JPH0423487B2 - - Google Patents
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- JPH0423487B2 JPH0423487B2 JP58206532A JP20653283A JPH0423487B2 JP H0423487 B2 JPH0423487 B2 JP H0423487B2 JP 58206532 A JP58206532 A JP 58206532A JP 20653283 A JP20653283 A JP 20653283A JP H0423487 B2 JPH0423487 B2 JP H0423487B2
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Hydraulic Clutches, Magnetic Clutches, Fluid Clutches, And Fluid Joints (AREA)
- Braking Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は電磁クラツチ、電磁ブレーキなどの
電磁連結装置の過熱検出器に関するものである。
電磁連結装置の過熱検出器に関するものである。
一般に電磁クラツチ、電磁ブレーキなどの電磁
連結装置は、そのトルク伝達を励磁コイルの給電
制御により断続制御することができるものであ
る。ところが、その入力軸回転数と出力回転数と
の回転数差と伝達トルクとにより過大な摩擦ロス
を生じ過熱焼損が生じる。このことから従来では
焼損防止のため温度検出器によつて過熱を検出し
各種対策を行つていた。
連結装置は、そのトルク伝達を励磁コイルの給電
制御により断続制御することができるものであ
る。ところが、その入力軸回転数と出力回転数と
の回転数差と伝達トルクとにより過大な摩擦ロス
を生じ過熱焼損が生じる。このことから従来では
焼損防止のため温度検出器によつて過熱を検出し
各種対策を行つていた。
電磁連結装置の具体例としては、例えば、磁気
回路の空〓中に磁性粉を入れて励磁コイル電流に
ほぼ比例した伝達トルクを得るパウダーブレー
キ、パウダクラツチなどがある。第７図に、その
一例を示す。自動車用クラツチとしてパウダクラ
ツチを用いた場合、前述した回転数差を少なくす
るため伝達トルクを大きくして摩擦ロスを減じる
伝達トルク制御を行ないクラツチの過熱保護を行
つている。
回路の空〓中に磁性粉を入れて励磁コイル電流に
ほぼ比例した伝達トルクを得るパウダーブレー
キ、パウダクラツチなどがある。第７図に、その
一例を示す。自動車用クラツチとしてパウダクラ
ツチを用いた場合、前述した回転数差を少なくす
るため伝達トルクを大きくして摩擦ロスを減じる
伝達トルク制御を行ないクラツチの過熱保護を行
つている。
この種の用途に適用できる温度検出器には熱電
対感熱素子等が知られているが、信号線の増加、
取付構造の複雑化等の理由で余り使用されていな
い。
対感熱素子等が知られているが、信号線の増加、
取付構造の複雑化等の理由で余り使用されていな
い。
ところで、励磁コイルは、摩擦ロスを生じる部
分とかなり近接しているので、摩擦ロスによる電
磁連結装置の温度上昇と共に励磁コイル抵抗が変
化する。そしてこの励磁コイル抵抗は温度上昇
（Δt）対して約0.4％／℃で変化することが知られ
ている。
分とかなり近接しているので、摩擦ロスによる電
磁連結装置の温度上昇と共に励磁コイル抵抗が変
化する。そしてこの励磁コイル抵抗は温度上昇
（Δt）対して約0.4％／℃で変化することが知られ
ている。
従つて給電電流制御を行つている電磁連結装置
の場合、励磁コイル抵抗の電圧増加から容易に温
度上昇を検知できる。
の場合、励磁コイル抵抗の電圧増加から容易に温
度上昇を検知できる。
また、近年スイツチングレギユレータ方式の電
流制御回路が電力損失の点で有利なためかなり普
及してきた。しかし、このスイツチングレギユレ
ータ方式の場合、その励磁コイル電圧波形は方形
波状波形であるため、その励磁コイル電圧を励磁
コイル抵抗分による電圧降下とすることができな
かつた。従つて励磁コイル抵抗分の電圧降下から
は容易に過熱検出ができないという問題があつ
た。
流制御回路が電力損失の点で有利なためかなり普
及してきた。しかし、このスイツチングレギユレ
ータ方式の場合、その励磁コイル電圧波形は方形
波状波形であるため、その励磁コイル電圧を励磁
コイル抵抗分による電圧降下とすることができな
かつた。従つて励磁コイル抵抗分の電圧降下から
は容易に過熱検出ができないという問題があつ
た。
この発明は上記の問題に鑑みなされたもので、
温度上昇に伴うコイル抵抗変化を励磁コイル平均
電圧より得ると共に、予め決定された判定曲線に
よつて励磁コイルの過熱検出を行うようにするこ
とにより、温度検出器を不要とし、スイツチング
レギユレータ方式の電流制御装置においても過熱
検出が可能な電磁連結装置の過熱検出器を提供す
ることを目的とする。
温度上昇に伴うコイル抵抗変化を励磁コイル平均
電圧より得ると共に、予め決定された判定曲線に
よつて励磁コイルの過熱検出を行うようにするこ
とにより、温度検出器を不要とし、スイツチング
レギユレータ方式の電流制御装置においても過熱
検出が可能な電磁連結装置の過熱検出器を提供す
ることを目的とする。
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。第１図において、１は比較器、２は平滑フイ
ルタで、この平滑フイルタ２の出力端子は比較器
１の正入力端子に接続されている。
る。第１図において、１は比較器、２は平滑フイ
ルタで、この平滑フイルタ２の出力端子は比較器
１の正入力端子に接続されている。
また、１００は一般的なスイツチング式の電磁
連結装置の電流制御装置を示し、１０１は電源、
１０２はオンオフ制御用主トランジスタで、この
トランジスタ１０２のエミツタは電源１０１に接
続されていると共に抵抗２１を介してベースに接
続されている。
連結装置の電流制御装置を示し、１０１は電源、
１０２はオンオフ制御用主トランジスタで、この
トランジスタ１０２のエミツタは電源１０１に接
続されていると共に抵抗２１を介してベースに接
続されている。
１０３は還流ダイオード、１０４は電磁連結装
置の励磁コイル、１０５はこの励磁コイル１０４
と直列に接続された励磁コイル電流検出抵抗で、
これら励磁コイル１０４および励磁コイル電流検
出抵抗１０５と前記ダイオード１０３とは並列に
接続されている。励磁コイル１０４の励磁コイル
インピーダンスは等価抵抗Ｒと等価インダクタン
スＬとで置き換えることができる。
置の励磁コイル、１０５はこの励磁コイル１０４
と直列に接続された励磁コイル電流検出抵抗で、
これら励磁コイル１０４および励磁コイル電流検
出抵抗１０５と前記ダイオード１０３とは並列に
接続されている。励磁コイル１０４の励磁コイル
インピーダンスは等価抵抗Ｒと等価インダクタン
スＬとで置き換えることができる。
１０６はコンパレータで、このコンパレータ１
０６の負入力端子は前記励磁コイル１０４とコイ
ル電流検出抵抗１０５との接続点に接続され、正
入力端子は抵抗６１を介して電流指令信号ISの入
力端子に接続されていると共に、抵抗６２を介し
てコンパレータ１０６自身の出力端子に接続され
ている。
０６の負入力端子は前記励磁コイル１０４とコイ
ル電流検出抵抗１０５との接続点に接続され、正
入力端子は抵抗６１を介して電流指令信号ISの入
力端子に接続されていると共に、抵抗６２を介し
てコンパレータ１０６自身の出力端子に接続され
ている。
また、この出力端子は、抵抗７１を介して信号
変換用トランジスタ１０７のベースに接続されて
おり、トランジスタ１０７のコレクタは抵抗７２
を介してトランジスタ１０２のベースに接続され
ている。
変換用トランジスタ１０７のベースに接続されて
おり、トランジスタ１０７のコレクタは抵抗７２
を介してトランジスタ１０２のベースに接続され
ている。
なお、１１，６３はそれぞれ、比較器１、コン
パレータ１０６の設定用抵抗である。
パレータ１０６の設定用抵抗である。
このように構成された電流制御装置１００にお
いては、電流制御の最大偏差がコンパレータヒス
テリシスで決定される。
いては、電流制御の最大偏差がコンパレータヒス
テリシスで決定される。
後述の如く電流偏差を少なくすると、励磁コイ
ル１０４の等価抵抗Ｒによる電圧降下、即ち仮想
励磁コイル抵抗電圧VRが、励磁コイル１０４の
平均電圧VAVEとほぼ等しくなる。（理由は後述す
る。） 平滑フイルタ２の入力端子に対して、パルス幅
変調された励磁コイル電圧VCを入力することに
より、その出力端子から仮想励磁コイル抵抗電圧
VRの平均値を得ることができる。
ル１０４の等価抵抗Ｒによる電圧降下、即ち仮想
励磁コイル抵抗電圧VRが、励磁コイル１０４の
平均電圧VAVEとほぼ等しくなる。（理由は後述す
る。） 平滑フイルタ２の入力端子に対して、パルス幅
変調された励磁コイル電圧VCを入力することに
より、その出力端子から仮想励磁コイル抵抗電圧
VRの平均値を得ることができる。
更に、平滑フイルタ２の出力を仮想励磁コイル
抵抗電圧の瞬時値VRとも等しくすることができ
る。そのためには、平滑フイルタ２の回路時定数
を励磁コイル１０４の回路時定数と同じにすれば
良い。（理由は後述する。） このようにすれば、平滑フイルタが過度時にも
追従できるのはもちろんである。
抵抗電圧の瞬時値VRとも等しくすることができ
る。そのためには、平滑フイルタ２の回路時定数
を励磁コイル１０４の回路時定数と同じにすれば
良い。（理由は後述する。） このようにすれば、平滑フイルタが過度時にも
追従できるのはもちろんである。
なお、主トランジスタ１０２のかわりに他の半
導体スイツチ素子であるサイリスタ、ゲートター
ンオフサイリスタ、電界効果形トランジスタ等を
用いても良い。
導体スイツチ素子であるサイリスタ、ゲートター
ンオフサイリスタ、電界効果形トランジスタ等を
用いても良い。
第２図は上記過熱検出器のタイムチヤート図で
あり、第２図ａは各部の電流について示し、ISは
電流指令信号、IS′はコンパレータ基準電圧、Ic
は励磁コイル電流瞬時波形である。
あり、第２図ａは各部の電流について示し、ISは
電流指令信号、IS′はコンパレータ基準電圧、Ic
は励磁コイル電流瞬時波形である。
また第２図ｂは各部の電圧について示し、VC
は励磁コイル電圧、VRは仮想励磁コイル抵抗電
圧（即ち、励磁コイル１０４のコイルインピーダ
ンスを等価抵抗Ｒと等価インダクタンスＬに置き
換えた時の、等価抵抗Ｒの端子電圧）であつて、
これらの差分（VC−VR）は励磁コイルインダク
タンス分電圧となり、電流リツプルを生じること
になる。
は励磁コイル電圧、VRは仮想励磁コイル抵抗電
圧（即ち、励磁コイル１０４のコイルインピーダ
ンスを等価抵抗Ｒと等価インダクタンスＬに置き
換えた時の、等価抵抗Ｒの端子電圧）であつて、
これらの差分（VC−VR）は励磁コイルインダク
タンス分電圧となり、電流リツプルを生じること
になる。
なお、VDCは電源電圧、Tonは主トランジスタ
１０２のオン時間、TCはスイツチング周期であ
る。
１０２のオン時間、TCはスイツチング周期であ
る。
更に、第２図ｃは、平滑フイルタ２で検出され
る仮想励磁コイル抵抗電圧を示すものであつて、
VRは瞬時値、VAVEは平均値である。
る仮想励磁コイル抵抗電圧を示すものであつて、
VRは瞬時値、VAVEは平均値である。
第１図における電流制御装置１００及び平滑フ
イルタ２の動作について、再説する。
イルタ２の動作について、再説する。
第一に、電流偏差を少なくすると、励磁コイル
１０４の等価抵抗Ｒによる仮想励磁コイル抵抗電
圧VRが、励磁コイル１０４の励磁コイル平均電
圧VAVEとほぼ等しくなる理由は、凡そ以下の通
りである。
１０４の等価抵抗Ｒによる仮想励磁コイル抵抗電
圧VRが、励磁コイル１０４の励磁コイル平均電
圧VAVEとほぼ等しくなる理由は、凡そ以下の通
りである。
励磁コイル平均電圧VAVEは、第２図ｂのオン
時間TON及びオフ時間TOFF（TC−TON）を用いて表
すと、下記式の通りとなる。
時間TON及びオフ時間TOFF（TC−TON）を用いて表
すと、下記式の通りとなる。
VAVE＝TON／TON＋TOFF・Vdc ……
一方、励磁コイル１０４と励磁コイル電流検出
抵抗１０５との直列回路については、TON時に、 式： ＬdIC／dt＝Vdc−VR−Vrl （Vrlは励磁コイル電流検出抵抗１０５による電
圧降下） が成立する。
抵抗１０５との直列回路については、TON時に、 式： ＬdIC／dt＝Vdc−VR−Vrl （Vrlは励磁コイル電流検出抵抗１０５による電
圧降下） が成立する。
したがつて、TON時の電流変化率は、Vrlを無視
すると、 ΔI／ΔT≒Vdc−VR／Ｌ，∴ΔI≒Vdc−VR／ＬTON ∴TON≒LΔI／Vdc−VR …… TOFFの電流変化率は、第２図ａを参照して、 −ΔI／ΔT≒−VR／Ｌ，∴ΔI≒VR／ＬTOFF ∴TOFF≒LΔI／VR …… 式に、式を代入すると、 VAVE≒Vdc×LΔI／Vdc−VR／LΔI／Vdc−VR＋LΔI／VR
＝Vdc×VR／VR（Vdc−VR）／VR＋（Vdc−VR）／VR（Vdc
−VR） ∴VAVE≒VR …… 第二に、励磁コイル電流ICは、〈平均値電流IO
＋電流リツプル分＞であると考えることが出来る
ので、この電流リツプル分が小さくて無視できる
ときは、次式が成立する。
すると、 ΔI／ΔT≒Vdc−VR／Ｌ，∴ΔI≒Vdc−VR／ＬTON ∴TON≒LΔI／Vdc−VR …… TOFFの電流変化率は、第２図ａを参照して、 −ΔI／ΔT≒−VR／Ｌ，∴ΔI≒VR／ＬTOFF ∴TOFF≒LΔI／VR …… 式に、式を代入すると、 VAVE≒Vdc×LΔI／Vdc−VR／LΔI／Vdc−VR＋LΔI／VR
＝Vdc×VR／VR（Vdc−VR）／VR＋（Vdc−VR）／VR（Vdc
−VR） ∴VAVE≒VR …… 第二に、励磁コイル電流ICは、〈平均値電流IO
＋電流リツプル分＞であると考えることが出来る
ので、この電流リツプル分が小さくて無視できる
ときは、次式が成立する。
IC≒IO
したがつて、仮想励磁コイル抵抗電圧VRは、
平均電流IOで表わすこともできる。即ち、 VR＝ICＲ≒IOＲ …… 尚、上記の電流リツプル分を小さくするには、
スイツチング周期（パルス幅変調周期）TCを短
くすれば良い。
平均電流IOで表わすこともできる。即ち、 VR＝ICＲ≒IOＲ …… 尚、上記の電流リツプル分を小さくするには、
スイツチング周期（パルス幅変調周期）TCを短
くすれば良い。
第三に、平滑フイルタ２の回路時定数と励磁コ
イル１０４の回路時定数とを等しくすると、平滑
フイルタ２の出力が、前記仮想励磁コイル抵抗電
圧の瞬時値VRとも等しくできる理由は、凡そ以
下の通りである。
イル１０４の回路時定数とを等しくすると、平滑
フイルタ２の出力が、前記仮想励磁コイル抵抗電
圧の瞬時値VRとも等しくできる理由は、凡そ以
下の通りである。
励磁コイル抵抗電流検出抵抗１０４の抵抗値を
r1、平滑フイルタ２の直列抵抗値をr2、同じくコ
ンデンサの容量をＣ、比較器１の入力抵抗値を
r3、平滑フイルタ２の出力電圧をVF、演算子記
号をｓ（＝ｄ／dt）とすると、TON時には、次式
が成立する。励磁コイル１０４については、 ｛sL＋（Ｒ＋r1）｝i1＝VdcRi1＝VR i1を消去して、整頓すれば、 ｛sL＋（Ｒ＋r1）｝VR／Ｒ＝Vdc ｛sL／Ｒ＋（Ｒ＋r1）／Ｒ｝VR＝Vdc …… 平滑フイルタ２については、 〔r2＋１／sC＋１／r3〕i2＝Vdc １／sC＋１／r3×i2＝VF i2を消去して、整頓すると、 ｛r2（sC＋１／r3）＋１｝VF＝Vdc （sCr2＋r2／r3＋１）VF＝Vdc …… 、式の右辺は同値であり、左辺は演算子ｓ
について同形である。よつて、VRとVFとを瞬時
値においても等しくするには、両式の左辺のｓの
係数同士、定数項同士を互いに等しくするととも
に、VRとVFの初期条件を等しくしてやれば良い。
第一の条件は、次式によつて実現される。
r1、平滑フイルタ２の直列抵抗値をr2、同じくコ
ンデンサの容量をＣ、比較器１の入力抵抗値を
r3、平滑フイルタ２の出力電圧をVF、演算子記
号をｓ（＝ｄ／dt）とすると、TON時には、次式
が成立する。励磁コイル１０４については、 ｛sL＋（Ｒ＋r1）｝i1＝VdcRi1＝VR i1を消去して、整頓すれば、 ｛sL＋（Ｒ＋r1）｝VR／Ｒ＝Vdc ｛sL／Ｒ＋（Ｒ＋r1）／Ｒ｝VR＝Vdc …… 平滑フイルタ２については、 〔r2＋１／sC＋１／r3〕i2＝Vdc １／sC＋１／r3×i2＝VF i2を消去して、整頓すると、 ｛r2（sC＋１／r3）＋１｝VF＝Vdc （sCr2＋r2／r3＋１）VF＝Vdc …… 、式の右辺は同値であり、左辺は演算子ｓ
について同形である。よつて、VRとVFとを瞬時
値においても等しくするには、両式の左辺のｓの
係数同士、定数項同士を互いに等しくするととも
に、VRとVFの初期条件を等しくしてやれば良い。
第一の条件は、次式によつて実現される。
Ｌ／Ｒ＝Cr2，（Ｒ＋r1）／Ｒ＝r2／r3＋１
又は、Ｌ／Ｒ＋r1＝r2r3／r2＋r3Ｃ ……
式の左辺は、励磁コイル１０４と励磁コイル
電流検出抵抗１０５からなる直列回路の時定数、
右辺は、平滑フイルタ２の時定数である。
電流検出抵抗１０５からなる直列回路の時定数、
右辺は、平滑フイルタ２の時定数である。
第２の条件は、スイツチ投入時には、
VR＝０，VF＝０
であるから、自ら、充足されている。
又、TOFF時には、VCであるから、次式が成立
する。
する。
｛sL／Ｒ＋（Ｒ＋r1）／Ｒ｝VR＝０ ……′
（sCr2＋r2／r3＋１）VF＝０ ……′
VRとVFとを瞬時値においても等しくするには、
両式の時定数を等しくするとともに、VRとVFの
初期条件を等しくしてやればよい。第一の条件
は、すでに式によつて与えられている。
両式の時定数を等しくするとともに、VRとVFの
初期条件を等しくしてやればよい。第一の条件
は、すでに式によつて与えられている。
第二の条件は、先の第一、第二の条件によつて
結果的に与えられる。
結果的に与えられる。
以下同様にして、第二回目のターンオン時点以
後においても、VR＝VFが保証されることになる。
後においても、VR＝VFが保証されることになる。
第３図は一般的な、温度Taに対する励磁コイ
ル抵抗Rtの特性曲線の一例を示す。図において
R100は温度100度の時のコイル抵抗、R200は、温
度200度の時のコイル抵抗である。
ル抵抗Rtの特性曲線の一例を示す。図において
R100は温度100度の時のコイル抵抗、R200は、温
度200度の時のコイル抵抗である。
第４図は比較器設定曲線図で、ISは電流指令信
号、VAVEは励磁コイル平均電圧である。第４図
の判定ラインＡは、温度上昇上限値が例えば180
℃における仮想励磁コイル抵抗について設定され
る。適宜の電流指令値をISX、励磁コイル平均電
圧をVSとすると、判定ラインＡは、点（ISX、VS）
と原点とを通る曲線 VAVE＝（VS／ISX）IS によつて与えられる。
号、VAVEは励磁コイル平均電圧である。第４図
の判定ラインＡは、温度上昇上限値が例えば180
℃における仮想励磁コイル抵抗について設定され
る。適宜の電流指令値をISX、励磁コイル平均電
圧をVSとすると、判定ラインＡは、点（ISX、VS）
と原点とを通る曲線 VAVE＝（VS／ISX）IS によつて与えられる。
そうすると、この判定ライＡは電流指令信号IS
と共に増減する曲線となり、判定ラインＡの上側
（VAVE＞（VS／ISX）IS）は過熱、下側は（VAVE＜
（VS／ISX）IS）正常となる。従つて、比較器１に
おいては、電流瞬時変化に応動した仮想励磁コイ
ル抵抗電圧VRと電流指令信号ISとを比較すること
になり、瞬時に応答する過熱検出が可能になる。
と共に増減する曲線となり、判定ラインＡの上側
（VAVE＞（VS／ISX）IS）は過熱、下側は（VAVE＜
（VS／ISX）IS）正常となる。従つて、比較器１に
おいては、電流瞬時変化に応動した仮想励磁コイ
ル抵抗電圧VRと電流指令信号ISとを比較すること
になり、瞬時に応答する過熱検出が可能になる。
第５図は演算増幅器を用いた平滑フイルタ２の
他の回路例を示している。図において、３は励磁
コイル、２４は演算増幅器、２０１〜２０４はそ
の設定用抵抗、２０５〜２０６は設定用コンデン
サである。
他の回路例を示している。図において、３は励磁
コイル、２４は演算増幅器、２０１〜２０４はそ
の設定用抵抗、２０５〜２０６は設定用コンデン
サである。
電磁クラツチなどの場合、励磁コイルが入力軸
または出力軸のいずれかの回転部と一体構造とな
つて、回転部分へ装着される場合がある。その場
合には励磁コイル電流の供給のためにスリツプリ
ングとブラシが付加される。この時仮想コイル抵
抗電圧を得るための平滑フイルタ２の出力端子か
らは、ブラシ電圧降下を含んだものが得られる。
または出力軸のいずれかの回転部と一体構造とな
つて、回転部分へ装着される場合がある。その場
合には励磁コイル電流の供給のためにスリツプリ
ングとブラシが付加される。この時仮想コイル抵
抗電圧を得るための平滑フイルタ２の出力端子か
らは、ブラシ電圧降下を含んだものが得られる。
第６図はトランジスタ１０９の電圧降下、還流
ダイオード１０３の電圧降下、ブラシ４１，４２
の電圧降下がある場合についての他の実施例を示
し、図中、トランジスタ１０９、ブラシ４１，４
２、抵抗１１０および定電圧ダイオード２３の外
は第１図に示す構成と同様であるため、対応する
部分には同一符号を付して、その説明を省略す
る。
ダイオード１０３の電圧降下、ブラシ４１，４２
の電圧降下がある場合についての他の実施例を示
し、図中、トランジスタ１０９、ブラシ４１，４
２、抵抗１１０および定電圧ダイオード２３の外
は第１図に示す構成と同様であるため、対応する
部分には同一符号を付して、その説明を省略す
る。
ブラシ４１，４２の電圧降下は温度や電流値に
無関係にほぼ一定値であり、トランジスタ１０９
や還流ダイオード１０３は順方向降下分がそのま
ま出力電圧に影響する。そのため定電圧ダイオー
ド２３の順方向降下に対してはブラシ４１，４２
の電圧降下およびトランジスタ１０９の電圧降下
が相殺され、定電圧ダイオード２３の逆方向降下
に対しては還流ダイオード１０３の電圧降下が相
殺される。
無関係にほぼ一定値であり、トランジスタ１０９
や還流ダイオード１０３は順方向降下分がそのま
ま出力電圧に影響する。そのため定電圧ダイオー
ド２３の順方向降下に対してはブラシ４１，４２
の電圧降下およびトランジスタ１０９の電圧降下
が相殺され、定電圧ダイオード２３の逆方向降下
に対しては還流ダイオード１０３の電圧降下が相
殺される。
従つて前記所望の仮想コイル抵抗平均電圧に対
する誤差分であるブラシ４１，４２、トランジス
タ１０９および還流ダイオード１０３の電圧降下
を相殺することができるので仮想コイル平均電圧
の検出精度が良くなる。
する誤差分であるブラシ４１，４２、トランジス
タ１０９および還流ダイオード１０３の電圧降下
を相殺することができるので仮想コイル平均電圧
の検出精度が良くなる。
以上のようにこの発明によれば、入力軸と出力
軸との摩擦係合部に近接して設けられ、通電によ
り入出力軸間を摩擦係合させる励磁コイルと、こ
の励磁コイル電流をオンオフ制御する電流制御装
置と、励磁コイル平均電圧側ち仮想コイル抵抗電
圧を検出するフイルタと、仮想コイル抵抗電圧と
電流指令信号との比較を行う比較器とを備え、該
比較器は、温度上昇上限値における励磁コイル電
流および励磁コイル平均電圧とから予め決定され
る判定曲線により摩擦係合部の過熱検出を行うよ
うに構成したので、温度検出器を用いずに過熱検
出が行え、特に、スイツチング式電流制御装置か
ら給電されているものでも容易に過熱検出が可能
であり、しかも刻々と変化する電流指令信号にも
追従し常時過熱検出が可能である等の効果があ
る。
軸との摩擦係合部に近接して設けられ、通電によ
り入出力軸間を摩擦係合させる励磁コイルと、こ
の励磁コイル電流をオンオフ制御する電流制御装
置と、励磁コイル平均電圧側ち仮想コイル抵抗電
圧を検出するフイルタと、仮想コイル抵抗電圧と
電流指令信号との比較を行う比較器とを備え、該
比較器は、温度上昇上限値における励磁コイル電
流および励磁コイル平均電圧とから予め決定され
る判定曲線により摩擦係合部の過熱検出を行うよ
うに構成したので、温度検出器を用いずに過熱検
出が行え、特に、スイツチング式電流制御装置か
ら給電されているものでも容易に過熱検出が可能
であり、しかも刻々と変化する電流指令信号にも
追従し常時過熱検出が可能である等の効果があ
る。
第１図はこの発明の実施例による電磁連結装置
の過熱検出器の回路構成図、第２図は第１図の電
磁連結装置の過熱検出器の動作を説明するための
タイムチヤート図、第３図は励磁コイル抵抗の温
度特性曲線図、第４図は比較器設定曲線図、第５
図は平滑フイルタの回路例を説明する回路図、第
６図は他の実施例を示す回路構成図、第７図は、
周知のパウダクラツチの一例を示す縦断面図であ
る。 １……比較器、２……フイルタ、２３……定電
圧ダイオード、１００……電磁連結装置の電流制
御装置、１０１……電源、１０２…主トランジス
タ、１０３……還流ダイオード、１０４……励磁
コイル、１０５……コイル電流検出抵抗、１０６
……コンパレータ、１０７……信号変換用トラン
ジスタ、IS……電流指令信号、１Ｃ……励磁コイ
ル、２Ｃ……入力軸、３Ｃ……出力軸、４Ｃ……
摩擦係合部、φ……磁束。なお、図中同一符号は
同一または相当部分を示す。
の過熱検出器の回路構成図、第２図は第１図の電
磁連結装置の過熱検出器の動作を説明するための
タイムチヤート図、第３図は励磁コイル抵抗の温
度特性曲線図、第４図は比較器設定曲線図、第５
図は平滑フイルタの回路例を説明する回路図、第
６図は他の実施例を示す回路構成図、第７図は、
周知のパウダクラツチの一例を示す縦断面図であ
る。 １……比較器、２……フイルタ、２３……定電
圧ダイオード、１００……電磁連結装置の電流制
御装置、１０１……電源、１０２…主トランジス
タ、１０３……還流ダイオード、１０４……励磁
コイル、１０５……コイル電流検出抵抗、１０６
……コンパレータ、１０７……信号変換用トラン
ジスタ、IS……電流指令信号、１Ｃ……励磁コイ
ル、２Ｃ……入力軸、３Ｃ……出力軸、４Ｃ……
摩擦係合部、φ……磁束。なお、図中同一符号は
同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力軸とこの入力軸に摩擦係合して連結され
る出力軸との摩擦係合部に近接して設けられ、通
電により前記入力軸と出力軸とを摩擦係合させる
励磁コイル１０４と、 電流指令信号ISに基づいて動作する半導体スイ
ツチ素子１０２を有し、前記励磁コイル１０４に
供給する動作電流をオンオフ制御する電流制御装
置１００と、 前記励磁コイル１０４の励磁コイル平均電圧
VAVE即ち仮想励磁コイル抵抗電圧VRを検出する
平滑フイルタ２と、 この平滑フイルタ２によつて得られる仮想励磁
コイル抵抗電圧VRと電流指令信号ISとの比較を行
う比較器１と を備え、 前記比較器１は、予め摩擦係合部の温度上昇上
限値において適宜に選んだ励磁コイル電流ISXお
よびこれに対応する励磁コイル平均電圧VSとか
らIS−VAVE座標系において点（ISX，VS）と原点
とを通るように決定した判定曲線Ａに基づいて任
意の電流指令信号ISとこれに対応する励磁コイル
平均電圧VAVEとによつて定まる点（IS，VAVE）が
前記判定曲線Ａよりも上になつた時に、出力端子
から前記摩擦係合部の過熱検出信号を出力するよ
うに構成した ことを特徴とする 電磁連結装置の過熱検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206532A JPS6098822A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 電磁機構の過熱検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206532A JPS6098822A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 電磁機構の過熱検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098822A JPS6098822A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0423487B2 true JPH0423487B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=16524925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206532A Granted JPS6098822A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 電磁機構の過熱検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098822A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0826909B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 車両用電磁クラッチの温度検出装置 |
| JP5035034B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2012-09-26 | トヨタ自動車株式会社 | クラッチ制御装置 |
| EP3014136B1 (en) * | 2013-06-27 | 2018-05-30 | Volvo Truck Corporation | Automatic clutch calibration |
| JP6556497B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2019-08-07 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石制御装置及び電磁石制御方法 |
| WO2016181919A1 (ja) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石装置、電磁石制御装置、電磁石制御方法、および電磁石システム |
| JP6473042B2 (ja) * | 2015-05-11 | 2019-02-20 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石装置 |
| JP6530693B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2019-06-12 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石制御装置および電磁石システム |
| JP6964039B2 (ja) | 2018-04-20 | 2021-11-10 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石制御装置および電磁石システム |
| JP7222848B2 (ja) | 2019-08-26 | 2023-02-15 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石制御装置および電磁石システム |
| KR102581053B1 (ko) * | 2021-04-28 | 2023-09-20 | 현대로템 주식회사 | Mr댐퍼 온도 측정방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50161656A (ja) * | 1974-06-18 | 1975-12-27 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123738U (ja) * | 1980-02-18 | 1981-09-21 |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58206532A patent/JPS6098822A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50161656A (ja) * | 1974-06-18 | 1975-12-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6098822A (ja) | 1985-06-01 |
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