JPH04245687A - レーザ・システム，レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システム - Google Patents
レーザ・システム，レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システムInfo
- Publication number
- JPH04245687A JPH04245687A JP3248492A JP24849291A JPH04245687A JP H04245687 A JPH04245687 A JP H04245687A JP 3248492 A JP3248492 A JP 3248492A JP 24849291 A JP24849291 A JP 24849291A JP H04245687 A JPH04245687 A JP H04245687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- frequency
- pump
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 24
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ・システムに関
し、特にポンプ・レーザ共振器を備えたレーザ・システ
ムに関するものである。
し、特にポンプ・レーザ共振器を備えたレーザ・システ
ムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード・ポンプ式固体レーザは、サ
イズがコンパクトで、寿命が長く、動作効率がよいので
、関心の的になっている。このタイプのシステムの場合
、ポンプ・レーザからの光を利用して、固体レーザ材料
（結晶）を励起し、レーザ光を発生する。固体レーザ材
料は、一般に、ポンプ・レーザ波長における吸収性が強
いので、長さが数ミリメートルの結晶が、ポンプ・レー
ザ出力のほとんどを効率よく吸収する。
イズがコンパクトで、寿命が長く、動作効率がよいので
、関心の的になっている。このタイプのシステムの場合
、ポンプ・レーザからの光を利用して、固体レーザ材料
（結晶）を励起し、レーザ光を発生する。固体レーザ材
料は、一般に、ポンプ・レーザ波長における吸収性が強
いので、長さが数ミリメートルの結晶が、ポンプ・レー
ザ出力のほとんどを効率よく吸収する。
【０００３】固体材料における、ポンプ・レーザ出力の
吸収性が弱い場合、レーザの総合効率が低くなる。この
吸収性の弱さは、いくつかの要素によって生じる可能性
がある。レーザ材料のドーピング・レベルが低い場合、
活性レーザ・イオンの濃度が低いので、吸収性が弱くな
る。さらに、ポンプ・レーザは、レーザ材料の吸収のピ
ークに同調させることができない。最後に、固体レーザ
結晶は、長さが短いので、効率のよいポンプ光の吸収は
不可能である。
吸収性が弱い場合、レーザの総合効率が低くなる。この
吸収性の弱さは、いくつかの要素によって生じる可能性
がある。レーザ材料のドーピング・レベルが低い場合、
活性レーザ・イオンの濃度が低いので、吸収性が弱くな
る。さらに、ポンプ・レーザは、レーザ材料の吸収のピ
ークに同調させることができない。最後に、固体レーザ
結晶は、長さが短いので、効率のよいポンプ光の吸収は
不可能である。
【０００４】ただし、いくつかの理由から、長さの短い
レーザ結晶が望ましい。光学記憶システムは、レーザ・
サイズを最小限に保つ必要がある。結晶が短くなると、
レーザ光を発する波長において出力損失が少なくなり、
結晶が長い場合に生じる散乱及び再吸収問題が回避され
る。結晶が短くなると、単一周波数のレーザ光を得るこ
ともできるが、結晶が長くなると、複数の、間隔の密な
周波数のレーザ光を生じることになりがちである。
レーザ結晶が望ましい。光学記憶システムは、レーザ・
サイズを最小限に保つ必要がある。結晶が短くなると、
レーザ光を発する波長において出力損失が少なくなり、
結晶が長い場合に生じる散乱及び再吸収問題が回避され
る。結晶が短くなると、単一周波数のレーザ光を得るこ
ともできるが、結晶が長くなると、複数の、間隔の密な
周波数のレーザ光を生じることになりがちである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レー
ザ・システムにおけるポンプ放射線の吸収を増し、より
小形の結晶を利用できるようにすることにある。
ザ・システムにおけるポンプ放射線の吸収を増し、より
小形の結晶を利用できるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
・システムは、ポンプ光を発生するポンプ・レーザから
構成される。レンズによって、固体レーザ材料に対する
ポンプ光の焦点合せが行われる。共振器は、レーザ材料
のまわりに配置される。共振器は、ポンプ光周波数及び
レーザ光周波数において反射率が高いミラーで構成され
、ポンプ光周波数とレーザ光周波数の両方で共振する。 この結果、ポンプ光のほぼ全てが、吸収されるまで、ポ
ンプ光は、固体レーザ材料内で共振することになる。
・システムは、ポンプ光を発生するポンプ・レーザから
構成される。レンズによって、固体レーザ材料に対する
ポンプ光の焦点合せが行われる。共振器は、レーザ材料
のまわりに配置される。共振器は、ポンプ光周波数及び
レーザ光周波数において反射率が高いミラーで構成され
、ポンプ光周波数とレーザ光周波数の両方で共振する。 この結果、ポンプ光のほぼ全てが、吸収されるまで、ポ
ンプ光は、固体レーザ材料内で共振することになる。
【０００７】
【実施例】図１には、全体を参照番号１０で示す本発明
のレーザ・システムに関する概略図が示されている。レ
ーザ・システム１０は、一般に、ポンプ・レーザ１２、
レンズ１４、及び、固体レーザ材料１６から構成される
。ポンプ・レーザ１２は７８０〜８６０ｎｍの範囲の光
を出力するＧａＡｌＡｓ（ガリウム・アルミニウム・砒
素）のようなダイオード・レーザとすることができる。 レンズ１４によってポンプ・レーザからの光の焦点が固
体レーザ材料１６に合わせられる。
のレーザ・システムに関する概略図が示されている。レ
ーザ・システム１０は、一般に、ポンプ・レーザ１２、
レンズ１４、及び、固体レーザ材料１６から構成される
。ポンプ・レーザ１２は７８０〜８６０ｎｍの範囲の光
を出力するＧａＡｌＡｓ（ガリウム・アルミニウム・砒
素）のようなダイオード・レーザとすることができる。 レンズ１４によってポンプ・レーザからの光の焦点が固
体レーザ材料１６に合わせられる。
【０００８】レーザ材料１６には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶（
ネオジムをドープした、イットリウム・アルミニウム・
ガーネット）が考えられるが、他のレーザ材料を用いる
こともできる。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の場合、固体レーザ光
は、波長が約９４６ｎｍである。レーザ材料１６は、ミ
ラー・コーティング２２及び２４から成る共振器２０に
よって包囲される。ミラー２２及び２４は、ポンプ・レ
ーザ光周波数及び固体レーザ光周波数の両方で反射性を
呈し、他の周波数については透過性を呈する。これは、
固体レーザ光周波数についてのみ反射性を呈し、ポンプ
・レーザ光周波数については高度の透過性を呈するミラ
ー・コーティングを施された先行技術とは対照的である
。ミラー２４は、ポンプ・レーザ光周波数について反射
率が高く（８０〜１００％、できれば、１００％）、固
体レーザ光周波数に関する反射率が、固体レーザ出力が
最大になるように（一般に９５％を越える）選択されて
いる。ミラー２２は、固体レーザ光周波数については反
射率が高く（８０〜１００％、できれば１００％）、ポ
ンプ・レーザ光周波数の反射率がＲ１となるように選択
されている。反射率Ｒ１は、共振器２０がポンプ・レー
ザ１２とインピーダンス整合がとれるように選択されて
いるので、ポンプ・レーザ１２に向かって逆方向に反射
されるポンプ・レーザ光は最小になり、統合される光（
共振器２０に捕獲されるポンプ光）は最大になる。反射
率Ｒ１は、Ｒ１＝｛１−ｅｘｐ（−２αＬ）｝＊（Ｒ２
）となるように選択するのが望ましい。ここで、αは、
固体レーザ材料１６の吸収係数であり、Ｌは、ミラー２
２と２４の間におけるビーム経路の長さであり、Ｒ２は
、ポンプ・レーザ光周波数におけるミラー２４の反射率
である。インピーダンス整合に関するさらに詳細な説明
については、ＩＥＥＥ Ｊ． Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ 第ＱＥ−２４巻第６号９１３頁（１
９８８年）における Ｗ．Ｊ． Ｋｏｚｌｏｖｓｋｙ他
による論文 “Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｓｅｃｏｎｄ Ｈ
ａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｄ
ｉｏｄｅ−Ｌａｓｅｒ−Ｐｕｍｐｅｄ Ｃｄ Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ Ｌａｓｅｒ”に示されている。
ネオジムをドープした、イットリウム・アルミニウム・
ガーネット）が考えられるが、他のレーザ材料を用いる
こともできる。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の場合、固体レーザ光
は、波長が約９４６ｎｍである。レーザ材料１６は、ミ
ラー・コーティング２２及び２４から成る共振器２０に
よって包囲される。ミラー２２及び２４は、ポンプ・レ
ーザ光周波数及び固体レーザ光周波数の両方で反射性を
呈し、他の周波数については透過性を呈する。これは、
固体レーザ光周波数についてのみ反射性を呈し、ポンプ
・レーザ光周波数については高度の透過性を呈するミラ
ー・コーティングを施された先行技術とは対照的である
。ミラー２４は、ポンプ・レーザ光周波数について反射
率が高く（８０〜１００％、できれば、１００％）、固
体レーザ光周波数に関する反射率が、固体レーザ出力が
最大になるように（一般に９５％を越える）選択されて
いる。ミラー２２は、固体レーザ光周波数については反
射率が高く（８０〜１００％、できれば１００％）、ポ
ンプ・レーザ光周波数の反射率がＲ１となるように選択
されている。反射率Ｒ１は、共振器２０がポンプ・レー
ザ１２とインピーダンス整合がとれるように選択されて
いるので、ポンプ・レーザ１２に向かって逆方向に反射
されるポンプ・レーザ光は最小になり、統合される光（
共振器２０に捕獲されるポンプ光）は最大になる。反射
率Ｒ１は、Ｒ１＝｛１−ｅｘｐ（−２αＬ）｝＊（Ｒ２
）となるように選択するのが望ましい。ここで、αは、
固体レーザ材料１６の吸収係数であり、Ｌは、ミラー２
２と２４の間におけるビーム経路の長さであり、Ｒ２は
、ポンプ・レーザ光周波数におけるミラー２４の反射率
である。インピーダンス整合に関するさらに詳細な説明
については、ＩＥＥＥ Ｊ． Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ 第ＱＥ−２４巻第６号９１３頁（１
９８８年）における Ｗ．Ｊ． Ｋｏｚｌｏｖｓｋｙ他
による論文 “Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｓｅｃｏｎｄ Ｈ
ａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｄ
ｉｏｄｅ−Ｌａｓｅｒ−Ｐｕｍｐｅｄ Ｃｄ Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ Ｌａｓｅｒ”に示されている。
【０００９】ミラー・コーティング２２及び２４は、当
該技術において既知の多層誘電層から形成されている。 これらの層は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を交互に積層して形
成することができる。これらのコーティングは、レーザ
材料１６の上に直接施される。ただし、レーザ材料１６
の両側に独立したミラーを利用することも可能である。
該技術において既知の多層誘電層から形成されている。 これらの層は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を交互に積層して形
成することができる。これらのコーティングは、レーザ
材料１６の上に直接施される。ただし、レーザ材料１６
の両側に独立したミラーを利用することも可能である。
【００１０】被着物による反射率Ｒ１が、ピーク吸収波
長におけるインピーダンス整合にとって最適の値よりも
少し高い場合、インピーダンス整合が保持されるように
、ポンプ波長にわずかな調整を施すことが可能である。 ポンプ・レーザ電流または温度に調整を加えて、ポンプ
・レーザ周波数が、固体キャビティ共振器２０と正確に
共振を生じるようにすることが可能である。このように
すれば、ポンプ・レーザ出力のほとんど全てが固体レー
ザ材料１６に結合され、動作効率がよくなる。レーザ材
料におけるポンプ・レーザ光の吸収は、ポンプ・レーザ
光の波長における固体共振器２０のフィネス（ｆｉｎｅ
ｓｓｅ）がかなり低く（５％の単一パス・ポンプ吸収で
、６４のフィネスになる）、ポンプ・レーザを簡単にロ
ックさせることが可能な広い共振ピークを生じることを
表わしている。フィネスは、共振ピークの周波数範囲の
測度である。
長におけるインピーダンス整合にとって最適の値よりも
少し高い場合、インピーダンス整合が保持されるように
、ポンプ波長にわずかな調整を施すことが可能である。 ポンプ・レーザ電流または温度に調整を加えて、ポンプ
・レーザ周波数が、固体キャビティ共振器２０と正確に
共振を生じるようにすることが可能である。このように
すれば、ポンプ・レーザ出力のほとんど全てが固体レー
ザ材料１６に結合され、動作効率がよくなる。レーザ材
料におけるポンプ・レーザ光の吸収は、ポンプ・レーザ
光の波長における固体共振器２０のフィネス（ｆｉｎｅ
ｓｓｅ）がかなり低く（５％の単一パス・ポンプ吸収で
、６４のフィネスになる）、ポンプ・レーザを簡単にロ
ックさせることが可能な広い共振ピークを生じることを
表わしている。フィネスは、共振ピークの周波数範囲の
測度である。
【００１１】動作時、ポンプ・レーザ１２からの光は、
レンズ１４によって共振器２０に対し焦点合せが施され
る。ポンプ・レーザ光は、固体材料１６によって吸収さ
れるまで、ミラー２２と２４の間で反射を繰り返す。レ
ンズ１４は、ポンプ・レーザ光の焦点合せを行ない、共
振器２０に入るポンプ光が、既に共振器２０の内部で反
射を操り返しているポンプ・レーザ光と空間モードの整
合がとれるようにする。空間モードの整合については、
１９６６年１０月発行の Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃ
ｓ 第５巻１５５０〜１５６７頁における論文“Ｌａｓ
ｅｒ Ｂｅａｍｓ ａｎｄ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ”に
詳述されている。共振器２０は、ポンプ・レーザ１２と
インピーダンス整合がとれるので、最大量のポンプ・レ
ーザ光が、共振器２０に結合され、ミラー２２で反射さ
れるのは、ほんのわずかな部分にすぎない。
レンズ１４によって共振器２０に対し焦点合せが施され
る。ポンプ・レーザ光は、固体材料１６によって吸収さ
れるまで、ミラー２２と２４の間で反射を繰り返す。レ
ンズ１４は、ポンプ・レーザ光の焦点合せを行ない、共
振器２０に入るポンプ光が、既に共振器２０の内部で反
射を操り返しているポンプ・レーザ光と空間モードの整
合がとれるようにする。空間モードの整合については、
１９６６年１０月発行の Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃ
ｓ 第５巻１５５０〜１５６７頁における論文“Ｌａｓ
ｅｒ Ｂｅａｍｓ ａｎｄ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ”に
詳述されている。共振器２０は、ポンプ・レーザ１２と
インピーダンス整合がとれるので、最大量のポンプ・レ
ーザ光が、共振器２０に結合され、ミラー２２で反射さ
れるのは、ほんのわずかな部分にすぎない。
【００１２】ポンプ・レーザ光が材料１６に吸収される
と、材料１６がレーザ光を発し、固体レーザ光が得られ
ることになる。固体レーザ光は、固体レーザ光ビーム３
０が生じるまで、共振器２０内で繰り返し反射する。
と、材料１６がレーザ光を発し、固体レーザ光が得られ
ることになる。固体レーザ光は、固体レーザ光ビーム３
０が生じるまで、共振器２０内で繰り返し反射する。
【００１３】図２には、本発明のレーザ・システムの第
２の実施例が示されており、全体が参照番号１００で表
示されている。レーザ・システム１００は、ダイオード
・レーザが望ましいポンプ・レーザ１１２から構成され
ている。レーザ１１２は、ＧａＡｌＡｓダイオード・レ
ーザとすることもできるが、他のタイプのレーザを利用
することも可能である。レンズ１１４によって、ポンプ
・レーザ光の焦点が固体レーザ材料１１６に合わせられ
る。レーザ材料１１６は、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶とすること
もできるが、他のレーザ材料を利用してもかまわない。 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の場合、固体レーザ光の波長は、例え
ば、約９４６ｎｍになる。材料１１６は、リング共振器
１２０によって包囲されている。リング共振器１２０は
、３つのミラー１２２、１２４、及び１２６から構成さ
れる。ミラー１２４は、代替案として、全内反射を生じ
る研磨表面とすることもできる。ミラー１２２、１２４
、及び１２６は、レーザ材料１１６の上に直接誘電ミラ
ー・コーティングを施したものである。ただし、独立し
たミラーを用いることも可能である。
２の実施例が示されており、全体が参照番号１００で表
示されている。レーザ・システム１００は、ダイオード
・レーザが望ましいポンプ・レーザ１１２から構成され
ている。レーザ１１２は、ＧａＡｌＡｓダイオード・レ
ーザとすることもできるが、他のタイプのレーザを利用
することも可能である。レンズ１１４によって、ポンプ
・レーザ光の焦点が固体レーザ材料１１６に合わせられ
る。レーザ材料１１６は、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶とすること
もできるが、他のレーザ材料を利用してもかまわない。 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の場合、固体レーザ光の波長は、例え
ば、約９４６ｎｍになる。材料１１６は、リング共振器
１２０によって包囲されている。リング共振器１２０は
、３つのミラー１２２、１２４、及び１２６から構成さ
れる。ミラー１２４は、代替案として、全内反射を生じ
る研磨表面とすることもできる。ミラー１２２、１２４
、及び１２６は、レーザ材料１１６の上に直接誘電ミラ
ー・コーティングを施したものである。ただし、独立し
たミラーを用いることも可能である。
【００１４】ミラー１２４は、ポンプ・レーザ光周波数
と固体レーザ光周波数の両方について、反射率が高い（
８０〜１００％、できれば１００％）。ミラー１２６は
、ポンプ・レーザ光周波数については反射率が高く、固
体レーザ光周波数に関する反射率は、固体レーザ光の出
力が最大になるように（一般に９５％を越える）選択さ
れる。
と固体レーザ光周波数の両方について、反射率が高い（
８０〜１００％、できれば１００％）。ミラー１２６は
、ポンプ・レーザ光周波数については反射率が高く、固
体レーザ光周波数に関する反射率は、固体レーザ光の出
力が最大になるように（一般に９５％を越える）選択さ
れる。
【００１５】ミラー１２２は、固体レーザ光周波数につ
いて反射率が高くなるように選択され（８０〜１００％
、できれば１００％）、ポンプ・レーザ光周波数につい
ての反射率はＲ１になる。反射率Ｒ１は、共振器１２０
とポンプ・レーザ１１２とのインピーダンス整合がとれ
るように選択される。反射率Ｒ１は、Ｒ１＝｛１−ｅｘ
ｐ（−２αＬ）｝＊（Ｒ２）＊（Ｒ３）となるように選
択するのが望ましい。ここで、αは、レーザ材料１１６
の吸収係数、Ｌは、共振器１２０内の１つの回路におけ
るビーム経路の平均長、Ｒ２は、ポンプ・レーザ光周波
数におけるミラー１２４の反射率、及び、Ｒ３は、ポン
プ・レーザ光周波数におけるミラー１２６の反射率であ
る。
いて反射率が高くなるように選択され（８０〜１００％
、できれば１００％）、ポンプ・レーザ光周波数につい
ての反射率はＲ１になる。反射率Ｒ１は、共振器１２０
とポンプ・レーザ１１２とのインピーダンス整合がとれ
るように選択される。反射率Ｒ１は、Ｒ１＝｛１−ｅｘ
ｐ（−２αＬ）｝＊（Ｒ２）＊（Ｒ３）となるように選
択するのが望ましい。ここで、αは、レーザ材料１１６
の吸収係数、Ｌは、共振器１２０内の１つの回路におけ
るビーム経路の平均長、Ｒ２は、ポンプ・レーザ光周波
数におけるミラー１２４の反射率、及び、Ｒ３は、ポン
プ・レーザ光周波数におけるミラー１２６の反射率であ
る。
【００１６】動作時、ポンプ・レーザ１１２からのレー
ザ光が、レンズ１１４によって共振器１２０に結合され
る。ポンプ・レーザ光は、共振器１２０内のミラー１２
２，１２４及び１２６を閉三角形経路に沿って反時計廻
り方向に反射する。入力ポンプ・レーザ光のビーム・パ
ターンは、共振器１２０内で既に反射しているポンプ・
レーザ光のビーム・パターンとの空間モード整合がとれ
る。ポンプ・レーザ光は、レーザ材料１１６によって吸
収され、やはり、共振器１２０において反時計廻り方向
に反射される固体レーザ光が、発生する。固体レーザ光
は、さらに、ミラー１２６において、レーザ・ビーム１
３０を生じることになる。
ザ光が、レンズ１１４によって共振器１２０に結合され
る。ポンプ・レーザ光は、共振器１２０内のミラー１２
２，１２４及び１２６を閉三角形経路に沿って反時計廻
り方向に反射する。入力ポンプ・レーザ光のビーム・パ
ターンは、共振器１２０内で既に反射しているポンプ・
レーザ光のビーム・パターンとの空間モード整合がとれ
る。ポンプ・レーザ光は、レーザ材料１１６によって吸
収され、やはり、共振器１２０において反時計廻り方向
に反射される固体レーザ光が、発生する。固体レーザ光
は、さらに、ミラー１２６において、レーザ・ビーム１
３０を生じることになる。
【００１７】共振器とポンプ・レーザ１１２とのインピ
ーダンス整合がとれたとしても、ポンプ・レーザ光のわ
ずかな部分は、ビーム１４０としてミラー１２２から反
射されることに注意すべきである。この場合、ビーム１
４０は、反射によって直接ポンプ・レーザ１１２に戻る
ことにならないので、ポンプ・レーザ１１２との潜在的
な干渉の問題が、回避される。
ーダンス整合がとれたとしても、ポンプ・レーザ光のわ
ずかな部分は、ビーム１４０としてミラー１２２から反
射されることに注意すべきである。この場合、ビーム１
４０は、反射によって直接ポンプ・レーザ１１２に戻る
ことにならないので、ポンプ・レーザ１１２との潜在的
な干渉の問題が、回避される。
【００１８】従って、本発明によって、レーザ材料内に
おいてポンプ・レーザ光を共振させるレーザ・システム
が得られる。これによって、ポンプ・レーザ光の吸収が
増し、レーザ・システムの総合効率が高まる。２つの実
施例を示したが、ポンプ式の固体レーザまたはダイオー
ド・レーザではないレーザ・システムを用いた、他の共
振器設計も可能である。
おいてポンプ・レーザ光を共振させるレーザ・システム
が得られる。これによって、ポンプ・レーザ光の吸収が
増し、レーザ・システムの総合効率が高まる。２つの実
施例を示したが、ポンプ式の固体レーザまたはダイオー
ド・レーザではないレーザ・システムを用いた、他の共
振器設計も可能である。
【００１９】図３には、本発明のレーザ・システム２０
２を用いる位相変更式光ディスク・ドライブ・システム
２００が示されている。レーザ・システム１０（図１）
または１００（図２）は、システム２０２に用いること
ができる。システム２０２からの光は、レンズ２０４に
よって平行化され、円形化光学素子２０６に送られる。 光学素子２０６は、円形断面ビーム・パターンを有する
光を放出する。光学素子２０６は、プリズムでもかまわ
ない。
２を用いる位相変更式光ディスク・ドライブ・システム
２００が示されている。レーザ・システム１０（図１）
または１００（図２）は、システム２０２に用いること
ができる。システム２０２からの光は、レンズ２０４に
よって平行化され、円形化光学素子２０６に送られる。 光学素子２０６は、円形断面ビーム・パターンを有する
光を放出する。光学素子２０６は、プリズムでもかまわ
ない。
【００２０】次に、光は、偏光ビーム・スプリッタ２２
０及び四分の一波長板２２２を通る。この光は、ミラー
２２４で反射され、レンズ２２６によって光学記録媒体
２３０に対して焦点合せが施される。光学記録媒体２３
０は、位相変更タイプの光学記録媒体とすることができ
る。
０及び四分の一波長板２２２を通る。この光は、ミラー
２２４で反射され、レンズ２２６によって光学記録媒体
２３０に対して焦点合せが施される。光学記録媒体２３
０は、位相変更タイプの光学記録媒体とすることができ
る。
【００２１】光学記録媒体２３０からの反射光は、レン
ズ２２６を通って戻り、ミラー２２４で反射され、四分
の一波長板２２２を通って、偏光ビーム・スプリッタ２
２０に達する。次に、この反射光は、偏光ビーム・スプ
リッタ２２０によって偏向を施され、非点収差補正レン
ズ２４０に送られる。非点収差補正レンズ２４０によっ
て、反射光の焦点が光検出器２４２に合わせられる。光
学記録媒体２３０の記録スポットは、反射率が異なって
おり、こうした相違が、光検出器２４２によってデータ
１及び０として検出される。検出器２４２は、また、ト
ラッキング及び焦点信号も送り出す。
ズ２２６を通って戻り、ミラー２２４で反射され、四分
の一波長板２２２を通って、偏光ビーム・スプリッタ２
２０に達する。次に、この反射光は、偏光ビーム・スプ
リッタ２２０によって偏向を施され、非点収差補正レン
ズ２４０に送られる。非点収差補正レンズ２４０によっ
て、反射光の焦点が光検出器２４２に合わせられる。光
学記録媒体２３０の記録スポットは、反射率が異なって
おり、こうした相違が、光検出器２４２によってデータ
１及び０として検出される。検出器２４２は、また、ト
ラッキング及び焦点信号も送り出す。
【００２２】図４には、本発明のレーザ・システム３０
２を用いた磁気光学ディスク・ドライブ・システム３０
０が示されている。レーザ・システム３０２は、システ
ム１０またはシステム１００とすることができる。レー
ザ・システム３０２からの光は、レンズ３０４によって
平行化され、円形化光学素子３０６に送られる。光学素
子３０６は、円形の断面ビーム・パターンを有する光を
放出する。円形化光学素子３０６は、プリズムとするこ
とができる。
２を用いた磁気光学ディスク・ドライブ・システム３０
０が示されている。レーザ・システム３０２は、システ
ム１０またはシステム１００とすることができる。レー
ザ・システム３０２からの光は、レンズ３０４によって
平行化され、円形化光学素子３０６に送られる。光学素
子３０６は、円形の断面ビーム・パターンを有する光を
放出する。円形化光学素子３０６は、プリズムとするこ
とができる。
【００２３】この光は、漏出性偏光ビーム・スプリッタ
３２０に通される。ビーム・スプリッタ３２０は、Ｒｐ
＞０、及び、ほぼ１に等しいＲｓの反射率を有している
（ｐ及びｓは、光の直交偏向成分を表わしている）。こ
の光は、さらに、ミラー３２４で反射して、レンズ３２
６に送られ、光学記録媒体３３０に対して焦点が合わせ
られる。記録媒体３３０は、磁気光学タイプの光学記録
媒体とすることができる。
３２０に通される。ビーム・スプリッタ３２０は、Ｒｐ
＞０、及び、ほぼ１に等しいＲｓの反射率を有している
（ｐ及びｓは、光の直交偏向成分を表わしている）。こ
の光は、さらに、ミラー３２４で反射して、レンズ３２
６に送られ、光学記録媒体３３０に対して焦点が合わせ
られる。記録媒体３３０は、磁気光学タイプの光学記録
媒体とすることができる。
【００２４】光学記録媒体３３０からの反射光は、レン
ズ３２６を通って戻り、ミラー３２４で反射して、ビー
ム・スプリッタ３２０にはいる。ビーム・スプリッタ３
２０によって、反射光が偏向し、振幅ビーム・スプリッ
タ３４０に送られる。反射データ光は、偏向を施されて
、二分の一波長板３４２及びビーム・スプリッタ３４４
に送られる。他の振幅の反射光は、まっすぐにビーム・
スプリッタ３４０に通る。この光は、非点収差補正レン
ズ３４６によって４分割検出器３４８に対して焦点が合
わせられ、トラッキング及び焦点信号を生じる。
ズ３２６を通って戻り、ミラー３２４で反射して、ビー
ム・スプリッタ３２０にはいる。ビーム・スプリッタ３
２０によって、反射光が偏向し、振幅ビーム・スプリッ
タ３４０に送られる。反射データ光は、偏向を施されて
、二分の一波長板３４２及びビーム・スプリッタ３４４
に送られる。他の振幅の反射光は、まっすぐにビーム・
スプリッタ３４０に通る。この光は、非点収差補正レン
ズ３４６によって４分割検出器３４８に対して焦点が合
わせられ、トラッキング及び焦点信号を生じる。
【００２５】光学記録媒体３３０には、アップまたはダ
ウン磁区を有するスポットが記録されている。これらの
スポットから反射する光の偏向面は、磁区の方向に従っ
て、どちらかの方向に回転する。ビーム・スプリッタ３
４４は、偏向面がどちらの方向に回転したかに従って、
反射光を分割する。分割されたビームは、レンズ３５０
及び光検出器３５２、または、レンズ３６０及び光検出
器３６２に達する。検出器３５２及び３６２の出力信号
における差は、データ１と０である。光ディスク・ドラ
イブ・システムのさらに詳細な説明については、ＳＰＩ
Ｅ第９３５巻６３頁（１９８８年）の Ｇｌｅｎｎ Ｔ
． Ｓｉｎｃｅｒｂｏｘ による “Ｇｒａｄｉｅｎｔ
−Ｉｎｄｅｘ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｎｉａｔｕ
ｒｅ Ｏｐｔｉｃｓ”に示されている。
ウン磁区を有するスポットが記録されている。これらの
スポットから反射する光の偏向面は、磁区の方向に従っ
て、どちらかの方向に回転する。ビーム・スプリッタ３
４４は、偏向面がどちらの方向に回転したかに従って、
反射光を分割する。分割されたビームは、レンズ３５０
及び光検出器３５２、または、レンズ３６０及び光検出
器３６２に達する。検出器３５２及び３６２の出力信号
における差は、データ１と０である。光ディスク・ドラ
イブ・システムのさらに詳細な説明については、ＳＰＩ
Ｅ第９３５巻６３頁（１９８８年）の Ｇｌｅｎｎ Ｔ
． Ｓｉｎｃｅｒｂｏｘ による “Ｇｒａｄｉｅｎｔ
−Ｉｎｄｅｘ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｎｉａｔｕ
ｒｅ Ｏｐｔｉｃｓ”に示されている。
【００２６】本発明のレーザ・システムは、データ記憶
以外にも用途がある。たとえば、本発明は、医療機器、
化学テスタ及びモニタ、カラー・ディスプレイ、リモー
ト・センサ、レーザ・プリンタ等にも用いることができ
る。
以外にも用途がある。たとえば、本発明は、医療機器、
化学テスタ及びモニタ、カラー・ディスプレイ、リモー
ト・センサ、レーザ・プリンタ等にも用いることができ
る。
【００２７】
【発明の効果】ポンプ光の吸収が増し、これによって、
レーザ・システムの総合効率が高められる。
レーザ・システムの総合効率が高められる。
【図１】本発明のレーザ・システムに関する概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の代替実施例に関する概略図である。
【図３】本発明のデータ記憶システムに関する概略図で
ある。
ある。
【図４】データ記憶システムの代替実施例に関する概略
図である。
図である。
１０ レーザ・システム
１２ ポンプ・レーザ
１４ レンズ
１６ 固体レーザ材料
２０ 共振器
２２ ミラー
２４ ミラー
３０ 固体レーザ光ビーム
Claims (12)
- 【請求項１】第１の周波数のポンプ光を発生するポンプ
・レーザと、前記ポンプ・レーザと光学的に結合され、
前記ポンプ光を受けて、第２の周波数のレーザ光を発生
するレーザ材料と、前記レーザ材料が収容され、ほぼ前
記第１の周波数及びほぼ前記第２の周波数で共振を生じ
る光共振器とから構成される、レーザ・システム。 - 【請求項２】前記光共振器が第１と第２の周波数で反射
性を呈する１対のミラーから成ることを特徴とする、請
求項１に記載のレーザ・システム。 - 【請求項３】前記１対のミラーのうち第１のミラーの前
記第１の周波数における反射率が ｛１−ｅｘｐ（−２
αＬ）｝＊（Ｒ２）にほぼ等しい（式中、αはレーザ材
料の吸収係数、Ｌは前記１対のミラー間の距離、Ｒ２は
前記１対のミラーのうち第２のミラーの前記第１の周波
数における反射率である）ことを特徴とする、請求項２
に記載のレーザ・システム。 - 【請求項４】前記レーザ材料がＮｄ：ＹＡＧであること
を特徴とする、請求項１に記載のレーザ・システム。 - 【請求項５】前記共振器が、３つの反射ミラーを有する
リング共振器であることを特徴とする、請求項１に記載
のレーザ・システム。 - 【請求項６】前記３つの反射ミラーのうち第１のミラー
の前記第１の周波数における反射率が、ほぼ｛１−ｅｘ
ｐ（−２αＬ）｝＊（Ｒ２）＊（Ｒ３）に等しい、（式
中、αはレーザ材料の吸収係数、Ｌは前記リング共振器
内のビーム経路の長さ、Ｒ２は前記３つの反射ミラーの
うち第２のミラーの第１の周波数における反射率、Ｒ３
は前記３つの反射ミラーのうち第３のミラーの第１の周
波数における反射率である）ことを特徴とする、請求項
５に記載のレーザ・システム。 - 【請求項７】ポンプ・レーザ光をレーザ材料に統合する
ステップと、前記ポンプ・レーザ光の全てが吸収される
まで、前記レーザ材料の内部で前記ポンプ・レーザ光を
共振させるステップと、前記レーザ材料の内部でレーザ
光を発生させるステップと、前記レーザ材料の内部で前
記ポンプ・レーザ光を共振させるステップから成る、
レーザ光発生方法。 - 【請求項８】第１の周波数で光を出力するポンプ・レー
ザと、前記ポンプ・レーザからの前記第１の周波数の光
について焦点合せを施すレンズと、該レンズからの前記
第１の周波数の光を受けて、第２の周波数のレーザ光を
発生するレーザ材料と、レーザ材料の両側に設けられ、
前記第１及び第２の周波数でそれぞれ反射性を呈する第
１及び第２のミラー・コーティングとから構成される、
レーザ・システム。 - 【請求項９】前記第１及び第２のミラーが、前記ポンプ
・レーザに対してインピーダンス整合される共振器を形
成することを特徴とする、請求項８に記載のレーザ・シ
ステム。 - 【請求項１０】第１の周波数で光を出力するポンプ・レ
ーザと、ポンプ・レーザからの前記第１の周波数の光に
ついて焦点合せを施すレンズと、前記レンズから前記第
１の周波数の光を受け、第２の周波数でレーザ光を発生
するレーザ材料と、前記レーザ材料が収容され、前記第
１及び第２の周波数で反射する３つの反射コーティング
から成るリング共振器とから構成される、レーザ・シス
テム。 - 【請求項１１】前記リング共振器は、前記ポンプ・レー
ザに対してインピーダンス整合されることを特徴とする
、請求項１０に記載のレーザ・システム。 - 【請求項１２】第１の周波数でポンプ光を発生するポン
プ・レーザと、前記ポンプ・レーザと光学的に結合され
、前記ポンプ光を受けて第２の周波数でレーザ光を発生
するレーザ材料と、前記レーザ材料が収容され、ほぼ前
記第１の周波数及びほぼ前記第２の周波数で共振を生じ
る光共振器と、光学記録媒体と、前記光共振器から前記
光学記録媒体へ前記第２の周波数の光を送る光学伝送手
段と、前記光学記録媒体から反射される第２の周波数の
光ビームを受けて、それに応じたデータ信号を発生する
光学受取り手段とから構成される、レーザ・データ記憶
システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US582286 | 1990-09-12 | ||
| US07/582,286 US5048047A (en) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Passive absorptive resonator laser system and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245687A true JPH04245687A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=24328562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248492A Pending JPH04245687A (ja) | 1990-09-12 | 1991-09-03 | レーザ・システム，レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5048047A (ja) |
| EP (1) | EP0475680A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04245687A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH114030A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Corp | 励起型固体レーザ装置 |
| JP2007536755A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 傾斜したポンピングビームを有した放射放出デバイス |
| JP2008034459A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 固体レーザ発振装置 |
| JP2008034457A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 固体レーザ発振装置および固体レーザ増幅装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5150374A (en) * | 1989-04-20 | 1992-09-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of fabricating a waveguide optical resonant cavity |
| US5095491A (en) * | 1991-04-12 | 1992-03-10 | International Business Machines Corporation | Laser system and method |
| US5204694A (en) * | 1991-07-29 | 1993-04-20 | Xerox Corporation | Ros printer incorporating a variable wavelength laser |
| JPH05145148A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sony Corp | 固体レーザ共振器 |
| US5287340A (en) * | 1992-02-13 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Differential amplifier for optical detectors in an optical data storage system |
| GB9309467D0 (en) * | 1993-05-07 | 1993-06-23 | Secr Defence | Waveguide laser |
| CN1034897C (zh) * | 1993-08-29 | 1997-05-14 | 哈尔滨工业大学 | 一种固体激光器相位共轭谐振腔 |
| US7103076B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrashort pulsed laser and optical head using the same |
| US7050475B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-05-23 | Litelaser Llc | Waveguide laser |
| US7583717B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-09-01 | Videojet Technologies Inc | Laser system |
| WO2006049634A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Litelaser L.L.C. | Laser alignment system and method |
| GB2559970B (en) * | 2017-02-22 | 2021-09-01 | M Squared Lasers Ltd | Nonlinear Crystal |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193686A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-05-12 | ザ ボ−ド オブ トラステイ−ズ オブ ザ リ−ランド スタンフオ−ド ジユニア ユニバ−シテイ | ソリツドステ−ト非平面型の内部反射式リングレ−ザ |
| JPH01220877A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sony Corp | レーザ光源 |
| JPH0291828A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Asahi Glass Co Ltd | レーザ共振型光ピックアップ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3436665A (en) * | 1965-05-28 | 1969-04-01 | Bell Telephone Labor Inc | Multiple pass optical cell for laser amplifier |
| US3684980A (en) * | 1970-10-13 | 1972-08-15 | Texas Instruments Inc | High effective absorption coefficient solid state laser rods |
| US4756003A (en) * | 1985-05-01 | 1988-07-05 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
| US4761786A (en) * | 1986-12-23 | 1988-08-02 | Spectra-Physics, Inc. | Miniaturized Q-switched diode pumped solid state laser |
| US4764933A (en) * | 1986-08-15 | 1988-08-16 | Stanford University | Diode pumped low doped Nd 3+ glass laser |
| US4794615A (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-27 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | End and side pumped laser |
| US4791631A (en) * | 1987-08-31 | 1988-12-13 | International Business Machines Corporation | Wide tolerance, modulated blue laser source |
| US4860304A (en) * | 1988-02-02 | 1989-08-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid state microlaser |
| US4965803A (en) * | 1990-03-30 | 1990-10-23 | The United Stats Of America As Represented By The Scretary Of The Navy | Room-temperature, laser diode-pumped, q-switched, 2 micron, thulium-doped, solid state laser |
-
1990
- 1990-09-12 US US07/582,286 patent/US5048047A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3248492A patent/JPH04245687A/ja active Pending
- 1991-09-05 EP EP19910308132 patent/EP0475680A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193686A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-05-12 | ザ ボ−ド オブ トラステイ−ズ オブ ザ リ−ランド スタンフオ−ド ジユニア ユニバ−シテイ | ソリツドステ−ト非平面型の内部反射式リングレ−ザ |
| JPH01220877A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sony Corp | レーザ光源 |
| JPH0291828A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Asahi Glass Co Ltd | レーザ共振型光ピックアップ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH114030A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Corp | 励起型固体レーザ装置 |
| JP2007536755A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 傾斜したポンピングビームを有した放射放出デバイス |
| JP2008034459A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 固体レーザ発振装置 |
| JP2008034457A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 固体レーザ発振装置および固体レーザ増幅装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0475680A3 (en) | 1993-03-03 |
| US5048047A (en) | 1991-09-10 |
| EP0475680A2 (en) | 1992-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5377212A (en) | Solid-state laser device including uniaxial laser crystal emitting linearly polarized fundamental wave and nonlinear optical crystal emitting linearly polarized harmonic wave | |
| US5095491A (en) | Laser system and method | |
| US5038352A (en) | Laser system and method using a nonlinear crystal resonator | |
| US4747111A (en) | Quasi-planar monolithic unidirectional ring laser | |
| JPH04245687A (ja) | レーザ・システム，レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システム | |
| EP0331303B1 (en) | Second harmonic generation | |
| US6259711B1 (en) | Laser | |
| US5430754A (en) | Solid state laser apparatus | |
| KR100195769B1 (ko) | 고체 레이저 장치 | |
| JP2501302B2 (ja) | レ―ザ―装置および方法 | |
| CN1319225C (zh) | 超短脉冲激光器及使用该激光器的光学头 | |
| JPH07318996A (ja) | 波長変換導波路型レーザ装置 | |
| JPH06112591A (ja) | 半導体レーザ装置および光接続装置 | |
| JPH05265058A (ja) | 波長変換装置 | |
| KR0174775B1 (ko) | 파장변환 도파로형 레이저 장치 | |
| US6628692B2 (en) | Solid-state laser device and solid-state laser amplifier provided therewith | |
| US6064684A (en) | Unidirectionally operating laser apparatus using semimonolithic ring cavity | |
| US5084840A (en) | Passive absorptive rensonator laser system and method | |
| WO1996024883A1 (fr) | Generateur de deuxieme harmonique et dispositif d'application a laser | |
| JP3398980B2 (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JP3446222B2 (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JP3282221B2 (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JPH05243650A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH0414024A (ja) | ２次高調波発生デバイス | |
| JP2820800B2 (ja) | 第二高調波発生装置 |