JPH04243967A - マイクロ波誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04243967A JPH04243967A JP3025290A JP2529091A JPH04243967A JP H04243967 A JPH04243967 A JP H04243967A JP 3025290 A JP3025290 A JP 3025290A JP 2529091 A JP2529091 A JP 2529091A JP H04243967 A JPH04243967 A JP H04243967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- weight
- value
- microwave dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 23
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波誘電体磁器
組成物に関し、更に詳しく言えば、高いＱ値及び比誘電
率を示しかつ実用的範囲の温度係数を示すマイクロ波誘
電体磁器組成物に関し、更に容易に焼成して製造される
マイクロ波誘電体磁器組成物に関する。本発明はマイク
ロ周波数領域において誘電体共振器、マイクロ波集積回
路基板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合等に
利用される。
組成物に関し、更に詳しく言えば、高いＱ値及び比誘電
率を示しかつ実用的範囲の温度係数を示すマイクロ波誘
電体磁器組成物に関し、更に容易に焼成して製造される
マイクロ波誘電体磁器組成物に関する。本発明はマイク
ロ周波数領域において誘電体共振器、マイクロ波集積回
路基板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合等に
利用される。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波誘電体磁器組成物（以下、単
に誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波
となるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、
マイクロ周波数領域でＱ値の大きな誘電体磁器組成物が
望まれている。従来の誘電体磁器材料としては、ＺｒＯ
２ −ＳｎＯ２ −ＴｉＯ２ 系磁器組成物、ＢａＯ−
ＴｉＯ２ 系磁器組成物及びその一部を他の元素で置換
した磁器組成物（特公平１−３７８０７号公報）等が知
られている。
に誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波
となるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、
マイクロ周波数領域でＱ値の大きな誘電体磁器組成物が
望まれている。従来の誘電体磁器材料としては、ＺｒＯ
２ −ＳｎＯ２ −ＴｉＯ２ 系磁器組成物、ＢａＯ−
ＴｉＯ２ 系磁器組成物及びその一部を他の元素で置換
した磁器組成物（特公平１−３７８０７号公報）等が知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の誘電体
磁器組成物では、Ｑ値若しくは比誘電率が小さかったり
、又は所望の温度係数が得られなかったり、その製造に
おける焼結性が悪かったりする等の問題がある。また、
異なった組成を有する新規な誘電体磁器組成物が望まれ
ており、しかもその焼結性に優れ容易に製造できるもの
が一層好ましい。本発明は上記観点に鑑みてなされたも
のであり、高いＱ値及び比誘電率を示し且つ実用的範囲
の温度係数を示す誘電体磁器組成物、更に、容易に焼成
して製造される誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。
磁器組成物では、Ｑ値若しくは比誘電率が小さかったり
、又は所望の温度係数が得られなかったり、その製造に
おける焼結性が悪かったりする等の問題がある。また、
異なった組成を有する新規な誘電体磁器組成物が望まれ
ており、しかもその焼結性に優れ容易に製造できるもの
が一層好ましい。本発明は上記観点に鑑みてなされたも
のであり、高いＱ値及び比誘電率を示し且つ実用的範囲
の温度係数を示す誘電体磁器組成物、更に、容易に焼成
して製造される誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｂａ−Ｚｎ
−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ系の誘電体磁器組成物について、以下
に示す性能を全て満足する磁器組成物について種々検討
した結果、本発明を完成するに至ったのである。 Ｑ値；主に５０００以上、特に８０００以上（４．５Ｇ
Ｈｚの場合） 比誘電率εｒ ；３０以上 温度係数τｆ ；−２０〜＋２０、特に−１５〜＋１０
ｐｐｍ／℃ 焼結性；良好、特に１３００℃以下で良好に焼成。 即ち、本第１発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＯ・ｘＴ
ｉＯ２ （但し、ｘは３．７≦ｘ≦４．５）で表される
組成物に対して、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４を１
．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ を２〜８重量％、添
加含有せしめてなることを特徴とする。本第２発明の誘
電体磁器組成物は、第１発明の組成に、更に、ＭｎＯ２
を０．２〜０．４重量％、添加含有せしめてなることを
特徴とする。ＢａＯ・ｘＴｉＯ２ のｘが３．７より小
さいと比誘電率εｒ が低く、逆に４．５を越えるとＱ
値が低くなり、好ましくないからである。Ｂａ３ Ｔｉ
１２Ｚｎ７ Ｏ３４の添加は、共振周波数の温度係数τ
ｆ をプラス側に以降させるもので、これを含まないと
共振周波数の温度係数τｆ がマイナス側でおきくなり
、１０重量％を越える過剰の添加は、逆にτｆ がプラ
ス側で大きくなるとともに、Ｑ値、τｆ が小さくなる
。Ｔａ２ Ｏ５ の添加は、Ｑ値を向上させるもので、
２重量％の添加からその効果を発揮するが、８重量％を
越える過剰の添加は、逆にＱ値の低下を招くことになる
。ＭｎＯ２ の添加は、磁器の焼結性を改善するもので
、０．１〜０．４重量％の添加範囲で低温（１２５０〜
１３００℃）で焼成でき、これらの添加範囲外では１３
００℃を越える高温でないと焼結しにくくなる。本磁器
組成物は、所定の原料を所定量混合し、焼成して製造さ
れる。例えば、焼成後ＢａＯとなる原料粉末とＴｉＯ２
粉末とから所定組成比のＢａＯ・ｘＴｉＯ２ 粉末を
合成し、これに所定量のＢａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３
４粉末、ＭｎＯ２ 粉末、Ｔａ２ Ｏ５ 粉末を添加し
焼成して製造することができる。
−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ系の誘電体磁器組成物について、以下
に示す性能を全て満足する磁器組成物について種々検討
した結果、本発明を完成するに至ったのである。 Ｑ値；主に５０００以上、特に８０００以上（４．５Ｇ
Ｈｚの場合） 比誘電率εｒ ；３０以上 温度係数τｆ ；−２０〜＋２０、特に−１５〜＋１０
ｐｐｍ／℃ 焼結性；良好、特に１３００℃以下で良好に焼成。 即ち、本第１発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＯ・ｘＴ
ｉＯ２ （但し、ｘは３．７≦ｘ≦４．５）で表される
組成物に対して、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４を１
．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ を２〜８重量％、添
加含有せしめてなることを特徴とする。本第２発明の誘
電体磁器組成物は、第１発明の組成に、更に、ＭｎＯ２
を０．２〜０．４重量％、添加含有せしめてなることを
特徴とする。ＢａＯ・ｘＴｉＯ２ のｘが３．７より小
さいと比誘電率εｒ が低く、逆に４．５を越えるとＱ
値が低くなり、好ましくないからである。Ｂａ３ Ｔｉ
１２Ｚｎ７ Ｏ３４の添加は、共振周波数の温度係数τ
ｆ をプラス側に以降させるもので、これを含まないと
共振周波数の温度係数τｆ がマイナス側でおきくなり
、１０重量％を越える過剰の添加は、逆にτｆ がプラ
ス側で大きくなるとともに、Ｑ値、τｆ が小さくなる
。Ｔａ２ Ｏ５ の添加は、Ｑ値を向上させるもので、
２重量％の添加からその効果を発揮するが、８重量％を
越える過剰の添加は、逆にＱ値の低下を招くことになる
。ＭｎＯ２ の添加は、磁器の焼結性を改善するもので
、０．１〜０．４重量％の添加範囲で低温（１２５０〜
１３００℃）で焼成でき、これらの添加範囲外では１３
００℃を越える高温でないと焼結しにくくなる。本磁器
組成物は、所定の原料を所定量混合し、焼成して製造さ
れる。例えば、焼成後ＢａＯとなる原料粉末とＴｉＯ２
粉末とから所定組成比のＢａＯ・ｘＴｉＯ２ 粉末を
合成し、これに所定量のＢａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３
４粉末、ＭｎＯ２ 粉末、Ｔａ２ Ｏ５ 粉末を添加し
焼成して製造することができる。
【０００５】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
。 （１）各試料の作製 純度９９．９％のＢａＣＯ３ 粉末、ＴｉＯ２ 粉末を
各組成に応じて所定量秤量混合し、ミキサーで乾式によ
る粉砕及び混合を施す。その後、酸素雰囲気中１０００
℃の温度で６時間熱処理して、ＢａＯ・ｘＴｉＯ２粉末
（３．７≦ｘ≦４．５）を合成する。一方、純度９９．
９％のＢａＣＯ３ 粉末、ＴｉＯ２ 粉末及びＺｎＯ粉
末を出発原料として、モル比がそれぞれ、Ｂａ：Ｔｉ：
Ｚｎ＝３：１２：７になるように秤量、混合し、これを
ミキサーで乾式による粉砕及び混合を施した後、酸素雰
囲気中で１２５０℃で１０時間熱処理してＢａ３ Ｔｉ
１２Ｚｎ７ Ｏ３４粉末を合成する。前記のようにして
得られたＢａＯ・ｘＴｉＯ２ 粉末にＢａ３ Ｔｉ１２
Ｚｎ７ Ｏ３４粉末、ＭｎＯ２ 粉末、Ｔａ２ Ｏ５
粉末を、表１〜４に示す各組成に応じて所定量添加し、
再び、ミキサーで乾式による粉砕及び混合を施した後、
適量の有機バインダーと水を加え、３０ｍｍφのアルミ
ナボールで粉砕した後、噴霧乾燥により造粒し、この造
粒された原料を用いて１５００ｋｇ／ｃｍ２ のプレス
圧で１８ｍｍφ×１５ｍｍｔ（厚さ）の円盤状に成形し
た。次に、この成形体を大気中、１２５０℃から１３５
０℃の温度で、１０時間焼成し、最後に、１２ｍｍφ×
１０ｍｍｔ（厚さ）の円板状に研磨して、誘電体試料と
した。そして、Ｑ値（１／ｔａｎδ）、比誘電率εｒ
、共振周波数の温度係数τｆ の測定は、比誘電率εｒ
が最下となる焼結温度の試料が得られた。εｒ とＱ
値は誘電体共振器法により測定した。τｆ は−３０〜
８０℃の範囲で、τｆ ＝−１／２τε−α式から求め
た。共振周波数はほぼ４．５ＧＨｚである。線膨張係数
αは９．５〜１１ｐｐｍ／℃である。τεは比誘電率ε
ｒ の温度係数である。また、焼結性の良否において、
×は１３００℃を越える温度にて焼成しないと上手く焼
結できない場合を示し、○は１３００℃以下にて上手く
焼成できる場合を示す。
。 （１）各試料の作製 純度９９．９％のＢａＣＯ３ 粉末、ＴｉＯ２ 粉末を
各組成に応じて所定量秤量混合し、ミキサーで乾式によ
る粉砕及び混合を施す。その後、酸素雰囲気中１０００
℃の温度で６時間熱処理して、ＢａＯ・ｘＴｉＯ２粉末
（３．７≦ｘ≦４．５）を合成する。一方、純度９９．
９％のＢａＣＯ３ 粉末、ＴｉＯ２ 粉末及びＺｎＯ粉
末を出発原料として、モル比がそれぞれ、Ｂａ：Ｔｉ：
Ｚｎ＝３：１２：７になるように秤量、混合し、これを
ミキサーで乾式による粉砕及び混合を施した後、酸素雰
囲気中で１２５０℃で１０時間熱処理してＢａ３ Ｔｉ
１２Ｚｎ７ Ｏ３４粉末を合成する。前記のようにして
得られたＢａＯ・ｘＴｉＯ２ 粉末にＢａ３ Ｔｉ１２
Ｚｎ７ Ｏ３４粉末、ＭｎＯ２ 粉末、Ｔａ２ Ｏ５
粉末を、表１〜４に示す各組成に応じて所定量添加し、
再び、ミキサーで乾式による粉砕及び混合を施した後、
適量の有機バインダーと水を加え、３０ｍｍφのアルミ
ナボールで粉砕した後、噴霧乾燥により造粒し、この造
粒された原料を用いて１５００ｋｇ／ｃｍ２ のプレス
圧で１８ｍｍφ×１５ｍｍｔ（厚さ）の円盤状に成形し
た。次に、この成形体を大気中、１２５０℃から１３５
０℃の温度で、１０時間焼成し、最後に、１２ｍｍφ×
１０ｍｍｔ（厚さ）の円板状に研磨して、誘電体試料と
した。そして、Ｑ値（１／ｔａｎδ）、比誘電率εｒ
、共振周波数の温度係数τｆ の測定は、比誘電率εｒ
が最下となる焼結温度の試料が得られた。εｒ とＱ
値は誘電体共振器法により測定した。τｆ は−３０〜
８０℃の範囲で、τｆ ＝−１／２τε−α式から求め
た。共振周波数はほぼ４．５ＧＨｚである。線膨張係数
αは９．５〜１１ｐｐｍ／℃である。τεは比誘電率ε
ｒ の温度係数である。また、焼結性の良否において、
×は１３００℃を越える温度にて焼成しないと上手く焼
結できない場合を示し、○は１３００℃以下にて上手く
焼成できる場合を示す。
【０００６】（２）性能評価
前記の各誘電体試料の特性を調べた、表１、表２、表３
及び表４に示した。尚、該表中、＊印表記の数字は、特
に性能が優れない場合（即ち、Ｑ値が５０００未満、温
度係数が−２０未満を示す。そして、＃印表記の数字は
十分に実用的性能を示すが、他と比べるとやや性能が悪
い場合を示す。そして、「総合評価」欄中の×印欄は本
発明に含まれない場合、△印は本発明に含まれる場合も
含まれない場合もあり、また焼結性が悪い場合も含む。
及び表４に示した。尚、該表中、＊印表記の数字は、特
に性能が優れない場合（即ち、Ｑ値が５０００未満、温
度係数が−２０未満を示す。そして、＃印表記の数字は
十分に実用的性能を示すが、他と比べるとやや性能が悪
い場合を示す。そして、「総合評価」欄中の×印欄は本
発明に含まれない場合、△印は本発明に含まれる場合も
含まれない場合もあり、また焼結性が悪い場合も含む。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
これらの結果によれば、ＢａＯ・ｘＴｉＯ２ のｘが３
．６の場合（Ｎｏ．１）は、εｒ が３１．０と低い。 このｘが４．６と大きい場合（Ｎｏ．１１）は、Ｑｕ値
が４２００と小さい。これが３．７〜４．５の場合（Ｎ
ｏ．２〜１０）は、比誘電率、Ｑｕ値及び温度係数のバ
ランスが極めてよい。Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４
成分を含まない場合（Ｎｏ．１２、２０）は温度係数が
−２４、−２１とマイナス側で大きい。また、これを１
１重量％含む場合（Ｎｏ．１９）はＱ値が４９００、ε
ｒが３１．７とやや小さくなり、温度係数も＋１２とプ
ラス側で大きくなり、いずれもτｆ の直線的変化から
大きく外れ、任意のτｆ に制御できなくなる。また、
Ｔａ２ Ｏ５ 成分が１重量％の場合（Ｎｏ．３６、４
１）は、Ｑｕ値が４８００、４２００と著しく小さく、
これが９重量％の場合（Ｎｏ．４０、４５）も、Ｑ値が
４８００、４６００と著しく小さく、いずれも好ましく
ない。更に、ＭｎＯ２ 成分を含まない場合（Ｎｏ．２
８、３０）は、焼成温度が１３００℃以上で焼結しない
と緻密な焼結体が得られず、焼結性が悪い。また、この
成分が０．５重量％の場合（Ｎｏ．３３、３５）におい
ても、焼結性が悪い。前記以外の試料の場合（Ｎｏ．２
〜１０、１３〜１８、２１〜２６、２９、３１〜３２、
３４、３７〜３９、４２〜４４、即ち、ＢａＯ・ｘＴｉ
Ｏ２ のｘが３．７≦ｘ≦４．５、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚ
ｎ７ Ｏ３４が１．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ が
２〜８重量％、ＭｎＯ２ が０．２〜０．４重量％、添
加含有される場合）は、比誘電率、Ｑｕ値及び温度係数
、更に焼結性の全てに大変優れ、性能のバランスが極め
てよい。尚、ＭｎＯ２を含まないが、ＢａＯ・ｘＴｉＯ
２ のｘが３．７≦ｘ≦４．５、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ
７ Ｏ３４が１．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ が２
〜８重量％の範囲に含まれる場合（Ｎｏ．２８、３０）
は、焼結性を除いた性能（実用特性）は十分に優れたも
のである。尚、本考案においては、前記具体的実施例に
示すものに限られず、目的、用途に応じて本考案の範囲
内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、前
記仮焼温度等の仮焼条件、焼成温度等の焼成条件等は種
々選択できる。また、ＢａＯとなる原料も前記ＢａＣＯ
３ 以外にも、過酸化物、水酸化物、硝酸塩等を用いる
こともできる。
．６の場合（Ｎｏ．１）は、εｒ が３１．０と低い。 このｘが４．６と大きい場合（Ｎｏ．１１）は、Ｑｕ値
が４２００と小さい。これが３．７〜４．５の場合（Ｎ
ｏ．２〜１０）は、比誘電率、Ｑｕ値及び温度係数のバ
ランスが極めてよい。Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４
成分を含まない場合（Ｎｏ．１２、２０）は温度係数が
−２４、−２１とマイナス側で大きい。また、これを１
１重量％含む場合（Ｎｏ．１９）はＱ値が４９００、ε
ｒが３１．７とやや小さくなり、温度係数も＋１２とプ
ラス側で大きくなり、いずれもτｆ の直線的変化から
大きく外れ、任意のτｆ に制御できなくなる。また、
Ｔａ２ Ｏ５ 成分が１重量％の場合（Ｎｏ．３６、４
１）は、Ｑｕ値が４８００、４２００と著しく小さく、
これが９重量％の場合（Ｎｏ．４０、４５）も、Ｑ値が
４８００、４６００と著しく小さく、いずれも好ましく
ない。更に、ＭｎＯ２ 成分を含まない場合（Ｎｏ．２
８、３０）は、焼成温度が１３００℃以上で焼結しない
と緻密な焼結体が得られず、焼結性が悪い。また、この
成分が０．５重量％の場合（Ｎｏ．３３、３５）におい
ても、焼結性が悪い。前記以外の試料の場合（Ｎｏ．２
〜１０、１３〜１８、２１〜２６、２９、３１〜３２、
３４、３７〜３９、４２〜４４、即ち、ＢａＯ・ｘＴｉ
Ｏ２ のｘが３．７≦ｘ≦４．５、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚ
ｎ７ Ｏ３４が１．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ が
２〜８重量％、ＭｎＯ２ が０．２〜０．４重量％、添
加含有される場合）は、比誘電率、Ｑｕ値及び温度係数
、更に焼結性の全てに大変優れ、性能のバランスが極め
てよい。尚、ＭｎＯ２を含まないが、ＢａＯ・ｘＴｉＯ
２ のｘが３．７≦ｘ≦４．５、Ｂａ３ Ｔｉ１２Ｚｎ
７ Ｏ３４が１．０〜１０重量％、Ｔａ２ Ｏ５ が２
〜８重量％の範囲に含まれる場合（Ｎｏ．２８、３０）
は、焼結性を除いた性能（実用特性）は十分に優れたも
のである。尚、本考案においては、前記具体的実施例に
示すものに限られず、目的、用途に応じて本考案の範囲
内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、前
記仮焼温度等の仮焼条件、焼成温度等の焼成条件等は種
々選択できる。また、ＢａＯとなる原料も前記ＢａＣＯ
３ 以外にも、過酸化物、水酸化物、硝酸塩等を用いる
こともできる。
【０００７】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体磁器組成
物は、高いＱ値及び比誘電率、且つ実用的な温度係数τ
ｆ を全て具備し、大変バランスのとれた実用的に著し
く優れたものである。更に、０．１〜０．４重量％のＭ
ｎＯ２ を含む誘電体磁器組成物は、前記性能を全て満
足するとともに、その製造の際の焼結性にも優れ、更に
一層バランスの優れた実用性を示す。
物は、高いＱ値及び比誘電率、且つ実用的な温度係数τ
ｆ を全て具備し、大変バランスのとれた実用的に著し
く優れたものである。更に、０．１〜０．４重量％のＭ
ｎＯ２ を含む誘電体磁器組成物は、前記性能を全て満
足するとともに、その製造の際の焼結性にも優れ、更に
一層バランスの優れた実用性を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ２ （但し、ｘは３
．７≦ｘ≦４．５）で表される組成物に対して、Ｂａ３
Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４を１．０〜１０重量％及びＴ
ａ２ Ｏ５ を２〜８重量％、添加含有せしめてなるこ
とを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ２ （但し、ｘは３
．７≦ｘ≦４．５）で表される組成物に対して、Ｂａ３
Ｔｉ１２Ｚｎ７ Ｏ３４を１．０〜１０重量％、Ｔａ
２ Ｏ５ を２〜８重量％及びＭｎＯ２ を０．２〜０
．４重量％、添加含有せしめてなることを特徴とするマ
イクロ波誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025290A JP3067815B2 (ja) | 1991-01-26 | 1991-01-26 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| DE69210264T DE69210264T2 (de) | 1991-01-26 | 1992-01-24 | Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellen |
| US07/825,078 US5198396A (en) | 1991-01-26 | 1992-01-24 | Microwave dielectric ceramic composition |
| EP92101183A EP0497228B1 (en) | 1991-01-26 | 1992-01-24 | Microwave dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025290A JP3067815B2 (ja) | 1991-01-26 | 1991-01-26 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243967A true JPH04243967A (ja) | 1992-09-01 |
| JP3067815B2 JP3067815B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=12161888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025290A Expired - Lifetime JP3067815B2 (ja) | 1991-01-26 | 1991-01-26 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5198396A (ja) |
| EP (1) | EP0497228B1 (ja) |
| JP (1) | JP3067815B2 (ja) |
| DE (1) | DE69210264T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759935A (en) * | 1995-03-20 | 1998-06-02 | Ngk Spark Co., Ltd. | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
| USRE38491E1 (en) | 1995-03-20 | 2004-04-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296424A (en) * | 1992-04-22 | 1994-03-22 | Gte Control Devices Incorporated | System of dielectric ceramic compositions suitable for microwave applications |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT454567A (ja) * | 1948-06-25 | |||
| NL231805A (ja) * | 1957-10-03 | |||
| JPS5918160A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| EP0205137A3 (en) * | 1985-06-14 | 1987-11-04 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
| JP2681214B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-11-26 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 |
| US5086021A (en) * | 1990-06-28 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
-
1991
- 1991-01-26 JP JP3025290A patent/JP3067815B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-01-24 US US07/825,078 patent/US5198396A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-24 DE DE69210264T patent/DE69210264T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-24 EP EP92101183A patent/EP0497228B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759935A (en) * | 1995-03-20 | 1998-06-02 | Ngk Spark Co., Ltd. | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
| USRE38491E1 (en) | 1995-03-20 | 2004-04-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067815B2 (ja) | 2000-07-24 |
| EP0497228A1 (en) | 1992-08-05 |
| EP0497228B1 (en) | 1996-05-01 |
| US5198396A (en) | 1993-03-30 |
| DE69210264T2 (de) | 1996-09-12 |
| DE69210264D1 (de) | 1996-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1135373A (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JPH04310565A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH04243967A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JP2002249375A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP2902923B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH0517213A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH0255884B2 (ja) | ||
| JPH06333429A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3067814B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP5134819B2 (ja) | 高周波用誘電体セラミックス | |
| JP3162208B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333426A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4362938B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001302331A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06275126A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06199568A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH0580764B2 (ja) | ||
| JPH06102572B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH04265271A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH04362061A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPH0757708B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH04300243A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04243965A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |