合について示してある。ここで、第１のマーカ４１の
研磨面側の端は観察対象部分２の研磨面とほぼ一致して
形成してある。更に、第２のマーカ４２の研磨面側の端
は観察対象部分２の中心部より研磨面にやや近い位置に
、そして第３のマーカ４３の研磨面側の端は観察対象部
分２の中心部より研磨面にやや遠い位置にそれぞれ形成
してある。
細に説明する。図１は本発明を半導体部品に適用した一
実施例を示す平面図であり、図２はその正面断面図であ
る。図において、１は半導体素子を構成する基板として
のシリコン基板、２はこのシリコン基板１上の微小な観
察対象箇所、３はこの観察対象箇所２を断面研磨すべき
研磨面、４はその観察対象箇所２の近傍の表面から数μ
ｍ〜数百μｍの深さに形成された第１および第２，第３
のマーカ４１〜４３からなるマーカである。すなわち本
実施例では、シリコン基板１上の観察対象箇所２を挟ん
で第１および第２，第３のマーカ４１〜４３を形成した
場合について示してある。ここで、第１のマーカ４１の
研磨面側の端は観察対象部分２の研磨面とほぼ一致して
形成してある。更に、第２のマーカ４２の研磨面側の端
は観察対象部分２の中心部より研磨面にやや近い位置に
、そして第３のマーカ４３の研磨面側の端は観察対象部
分２の中心部より研磨面にやや遠い位置にそれぞれ形成
してある。
【０００７】このように観察対象部分２の近傍表面にマ
ーカ４を形成することにより、断面研磨の最中における
観察箇所は研磨面３に現われたマーカ４により極めて容
易に知ることが可能となる。そのため、これまで使用し
てきたような研磨角度に合わせた試料傾斜を行なって観
察物表面のパターンを観察する従来の方法に比べて、面
倒な手続きが不要となる。さらに、研磨途中において観
察箇所表面のパターンを観察する必要がなく、研磨面の
みを観察すれば良いため、例えば１０００倍の金属顕微
鏡の使用が容易となり、研磨の進行状況とその状態が極
めて高い精度で評価できる利点がある。同時にマーカ４
の研磨面端位置を変えた種々のマーカ４１〜４３を形成
することにより、研磨面の位置を正確に検出することが
可能となり、従来、しばしば経験した過度の研磨による
失敗も防止することができる。
ーカ４を形成することにより、断面研磨の最中における
観察箇所は研磨面３に現われたマーカ４により極めて容
易に知ることが可能となる。そのため、これまで使用し
てきたような研磨角度に合わせた試料傾斜を行なって観
察物表面のパターンを観察する従来の方法に比べて、面
倒な手続きが不要となる。さらに、研磨途中において観
察箇所表面のパターンを観察する必要がなく、研磨面の
みを観察すれば良いため、例えば１０００倍の金属顕微
鏡の使用が容易となり、研磨の進行状況とその状態が極
めて高い精度で評価できる利点がある。同時にマーカ４
の研磨面端位置を変えた種々のマーカ４１〜４３を形成
することにより、研磨面の位置を正確に検出することが
可能となり、従来、しばしば経験した過度の研磨による
失敗も防止することができる。
【０００８】ここで、マーカ４は例えば観察箇所２の近
傍の表面に溝を形成することが可能である。このマーク
の作製方法としてはケミカルエッチングやイオンエッチ
ング，プラズマエッチング，スパッタエッチングなど既
存の方法によっても可能であるが、微小な箇所に正確な
位置合わせを必要とするため、例えばイオン化しかつ集
束したガリウムのイオンビームを高電界によって加速し
て照射面をスパッタエッチングするいわゆる集束イオン
ビーム（ＦＩＢ）を利用することにより、極めて容易に
上記マークを形成することができる。また、マーク４は
観察箇所２を取り巻く物質とは異なった物質、上記実施
例の半導体（Ｓｉ）基板に対しては例えば金（Ａｕ），
あるいはアルミニュウム（Ａｌ）のような原子を例えば
イオン注入により埋め込んで形成することも可能である
。
傍の表面に溝を形成することが可能である。このマーク
の作製方法としてはケミカルエッチングやイオンエッチ
ング，プラズマエッチング，スパッタエッチングなど既
存の方法によっても可能であるが、微小な箇所に正確な
位置合わせを必要とするため、例えばイオン化しかつ集
束したガリウムのイオンビームを高電界によって加速し
て照射面をスパッタエッチングするいわゆる集束イオン
ビーム（ＦＩＢ）を利用することにより、極めて容易に
上記マークを形成することができる。また、マーク４は
観察箇所２を取り巻く物質とは異なった物質、上記実施
例の半導体（Ｓｉ）基板に対しては例えば金（Ａｕ），
あるいはアルミニュウム（Ａｌ）のような原子を例えば
イオン注入により埋め込んで形成することも可能である
。
【０００９】なお、上記実施例では半導体素子の故障解
析を例にとって説明したが、例えば結晶構造解析のため
の研磨作業においても、同様のマークを形成することに
より、上述の効果を得ることができる。
析を例にとって説明したが、例えば結晶構造解析のため
の研磨作業においても、同様のマークを形成することに
より、上述の効果を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板等の物質の表面近傍に位置する特定の微小箇所
を断面研磨によって観察する際に、観察箇所の近傍の表
面から該物質の内部に対し予め形成したマーカにより観
察箇所の位置を検出することにより、研磨作業中におけ
る研磨箇所を正確に、かつ素早く知ることができるので
、故障解析等の作業を効率良く行うことができる効果が
ある。
導体基板等の物質の表面近傍に位置する特定の微小箇所
を断面研磨によって観察する際に、観察箇所の近傍の表
面から該物質の内部に対し予め形成したマーカにより観
察箇所の位置を検出することにより、研磨作業中におけ
る研磨箇所を正確に、かつ素早く知ることができるので
、故障解析等の作業を効率良く行うことができる効果が
ある。
【図１】本発明を半導体素子に適用したときの一実施例
の平面図である。
の平面図である。
【図２】図１の実施例の正面断面図である。
１ シリコン基板
２ 観察対象部分
３ 研磨面
４ マーカ
４１ 第１のマーカ
４２ 第２のマーカ
４３ 第３のマーカ
Claims (1)
- 【請求項１】 比較的均一な物質の表面近傍に位置す
る特定の微小な箇所を断面研磨によって観察する方法に
おいて、該観察箇所の近傍の表面から該物質の内部に対
し予め形成したマーカにより、観察箇所の位置を検出す
ることを特徴とする断面研磨観察箇所の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345091A JPH04247636A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 断面研磨観察箇所の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345091A JPH04247636A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 断面研磨観察箇所の検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247636A true JPH04247636A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=12386876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345091A Pending JPH04247636A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 断面研磨観察箇所の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205341A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | ウェハ、半導体装置および解析方法 |
| JP2009194332A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および断面観察方法 |
| JP2011186171A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光素子 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3345091A patent/JPH04247636A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205341A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | ウェハ、半導体装置および解析方法 |
| JP2009194332A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および断面観察方法 |
| JP2011186171A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光素子 |
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