JPH04235367A - 信号波形検出装置の光軸調整装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は信号波形検出装置の光軸
調整装置に係り、特に電気光学効果を利用して高速度の
電気信号波形を観測する信号波形検出装置において、複
数の大規模集積回路（ＬＳＩ）テスタを設置対象とした
アダプタビリティを向上した光軸調整装置に関する。

【０００２】ＬＳＩ等の半導体素子を製造、利用する上
で、半導体素子が設計通りに論理的に作動するか否か、
また不良の有無を判定するために、半導体素子内外の信
号波形を正確に測定することが必要不可欠である。

【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の高速化
に伴い、従来のＬＳＩテスタなどを用いた電気的な信号
波形検出方式では、正確な測定が難しくなってきている
。そのため、電気的な信号波形検出方式に代わるものと
して、半導体素子基板結晶の電気光学効果を用いた光学
式の信号波形検出方式が、高速信号を計測できる方式と
して注目されるようになった（例えば、Ｊ，Ａ，Ｖａｌ
ｄｍａｎｉｓ　ａｎｄ　Ｇ．Ｍｏｕｒｏｕ，“Ｓｕｂｐ
ｉｃｏｓｅｃｏｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　ｓａｍ
ｐｌｉｎｇ：ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ａｎｄａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎ”ＩＥＥＥ　　ＪＯＵＲＮＡＬ　　ＯＦ　
　ＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．Ｑ
Ｅ−２２，ｐｐ．　６９−７８等）。

【０００４】また、本発明者によって、電気光学結晶の
上に被検ＬＳＩを積載し、電気光学結晶にレーザ光を入
射後反射させてその反射光量を測定することにより、被
検ＬＳＩの電気信号の波形測定を行なう測定装置が開示
されている（特開平１−２８５６６号公報）。

【０００５】このような光学式の信号波形検出装置を用
いて、複数台のＬＳＩテスタを対象として、ＬＳＩテス
タ自身の時間軸の較正を行なう場合に、移動の容易さと
移動後の各種調整の容易さの向上が要望されている。

【０００６】

【従来の技術】まず、従来より知られている電気光学結
晶上の被測定体の信号波形の原理について図９と共に説
明する。同図中、１は電気光学結晶で、例えばＧａＡｓ
結晶（面方位〔１００〕，厚さ２００μｍ　程度〕を薄
板状に形成してなる。この電気光学結晶１の一方の面に
はアルミニウム又は金を材質とする光反射電極２が規則
的に点在形成され、また電気光学結晶１の他方の面には
インジウム、スズ等の酸化物からなる透明電極３が形成
されている。透明電極３は接地されている。

【０００７】４は特性試験などで電圧測定される被測定
体の一例としてのＬＳＩで、その入出力端子５がボード
６を介して光反射電極２に電気的に接続されている。

【０００８】電気光学結晶１は電圧印加によって誘電分
極し、複屈折を生ずるポッケルス効果を有し、その軸方
位間の屈折率の差は光反射電極２と透明電極３との間に
印加される電圧に応じて決まる。そこで、ＬＳＩ４の入
出力端子５の出力電圧タイミングに同期させて、レーザ
光を透明電極３，電気光学結晶１を通して光反射電極２
に入射し、これにより光反射電極２で反射され電気光学
結晶１，透明電極３を通して得られる反射光を受光素子
（図示せず）で受光する。

【０００９】ＬＳＩ４の入出力端子５の出力電圧に応じ
て電気光学結晶１の屈折率の変化度合が異なるため、上
記反射光の偏光状態を測定することにより、入出力端子
５の出力電圧を測定することができる。

【００１０】かかる動作原理の信号波形検出装置は、Ｌ
ＳＩテスタに比較して高速な電圧波形を検出できるため
、複数台以上設置されている工場内のＬＳＩテスタの時
間軸の較正にも使用できる。すなわち、従来はＬＳＩテ
スタの時間軸の較正はメーカのサポートを受けるか、高
精度の時間標準器を用いていたが、メーカのサポートを
受けるまでにかなり時間がかかり、また高精度の時間標
準器は取扱いが難しく、フィールドでの使用が面倒であ
った。これに対し、上記の信号検出装置を使用すること
で、ＬＳＩテスタの時間軸の較正をフィールドで行なう
ことができる。しかし、複数台のＬＳＩテスタの時間軸
の較正のために、信号波形検出装置を時間軸を較正しよ
うとする１台のＬＳＩテスタの所まで移動して設置し、
光学系を調整するという一連の作業がＬＳＩテスタ１台
ずつに必要であり、特にレーザ光の光軸を光反射電極２
の反射面に対して直交させる光軸調整が難しかった。

【００１１】そこで、本発明者は先に特願平２−２４６
１０４号（発明の名称「信号波形検出装置に於ける光軸
調整装置及び光軸調整方法」）により、例えば図１０に
示す如き光軸調整装置を提案した。同図中、８は三角柱
状の穴開き反射ミラーで、中心部に穴９が穿設されてい
る。穴開き反射ミラー８の反射面８ａで反射される光の
径路中には、集光レンズ１０と光検出器１１が設けられ
ている。

【００１２】レーザ光源（図示せず）より出射されたレ
ーザ光（入射レーザ光というものとする）は、穴９を通
過して光路１２を形成し、前記した透明電極３及び電気
光学結晶１を夫々通して光反射電極２に入射される。入
射レーザ光の光軸が光反射電極２の反射面に対して直交
している場合は、光反射電極２で反射された反射レーザ
光は入射レーザ光の光路１２と同一の光路を逆進するか
ら、前記穴９を通過し、穴開き反射ミラー８の反射面８
ａで反射されることはなく、よって光検出器１１では受
光されない。

【００１３】しかし、入射レーザ光の光軸がずれている
場合には、光反射電極２で反射された反射レーザ光の光
路は例えば図１０に１３で示す如く、入射レーザ光の光
路１２と異なり、上記反射面８ａで反射されるため、反
射面８ａで反射された反射レーザ光は光路１３´を形成
して集光レンズ１０を透過して光検出器１１で受光され
る。

【００１４】従って、レーザ源を含む光学系を、光検出
器１１で受光される反射レーザ光強度が最小となるよう
に、所定のあおり機構で変位制御し、入射レーザ光の入
射角を可変制御することにより、光軸調整ができること
になる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の本発
明者の提案になる信号波形検出装置の光軸調整装置では
、穴９の直径は必然的に入射レーザ光及び反射レーザ光
の各ビーム径よりも大きくなければならず、このため若
干の光軸ずれがあっても光軸のずれを検出することがで
きず、最終的な光軸調整には精度が不十分であるという
問題がある。

【００１６】また、上記の光軸調整装置では、光走査レ
ンズの焦点位置調整ができないという問題もある。

【００１７】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
簡単な構成により容易に光軸調整ができる信号波形検出
装置の光軸調整装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理構成
図を示す。請求項１記載の発明は電気光学結晶１に被測
定体１５の動作電圧を与えることにより、電気光学結晶
１内に誘起される電界の変化を、被測定体１５の動作と
同期して間歇的に光走査レンズ１６を通して照射され、
かつ、電気光学結晶１内を反射往復するレーザ光の偏光
面の変化として検出することで信号波形の検出を行なう
装置において、第１の光軸ずれ検出手段１７と第２の光
軸ずれ検出手段１９と光学系２０の位置を変位制御する
２軸のあおり機構２１とを有するよう構成したものであ
る。

【００１９】ここで、第１の光軸ずれ検出手段１７は電
気光学結晶１へ光走査レンズ１６を通して入射される入
射レーザ光と、その反射レーザ光の光軸がずれていると
き、光軸からずれた反射レーザ光を分離して受光する。

【００２０】また、第２の光軸ずれ検出手段１９は上記
反射レーザ光のレーザ光源１４への戻り光を防止するた
めに設けられた光アイソレータ１８の反射側光路上に配
置され、集光レンズ、ピンホール及び光検出器とよりな
る。

【００２１】更に、２軸のあおり機構２１は第１の光軸
ずれ検出手段１７における受光光強度を最小とし、第２
の光軸ずれ検出手段１９の光検出器出力が最大となるよ
うに、光学系２０の位置を変位制御する。

【００２２】請求項２記載の発明は上記の発明に微動機
構２２を付加した構成である。微動機構２２は第２の光
軸ずれ検出手段１９の受光出力が最大となるように、少
なくとも光走査レンズ１６を電気光学結晶１のレーザ光
入射面に直交する方向に移動させる。

【００２３】

【作用】前記第１の光軸ずれ検出手段１７の受光出力が
最小となるように光学系２０を位置制御することにより
、光走査レンズ１６を通る入射レーザ光と反射レーザ光
の両光軸が大略一致する。しかし、前記した理由から両
光軸が完全に一致していなくても第１の光軸ずれ検出手
段１７の受光出力が最小となる。しかし両光軸が完全に
一致していないと、第２の光軸ずれ検出手段１９内のピ
ンホールを反射レーザ光が完全に通過できず、第２の光
軸ずれ検出手段１９による受光出力が最大値とならない
。

【００２４】そこで、次に第２の光軸ずれ検出手段１９
による受光出力が最大となるように光学系２０の位置を
あおり機構２１で制御することにより、上記光軸の微調
整ができる。

【００２５】また、第２の光軸ずれ検出手段１９は、レ
ーザ光源１４への反射戻り光を除去するために設けた光
アイソレータ（通常、偏光ビームスプリッタと１／４　
波長板若しくはファラデー回転子とにより構成される。 ）の反射光路上に配設された、集光レンズとピンホール
及び光検出器よりなる光学系であり、上記ピンホールは
上記集光レンズの焦点位置に配設されているため、この
第２の光軸ずれ検出手段１９は前記光走査レンズと組み
合わせて共焦点光学系を構成している。

【００２６】このため、光走査レンズの焦点位置が反射
面からずれると、上記ピンホールを通過する光量が変化
する。そこで、第２の光軸ずれ検出手段１９の受光出力
が最大となるように、前記微動機構２２により電気光学
結晶１のレーザ光入射面に直交する方向に少なくとも光
走査レンズ１６を移動させることにより、光走査レンズ
の焦点位置を所定の反射位置に一致させることができる
。

【００２７】

【実施例】図２は本発明装置を適用し得る一例のシステ
ム構成図、図３は図２の要部をなす本発明装置の一実施
例の構成図を示す。図２において、２５は測定部で、前
記した電気光学結晶１，光反射電極２及び透明電極３よ
りなる。この測定部２５は被測定体としてＬＳＩ４が積
載され、かつ、支持台であるテスタヘッド２６上に搭載
されている。テスタヘッド２６はＬＳＩテスタ本体２７
と電気的に接続される一方、その空間部下方に後述のス
キャナ部２８が配設されている。このとき、スキャナ部
２８で走査されたレーザ光が測定部２５内を往復反射し
てスキャナ部２８に戻るようになされている。

【００２８】２９はセンサ部で、後述するセンサ光学系
３０に信号処理回路を付加した構成とされてテスタヘッ
ド２６の下部に配置されており、検出装置制御部５０に
電気的に接続される一方、その下方に配設された移動機
構系５１によりその位置がスキャナ部２８と共に変位制
御されるように構成されている。検出装置制御部５０は
移動機構系５１の変位制御と、センサ部２９からの電気
信号の信号処理による信号波形測定とを行なう。

【００２９】移動機構系５１は所謂多軸ステージとも称
され、架台５２上の２軸あおりステージ５３と３軸微動
機構５４とからなり、スキャナ部２８及びセンサ部２９
を６軸方向に変位制御する。３軸微動機構５４は前記微
動機構２２を有しており、測定部２５のレーザ光入射面
に直交する光軸方向（図中、上下方向でこれをＺ軸方向
とする）と、この光軸方向に夫々直交するＸ軸、Ｙ軸の
３軸方向にスキャナ部２８及びセンサ部２９を微少変位
させる機構である。なお、実際には回転方向（θ方向）
にスキャナ部２８及びセンサ部２９を移動させる機構も
備えている。

【００３０】また、２軸あおりステージ５３は前記２軸
あおり機構２１に相当し、スキャナ部２８及びセンサ部
２９をθＸ　及びθＹ　方向に夫々変位させる機構であ
る。

【００３１】次に、図２の要部をなす本発明装置の一実
施例の構成について図３と共に説明する。図３において
、センサ光学系３０は前記した光学系２０に相当し、レ
ーザ光源１４，レンズ３１，偏光ビームスプリッタ（Ｐ
ＢＳ）３２及び３７，１／４　波長板３３，ビームスプ
リッタ３４，穴開き反射ミラー３５，軸はずれ光センサ
３６，ミラー３８，集光レンズ３９，４０及び４３，光
検出器４１，４２，４５及びピンホール４４より構成さ
れている。

【００３２】穴開き反射ミラー３５と軸はずれ光センサ
３６は前記した第１の光軸ずれ検出手段１７を構成して
おり、前記した図１０と同一の原理に基づいて光軸の粗
調整のための検出信号を得る。また、偏光ビームスプリ
ッタ３２及び１／４　波長板３３は前記した光アイソレ
ータ１８を構成し、その反射光路側の集光レンズ４３，
ピンホール４４及び光検出器４５は前記した第２の光軸
ずれ検出手段１９を構成している。

【００３３】また、スキャナ部２８はｆθレンズと称さ
れる光走査レンズ１６とガルバノミラー４６とからなり
、ガルバノミラー４６を回動することにより、光反射電
極２に対する入射レーザ光の走査を行なう。

【００３４】次に本実施例の信号波形測定動作について
説明する。レーザ光源１４より出射されたレーザ光は直
線偏光であり、レンズ３１により平行光とされた後偏光
ビームスプリッタ３２を透過して１／４　波長板３３に
入射されて円偏光に変換される。この円偏光に変換され
たレーザ光はビームスプリッタ３４で透過及び反射され
、そのうち透過されたレーザ光だけが穴開き反射ミラー
３５の中央部に穿設された穴３５ａを通してガルバノミ
ラー４６に入射され、ここで光路を変えられた後、光走
査レンズ１６を透過し、更に透明電極３，電気光学結晶
１を透過してＬＳＩ４の出力信号が印加されている所定
の光反射電極２に入射されて反射される。この反射レー
ザ光は入射光路を逆進し、電気光学結晶１，透明電極３
，光走査レンズ１６，ガルバノミラー４６，穴開き反射
ミラー３５の穴３５ａを夫々通してビームスプリッタ３
４により反射及び透過される。そのうちビームスプリッ
タ３４で反射された反射レーザ光は偏光ビームスプリッ
タ３７に入射され、ここで互いに直交する２つの軸方位
に分解され、一方の軸方位の反射レーザ光成分は偏光ビ
ームスプリッタ３７を透過してミラー３８で反射された
後、集光レンズ４０を透過して光検出器４２により受光
される。また他方の軸方位の反射レーザ光成分は偏光ビ
ームスプリッタ３７で反射されて集光レンズ３９を通し
て光検出器４１により受光される。

【００３５】ここで、前記したように、光反射電極と透
明電極４との間に印加されるＬＳＩ４の出力電圧に応じ
て電気光学結晶１の屈折率の変化に基づき反射レーザ光
の偏光状態が変化するため、ＬＳＩ４の出力電圧と光検
出器４１，４２の各受光光量とは夫々図４に実線ａ，一
点鎖線ｂで示す如く変化する。

【００３６】従って、光検出器４１の出力検出電圧をＩ
（１＋α）とすると（ただし、Ｉは受光光量、αは変化
率）、光検出器４２の出力検出電圧はＩ（１−α）で表
わすことができるため、両出力検出電圧の差をとると２
αＩとなり、２αはＬＳＩ４の出力電圧の関数であるか
ら、２αＩからＬＳＩ４の出力電圧を測定できる。

【００３７】なお、レーザ光源１４からのレーザ光は一
定周期で間歇的に放射されるが、予め光反射電極２と透
明電極３との間に電圧を印加した時と印加していない時
とで、レーザ光放射時点後、どの時点で上記検出電圧の
差信号が最も大きく得られるかのタイミング位相を見付
けておき、そのタイミング位相における検出電圧の差信
号を取り込むことにより、最も精度良く標本化データを
得ることができる。

【００３８】次に本実施例における光軸調整動作につい
て、図３，図５などを参照して説明する。図５は本発明
装置の一実施例の動作説明用フローチャートを示す。同
図中、まず、例えば時間軸を較正しようとするＬＳＩテ
スタ本体２７に、この信号波形検出装置を移動していき
設置する（ステップ１０１）。次に図２のレーザ光源１
４から間歇的にレーザ光を出射し、このときの軸はずれ
光センサ３６の出力をモニタする（図５のステップ１０
２）。

【００３９】前記したように、レーザ光源１４から出射
されたレーザ光は穴開き反射ミラー３５の穴３５ａを通
過し、光反射電極２に対してその反射面に直交するよう
に入射するときは、入射レーザ光と反射レーザ光の各光
軸が一致し、反射レーザ光は穴３５ａのみを通過する。 しかし、上記の両光軸が不一致のときには反射レーザ光
は一部又は全部が穴３５ａを通過できず、穴開き反射ミ
ラー３５で反射されて軸はずれ光センサ３６に入射され
る。

【００４０】そこで、この軸はずれ光センサ３６の出力
電圧がゼロになるように（すなわち受光光量がゼロとな
るように）、２軸あおりステージ５３を駆動してスキャ
ナ部２８及びセンサ光学系３０を動かす（図５のステッ
プ１０３）。軸はずれ光センサ３６の出力電圧がゼロに
なることで、前記両光軸が大略一致する光軸の粗調整が
完了する。

【００４１】次に光検出器４５の出力をモニタしながら
、あおりの微調整を行なう（図５のステップ１０４）。 すなわち、図３において反射レーザ光の全部が穴開き反
射ミラー３５の穴３５ａを通過し、ビームスプリッタ３
４で一部が反射され、残りが透過される。そのうち、ビ
ームスプリッタ３４を透過した反射レーザ光は、１／４
　波長板３３によりレーザ光源１４からのレーザ光と偏
光面が直交するような直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ３２により反射され、更に集光レンズ４
３及びピンホール４４を通して光検出器４５に入射され
る。

【００４２】ここで、ピンホール４４は図６（Ａ）に示
す如く、集光レンズ４３の焦点位置に配置されている。 上記の光軸の粗調整が完了しても、反射レーザ光の光束
径に比し前記穴３５ａが大きいために前記２つの光軸が
完全に一致しているとは限らず、完全に光軸が一致して
いないときは図６（Ａ）に示す如く偏光ビームスプリッ
タ３２で反射された反射レーザ光は一部がピンホール４
４に遮ぎられてしまう。

【００４３】ここで、光検出器４５の受光光量と２軸あ
おりステージ５３の移動量とは図６（Ｂ）に示す如き関
係にあるから、光検出器４５の出力電圧が最大となるよ
うに（すなわち、受光光量が最大となるように）２軸あ
おりステージ５３をまず１軸目方向に駆動して光反射電
極２への入射レーザ光の傾きを調整する。次に光検出器
４５の出力電圧が最大になるように、２軸あおりステー
ジ５３を２軸目方向に駆動する。その後再び光検出器４
５の出力電圧が最大になるように、１軸目と２軸目の夫
々の方向にあおりステージをもう一回ずつ駆動する。こ
れが光軸の微調整であり、この光軸の微調整により光反
射電極２の入射レーザ光と反射レーザ光の両光軸を完全
に一致させることができる。なお、１軸目と２軸目の夫
々の方向にあおりステージを駆動する回数は３回以上で
あってもよく、回数が多い程精度向上を期待できる。

【００４４】次に光走査レンズ１６の合焦位置の調整を
行なう（図５のステップ１０５）。すなわち、上記のレ
ンズ４３，ピンホール４４，光検出器４５よりなる光軸
微調整用光学系は、光走査レンズ１６と組合わせて共焦
点光学系を構成しているため、光反射電極２の反射面が
図７（Ａ）に実線２ａで示す如く光走査レンズ１６の焦
点位置にあるときは、同図（Ｂ）に実線で示す如くピン
ホール４４を通過する光量が最大となる。

【００４５】これに対し、上記反射面が図７（Ａ）に破
線２ｂ，又は一点鎖線で２ｃで示す如く光走査レンズ１
６の焦点位置からずれると、そのときの反射レーザ光は
図７（Ｂ）に破線又は一点鎖線で示す如く、破線２ｂの
ときはピンホール４４の前側で結像し、一点鎖線２ｃの
ときはピンホール４４の後側で結像するため、いずれも
ピンホール４４を通過する光量が低下する。

【００４６】そこで、前記したステップ１０５の合焦位
置調整では、光検出器４５の出力検出電圧が最大となる
ように、３軸微動機構５４を駆動し、スキャナ部２８及
びセンサ光学系３０を前記したＺ軸方向に微少移動させ
る。これにより、光走査レンズ１６の焦点位置を電気光
学結晶１の裏面に設けた光反射電極２の反射面に一致さ
せることができる。

【００４７】このように、本実施例によれば、軸はずれ
光センサ３６及び光検出器４５の各出力をモニタしつつ
２軸あおりステージ５３を駆動するだけで、光軸を精度
良く簡単に調整することができる。

【００４８】次に本発明装置の他の実施例について説明
する。図８は本発明装置の他の実施例の要部構成図を示
す。同図中、図３と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例は図３の光軸微調整用光
学系の代りに、図８に示す如く集光レンズ３９，４０の
焦点位置にピンホール６１，６２を配設し、２つの光検
出器４１及び４２の出力検出電圧の和信号を用いるよう
にしたものである。

【００４９】すなわち、偏光ビームスプリッタ３７，ミ
ラー３８，集光レンズ３９及び４０よりなる光学系は、
光走査レンズ１６と組合わせて共焦点光学系を構成して
いるため、光反射電極２の反射レーザ光が入射レーザ光
の光軸とずれているときにはピンホール６１，６２によ
り遮ぎられる反射レーザ光部分が生ずる。従って、光検
出器４１及び４２の出力検出電圧の和信号が最大となる
ように２軸あおりステージ５３を駆動制御することによ
り、光軸調整を行なうことができる。

【００５０】本実施例はピンホール６１，６２を用いて
いるため、光検出器４１及び４２の受光光量がピンホー
ル６１，６２を設けない図３の実施例に比し低下するの
で、信号計測時には取り除く構造とすることが望ましい
が、図３の実施例に比し部品点数が少なくて済むから構
成を簡単にすることができる。

【００５１】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、２軸のあ
おり機構のみを駆動するだけで、光軸の粗調整と光軸の
微調整とができるため、従来に比べて簡単に、しかも精
度良く光軸調整ができる。また、本発明によれば、光軸
の微調整用光学系を共用して従来できなかった光走査レ
ンズの焦点位置調整もでき、また反射レーザ光の偏光面
変化検出用の２つの光検出器の前面に夫々ピンホールを
設けて光軸調整を行なう場合は、光軸微調整用専用の光
学系を不要にできるから、簡単な構成とすることができ
る等の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理構成図である。

【図２】本発明装置を適用し得る一例のシステム構成図
である。

【図３】本発明装置の一実施例の構成図である。

【図４】図３の要部の電圧対受光光量特性を説明する図
である。

【図５】本発明の一実施例のフローチャートである。

【図６】図３の光軸微調整の動作を説明する図である。

【図７】図３の合焦点位置調整の動作を説明する図であ
る。

【図８】本発明装置の他の実施例の要部構成図である。

【図９】電気光学結晶上の被測定体の信号波形の検出原
理説明図である。

【図１０】本発明者が先に提案した信号波形検出装置の
一例の要部構成図である。

【符号の説明】

１　　電気光学結晶 ２　　光反射電極 ３　　透明電極 １４　　レーザ光源 １５　　被測定体 １６　　光走査レンズ １７　　第１の光軸ずれ検出手段 １８　　光アイソレータ １９　　第２の光軸ずれ検出手段 ２０　　光学系 ２１　　２軸のあおり機構 ２２　　微動機構 ３０　　センサ光学系 ４１，４２，４５　　光検出器 ４４，６１，６２　　ピンホール

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　電気光学結晶（１）に被測定体（１５
   ）の動作電圧を与えることにより、該電気光学結晶（１
   ）内に誘起される電界の変化を、該被測定体（１５）の
   動作と同期して間歇的に光走査レンズ（１６）を通して
   照射され、かつ、該電気光学結晶（１）内を反射往復し
   出射するレーザ光の偏光面の変化として検出することで
   信号波形の検出を行なう信号波形検出装置の光軸調整装
   置において、前記電気光学結晶（１）内から前記光走査
   レンズ（１６）を通して入射された反射レーザ光が該電
   気光学結晶（１）への入射レーザ光と光軸のずれがある
   とき、該光軸からずれた該反射レーザ光を分離して受光
   する第１の光軸ずれ検出手段（１７）と、前記反射レー
   ザ光のレーザ光源（１４）への戻り光を防止するために
   設けられた光アイソレータ（１８）の反射側光路上に配
   置された、集光レンズ、ピンホール及び該ピンホールを
   通過した光を受光する光検出器とよりなる第２の光軸ず
   れ検出手段（１９）と、該第１の光軸ずれ検出手段（１
   ７）における受光光強度を最小とすると共に、該第２の
   光軸ずれ検出手段（１９）の光検出器出力が最大となる
   ように、前記レーザ光源（１４），光走査レンズ（１６
   ），第１の光軸ずれ検出手段（１７），光アイソレータ
   （１８）及び第２の光軸ずれ検出手段（１９）を含む光
   学系（２０）の位置を変位制御する２軸のあおり機構（
   ２１）とを有することを特徴とする信号波形検出装置の
   光軸調整装置。
2. 【請求項２】　　前記第２の光軸ずれ検出手段（１９）
   内の光検出器出力が最大となるように、少なくとも前記
   光走査レンズ（１６）を前記電気光学結晶（１）のレー
   ザ光入射面に直交する方向に移動させる微動機構（２２
   ）を更に有し、該第２の光軸ずれ検出手段（１９）を利
   用して該光走査レンズ（１６）の焦点位置調整を併せて
   行なうことを特徴とする請求項１記載の信号波形検出装
   置の光軸調整装置。
3. 【請求項３】　　前記第１の光軸ずれ検出手段（１７）
   を通過した前記反射レーザ光の偏光面変化を２つの軸方
   位に分解して受光する第１及び第２の受光手段（３７〜
   ４２）と、該第１及び第２の受光手段（３７〜４２）内
   の受光部の前段に位置する第１及び第２のレンズ（３９
   ，４０）の焦点位置に、前記第２の光軸ずれ検出手段（
   １９）に代えて夫々配設された第１及び第２のピンホー
   ル（６１，６２）とを有し、該第１及び第２の受光手段
   （３７〜４２）の出力信号の和が最大となるよう前記２
   軸のあおり機構（２１）を駆動制御することを特徴とす
   る請求項１又は２記載の信号波形検出装置の光軸調整装
   置。