JPH04125505A - 信号波形検出装置に於ける光軸調整装置及び光軸調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （概　　要） 本発明は信号波形検出装置に於ける光軸調整装置並びに
光軸調整方法に関し、 簡易な構成の光軸センサを組み込む事によって、偏光状
態の変化を検出する際の光ビームの光軸の調整を容易に
する装置を提供する事を目的とし、被測定体の動作電圧
の変化を、当該被測定体の入出力端子と接続され且つ該
被測定体の動作電圧が印加される電気光学結晶内を反射
往復する光ビームの偏光状態の変化として検出するシス
テムを使用し、該光ビームを被測定体の動作と同期して
間歇的に該電気光学結晶体内に照射する様にした信号波
形検出装置に於いて、被測定体支持手段、該測定体支持
手段に対向して設けられ、動作電圧を測定すべき該被測
定体の入出力端子に向けて該電気光学結晶を介して光ビ
ームを照射する光ビーム発生手段、該光ビームを該被測
定体の所定の位置に指向させる光走査手段、該電気光学
結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態の変化を検出
する偏光解析手段、光ビームの光軸ずれ検出手段とから
構成されている検出系、及び少なくとも該光軸ずれ検出
手段からの情報に応答して該検出系を変位調節する制御
手段とから構成される欅にする。

（産業上の利用分野］ 本発明は、電気光学効果を利用して高速度の電気信号波
形を観測することができる信号波形検出装置に係わり、
特に、複数のＬＳＩテスタを設置対象としたアダプタビ
リティの向上に関するものである。

（従来の技術］ ＬＳＩ等の半導体素子を製造、利用する上で、素子内外
の信号波形を正ｉｉｐこ測定しておくことが、必要不可
欠となっている。

即ち、製造されたＬＳＩ等の半導体素子が、設計された
通りに論理的に作動するか否か、或は当該製品が不良個
所があるか否かを正確にかつ筋速度で検査を行う必要が
高まっている。しかしながら、近年の素子の高速化に伴
い、従来のＬＳＩテスタなどを用いた電気的な測定方式
では、正確な測定が難しくなって来ている。つまり従来
から使用されているＬＳＩテスタでは時間軸に関する分
離能において±４００ＰＳ程度のものであるが、近年の
高速化に従って、その分解能は従来の４倍以上である±
１００ＰＳ以下が要求されており、従って従来のＬＳＩ
テスタではかかる高速での測定を行うことは不可能であ
った。一方、結晶の電気光学効果を用いた光学式の信号
波形測定方式が提案され、高速信号が計測できることが
確認されている。

（例えば、Ｊ、Ａ、νａｌｄｍａｎｉｓ　ａｎｄ　Ｇ、
Ｍｏｕｒｏｕ”５ｕｂｐｉｃｏｓｅｃｏｎｄ　ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ　ｓａｍｐｌｉｎｇ：ｐｒｉｎｃｉｐｌ
ｅｓ　ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ″ＩＥＥＥ　Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ　ＯＦＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩ
ＣＳ、　ＶＯＬ、　ＱＢ−２２，ｐｐ、６９−７８等）
上記した電気光学効果を有する結晶体（以下電気光学結
晶体と云う）としては例えばＢＳＯ結晶体（ＢｉＳｉオ
キサイド）等が用いられるものであって、かかる電気光
学結晶体に所定の電圧を印加しておきこの状態で該結晶
体にレーザ光等の光ビームを往復状に通過させると、一
方向に入射される光ビームの偏光状態と反対方向に出射
してくる光ビームの偏光状態が変化し、その変化は印加
された電圧に依存することが知られている。従って第８
図のように被測定体であるＬＳＩＩの入出力端子部２に
上記電気光学結晶体３を当接し、該結晶体の該入出力端
子部２と当接していない側の面に透明電極４を取り付は
接地させておく。そして作動状態を測定したい端子の出
力タイミングに同期させて該透明電極４側からレーザ等
の光ビーム５を当該入出力端子２に向けて照射し、該入
出力端子２からの反射による反射光ビーム５゛を受光手
段７により受光し、入射光ビーム５と反射光ビーム５°
との偏光状態の変化を検出する。この時該入出力端子２
に出力があれば、上述した偏光状態がその出力に応じて
変化するため、該端子２の出力状態が把握出来る。

また、検出用結晶の上に電気回路網を積載し、電気信号
の波形測定を行う検出方式が出願されている（特開平１
−０２８５６６）が、この検出方式による測定装置を用
いて、複数台のＬＳＩテスタを対象として、ＬＳＩテス
タ自身の時間軸の較正を行う場合に、移動の容易さと、
移動後の各種調整の容易さの向上が要望されている。

ＬＳＩテスタの時間軸を容易に較正出来る手段はなく又
高精度の時間標準器は取扱が難しく、フィールドでの使
用が面倒であった。

更に上記従来技術における大きな欠点の１つとしては、
被測定体の所定の位置へ入射させる光ビームの光軸とそ
こから反射して帰還してくる出射光ビームの光軸とがず
れることであり、このずれをなくし両者を一致させる必
要性があった。その他かかる従来技術において、複数の
テスタを対象とした場合には、装置の移動、移動後の光
学系の調整などに難点があった。かかる問題点に対して
、光軸の周囲に複数個の受光素子を配設し、その受光強
度差が最小となる点をもって光軸とする方式。

或は測定系の下部に配設したあおり機構を積極的に活用
することで、光軸を探索する方式等が提案されている。

しかし、これらの技術においては、中央部に第３図に示
すような穴２６の開いた受光器２０、もしくは光軸周辺
に配置した複数個の受光器を必要としているので、受光
器形状の加工が複雑化されること、センサ系の大型化が
避は得られないこと、又受光感度のばらつきが生じ、特
別な補償手段が必要とされること等欠点が存在している
。更にこのような従来の受光器においては、シリコンフ
ォトダイオード等で形成されるが、ビーム通過用の孔を
あけるために高温で焼き切る必要がある。そのため上記
孔部の周辺部に不感応部分が発生するため使用上の難点
があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は上記した従来技術の欠点を改良し、光ビ
ーム発生手段を含む光ビーム検出系そのものを可動に形
成するとともに簡易な構成の光軸センサを光学系に組み
込むことによって装置の移動、および移動後の光学系の
調整を容易とした、高精度の電気信号波形検出装置にお
ける光軸調整装置及び光軸調整方法を提供するものであ
る。

〔課題を解決するための手段ブ 本発明は上記した目的を達成するため次のような技術構
成を持用するものである。即ち基本的には被測定体の動
作電圧の変化を、当該被測定体の入出力端子と接続され
且つ該被測定体の動作電圧が印加される電気光学結晶内
を反射往復する光ビームの偏光状態の変化として検出す
るシステムを使用し、該光ビームを被測定体の動作と同
期して間歇的に該電気光学結晶体内に照射する様にした
信号波形検出装置に於いて、被測定体支持手段、該測定
体支持手段に対向して設けられ、動作電圧を測定すべき
該被測定体の入出力端子に向けて該電気光学結晶を介し
て光ビームを照射する光ビーム発生手段、該光ビームを
該被測定体の所定の位置に指向させる光走査手段、該電
気光学結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態の変化
を検出する偏光解析手段、光ビームの光軸ずれ検出手段
とから構成されている検出系、及び少なくとも該光軸ず
れ検出手段からの情報に応答して該検出系を変位調節す
る制御手段とから構成されている信号波形検出装置に於
ける光軸調整装置である。

又本発明における他の基本的技術構成としては、被測定
体の動作電圧の変化を、当該被測定体の入出力端子と接
続され且つ該被測定体の動作電圧が印加される電気光学
結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態の変化として
検出するシステムを使用し、該光ビームを被測定体の動
作と同期して間歇的に該電気光学結晶体内に照射する様
にした信号波形検出装置に於いて、該信号波形検出装置
を被測定体支持手段、該測定体支持手段に対間して設け
られ１、動作電圧を測定すべき該被測定体の入出力端子
に向けて該電気光学結晶を介して光ビームを照射する光
ビーム発生手段、該光ビームを該被測定体の所定の位置
に指向させる光走査手段、該電気光学結晶内を反射往復
する光ビームの偏光状態の変化を検出する偏光解析手段
、光ビームの光軸ずれ検出手段とから構成されている検
出系、及び少なくとも該光軸ずれ検出手段からの情報に
応答して該検出系を変位調節する制御手段とから構成せ
しめると共に、該光ビームの光軸ずれ検出手段を中央部
に該測定用光ビームを通過される開口部を設けた反射ミ
ラーと該反射ミラーからの反射光ビームを受光する受光
手段とで構成し、光軸からずれた当該反射光ビームを該
ミラーによって該受光手段に導入する様に構成せしめた
光軸調整装！に於いて、該光ビーム発生手段がら該光走
査手段により、該反射ミラーと該電気光学結晶体内を介
して測定すべき被測定体の入出力端子に光ビームを照射
する工程、該被測定体の所定の入出力端子から帰還した
該反射光ビームを該反射ミラーに当接させ、該反射ミラ
ーで反射された該反射光ビームを該受光手段に導入する
工程、該受光手段で、受光された該反射光ビームの光量
を算出する工程、該反射光ビームの光量を該制御手段を
作動させながら該検出系を第１の方向に連続的に変位さ
せて第１の方向に於ける当該光量の変化を算出する工程
、次いで該第１の方向と直角の第２の方向に該検出系を
連続的に変位させ第２の方向に於ける当該光量の変化を
算出する工程、前記第１と第２の方向に於ける当該光量
の変化の情報から、当該反射光ビームの受光光量が最小
となる変位位置を判別する工程、該検出系を当該反射光
ビームの受光光量が最小となる位１に関する情報に基づ
き該制御手段により変位させる工程とから構成される信
号波形検出装置に於ける光軸調整方法である。

〔作　　用］ 即ち本発明においては、検査用の光ビームを反射ミラー
等からなる光軸ずれ検出手段及び電気光学結晶体を介し
て光走査手段の走査によりＬＳＩ等の被測定物体の所定
の入出力端子に入射させ、そこからの反射光ビームを上
記反射ミラーに当接させて、反射ミラーで反射された反
射光ビームを受光手段で受光してその光量を測定する。

従って反射光ビームの光軸が入射された光ビームの光軸
と一致しているか、又は近接している場合には上記受光
器の受光量は小さくなり、又上記光軸がずれていればい
る程上記受光量は大きくなる。そこで上記受光量が最小
となるように受光量に応して制御手段を作動させて検出
系全体の位置を変化させることによって光軸を一致させ
るようにする。

［実施例］ 以下に本発明の具体例を図面を参照しつつ、詳細に説明
する。

第１図は第２図における検査系１２の内部構成を示すブ
ロック図でありかつ本発明の主要部である光軸ずれ調整
方法の原理を示す説明図である。

又第２図は本発明に係る光軸調整装置を含むＬＳＩ等の
被測定物体の信号波形検出装置の概略図である。

即ち本発明に係る光軸調整装置は第１図及び第２図に示
されている通り被測定体テスタ本体２５に接続して設け
られた。被測定体１の支持手段１０、該測定体支持手段
１０に対向して設けられ、動作電圧を測定すべき該被測
定体１の入出力端子に向けて該電気光学結晶３を介して
光ビーム２１を照射する光ビーム発生手段１９、該光ビ
ームを該被測定体の所定の位置に指向させる光走査手段
４０、該透明電極４を有する電気光学結晶３内を反射往
復する光ビームの偏光状態の変化を検出する偏光解析手
段２３、光ビームの光軸ずれ検出手段２２とから構成さ
れている検出系１２、及び少なくとも該光軸ずれ検出手
段からの情報に応答して該検出系１２を変位調節する制
御手段１３とから構成されているものであり、又本発明
における光軸ずれ検出手段２２は該光ビーム発生手段１
９から当該電気光学結晶３内を介して該被測定体１の入
出力端子の一部に照射される入力光ビーム２１は通過さ
せるが、当該電気光学結晶内を介して該被測定体の入出
力端子２の一部から反射してもどる反射光ビーム２１゛
の少なくとも一部が当該光軸から分離される様な構造を
有する光ビーム反射体１７と該光ビーム反射体により反
射された光ビームを受光する受光手段２０とから構成さ
れているものである。本発明の係る光軸調整装置の構造
を更に詳述すれば、被測定体２はテスタヘッドと称され
る支持台１０の上に搭載され一方上記検出系１２は上記
支持台１０の下方に設けた空間部１１内に少くとも光走
査部が対向するように設けられている。従って、光ビー
ム発生器１９から発生されたレーザ等の光ビーム２１は
該光走査部の走査によってＬＳＩ等における所定の入出
力端子２に向けて電気光学結晶体３を介して照射される
。

この時該入出力端子２に照射される光ビーム２１は上記
結晶面と直角に入射されるように設計されることが好ま
しい。一方該検出系１２は、架台１５上に設けた所謂多
軸ステージとも称される変位機構、１４，１６．１６’
　に載置されており、従って該検出系１２はそれ全体が
６軸方向（Ｘ、Ｙ。

Ｚ、θ、θ８．θア方向）に変位移動しえる構成となっ
ている。該変位機構は後述する制御手段から、光軸ずれ
に関する情報に応答して出力される指令にもとづいて所
定の方向に変位してその位置が調整される。尚、本発明
において該検出系は更に焦点を調整するためＺ方向に移
動可能な調整機構１６゛を介して該変位機構と接続され
ていても良い。又、本発明において使用される該光軸ず
れ検出手段２２の光ビーム反射体１７の反射面２７が該
光ビームの光軸２１に対して所定の角度を以て配置され
ており、且つその一部に該入力光ビームが通過しうる開
口部２６が設けられていることが好ましい。

第４図は本発明に使用される光軸ずれ検出手段２２の一
具体例゛を示したものであって、３角柱状の反射ミラー
２７を形成したものを示しである。

又、本発明における上記具体例では該反射ミラー２７に
より反射された反射光ビーム２１”は集光レンズ２８を
介して受光手段２０に集められる。

ここで上記具体例を用いて光軸調整を行う方法を説明す
る。即ち上記具体例における光軸調整方法は次のような
工程から構成される。即ち該光ビーム発生手段から該光
走査手段により、該反射ミラーの開口部を通り該電気光
学結晶体を介して測定すべき被測定体の所定の入出力端
子に光ビームを照射する工程、該被測定体の所定の入出
力端子から帰還した該反射光ビームを該反射ミラーに当
接させ、該反射ミラーで反射された該反射光ビームを該
受光手段に導入する工程、該受光手段で、受光された該
反射光ビームの光量を算出する工程、該反射光ビームの
光量を該制御手段を作動させながら該検出系を第１の方
向に連続的に変位させて第１の方向に於ける当該光量を
くりかえし測定しその変化を算出する工程、次いで該第
１の方向と直角の第２の方向に該検出系を連続的に変位
させ第２の方向に於ける当該光量の変化を算出する工程
、前記第１と第２の方向に於ける当該光量の変化の情報
から、当該反射光ビームの受光光量が最小となる変位位
置を判別する工程、該検出系を当該反射光ビームの受光
光量が最小となる位置に関する情報に基づき該制御手段
により変位させる工程で構成される。

つまり本具体例乙こおいては、前述した通り、出射され
る光ビーム２１の光軸と、反射されて帰還した反射光ビ
ーム２１′の光軸とが完全に一致していれば反射光ビー
ム２１”が上記反射ミラー１７の表面上で反射を生じな
いため、受光手段２０における受光量は殆んど無いが、
上記光軸にずれが生ずることによって、そのずれに応し
受光手段２０での受光光量は増加して来ることを活用す
るものであって、基本的には、反射光ビーム２１が反射
ミラー２７のどこに当接しているか判らないため、あお
りステージ１６を用いて、検査系１２を連続的に変位さ
せ（例えばθ８方向）結晶−５入射する入射光ビーム５
の入射角を変化させる。

すると反射光ビーム２１“の該反射ミラー２７との当接
位置が変化するため受光手段２０で検出される反射光ビ
ーム２１゛の光量は第７図ａに示すように変化する。反
射光ビーム２１゛が反射ミラー１７の開孔部２６を横切
る処で光量は極小値Ｏ１を示す。又上記曲線の左右は反
射ミラーから該反射光ビームが逸脱したことを示す。従
って上記光量の最小値を示す位置が、反射光ビーム２１
と入射光ビーム２１との光軸とが一番接近している状態
を示唆している。そこで次に上記の変位方向と直角な方
向（例えばθ、力方向にあおり変位機構１６を変位させ
ながら同様の光量検出を行いその極小値○、°を求める
。（第７図すのグラフ参照）そして両者の極小値が交わ
る座標位置が、両光ビーム２１と２１゛の光軸の一致す
る位置と推定し、その位置に合致するように該あおり変
位機構１６を変位させるように該制御手段から指令を出
す。上記具体例では検出系１２のあおり変位機構１６を
０８方向とθ、力方向それぞれ別々に変位駆動させてそ
れぞれの受光光量の最小値を求めたが、より実際的な方
法としては、どちらか一方（例えばθ８方向）の方向に
スキャンを行い第７図ａに示すグラフを得たら、その極
小点０１を示すθつ座標Ｘ、ｌを固定し、その位置でθ
、力方向スキャンすることによって第７図Ｃに示すグラ
フを得その極小点０□が得られるθ、座標値Ｙ、を確認
し、両座標値（Ｘ、、Ｙ、）を光軸の中心と判断すれば
より簡便に光軸ずれの調整を行うことが出来る。

上記光軸調整方法のフローチャートを第９図に示す。

即ち該変位機構１６をθ、方向にΔＸづつＸからＸ、ま
でスキャンし、その時の光量１ｘＩｘｚ・・・Ｉｘ、を
測定する。

（ステップａ） 前記測定値からｌｘ、の極小値Ｉｘ、、を決定しその場
所Ｘ１．１へ変位機構を変位移動させる。

（ステップｂ） 次にθＹ力方向Δｙづつｙ、からｙｌまでスキャンしそ
の時の光量ｒ３’＋、Ｉｙｚ・・・Ｉｙ、を測定する。

（ステップＣ） 前記測定値からｌｘ、、、におけるＩｙ。の極小値＋ｙ
□７を決定し、その場所（Ｘｎｉ、、、　　ｙｌ。）へ
変位機構を変位移動させる。（ステップｄ）ＸＩＴｌｌ
Ｉ’１．３’　１％ｔｌｌでＩ　Ｘｍ＝ｎ　、　　Ｉ　
３’ｍｉｎであることを確認しくステ、フ“ｅ）、最／
］召直であればル−チンを終り、最小値でなければ再び
ステップａにもどって同一操作をくり返す。本具体例に
おいては、上記光軸調整は、反射光ビームが反射ミラー
の開口部内に戻されたことを示すのみであり、必ずしも
真に光軸が一致しているかを示すものではない。従って
、本発明では上記のようにして光軸の一致操作を行った
のち、偏光解析手段２３において偏向状態の変化を測定
するが、その前に該偏光、解析手段の出力が最大となる
ように上記変位機構を微調整することも好ましい。本発
明における偏光解析手段は例えば偏光ビームスプリッタ
で構成されることが好ましい。尚本具体例において光軸
ずれ検出手段２２は偏光解析手段１８と光走査部４０と
の間に配置した例を示しているが、該光軸ずれ検出手段
２２を偏光解析手段１８と光ビーム発生手段１９の間に
配置しても良い。又本発明においては、前記したように
、受光光量の極小値を求めることで光軸の調整を行うも
のであるが、受光光量の極小値を求めることは、かなり
不安定な要求が多く、明確に求められない可能性もある
。

そこで本発明においては、第７図に示すようなグラフが
得られた場合、極大値は比較的正確に求められることか
ら、極大値間の中央が最小値と推定して演算処理を行う
ことが実用的といえる。上記した具体例に於いては、開
口部２６を有する反射ミラーの光ビーム反射面の反射率
を一律に形成して、 該反射面で反射された反射光ビーム２１゛の光量が極小
となる位置を該制御手段１３を使用して該検査系１２の
位置を変位させて該光軸を調整するものであったが、次
に本発明に係る他の具体例に付いて説明する。

第５図は本発明に係る光軸ずれ検出手段の他の構造を説
明する図である。

係る具体例では、開口部２６を有する３角柱状の反射ミ
ラー１７の反射表面２７の反射率を部分的に変化させる
構成としたものである。

係る構成の具体例としては、例えば該反射ミラーの反射
表面に適宜の紋様を形成するものであって、第５図に示
す様に、該反射表面に適宜の溝部２９を形成するもので
あっても良く或いは光吸収性若しくは光反射性の塗料を
塗布する事によって、適宜の模様を形成するものであっ
ても良い。

係る構造を採用することによって、該反射ミラーの反射
表面の光ビーム反射率を部分的に他の部分より小さくす
るか大きくすることにより異ならしめる事が出来る。

係る具体例に於いては、該光ビーム反射体１７の光ビー
ム反射面２７の一部に、他の部分と異なる光ビームの反
射率を有する部分を形成せしめた事によって、該光ビー
ムの受光手段２２が、該反射光ビーム２１°が該光ビー
ム反射体１７に当接する位置を検出することが可能にな
る。

つまり、該反射光ビーム２１゛が該紋様部分を通過する
時に受光手段が当該部分で反射された反射光ビーム２１
°“の光量の変化を記録しうるので、その情報から当該
反射光ビーム２１”が該反射ミラーのどの位置にいるか
を推定する事が出来る。

従って、その位置から、前記した具体例と同様の光軸ず
れ調整操作を実行するが、その操作手順を大幅に短縮す
ることが出来るので、光軸ずれ調整作業をより容易に短
時間で実行する事が可能となる。

第６図は本発明に係る光軸ずれ検出手段の更に他の具体
例を示すものであって、当該反射ミラーの表面の反射率
は、第１の具体例と同じ様に均一としであるが、受光手
段２０の受光素子を複数の独立した受光素子から構成し
、且つ係る複数の受光素子３０．３０’、３０”等を該
受光素子の中心、即ち光軸の中心に対して回転対称に区
分された受光区域を形成する様に配置するものである。

係る具体例に於いては該個別の受光素子は少なくとも４
個以上、設けることが望ましい。

係る具体例により、該受光手段の受光素子からの情報に
より、当該反射光ビーム２１°が該反射ミラーのどの位
置にいるかを推定する事が出来るので、前記した具体例
と同様の光軸ずれ調整を実行する事が出来る。

［効　　果］ 以上説明したように本発明によれば、本信号波形検出装
置の移動後の光軸の調整を簡易な構成のセンサ系により
実現出来、アダプタビリティの向上を計ることが出来る
。

又光軸の調整作業を正確に行うことが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に於ける光軸調整装置に使用される光軸
ずれ検出手段の構成例を示すブロック図であり又、本発
明の原理説明図である。 第２図は本発明に係る信号波形検出装置に於ける光軸調
整装置の一興体例を示す概略図である。 第３図は従来の光軸ずれ検出手段の例を示す図である。 第４図は本発明に使用される光軸ずれ検出手段の構成の
一例を示す図である。 第５図及び第６図は本発明に使用される光軸ずれ検出手
段の他の構成例を示す図である。 第７図は本発明に於ける受光手段の出力を変位機構の変
位量との関係で示した図である。 第８図は本発明に係る電気光学結晶体を利用した電圧測
定の原理を説明する図である。 第９図は本発明に係る光軸調整方式のフローチャートを
示す図である。 １・・・被測定体、ＬＳＩ ２・・・入出力端子 ３・・・電気結晶体 ４・・・透明電極 ５．２１・・・入射光ビーム ５２１゛・・・反射光ビーム １０・・・被測定体支持部、テスタへ １１・・・空間部 １２・・・検出系 ド １３・・・制御手段 １４・・・検出系変位機構Ｘ、　Ｙ、　　θ１５・・・
架台 １６・・・あおりステージ（θに１　　θ、）１６“て
んてん焦点調整手段２ １７・・・光ビーム反射体、反射ミラー１８・・・光ビ
ーム分割手段 １９・・・光ビーム発生手段 ２０・・・受光手段、受光器 ２２・・・光軸ずれ検出手段 ２３・・・偏光解析手段 ２５・・・テスタ本体 ２６・・・開口部 ２７・・・反射面 ２８・・・集光レンズ ２９・・・紋様部 ３０．３０’、３０”・・・受光素子 ４０・・・光走査手段 従来の光軸ずれ検出手段の１倒を示す９千３− 本発明１こ使用される光軸ずれ検出手段の１具体例を示
す図 属４　図 受光手段の受光出力と検出系の 変位量との関偏を示す図 信号処理をけう原理を示す図 第８図 光軸調整方式のフローチャート 第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被測定体の動作電圧の変化を、当該被測定体の入出
   力端子と接続され且つ該被測定体の動作電圧が印加され
   る電気光学結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態の
   変化として検出するシステムを使用し、該光ビームを被
   測定体の動作と同期して間歇的に該電気光学結晶体内に
   照射する様にした信号波形検出装置に於いて、被測定体
   支持手段、該測定体支持手段に対向して設けられ、動作
   電圧を測定すべき該被測定体の入出力端子に向けて該電
   気光学結晶を介して光ビームを照射する光ビーム発生手
   段、該光ビームを該被測定体の所定の位置に指向させる
   光走査手段、該電気光学結晶内を反射往復する光ビーム
   の偏光状態の変化を検出する偏光解析手段、光ビームの
   光軸ずれ検出手段とから構成されている検出系、及び少
   なくとも該光軸ずれ検出手段からの情報に応答して該検
   出系を変位調節する制御手段とから構成されている事を
   特徴とする信号波形検出装置に於ける光軸調整装置。 ２、該光ビームの光軸ずれ検出手段は該光ビーム発生手
   段から当該電気光学結晶内を介して該被測定体の入出力
   端子の一部に照射される入力光ビームは通過させるが、
   当該電気光学結晶内を介して該被測定体の入出力端子の
   一部から反射してもどる反射光ビームの少なくとも一部
   が当該光軸から分離される様な構造を有する光ビーム反
   射体と該光ビーム反射体により反射された光ビームを受
   光する受光手段とから構成されている事を特徴とする請
   求項１記載の光軸調整装置。 ３、該光軸ずれ検出手段は反射面が該光ビームの光軸に
   対して所定の角度を以て配置されており、且つその一部
   に該入力光ビームが通過しうる開口部が設けられている
   事を特徴とする請求項２記載の光軸調整装置。 ４、該光ビームの受光手段は、該光ビーム反射体により
   反射された光ビームの光量を検出する様に構成されてい
   る事を特徴とする請求項３記載の光軸調整装置。 ５、該光ビーム反射体の光ビーム反射面の一部に、他の
   部分と異なる光ビームの反射率を有する部分を形成せし
   めた事を特徴とする請求項３記載の光軸調整装置。 ６、該光ビームの受光手段は、該反射光ビームが該光ビ
   ーム反射体に当接する位置を検出しうる構成を有する事
   を特徴とする請求項５記載の光軸調整装置。 ７、該制御手段は、当該受光手段により検出された反射
   光ビームの光量が最小となる様に該検出系を変位調整す
   る様に構成されている事を特徴とする請求項１記載の光
   軸調整装置。 ８、該制御手段は、当該受光手段により検出された反射
   光ビームの該光ビーム反射体に当接する位置に関する情
   報から、当該当接位置を当該光ビームの光軸と一致する
   様に該検出系を変位調整する様に構成されている事を特
   徴とする請求項１記載の光軸調整装置。 ９、該受光手段は複数の独立した受光素子から構成され
   ている事を特徴とする請求項８記載の光軸調整装置。 １０、被測定体の動作電圧の変化を、当該被測定体の入
   出力端子と接続され且つ該被測定体の動作電圧が印加さ
   れる電気光学結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態
   の変化として検出するシステムを使用し、該光ビームを
   被測定体の動作と同期して間歇的に該電気光学結晶体内
   に照射する様にした信号波形検出装置に於いて、該信号
   波形検出装置を被測定体支持手段、該測定体支持手段に
   対向して設けられ、動作電圧を測定すべき該被測定体の
   入出力端子に向けて該電気光学結晶を介して光ビームを
   照射する光ビーム発生手段、該光ビームを該被測定体の
   所定の位置に指向させる光走査手段、該電気光学結晶内
   を反射往復する光ビームの偏光状態の変化を検出する偏
   光解析手段、光ビームの光軸ずれ検出手段とから構成さ
   れている検出系、及び少なくとも該光軸ずれ検出手段か
   らの情報に応答して該検出系を変位調節する制御手段と
   から構成せしめると共に、該光ビームの光軸ずれ検出手
   段を中央部に該測定用光ビームを通過される開口部を設
   けた反射ミラーと該反射ミラーからの反射光ビームを受
   光する受光手段とで構成し、光軸からずれた当該反射光
   ビームを該ミラーによって該受光手段に導入する様に構
   成せしめた光軸調整装置に於いて、該光ビーム発生手段
   から該光走査手段により、該反射ミラーと該電気光学結
   晶体内を介して測定すべき被測定体の入出力端子に光ビ
   ームを照射する工程、該被測定体の所定の入出力端子か
   ら帰還した該反射光ビームを該反射ミラーに当接させ、
   該反射ミラーで反射された該反射光ビームを該受光手段
   に導入する工程、該受光手段で、受光された該反射光ビ
   ームの光量を算出する工程、該反射光ビームの光量を該
   制御手段を作動させながら該検出系を第１の方向に連続
   的に変位させて第１の方向に於ける当該光量の変化を算
   出する工程、次いで該第１の方向と直角の第２の方向に
   該検出系を連続的に変位させ第２の方向に於ける当該光
   量の変化を算出する工程、前記第１と第２の方向に於け
   る当該光量の変化の情報から、当該反射光ビームの受光
   光量が最小となる変位位置を判別する工程、該検出系を
   当該反射光ビームの受光光量が最小となる位置に関する
   情報に基づき該制御手段により変位させる工程とから構
   成される事を特徴とする信号波形検出装置に於ける光軸
   調整方法 １１、被測定体の動作電圧の変化を、当該被測定体の入
   出力端子と接続され且つ該被測定体の動作電圧が印加さ
   れる電気光学結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態
   の変化として検出するシステムを使用し、該光ビームを
   被測定体の動作と同期して間歇的に該電気光学結晶体内
   に照射する様にした信号波形検出装置に於いて、該信号
   波形検出装置を被測定体支持手段、 該測定体支持手段に対向して設けられ、動作電圧を測定
   すべき該被測定体の入出力端子に向けて該電気光学結晶
   を介して光ビームを照射する光ビーム発生手段、該光ビ
   ームを該被測定体の所定の位置に指向させる光走査手段
   、該電気光学結晶内を反射往復する光ビームの偏光状態
   の変化を検出する偏光解析手段、光ビームの光軸ずれ検
   出手段とから構成されている検出系、 及び少なくとも該光軸ずれ検出手段からの情報に応答し
   て該検出系を変位調節する制御手段 とから構成せしめると共に、該光ビームの光軸ずれ検出
   手段を中央部に該測定用光ビームを通過される開口部を
   設けた反射ミラーと該反射ミラーからの反射光ビームを
   受光する受光手段とで構成し、光軸からずれた当該反射
   光ビームを該ミラーによって該受光手段に導入する様に
   構成せしめると共に、当該反射光ビームが該ミラーに於
   いて当接する位置を検出しうる構成を付与せしめた光軸
   調整装置に於いて、該光ビーム発生手段から該光走査手
   段により、該反射ミラーと該電気光学結晶体内を介して
   測定すべき被測定体の入出力端子に光ビームを照射する
   工程、該被測定体の所定の入出力端子から帰還した該反
   射光ビームを該反射ミラーに当接させ、該反射ミラーで
   反射された該反射光ビームを該受光手段に導入する工程
   、該受光手段で、受光された該反射光ビームが該反射ミ
   ラーに当接する位置を検出する工程、該反射光ビームの
   該反射ミラーに当接する位置に関する情報に基づき該制
   御手段を作動させながら該反射光ビームを該入射光ビー
   ムの光軸に一致するように変位調整する工程とから構成
   される事を特徴とする信号波形検出装置に於ける光軸調
   整方法。