JPH04242958A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPH04242958A JPH04242958A JP40660290A JP40660290A JPH04242958A JP H04242958 A JPH04242958 A JP H04242958A JP 40660290 A JP40660290 A JP 40660290A JP 40660290 A JP40660290 A JP 40660290A JP H04242958 A JPH04242958 A JP H04242958A
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Landscapes
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、より詳し
くは、絶縁物層の上に半導体活性層を形成したＳＯＩ（
ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に関
し、特に、ＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙｉ
ｍｐｌａｎｔｅｄ ｏｘｙｇｅｎ）によるＳＯＩ基板の
製造方法に関する。
くは、絶縁物層の上に半導体活性層を形成したＳＯＩ（
ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に関
し、特に、ＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙｉ
ｍｐｌａｎｔｅｄ ｏｘｙｇｅｎ）によるＳＯＩ基板の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高集積ＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍ
ｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ） ＩＣ、高耐圧素子をＳＯＩ基板を利
用して製作するようになってきた。絶縁物層の上に半導
体活性層を形成しているので、高集積ＣＭＯＳではラッ
チアップ（寄生回路による異常発振現象）の防止、高耐
圧素子ではベース基板との絶縁分離にそれぞれ有効であ
る。このＳＯＩ基板の製造方法には、Ｓｉ基板同士を絶
縁膜を介して張り合わせる方法、絶縁性基板または絶縁
性薄膜を表面に有する基板の上にＳｉ薄膜を堆積させる
方法などがあり、さらに、Ｓｉ基板へ酸素イオンを注入
し（打ち込み）、アニールして基板中に埋め込みＳｉＯ
２ 層（絶縁物層）を形成し、その表面側のＳｉ層を活
性領域とするＳＩＭＯＸ法がある。このＳＩＭＯＸ法は
再現性良くＳＯＩ基板を製造でき、耐放射線強化デバイ
ス用の基板の製造に適している（例えば、泉、木村、大
野、中嶋、「大電流装置の完成で研究開発に弾みがつく
酸素打ち込みＳＯＩ技術」、日経マイクロデバイス、Ｎ
ｏ． ２１、１９８７年３月号、ｐｐ． ８１〜３９５
、泉勝俊、「ＳＩＯＸ技術の現状と展望」、電子情報通
信学会技報、ＳＤＭ８８−１６４、ｐｐ． １７−２４
参照）。
ｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ） ＩＣ、高耐圧素子をＳＯＩ基板を利
用して製作するようになってきた。絶縁物層の上に半導
体活性層を形成しているので、高集積ＣＭＯＳではラッ
チアップ（寄生回路による異常発振現象）の防止、高耐
圧素子ではベース基板との絶縁分離にそれぞれ有効であ
る。このＳＯＩ基板の製造方法には、Ｓｉ基板同士を絶
縁膜を介して張り合わせる方法、絶縁性基板または絶縁
性薄膜を表面に有する基板の上にＳｉ薄膜を堆積させる
方法などがあり、さらに、Ｓｉ基板へ酸素イオンを注入
し（打ち込み）、アニールして基板中に埋め込みＳｉＯ
２ 層（絶縁物層）を形成し、その表面側のＳｉ層を活
性領域とするＳＩＭＯＸ法がある。このＳＩＭＯＸ法は
再現性良くＳＯＩ基板を製造でき、耐放射線強化デバイ
ス用の基板の製造に適している（例えば、泉、木村、大
野、中嶋、「大電流装置の完成で研究開発に弾みがつく
酸素打ち込みＳＯＩ技術」、日経マイクロデバイス、Ｎ
ｏ． ２１、１９８７年３月号、ｐｐ． ８１〜３９５
、泉勝俊、「ＳＩＯＸ技術の現状と展望」、電子情報通
信学会技報、ＳＤＭ８８−１６４、ｐｐ． １７−２４
参照）。
【０００３】従来、イオン注入装置によって、加速電圧
４０〜２００ｋｅＶ， ビーム電流約５０ｍＡ、ドー
ズ量約１０１８／ｃｍ２ で酸素をＳｉ基板へ注入し、
アニール（加熱）してＳｉ基板表面から０．２〜０．５
μｍの深さにＳｉＯ２ 層を形成することでＳＯＩ基板
を製造している。
４０〜２００ｋｅＶ， ビーム電流約５０ｍＡ、ドー
ズ量約１０１８／ｃｍ２ で酸素をＳｉ基板へ注入し、
アニール（加熱）してＳｉ基板表面から０．２〜０．５
μｍの深さにＳｉＯ２ 層を形成することでＳＯＩ基板
を製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】イオン注入の際に、Ｓ
ｉ基板の結晶軸に対する酸素ビームの照射方向は、チャ
ネリング（注入したイオンが結晶の原子とほとんど衝突
することなく結晶軸または結晶面に沿って通過してしま
う現象）を抑制するように選ばれる。このことはＳｉＯ
２ 層の形成深さを制御するために必要とされている。
ｉ基板の結晶軸に対する酸素ビームの照射方向は、チャ
ネリング（注入したイオンが結晶の原子とほとんど衝突
することなく結晶軸または結晶面に沿って通過してしま
う現象）を抑制するように選ばれる。このことはＳｉＯ
２ 層の形成深さを制御するために必要とされている。
【０００５】しかしながら、ＳＩＭＯＸ技術では、半導
体素子を形成する表面側からＳｉＯ２ 層に達するまで
該基板の表面層を通過するので、イオン注入後はアモル
ファス状態となってしまう。このアモルファス層をアニ
ールして結晶性を回復させているが、結晶欠陥はアニー
ル後も大量に残ってしまう。本発明の目的は、ＳＩＭＯ
Ｘにおいて素子形成層である表面層の結晶性を向上させ
ることである。
体素子を形成する表面側からＳｉＯ２ 層に達するまで
該基板の表面層を通過するので、イオン注入後はアモル
ファス状態となってしまう。このアモルファス層をアニ
ールして結晶性を回復させているが、結晶欠陥はアニー
ル後も大量に残ってしまう。本発明の目的は、ＳＩＭＯ
Ｘにおいて素子形成層である表面層の結晶性を向上させ
ることである。
【０００６】本発明の別の目的は、ＳＯＭＯＸ法で結晶
性の良い表面側活性層を有するＳＯＩ基板を製造する方
法を提供することである。
性の良い表面側活性層を有するＳＯＩ基板を製造する方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、半導体結
晶基板にイオンを注入し、熱処理を施して半導体素子形
成用の表面側活性層とベース基板とを絶縁分離する絶縁
物層を形成することを含んでなる半導体結晶基板を製造
する方法において、注入するイオンが前記半導体結晶基
板の結晶に対してチャネリングするようにイオン注入を
行い、該イオン注入前にチャネリングするイオンが停止
し易い層を半導体結晶基板内に形成しておくことを特徴
とする半導体結晶基板の製造方法によって達成される。
晶基板にイオンを注入し、熱処理を施して半導体素子形
成用の表面側活性層とベース基板とを絶縁分離する絶縁
物層を形成することを含んでなる半導体結晶基板を製造
する方法において、注入するイオンが前記半導体結晶基
板の結晶に対してチャネリングするようにイオン注入を
行い、該イオン注入前にチャネリングするイオンが停止
し易い層を半導体結晶基板内に形成しておくことを特徴
とする半導体結晶基板の製造方法によって達成される。
【０００８】ベース基板および表面側活性層がシリコン
からなり、かつ絶縁分離のために注入するイオンが酸素
イオンであることは好ましい。形成する絶縁物層の深さ
を制御するために、予めイオンが停止し易い層を■ベー
ス基板の上にエピタキシャル成長法によって該ベース基
板の元素とは異なる元素、またはその元素と該ベース基
板の元素との混晶を堆積形成することで形成し、■ベー
ス基板の元素とは異なる元素を所定深さにイオン注入す
ることで形成し（すなわち、高濃度に不純物を添加した
層を形成し）、あるいは■ベース基板の元素と同じ元素
を所定深さにイオン注入することで形成する（すなわち
、結晶を乱した層を形成する）。
からなり、かつ絶縁分離のために注入するイオンが酸素
イオンであることは好ましい。形成する絶縁物層の深さ
を制御するために、予めイオンが停止し易い層を■ベー
ス基板の上にエピタキシャル成長法によって該ベース基
板の元素とは異なる元素、またはその元素と該ベース基
板の元素との混晶を堆積形成することで形成し、■ベー
ス基板の元素とは異なる元素を所定深さにイオン注入す
ることで形成し（すなわち、高濃度に不純物を添加した
層を形成し）、あるいは■ベース基板の元素と同じ元素
を所定深さにイオン注入することで形成する（すなわち
、結晶を乱した層を形成する）。
【０００９】■の場合に、堆積する元素がゲルマニウム
であり、混晶がゲルマニウムとシリコンとからなること
は好ましく、エピタキシャル成長法によって形成する。 ■および■の場合には、絶縁分離のためのイオン注入の
前に、表面側活性層のみに結晶回復のアニールを施すこ
とになる。さらに、ベース基板の元素とは異なる元素が
ゲルマニュウムであり、ベース基板の元素と同じ元素が
シリコンであることは好ましい。
であり、混晶がゲルマニウムとシリコンとからなること
は好ましく、エピタキシャル成長法によって形成する。 ■および■の場合には、絶縁分離のためのイオン注入の
前に、表面側活性層のみに結晶回復のアニールを施すこ
とになる。さらに、ベース基板の元素とは異なる元素が
ゲルマニュウムであり、ベース基板の元素と同じ元素が
シリコンであることは好ましい。
【００１０】
【作用】絶縁物層形成のための（酸素）イオンが基板結
晶でチャネリングするようにイオン注入を行うので、イ
オンの通過する基板部分での結晶損傷は従来よりも大幅
に軽減される。したがって、半導体素子形成領域である
表面（側活性）層の移動度が高まり、再結合電流が制御
でき、素子の特性が向上する。そして、チャネリングす
るように注入した（酸素）イオンが所定深さに止まるよ
うに、イオンが停止し易い層（基板結晶で格子間原子が
多量に存在する層）を形成してあるので、ここに絶縁物
層を形成することができる。
晶でチャネリングするようにイオン注入を行うので、イ
オンの通過する基板部分での結晶損傷は従来よりも大幅
に軽減される。したがって、半導体素子形成領域である
表面（側活性）層の移動度が高まり、再結合電流が制御
でき、素子の特性が向上する。そして、チャネリングす
るように注入した（酸素）イオンが所定深さに止まるよ
うに、イオンが停止し易い層（基板結晶で格子間原子が
多量に存在する層）を形成してあるので、ここに絶縁物
層を形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例によって本発明を詳細に説明する。 例１ 図１に示すように、ＳＯＩ基板１はＳｉベース基板２と
、絶縁物層３と、Ｓｉ（表面活性）層４とからなる。 このような構造の半導体基板１が次のように本発明の第
１実施態様例にしたがって製造される。
様例によって本発明を詳細に説明する。 例１ 図１に示すように、ＳＯＩ基板１はＳｉベース基板２と
、絶縁物層３と、Ｓｉ（表面活性）層４とからなる。 このような構造の半導体基板１が次のように本発明の第
１実施態様例にしたがって製造される。
【００１２】先ず、Ｓｉ単結晶基板２を容易する。なお
、この基板の面方位は（１００） 、（１１０） 、（
１１１） のいずれかである。Ｓｉ基板２をフッ酸で表
面エッチングし、洗浄してから、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に挿入
し、水素（Ｈ２）ガス雰囲気下で１０００℃に加熱して
基板表面の酸化物を除去する。基板加熱温度を成長温度
である６２０℃にし、原料ガスにＧｅＨ４ およびＳｉ
Ｃｌ２ Ｈ２ を、キャリアガスにＨ２ を流してＧｅ
Ｓｉエピタキシャル層（厚さ０．２〜０．３μｍ）をＳ
ｉ基板２上に形成する。ガス流量条件は、例えば、Ｇｅ
Ｈ４ 流量を５ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉ
ｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅｓ）
とし、ＳｉＣｌ２ Ｈ２ 流量を４０ＳＣＣＭとし、
そしてＨ２ 流量を５０００ＳＣＣＭとする。次に、Ｓ
ｉ２ Ｈ４ ガスのみを流してＳｉエピタキシャル層４
（厚さ０．２〜０．５μｍ）をＧｅＳｉ層の上に形成す
る。
、この基板の面方位は（１００） 、（１１０） 、（
１１１） のいずれかである。Ｓｉ基板２をフッ酸で表
面エッチングし、洗浄してから、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に挿入
し、水素（Ｈ２）ガス雰囲気下で１０００℃に加熱して
基板表面の酸化物を除去する。基板加熱温度を成長温度
である６２０℃にし、原料ガスにＧｅＨ４ およびＳｉ
Ｃｌ２ Ｈ２ を、キャリアガスにＨ２ を流してＧｅ
Ｓｉエピタキシャル層（厚さ０．２〜０．３μｍ）をＳ
ｉ基板２上に形成する。ガス流量条件は、例えば、Ｇｅ
Ｈ４ 流量を５ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉ
ｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅｓ）
とし、ＳｉＣｌ２ Ｈ２ 流量を４０ＳＣＣＭとし、
そしてＨ２ 流量を５０００ＳＣＣＭとする。次に、Ｓ
ｉ２ Ｈ４ ガスのみを流してＳｉエピタキシャル層４
（厚さ０．２〜０．５μｍ）をＧｅＳｉ層の上に形成す
る。
【００１３】このようにして作成した基板をイオン（酸
素イオン）打ち込み装置にセットして、下記条件にて酸
素イオンを基板に注入する。 イオン照射方向 上述した面方位のＳｉ基板の法
線方向 加速電圧 ５０ｋｅＶ ビーム電流
３０〜５０ｍＡドーズ量
１〜５×１０１８／ｃｍ２ 基板加熱温度
１３５０℃ このイオン注入では酸素イオンはＳｉエピタキシャル層
４をチャネリングして、その下のＧｅＳｉエピタキシャ
ル層にて止まる。
素イオン）打ち込み装置にセットして、下記条件にて酸
素イオンを基板に注入する。 イオン照射方向 上述した面方位のＳｉ基板の法
線方向 加速電圧 ５０ｋｅＶ ビーム電流
３０〜５０ｍＡドーズ量
１〜５×１０１８／ｃｍ２ 基板加熱温度
１３５０℃ このイオン注入では酸素イオンはＳｉエピタキシャル層
４をチャネリングして、その下のＧｅＳｉエピタキシャ
ル層にて止まる。
【００１４】イオン注入後に、不活性雰囲気下で１１０
０℃で２時間のアニール熱処理を施して、ＧｅＳｉエピ
タキシャル層をＳｉＯ２ 層３に変え、かつイオン注入
で多少結晶性が崩れたＳｉエピタキシャル層４の結晶性
を回復させる。このようして図１に示す半導体結晶基板
（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。なお、注入
イオンには分子イオンを用いることも可能である。さら
に、酸素の代わりに窒素や炭素のイオンを採用すること
も可能である。この場合には、Ｓｉ３ Ｎ４ 、ＳｉＣ
がそれぞれ絶縁膜となる。
０℃で２時間のアニール熱処理を施して、ＧｅＳｉエピ
タキシャル層をＳｉＯ２ 層３に変え、かつイオン注入
で多少結晶性が崩れたＳｉエピタキシャル層４の結晶性
を回復させる。このようして図１に示す半導体結晶基板
（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。なお、注入
イオンには分子イオンを用いることも可能である。さら
に、酸素の代わりに窒素や炭素のイオンを採用すること
も可能である。この場合には、Ｓｉ３ Ｎ４ 、ＳｉＣ
がそれぞれ絶縁膜となる。
【００１５】例２
例１においてはＳｉ基板２上に形成するＧｅＳｉ層およ
びＳｉ層４のエピタキシャル成長をＣＶＤ法で行うが、
分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ法）を用いても良い。Ｓｉ
基板２の前処理を例１の通りに行い、ＭＢＥ装置の中に
Ｓｉ基板を配置し、１０００℃に加熱して表面酸化物を
除去する。個々のクヌードセンセル内に置かれた固体Ｓ
ｉおよびＧｅを加熱蒸発させて、Ｇｅ０．３ Ｓｉ０．
７ 層をＳｉ基板２の上に形成し、次に、Ｇｅの蒸発を
止めてＳｉのみ蒸発させてＳｉ層４を形成する。
びＳｉ層４のエピタキシャル成長をＣＶＤ法で行うが、
分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ法）を用いても良い。Ｓｉ
基板２の前処理を例１の通りに行い、ＭＢＥ装置の中に
Ｓｉ基板を配置し、１０００℃に加熱して表面酸化物を
除去する。個々のクヌードセンセル内に置かれた固体Ｓ
ｉおよびＧｅを加熱蒸発させて、Ｇｅ０．３ Ｓｉ０．
７ 層をＳｉ基板２の上に形成し、次に、Ｇｅの蒸発を
止めてＳｉのみ蒸発させてＳｉ層４を形成する。
【００１６】このようにして作成した基板に例１と同様
に酸素イオンを注入し、アニールして図１に示す半導体
結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。例
１および例２での、ＧｅＳｉ層の代わりにＧｅ層をエピ
タキシャル成長させても良い。 例３ 例１でも用いる面方位が（１００） 、（１１０） 、
（１１１） のいずれかであるＳｉ基板２をフッ酸洗浄
後に、イオン打ち込み装置にセットして、下記の通常の
条件にてゲルマニウムイオンを基板に注入する。
に酸素イオンを注入し、アニールして図１に示す半導体
結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。例
１および例２での、ＧｅＳｉ層の代わりにＧｅ層をエピ
タキシャル成長させても良い。 例３ 例１でも用いる面方位が（１００） 、（１１０） 、
（１１１） のいずれかであるＳｉ基板２をフッ酸洗浄
後に、イオン打ち込み装置にセットして、下記の通常の
条件にてゲルマニウムイオンを基板に注入する。
【００１７】イオン照射方向… 基板面方位から７〜
１０度傾いた方向 加速電圧 … １５０ｋｅＶ ビーム電流
… ３０〜５０ｍＡドーズ量 …
１〜５×１０１８／ｃｍ２ 基板加熱温度 …
１３５０℃ このイオン注入ではチャネリングが抑制されており、Ｇ
ｅが基板表面から約０．２ 〜０．５μｍ程度のところ
に濃度ピークを有するガウス型に分布する。すなわち、
Ｇｅ不純物濃度の高い層を形成することになる。
１０度傾いた方向 加速電圧 … １５０ｋｅＶ ビーム電流
… ３０〜５０ｍＡドーズ量 …
１〜５×１０１８／ｃｍ２ 基板加熱温度 …
１３５０℃ このイオン注入ではチャネリングが抑制されており、Ｇ
ｅが基板表面から約０．２ 〜０．５μｍ程度のところ
に濃度ピークを有するガウス型に分布する。すなわち、
Ｇｅ不純物濃度の高い層を形成することになる。
【００１８】イオン注入で基板表面層はその結晶性が崩
れてしまうので、水銀ランプを用いて紫外線によって表
面層のみをアニールする。紫外光は表面近傍のみにしか
進入しないので（吸収係数が高いため）、表面層のみの
結晶性を回復させることができる。この時、表面から深
い位置での結晶は非結晶状態で残る。このようにして作
成した基板に例１と同様に酸素イオンを注入し、アニー
ルして図１に示す半導体結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製
造することができる。
れてしまうので、水銀ランプを用いて紫外線によって表
面層のみをアニールする。紫外光は表面近傍のみにしか
進入しないので（吸収係数が高いため）、表面層のみの
結晶性を回復させることができる。この時、表面から深
い位置での結晶は非結晶状態で残る。このようにして作
成した基板に例１と同様に酸素イオンを注入し、アニー
ルして図１に示す半導体結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製
造することができる。
【００１９】例４
例３でのＧｅイオンの代わりにＳｉイオン（基板と同じ
元素）を例３と同様にしてＳｉ基板にイオン注入して、
結晶性の崩れたアモルファス層を形成する。そして、例
３と同様に水銀ランプの紫外光によって表面層のみをア
ニールして結晶性を回復させる。その後に、例１と同様
に酸素イオンを注入し、アニールして図１に示す半導体
結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。
元素）を例３と同様にしてＳｉ基板にイオン注入して、
結晶性の崩れたアモルファス層を形成する。そして、例
３と同様に水銀ランプの紫外光によって表面層のみをア
ニールして結晶性を回復させる。その後に、例１と同様
に酸素イオンを注入し、アニールして図１に示す半導体
結晶基板（ＳＯＩ基板）１を製造することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したような本発明に係る製造方
法で作ったＳＯＩ基板は、その表面活性層の表面欠陥密
度が例１および２では１０５ ／ｃｍ２ 程度に、例３
および４では５×１０５ ／ｃｍ２ 程度になって、従
来のＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板での１０６ ／ｃｍ
２ 程度よりも少なくなって、結晶性が向上する。した
がって、表面活性層に形成する半導体素子の特性も向上
する。
法で作ったＳＯＩ基板は、その表面活性層の表面欠陥密
度が例１および２では１０５ ／ｃｍ２ 程度に、例３
および４では５×１０５ ／ｃｍ２ 程度になって、従
来のＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板での１０６ ／ｃｍ
２ 程度よりも少なくなって、結晶性が向上する。した
がって、表面活性層に形成する半導体素子の特性も向上
する。
【図１】ＳＯＩ基板の部分断面図である。
１…ＳＯＩ基板
２…Ｓｉベース基板
３…絶縁物層
４…Ｓｉ（表面活性）層
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体結晶基板にイオンを注入し、熱
処理を施して半導体素子形成用の表面側活性層とベース
基板とを絶縁分離する絶縁物層を形成することを含んで
なる半導体結晶基板を製造する方法において、注入する
イオンが前記半導体結晶基板の結晶に対してチャネリン
グするように前記イオン注入を行い、該イオン注入前に
チャネリングするイオンが停止し易い層を前記半導体結
晶基板内に形成しておくことを特徴とする半導体結晶基
板の製造方法。 - 【請求項２】 前記イオンの停止し易い層は、前記ベ
ース基板の上にエピタキシャル成長法によって該ベース
基板の元素とは異なる元素、またはその元素と該ベース
基板の元素との混晶を堆積形成することで得られること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記イオンの停止し易い層は、前記ベ
ース基板の元素とは異なる元素を所定深さにイオン注入
することで得られることを特徴とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項４】 前記イオンの停止し易い層は、前記ベ
ース基板の元素と同じ元素を所定深さにイオン注入する
ことで得られることを特徴とする請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項５】 前記イオンの停止し易い層の形成後で
、前記絶縁分離のためのイオン注入の前に、前記表面側
活性層のみに結晶回復のアニールを施すことを特徴とす
る請求項４又は５記載の方法。 - 【請求項６】 前記ベース基板および前記表面側活性
層はシリコンからなり、かつ前記前記絶縁分離のために
注入するイオンは酸素イオンであることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記堆積する元素はゲルマニュウムで
あり、前記混晶はゲルマニュウムとシリコンとからなる
ことを特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項８】 前記ベース基板の元素とは異なる元素
がゲルマニウムであることを特徴とする請求項３記載の
方法。 - 【請求項９】 前記ベース基板の元素と同じ元素がシ
リコンであることを特徴とする請求項４記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40660290A JPH04242958A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40660290A JPH04242958A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242958A true JPH04242958A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=18516224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40660290A Withdrawn JPH04242958A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242958A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090689A (en) * | 1998-03-04 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Method of forming buried oxide layers in silicon |
| JP2012164814A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9070604B2 (en) | 1998-09-04 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40660290A patent/JPH04242958A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222253B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Buried oxide layer in silicon |
| US6090689A (en) * | 1998-03-04 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Method of forming buried oxide layers in silicon |
| US9070604B2 (en) | 1998-09-04 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| JP2012164814A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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