JPH04242061A - 表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置 - Google Patents
表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置Info
- Publication number
- JPH04242061A JPH04242061A JP191391A JP191391A JPH04242061A JP H04242061 A JPH04242061 A JP H04242061A JP 191391 A JP191391 A JP 191391A JP 191391 A JP191391 A JP 191391A JP H04242061 A JPH04242061 A JP H04242061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- atoms
- atomic
- processing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical group [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】量子細線、量子箱等の量子効果半
導体素子の形成方法及び形成装置ならびに原子の配列を
利用したメモリ装置に関する。
導体素子の形成方法及び形成装置ならびに原子の配列を
利用したメモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＴＭ（走査トンネル顕微鏡）は、表面
上の原子を１個１個観察する手段として物質表面の分析
に用いられている。極く最近、上述のＳＴＭの利点をさ
らに発展させて、原子１個１個を人工的に操作するアト
ミックマニュプレ−ションに関する研究が進められてい
る。
上の原子を１個１個観察する手段として物質表面の分析
に用いられている。極く最近、上述のＳＴＭの利点をさ
らに発展させて、原子１個１個を人工的に操作するアト
ミックマニュプレ−ションに関する研究が進められてい
る。
【０００３】これまで、このアトミックマニュプレ−シ
ョンに関する例としては、ネイチャ−（１９９０年、３
４４巻）のｐ５２４（Ｎａｔｕｒｅ，３４４（１９９０
）５２４．）に開示されている。これは、４Ｋという極
低温でニッケルの（１１０）面に、キセノン原子を１原
子ずつＳＴＭで制御してＩＢＭという絵文字を並べたも
のである。
ョンに関する例としては、ネイチャ−（１９９０年、３
４４巻）のｐ５２４（Ｎａｔｕｒｅ，３４４（１９９０
）５２４．）に開示されている。これは、４Ｋという極
低温でニッケルの（１１０）面に、キセノン原子を１原
子ずつＳＴＭで制御してＩＢＭという絵文字を並べたも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現状のアトミ
ックマニュプレ−ション技術を用いて上述の半導体分野
、計算機メモリの分野へ展開するためには、二つの実用
上の大きな障壁があった。 一つはマニュプレ−ショ
ンにかかる時間である。例えば、前述の公知例では、ニ
ッケルの（１１０）面上にばらまいたキセノン原子をＳ
ＴＭ探針を用いて一つずつ移動しては離すという動作が
必要である。一方、半導体やメモリの分野で性能を発揮
するためには少なくともミクロンからミリメ−タのオ−
ダの代表寸法が必要となるであろう。原子の個数にする
と一辺で１０の３乗個以上、面内で１０の６乗個以上と
いうことになる。一つの操作に数秒かかるとすると、半
導体やメモリで必要となる原子の個数を操作するには多
くの時間を要するため実用上不可能といえる。
ックマニュプレ−ション技術を用いて上述の半導体分野
、計算機メモリの分野へ展開するためには、二つの実用
上の大きな障壁があった。 一つはマニュプレ−ショ
ンにかかる時間である。例えば、前述の公知例では、ニ
ッケルの（１１０）面上にばらまいたキセノン原子をＳ
ＴＭ探針を用いて一つずつ移動しては離すという動作が
必要である。一方、半導体やメモリの分野で性能を発揮
するためには少なくともミクロンからミリメ−タのオ−
ダの代表寸法が必要となるであろう。原子の個数にする
と一辺で１０の３乗個以上、面内で１０の６乗個以上と
いうことになる。一つの操作に数秒かかるとすると、半
導体やメモリで必要となる原子の個数を操作するには多
くの時間を要するため実用上不可能といえる。
【０００５】他の一つは、基板の原子オ−ダでの安定性
である。これには表面の汚染による原子面の変化、なら
びに熱的変動による原子相対位置の変動がある。原子を
操作した面が変質してしまう状況では、産業上の分野へ
の適用は困難である。この基板の変質は、時間がかかる
ほど進行する。この点でも表面原子の加工における高速
性は必要とされていた。
である。これには表面の汚染による原子面の変化、なら
びに熱的変動による原子相対位置の変動がある。原子を
操作した面が変質してしまう状況では、産業上の分野へ
の適用は困難である。この基板の変質は、時間がかかる
ほど進行する。この点でも表面原子の加工における高速
性は必要とされていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこでＳＴＭの探針に電
圧または電流の電気的作用を加える表面原子の加工装置
において、ＳＴＭで表面形状を計測したときの探針の軌
跡を記憶し、次に記憶した軌跡に従って探針を走査する
際に所定の位置で表面原子を加工するための電気的作用
を付加できるようにした。また、他の手段としてＳＴＭ
の計測中に所定の表面原子位置に応じて、表面原子を加
工するための電気的作用を付加できる構成とした。
圧または電流の電気的作用を加える表面原子の加工装置
において、ＳＴＭで表面形状を計測したときの探針の軌
跡を記憶し、次に記憶した軌跡に従って探針を走査する
際に所定の位置で表面原子を加工するための電気的作用
を付加できるようにした。また、他の手段としてＳＴＭ
の計測中に所定の表面原子位置に応じて、表面原子を加
工するための電気的作用を付加できる構成とした。
【０００７】
【作用】本発明を用いれば、ＳＴＭの計測と同様な操作
で探針を走査しながら表面原子の除去や他の原子の付着
に必要な電気的作用を同時に行える。
で探針を走査しながら表面原子の除去や他の原子の付着
に必要な電気的作用を同時に行える。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例を示す図面を用
いて説明する。図１は表面原子の加工方法の１実施例を
示す。本実施例では、表面の形状を計測するＳＴＭモ−
ド（ａ図）と、測定した形状に従って探針２を動かしな
がら表面原子を加工する原子マニュプレ−ションモ−ド
（ｂ図）からなる。ａ図に示すように原子配列を有する
基板１と探針２との間にトンネル電流Ｉｔを発生するた
めに必要な電圧Ｖｔを電圧制御回路５によって付加する
。探針を図中Ｘ方向に走査したときのトンネル電流をト
ンネル電流検出回路４によって検出し、これを電流電圧
変換回路によって電圧信号に変換する。この電圧が一定
となるように探針１のＺ方向駆動機構によって探針２の
位置を変動する。以上述べたＳＴＭの手法において探針
２のＸ方向の移動量に対するＺ方向の変動量を記憶する
メモリ装置６を設けた。ｂ図に示すように次の工程にお
いてメモリ装置６に記憶した探針２の軌跡信号をを探針
の駆動機構３に付加して探針１を走査するとともに、表
面原子の加工に必要な電圧Ｖｍを電圧制御回路５によっ
て基板１と探針２の間に加える。この手法によれば表面
原子の加工中に探針２はトンネル電流の検出をせずに表
面原子と一定の間隔で走査できる。従って探針２を走査
したまま表面原子の加工に必要な電圧を探針２に付加で
きるので、高速な表面原子の加工を実現できる。ただし
、本実施例は、計測の工程と加工の工程とを別に行うた
めに、二つの工程間での原子配列の変動が問題となる可
能性がある。これを防ぐためには、その主因である温度
変動を抑制する基板の温度制御機構が必要である。また
基板２の汚染による原子配列の変質を防ぐために基板２
を真空中に保持する手法があげられる。
いて説明する。図１は表面原子の加工方法の１実施例を
示す。本実施例では、表面の形状を計測するＳＴＭモ−
ド（ａ図）と、測定した形状に従って探針２を動かしな
がら表面原子を加工する原子マニュプレ−ションモ−ド
（ｂ図）からなる。ａ図に示すように原子配列を有する
基板１と探針２との間にトンネル電流Ｉｔを発生するた
めに必要な電圧Ｖｔを電圧制御回路５によって付加する
。探針を図中Ｘ方向に走査したときのトンネル電流をト
ンネル電流検出回路４によって検出し、これを電流電圧
変換回路によって電圧信号に変換する。この電圧が一定
となるように探針１のＺ方向駆動機構によって探針２の
位置を変動する。以上述べたＳＴＭの手法において探針
２のＸ方向の移動量に対するＺ方向の変動量を記憶する
メモリ装置６を設けた。ｂ図に示すように次の工程にお
いてメモリ装置６に記憶した探針２の軌跡信号をを探針
の駆動機構３に付加して探針１を走査するとともに、表
面原子の加工に必要な電圧Ｖｍを電圧制御回路５によっ
て基板１と探針２の間に加える。この手法によれば表面
原子の加工中に探針２はトンネル電流の検出をせずに表
面原子と一定の間隔で走査できる。従って探針２を走査
したまま表面原子の加工に必要な電圧を探針２に付加で
きるので、高速な表面原子の加工を実現できる。ただし
、本実施例は、計測の工程と加工の工程とを別に行うた
めに、二つの工程間での原子配列の変動が問題となる可
能性がある。これを防ぐためには、その主因である温度
変動を抑制する基板の温度制御機構が必要である。また
基板２の汚染による原子配列の変質を防ぐために基板２
を真空中に保持する手法があげられる。
【０００９】図２はＳＴＭの計測と同時に表面原子を加
工する他の実施例を示す。表面原子の状態を通常のＳＴ
Ｍで計測中に、探針の横方向走査量に対応する所定の原
子位置で電圧制御回路１０によって表面原子の加工に必
要な電圧を付加するものである。ここで１原子の単位で
表面原子を加工するために、また基板１と探針との間隔
を一定に保ち安定な加工を行うために一原子の走査時間
よりも短い時間で表面原子の加工用の電圧を付加する必
要がある。また、上述の構成では表面原子の加工用の電
圧を付加している間は、トンネル電流の検出に適した電
圧とは異なるために探針の位置制御ができない。そこで
、図中に示す電圧保持回路１１を設け、加工電圧付加中
は探針の駆動機構３への制御信号を保持するようにして
いる。このような構成にすればＳＴＭの計測中に同時に
表面原子の加工が可能になる。従って、実用的な時間で
原子一個一個の加工ができる。また計測と加工との時間
的差がないので原子配列の変動の影響を受けないという
利点がある。これまで述べた実施例では、表面原子の加
工のための電気的作用として電圧を付加する手段につい
て示したが、電流を付加する場合にも同様に適用できる
。
工する他の実施例を示す。表面原子の状態を通常のＳＴ
Ｍで計測中に、探針の横方向走査量に対応する所定の原
子位置で電圧制御回路１０によって表面原子の加工に必
要な電圧を付加するものである。ここで１原子の単位で
表面原子を加工するために、また基板１と探針との間隔
を一定に保ち安定な加工を行うために一原子の走査時間
よりも短い時間で表面原子の加工用の電圧を付加する必
要がある。また、上述の構成では表面原子の加工用の電
圧を付加している間は、トンネル電流の検出に適した電
圧とは異なるために探針の位置制御ができない。そこで
、図中に示す電圧保持回路１１を設け、加工電圧付加中
は探針の駆動機構３への制御信号を保持するようにして
いる。このような構成にすればＳＴＭの計測中に同時に
表面原子の加工が可能になる。従って、実用的な時間で
原子一個一個の加工ができる。また計測と加工との時間
的差がないので原子配列の変動の影響を受けないという
利点がある。これまで述べた実施例では、表面原子の加
工のための電気的作用として電圧を付加する手段につい
て示したが、電流を付加する場合にも同様に適用できる
。
【００１０】図３に図２に示した表面原子の加工方法を
用いた原子メモリ装置の原理図を示す。原子配列を有す
る基板１は、基板温度制御用の基板ホルダ１６に保持さ
れる。基板ホルダ１６は、温度制御回路１７によって一
定温度に保たれ、基板１の温度変動を抑制する。これは
温度変動による原子間隔の変動を防ぐためである。また
基板１、基板ホルダ１６、探針２、探針の駆動機構３は
真空チャンバ１８の中に設置されている。これは基板表
面の汚染を防ぐためである。原子配列を有する基板２へ
のデ−タ書き込みは、書き込みデ−タ制御装置１３から
転送されるデ−タを書き込みデ−タ変換回路１２によっ
て原子配列信号に変換し、図２に示した表面原子の加工
装置によって基板２に書き込むことによって行われる。 一方、デ−タを書き込まれた基板１からのデ−タの読み
出しは、基板１の表面をＳＴＭによって計測し、この時
得られる原子の配列情報を読みだしデ−タ変換回路１４
によってデジタル信号に変換し、読みだしデ−タ制御装
置１６に転送することによって行われる。この実施例で
は図２の表面原子加工方法を用いたが、図１の実施例を
用いることもできる。また、本実施例は読み出しと書き
込みができる構成について述べたが、読み出しまたは書
き込み専用装置の場合も可能であることはいうまでもな
い。
用いた原子メモリ装置の原理図を示す。原子配列を有す
る基板１は、基板温度制御用の基板ホルダ１６に保持さ
れる。基板ホルダ１６は、温度制御回路１７によって一
定温度に保たれ、基板１の温度変動を抑制する。これは
温度変動による原子間隔の変動を防ぐためである。また
基板１、基板ホルダ１６、探針２、探針の駆動機構３は
真空チャンバ１８の中に設置されている。これは基板表
面の汚染を防ぐためである。原子配列を有する基板２へ
のデ−タ書き込みは、書き込みデ−タ制御装置１３から
転送されるデ−タを書き込みデ−タ変換回路１２によっ
て原子配列信号に変換し、図２に示した表面原子の加工
装置によって基板２に書き込むことによって行われる。 一方、デ−タを書き込まれた基板１からのデ−タの読み
出しは、基板１の表面をＳＴＭによって計測し、この時
得られる原子の配列情報を読みだしデ−タ変換回路１４
によってデジタル信号に変換し、読みだしデ−タ制御装
置１６に転送することによって行われる。この実施例で
は図２の表面原子加工方法を用いたが、図１の実施例を
用いることもできる。また、本実施例は読み出しと書き
込みができる構成について述べたが、読み出しまたは書
き込み専用装置の場合も可能であることはいうまでもな
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明を用いれば、ＳＴＭの計測時と同
様の速度で表面原子の加工が可能となる。さらに、実用
的な原子メモリ装置として上述の表面原子の加工方法を
メモリの書き込みに適用できる。
様の速度で表面原子の加工が可能となる。さらに、実用
的な原子メモリ装置として上述の表面原子の加工方法を
メモリの書き込みに適用できる。
【図１】本発明の位置実施例を示す表面原子の加工方法
の説明図である。
の説明図である。
【図２】本発明の位置実施例を示す表面原子の加工方法
の説明図である。
の説明図である。
【図３】原子メモリ装置の原理を示すブロック図である
。
。
Claims (19)
- 【請求項１】ＳＴＭの探針に電気的作用を与えて基板の
表面原子を除去または他の原子を付着する表面原子の加
工において、ＳＴＭの計測と同様な走査で探針を走査し
ながら表面原子の加工に必要な電気的作用を探針に付加
することを特徴とする表面原子の加工方法。 - 【請求項２】ＳＴＭの探針に電気的作用を与えて基板の
表面原子を除去または基板に他の原子を付着する表面原
子の加工において、あらかじめ加工する表面の形状を計
測し、探針の移動軌跡を記憶する第一の工程と、記憶し
た移動軌跡によって探針を移動させながら探針に表面原
子の加工に必要な電気的作用を与える第二の工程からな
る表面原子の加工方法。 - 【請求項３】ＳＴＭの探針に電気的作用を与えて基板の
表面原子を除去または基板に他の原子を付着する表面原
子の加工において、探針と基板との間にトンネル電流の
検知に必要な電圧を加えて表面形状の計測を行う探針の
走査中に、所望の表面原子位置で表面原子の加工に必要
な電気的作用を探針に加えることを特徴とする、表面原
子の加工方法。 - 【請求項４】表面原子の加工に必要な電気的作用を、表
面原子一個の走査時間よりも短い時間で加えることを特
徴とする、請求項３記載のの表面原子の加工方法。 - 【請求項５】表面原子の加工に必要な電気的作用を加え
ている間、探針位置を保持することを特徴とする請求項
３記載の表面原子の加工方法。 - 【請求項６】原子配列を有する基板と、ＳＴＭ用の探針
と、前記探針の駆動機構と、トンネル電流の検出回路と
、原子の付着、除去用のための前記探針への電気的作用
を付加する回路とを備えた表面原子の加工装置において
、前記ＳＴＭ用の探針の移動軌跡を記憶するメモリを有
し、記憶された探針の移動軌跡によって探針を走査しな
がら所望の位置で原子の付着、除去用のための前記探針
への電気的作用をを付加する制御回路を設けたことを特
徴とする表面原子の加工装置。 - 【請求項７】原子配列を有する基板と、ＳＴＭ用の探針
と、前記探針の駆動機構と、トンネル電流の検出回路と
、原子の付着、除去用のための前記探針への電気的作用
の付加回路とを備えた表面原子の加工装置において、表
面原子位置の検出回路を有し、前記表面原子位置の検出
回路で検出される所定の原子位置で原子の付着、除去用
のための前記探針への電気的作用を付加する制御回路を
備えた表面原子の加工装置。 - 【請求項８】原子の付着、除去用のための前記探針への
電気的作用の付加中に探針と表面原子との間隔を保持す
るための制御回路を備えたことを特徴とする請求項７記
載の表面原子の加工装置。 - 【請求項９】前記基板が真空室中にあることを特徴とす
る請求項６ならびに請求項７記載の表面原子の加工装置
。 - 【請求項１０】前記基板の温度を一定に保つための基板
温度制御手段を備えたことを特徴とする請求項６ならび
に請求項７記載の表面原子の加工装置。 - 【請求項１１】表面原子を除去あるいは他の原子を付着
した原子配列を有する基板と、ＳＴＭ用の探針と、前記
探針の駆動機構と、トンネル電流の検出回路とを有し、
前記探針を走査して得られる原子配列信号をデジタルの
信号に変換するメモリ読み出し回路を備えた原子メモリ
装置。 - 【請求項１２】請求項１１記載の原子メモリ装置におい
て、書き込み用のデジタル信号を原子の配列信号へ変換
するメモリ書き込み回路と、前記原子配列信号によって
ＳＴＭ用の探針へ表面原子除去あるいは原子付着のため
の電気的作用の印加を行う制御回路を備えた原子メモリ
装置。 - 【請求項１３】請求項５記載の表面原子加工装置を備え
た請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１４】請求項６記載の表面原子加工装置を備え
た請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１５】請求項７記載の表面原子加工装置を備え
た請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１６】請求項８記載の表面原子加工装置を備え
た請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１７】請求項９記載の表面原子加工装置を備え
た請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１８】前記電気的作用が電圧の付加であること
を特徴とする、請求項１２記載の原子メモリ装置。 - 【請求項１９】前記電気的作用が電流の付加であること
を特徴とする、請求項１２記載の原子メモリ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP191391A JPH04242061A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置 |
| US07/934,672 US5416331A (en) | 1991-01-11 | 1992-01-10 | Surface atom fabrication method and apparatus |
| EP92902728A EP0522168A1 (en) | 1991-01-11 | 1992-01-10 | Surface atom machining method and apparatus |
| PCT/JP1992/000015 WO1992012528A1 (en) | 1991-01-11 | 1992-01-10 | Surface atom machining method and apparatus |
| US08/441,700 US5689494A (en) | 1991-01-11 | 1995-05-15 | Surface atom fabrication method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP191391A JPH04242061A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242061A true JPH04242061A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11514824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP191391A Pending JPH04242061A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242061A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001080275A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-25 | Tae Wook Park | Short and break tester probe for plasma display pannel |
| JP2008173728A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置及び原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
| JP2009512847A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | サントル ナショナル デ ラ ルシェルシュ シィアンティフィク （セ．エヌ．エール．エス．） | 読み取り／書き込みチップ、ヘッドおよび装置、およびその使用法、およびその製造方法 |
| US9408089B2 (en) | 2010-07-09 | 2016-08-02 | Alcatel Lucent | Method of operating a base station and base station |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP191391A patent/JPH04242061A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001080275A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-25 | Tae Wook Park | Short and break tester probe for plasma display pannel |
| JP2009512847A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | サントル ナショナル デ ラ ルシェルシュ シィアンティフィク （セ．エヌ．エール．エス．） | 読み取り／書き込みチップ、ヘッドおよび装置、およびその使用法、およびその製造方法 |
| JP2008173728A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置及び原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
| US9408089B2 (en) | 2010-07-09 | 2016-08-02 | Alcatel Lucent | Method of operating a base station and base station |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5414260A (en) | Scanning probe microscope and method of observing samples by using the same | |
| EP0347739B1 (en) | Scanning tunneling microscope and surface topographic observation method | |
| EP0497288B1 (en) | Probe scanning system | |
| US5373494A (en) | Information recording and/or reproducing apparatus | |
| EP0361932B1 (en) | Scanning tunnel-current-detecting device and method | |
| JP3073616B2 (ja) | マルチプローブを具備する情報処理装置 | |
| EP0383323A1 (en) | Tunneling acoustic microscope | |
| JPH06213910A (ja) | 形状を除く表面のパラメータを正確に測定し、または形状に関連した仕事を行うための方法および相互作用装置 | |
| JPH04242061A (ja) | 表面原子の加工方法及び装置及びこれを用いた原子メモリ装置 | |
| US5329515A (en) | Information carrier, information recording and/or reproducing apparatus, and information detecting apparatus | |
| JPH06258014A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡、およびそれを用いた記録装置および／または再生装置 | |
| JP2686651B2 (ja) | 変位量検出装置 | |
| JP2995126B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JP3207994B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡、およびそれを用いた情報記録再生装置 | |
| JP2939006B2 (ja) | 傾斜測定機構 | |
| JP2000338025A (ja) | 複数のプローブを備えた情報検出装置および複数のプローブによる情報検出方法 | |
| JPH05340712A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡リアルタイム表示装置 | |
| JP2002014025A (ja) | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 | |
| JP3004823B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JPH07318570A (ja) | 試料の動的観察方法及び装置 | |
| JP3053142B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JPH05109130A (ja) | 情報処理装置 | |
| JPH05342648A (ja) | 情報読取り及び／又は入力装置 | |
| JPH07103709A (ja) | 走査型トンネル顕微鏡 | |
| JPH05325275A (ja) | 記録再生装置 |