JPH04240809A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に関し、
特に光ファイバと結合するのに適した光半導体装置に関
する。

【０００２】光通信および光情報処理においては、光信
号の発生、処理、検出の多くは半導体装置において行な
われ、光信号の伝播の多くは光ファイバを用いて行われ
る。近年、光通信および光情報処理の高度化に伴い、半
導体光導波路を用いた光集積回路の開発が活発に行われ
ている。光集積回路が複雑になるにつれ、結合部分、光
路方向変換部分への損失を小さくすること等の高性能化
が要求されている。

【０００３】

【従来の技術】図６に従来の技術の例を示す。図６（Ａ
）は、コヒーレント光通信に用いるバランス型受光素子
の例を示す。半導体基板５１の上に、２つのＳ字型導波
路５２、５３がほぼ鏡面対称に配置され、その近接した
部分５５が３ｄＢ方向性結合器を形成している。これら
の導波路５２、５３は、それぞれｐｉｎホトダイオード
５７、５８に終端している。このような構成で、モノリ
シックに集積化された半導体バランス型受光素子５０が
構成される。

【０００４】たとえば、一方の導波路５２にはローカル
発振器からの参照信号が伝播され、他方の導波路５３に
は光信号が伝播される。これらの信号は、結合器５５の
部分で相互に結合され、変調された信号がｐｉｎホトダ
イオード５７、５８に入力する。

【０００５】図６（Ｂ）は、光ファイバと半導体光導波
路の結合を概略的に示す。光ファイバ６０はガラス等の
透明材料で形成され、その中心部に配置されたコア６１
の屈折率は周辺のクラッドの屈折率よりも高く設定され
ている。光ファイバ６０内を進むたとえば、波長１．５
５μｍの光は、曲線の分布で示すように、コアから外側
にまで広がっている。通常の材料を用いたガラス製光フ
ァイバの場合、単一モードでのモードサイズはほぼ８〜
１６μｍである。

【０００６】半導体光導波路は、たとえばＩｎＰ等の半
導体基板６４の上に、ＩｎＧａＡｓＰ等のより高い屈折
率を有する導波路層６５が配置され、その上を必要に応
じてさらに屈折率の低いＩｎＰ等で覆った構造を有する
。光導波路６５を構成するＩｎＧａＡｓＰのギャップ波
長は、たとえば約１．３μｍ程度に選択される。このよ
うな構成において、半導体光導波路内の光のモードサイ
ズは、約１μｍ程度となる。

【０００７】このような組み合わせによって、たとえば
１．５５μｍ帯の光通信、光情報処理が行われる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図６（Ｂ）に示すよう
に、光ファイバと半導体光導波路とを結合しようとする
と、通常モードサイズが大きく異なるため、光結合効率
が低い。このため、結合部における光損失が大きくなっ
てしまう。

【０００９】本出願人のグループは、先に結合効率を低
減することのできる光導波路構造として、図７に示すよ
うな半導体光導波路を提案した。図７（Ａ）に示すよう
に、ＩｎＰ等の低屈折率の基板７０の上に、僅かに屈折
率が高くなる希釈超格子構造７１を形成し、その上に基
板７０と同一材料の低屈折率半導体で形成されたクラッ
ド層７３を積層する。

【００１０】希釈超格子構造７１は、この光導波路にお
いてコア層を構成している。図７（Ｂ）は、コア層を構
成する希釈超格子構造をより詳細に示す。クラッド層と
同一材料の厚い低屈折率層７５と、クラッド層よりも高
い屈折率を有する高屈折率層７６とが積層され、超格子
を構成している。超格子７１全体としては、構成材料の
平均的な性質を示す。低屈折率層の厚さを高屈折率層の
厚さと比較して十分大きくすることにより、超格子構造
７１全体の実効屈折率を低屈折率層７５の屈折率よりも
僅かに高い値に設定することが容易に行える。低屈折率
層７５をＩｎＰで形成し、高屈折率層７６をＩｎＧａＡ
ｓＰで構成することにより、１．３μｍ帯、１．５５μ
ｍ帯の光通信に適した希釈超格子コア層が形成される。

【００１１】図７（Ａ）の構成において、希釈超格子コ
ア７１と、上クラッド層７３の幅を光ファイバにおける
単一モード光のモードサイズとほぼ等しい８〜１６μｍ
のモードサイズとすることにより、光ファイバを伝播す
る光と半導体光導波路を伝播する光を高い結合効率で結
合することができる。

【００１２】なお、基板７０として低屈折率透明材料を
用いた時は、特に下クラッド層を形成する必要はないが
、基板７０がこの条件に適さない時は、基板７０上に下
クラッド層７２を上クラッド層７３と同様な材料によっ
て形成すればよい。

【００１３】図７に示すような、希釈超格子を用いた光
導波路構造により、光ファイバと半導体光導波路とを高
い結合効率で結合することが可能となった。しかしなが
ら、図７の構成においては、光導波路の寸法（幅、高さ
等）が大きくなる。このため、種々の機能を半導体基板
上に集積化しようとした時、光集積回路装置全体の寸法
が大きくなってしまう。

【００１４】たとえば、図６（Ａ）に示すバランス型受
光素子構造を形成する場合、Ｓ字型光導波路５２、５３
を低損失で形成しようとすると、その寸法が大きくなり
、曲率半径を小さく設計すると、屈曲部分での光の損失
が大きくなってしまう。

【００１５】本発明の目的は、光ファイバと結合するの
に適し、かつ伝播する光を強く閉じ込めることのできる
光導波路を有する光半導体装置を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明による光半導体装
置は、光ファイバと結合するのに適した光導波路を有す
る光半導体装置であって、低屈折率透明材料で形成され
た下クラッド領域と、下クラッド領域上に形成され、下
クラッド領域の屈折率とほぼ等しい屈折率を有する低屈
折率透明材料からなる第１の厚さの低屈折率層と下クラ
ッド領域の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率透明
材料からなる第１の厚さより薄い第２の厚さの高屈折率
層とを交互に積層した希釈超格子コア層と、希釈超格子
コア層上に形成され、低屈折率透明材料で形成された上
クラッド層と、上クラッド層上に形成され、希釈超格子
コア層の実効屈折率より高い屈折率を有する材料で形成
された光導波路とを含む。

【００１７】

【作用】下クラッド領域上に希釈超格子コア層と上クラ
ッド層とを配置することにより、光ファイバのモードサ
イズに近いモードサイズを有する光導波路が形成できる
。このため、光ファイバと高い結合効率で半導体光導波
路を結合することができる。

【００１８】さらに、上クラッド層上に希釈超格子コア
層よりも高い屈折率を有する材料で光導波路が形成され
ているため、希釈超格子コア層の光を光導波路に高い結
合効率で輸送することができる。光導波路は、伝播する
光に対して強い閉じ込め効果を有するため、光集積回路
を構成する際、その全体の寸法を小さくすることができ
る。

【００１９】

【実施例】図１を参照して本発明の基本実施例を説明す
る。図１（Ａ）は、本発明の実施例によるモード結合型
光半導体装置を示す。ＩｎＰ等の低屈折率透明材料で形
成された基板１０の表面部分に実効屈折率が僅かに高い
希釈超格子コア層１が配置され、その上を基板１０と同
等の低屈折率を有する上クラッド層３が覆っている。こ
の上クラッド層３の上に、希釈超格子コア層１の実効屈
折率よりも高い実効屈折率を有する光導波路５が形成さ
れている。

【００２０】希釈超格子コア層１に接する基板１０の部
分２は、下クラッド層２として機能する。基板１０とし
て他の材料を用い、上クラッド層３と同等の材料で下ク
ラッド層２を形成してもよい。

【００２１】希釈超格子コア層１は、上クラッド層３、
下クラッド層２に比較して僅かに高い屈折率を有するた
め、モードサイズの大きな光導波路構造を形成すること
ができる。光ファイバを伝播する光のモードサイズとほ
ぼ同等のモードサイズとすることにより、光ファイバと
高い結合効率で結合することができる。

【００２２】たとえば、１．５５μｍ帯の光通信用とし
ては、下クラッド層２、上クラッド層３をＩｎＰで形成
し、希釈超格子コア層１を相対的に厚いＩｎＰ低屈折率
層と、相対的に極めて薄いＩｎＧａＡｓＰ層との交互積
層で形成し、光導波路５をＩｎＧａＡｓＰで形成するこ
とができる。

【００２３】なお、光導波路５の上に、さらに低屈折率
材料のクラッド層を積層することもできる。以後、希釈
超格子コア層１を含む光導波路を下側光導波路、光導波
路５を含む導波路を上側光導波路と呼ぶ。

【００２４】下側光導波路と上側光導波路は、その伝播
定数が等しくなるように構成材料、厚さ等を選ぶ。上側
光導波路の端は、下側光導波路の端から所定距離ｄ１離
し、光ファイバと結合する際、光ファイバが下側光導波
路に選択的に結合するようにすることが好ましい。また
、下側光導波路と上側光導波路の重なり合う結合部分の
長さｆは、進行する光が一方の光導波路から他方の光導
波路に完全に移ることのできる結合長にほぼ等しく選ぶ
。距離ｄ１としては、たとえば約５００μｍ、下側光導
波路と上側光導波路が重なり合う結合部分の長さｆとし
ては、約２ｍｍ以下を選択する。

【００２５】以上のように設計することにより、光ファ
イバと図１（Ａ）に示す光半導体装置とを結合した際、
光ファイバから発する光は高結合効率で下側光導波路に
結合され、下側光導波路を進行する光は、矢印で示すよ
うに、徐々に上側光導波路に移行され、結合部分の長さ
ｆを経た時に完全に移行する。

【００２６】図１（Ｂ）は、本発明の他の基本実施例に
よるバット結合型光半導体装置を示す。本実施例におい
ては、基板１０表面が斜めに整形され、その表面上に希
釈超格子コア層１および上クラッド層３が形成されてい
る。これらの表面は、基板１０の表面と共通の面を構成
するように平坦に整形されている。希釈超格子コア層１
が表面に露出する位置に重ねて光導波路５が形成されて
いる。なお、構成各部分の材料は、図１（Ａ）と同様の
ものを用いることができる。

【００２７】本実施例においては、光ファイバから輸送
された光は希釈超格子コア層１を中心として、図中右側
に進行し、希釈超格子コア層１と光導波路５とが接触す
る位置で光導波路５に完全に移行する。希釈超格子コア
層１の端と、光導波路５の端とは、図１（Ａ）の場合の
距離ｄ１よりも大きな距離ｄ２離すことが好ましい。

【００２８】なお、希釈超格子コア層１が斜めに傾いた
平坦な表面上に形成する場合を図示したが、光導波路５
と斜めにゆるやかに結合する構造であれば、他の形態で
あってもよい。

【００２９】図１（Ｃ）は、図１（Ａ）、（Ｂ）におい
て用いる希釈超格子コア層の構造をより詳細に示す。希
釈超格子コア層１は、厚い低屈折率層７と薄い高屈折率
層８とを積層した超格子構造からなる。高屈折率層８の
厚さを、低屈折率層７の厚さと比較して極く薄く選択す
ることにより、実効的な組成従って実効的な屈折率を低
屈折率層７の材料の屈折率よりも僅かに高い値に高精度
に設定することができる。

【００３０】たとえば、低屈折率層７を厚さ約１４０ｎ
ｍのＩｎＰ層で形成し、高屈折率層８を厚さ約４ｎｍの
ＩｎＧａＡｓＰ層で形成し、この組み合わせを１５対積
層する。このような構成によって、厚さ約２μｍの希釈
超格子コア層を形成する。また、上側クラッド層として
は、厚さ約６μｍ、幅約１２μｍのＩｎＰ層を形成する
。

【００３１】このように希釈超格子コア層の実効屈折率
をクラッド２、３の屈折率よりも僅かに高い値に設定す
ることにより、モードサイズの大きな光導波路を任意に
形成することができる。

【００３２】単一モード光ファイバと結合する場合、単
一モード光ファイバ内のモードサイズは、通常８〜１６
μｍである。従って、希釈超格子コア層１を含む光導波
路のモードサイズを、たとえばその中間値１２μｍとな
るように選択する。

【００３３】図１（Ｄ）は、下側光導波路と上側光導波
路の平面配置の例を示す。下側光導波路を構成する希釈
超格子コア層１の幅ｗ１は、上側光導波路を構成する光
導波路５の幅ｗ２よりも大きく選ぶ。すなわち、下側光
導波路の幅ｗ１は、光ファイバとの結合に適した幅に選
択し、上側光導波路５の幅ｗ２は、光半導体装置内で光
を伝播するのに適した幅に選ぶ。

【００３４】図２は、図１に示した基本実施例における
光の伝播動作を説明するための該略図である。図２（Ａ
）は、図１（Ａ）に示すモード結合型光半導体装置の場
合を示す。

【００３５】光ファイバ２０のコアを光半導体装置内の
希釈超格子コア層１と整列させて配置する。光ファイバ
２０内の光は、曲線Ｐ０で示すように、広く広がってい
る。このモードサイズは、たとえば８〜１６μｍである
。光半導体装置内の希釈超格子コア層１および下側クラ
ッド層２、上側クラッド層３を光ファイバ２０内のモー
ドサイズと適合するように設計することにより、光ファ
イバ２０内の光は高い結合効率で下側導波路に結合する
。この結合直後の光の分布をＰ１０で示す。下側光導波
路を光が進行すると、上側光導波路と隣接するようにな
る。下側光導波路と上側光導波路が平行に配置され、結
合されている部分では、下側光導波路から上側光導波路
に光が徐々に移行する。この様子を曲線Ｐ１１、Ｐ１２
、Ｐ１３で示す。

【００３６】下側導波路と上側光導波路の結合部分の長
さを結合長にほほ等しく選択することにより、下側光導
波路の終端部分では、光はほぼ完全に上側光導波路に移
行する。上側光導波路においては、光導波路５の屈折率
が周囲の屈折率よりも十分高いため、内部を進行する光
は強く閉じ込められる。

【００３７】図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）に示すバット結
合型光半導体装置の場合を示す。光ファイバ２０内を伝
播する光Ｐ０が光半導体装置内の下側光導波路と結合す
る部分は、図２（Ａ）と同様である。この状態をＰ２０
で示す。本実施例においては下側光導波路が基板１０表
面に対し傾斜して配置されているため、下側光導波路を
伝播する光は、次第に表面に近付く。下側光導波路は表
面に近付く時、表面上には上側光導波路が形成されてい
るため、光は上側光導波路と結合する。さらに進行する
と、下側光導波路は上側光導波路とバット結合して終端
する。この時点で下側導波路を進行してきた光は完全に
上側光導波路に移行する。この動作を曲線Ｐ２１、Ｐ２
２、Ｐ２３で示す。

【００３８】図３は、図１（Ａ）に示す構造を製造する
製造プロセスの例を説明するための図である。図３（Ａ
）に示すように、ＩｎＰ基板１０の上にホトレジスト１
４を形成し、所望の開口を形成する。開口部におけるホ
トレジスト層１４の端部は、所望の傾斜で徐々に厚さが
減少することが好ましい。

【００３９】図３（Ｂ）に示すように、ホトレジスト層
１４をマスクとしてイオンビーム異方性エッチング等に
より、ＩｎＰ基板１０をエッチングし、所定深さ掘り下
げる。この際、ホトレジスト層１４の開口端部において
は、ホトレジスト層１４の厚さが徐々に変化しているた
め、エッチング中ホトレジスト層が消費されて端部に深
さが徐々に変化する部分が形成される。すなわち、中央
部で所定の深さ、端部において緩やかに深さが変化する
凹部が形成される。

【００４０】所望の凹部を形成した後、ホトレジスト層
１４は除去する。図３（Ｃ）に示すように、この表面上
に希釈超格子コア層１１および上側クラッド層１３を形
成する。希釈超格子コア層１１としては、たとえば厚さ
１４０ｎｍのＩｎＰ層と、厚さ約４ｎｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ層とを１５対積層する。上側クラッド層１３としては
、たとえば厚さ６μｍのＩｎＰ層を形成する。この状態
においては、希釈超格子コア層１１および上側クラッド
層１３は、基板表面全面上に形成されている。

【００４１】図３（Ｄ）に示すように、基板１０の凹部
と対応する部分にホトレジスト層１５を形成する。この
ホトレジスト１５の端部は、基板１０における凹部の形
状と適合した厚さの変化する部分を有することが好まし
い。

【００４２】このホトレジスト層１５をマスクとして、
上側クラッド層１３および希釈超格子コア層１１をイオ
ンビーム異方性エッチング等によりエッチングする。エ
ッチング中、ホトレジスト層１５は徐々に消費され、そ
の厚さの薄い部分は徐々に後退する。このようにして、
凹部以外の表面上に形成された上側クラッド層１３およ
び希釈超格子コア層１１をエッチング除去すると共に、
その表面をほぼ平坦に調整する。

【００４３】エッチング後ホトレジスト層１５を除去す
ると、図３（Ｅ）に示すような構造が得られる。すなわ
ち、基板１０表面部に希釈超格子コア層１１ａおよび上
側クラッド層１３ａを埋め込んだ構成が得られる。

【００４４】図３（Ｆ）に示すように、この表面上に上
側光導波路を構成する光導波路層１５を形成する。たと
えば、ギャップ波長約１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰで形
成された厚さ約０．３μｍの光導波路層１５を形成する
。

【００４５】図３（Ｇ）に示すように、光導波路層１５
上にホトレジスト層を形成し、ドライエッチングするこ
とによって、所望の形状に光導波路層を整形し、光導波
路１５ａを得る。また、必要に応じて、光路側部をエッ
チングで掘り下げる。上クラッド層１３ａはドライエッ
チング等により、希釈超格子コア層１１ａはウェットエ
ッチングにより選択除去できる。続いて、基板１０を所
望位置でへき開することにより、希釈超格子コア層１１
ｂを基板側面に露出する。

【００４６】図３（Ｈ）に示すように、露出した基板表
面に反射防止膜１６を形成する。たとえば、ＳｉＮ膜を
所定厚さＣＶＤ等によって堆積する。このようにして、
図１（Ａ）に示す光半導体装置構造を形成することがで
きる。

【００４７】なお、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す基板エッ
チングの段階において、形成する凹部の形状を調整する
ことにより、図１（Ｂ）に示すようなバット結合構成を
形成することもできる。

【００４８】図４は、本発明の他の実施例による光半導
体装置を示す。ＩｎＰ基板１０の表面部分に希釈超格子
コア層２１ａおよび上側クラッド層２３ａが埋め込まれ
たように形成され、その表面は基板１０表面と共通の表
面を形成している。これら光導波路部分の両側は凹部２
７、２８を形成するように除去されている。その外側に
は希釈超格子コア層２１ａおよびその上の上クラッド層
２３ａと同等の構成の希釈超格子層２１ｂ、２１ｃおよ
び低屈折率層２３ｂ、２３ｃが配置されている。希釈超
格子層２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、厚さ２μｍ、その上
の低屈折率層２３ａ、２３ｂ、２３ｃは、厚さ約６μｍ
に形成される。中央部の光導波路を形成する部分２１ａ
、２３ａの幅は約１２μｍに形成される。その上に、上
側光導波路を構成する光導波路層２５が厚さ約０．３μ
ｍ、幅約４μｍに形成される。

【００４９】このような構成とすることにより、下側光
導波路を形成する際の寸法制御が積層構造形成後のエッ
チング工程のみによって制御できる。なお、各構成部分
は、前述の実施例同様のものとすることができる。

【００５０】図５は本発明の他の実施例による光半導体
装置を示す。本実施例においては、図４に示す実施例の
中央部に形成された光導波路構造２１ａ、２３ａを、基
板１０端面よりも後退させた構造となっている。このた
め、基板１０端面に幅の広い凹部２９が形成されている
。この凹部に光ファイバの端部を挿入し、接着剤等によ
って固定することにより、光ファイバと光半導体装置の
結合が形成できる。

【００５１】その他の点に関しては、図４の実施例と同
様である。以上、１．５５μｍ帯の光通信、光情報処理
に用いる場合のＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰを材料とする場
合について主に説明したが、他の波長用にＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ等の他の材料の組み合わせを用いることもで
きる。なお、ＧａＡｓ基板を用いる場合には、下側クラ
ッド層として一旦ＡｌＧａＡｓ層を形成した後、希釈超
格子コア層、上側クラッド層を形成する。その他、材料
の組み合わせは、目的とする光信号の波長等によって選
択すればよい。

【００５２】なお、光半導体装置には、他の半導体装置
を集積することもできる。たとえば、基板上に希釈超格
子コア層、上側クラッド層を形成した後、半導体レーザ
構造を形成し、半導体レーザ構造の光導波路層と光結合
部の上部光導波路とを結合することにより、半導体レー
ザから発する光を高い結合効率で光ファイバに供給する
こと等ができる。

【００５３】以上、実施例に沿って本発明を説明したが
、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば
、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業
者に自明であろう。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ファイバとの結合効率が高く、かつ強い光閉じ込め効
果を有する光導波路に光を移行することのできる光半導
体装置が提供される。

【００５５】光ファイバとの結合における光損失が低減
され、かつ光集積回路に微細な構造を形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本実施例を説明するための図である
。図１（Ａ）、（Ｂ）は、２つの基本的形態を示す断面
図、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）、（Ｂ）の両形態に用い
る希釈超格子コア層の構成を示す断面図、図１（Ｄ）は
、結合部分の平面形態の例を示す平面図である。

【図２】図１に示す基本実施例の動作を説明するための
概念図である。図２（Ａ）は、図１（Ａ）の動作を説明
する概念図、図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）の構成の動作を
説明する概念図である。

【図３】図１に示す基本実施例の構成を形成するための
製造プロセスの例を説明するための図である。図３（Ａ
）〜（Ｈ）は、各工程における半導体基板を示す断面図
である。

【図４】本発明の他の実施例による光半導体装置を示す
斜視図である。

【図５】本発明の他の実施例による光半導体装置を示す
斜視図である。

【図６】従来技術を示す図である。図６（Ａ）は、バラ
ンス型受光素子を示す斜視図、図６（Ｂ）は、光ファイ
バと半導体光導波路の結合を示す概略断面図である。

【図７】本出願人のグループによる先の提案を示す図で
ある。図７（Ａ）は、構成を示す斜視図、図７（Ｂ）は
そのコア層の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１　　希釈超格子コア層 ２、３　　クラッド層 ５　　光導波路 ７　　低屈折率層 ８　　高屈折率層 １０　　基板 ２０　　光ファイバ ｄ、ｆ　　距離（長さ） ｗ　　幅 Ｐ　　光の分布

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光ファイバと結合するのに適した光導
   波路を有する光半導体装置であって、低屈折率透明材料
   で形成された下クラッド領域（２）と、前記下クラッド
   領域（２）上に形成され、下クラッド領域の屈折率とほ
   ぼ等しい屈折率を有する低屈折率透明材料からなる第１
   の厚さの低屈折率層（７）と下クラッド領域の屈折率よ
   り高い屈折率を有する高屈折率透明材料からなる第１の
   厚さより薄い第２の厚さの高屈折率層（８）とを交互に
   積層した希釈超格子コア層（１）と、前記希釈超格子コ
   ア層（１）上に形成され、前記低屈折率透明材料で形成
   された上クラッド層（３）と、前記上クラッド層（３）
   上に形成され、前記希釈超格子コア層（１）の実効屈折
   率より高い屈折率を有する材料で形成された光導波路（
   ５）とを含む光半導体装置。
2. 【請求項２】　　前記希釈超格子コア層（１）と前記光
   導波路（５）とがほぼ平行に配置され、ほぼ等しい伝播
   定数を有し、重ね合って配置された部分の長さ（ｆ）が
   ほぼ結合長に等しい請求項１記載の光半導体装置。
3. 【請求項３】　　前記希釈超格子コア層（１）が前記上
   クラッド層（３）表面に次第に近付き、表面に達した位
   置で前記光導波路（５）と接触する請求項１記載の光半
   導体装置。