JPH04231322A - 硫酸アンモニウムの結晶粒径を増大させる方法および装置 - Google Patents
硫酸アンモニウムの結晶粒径を増大させる方法および装置Info
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- JPH04231322A JPH04231322A JP3209269A JP20926991A JPH04231322A JP H04231322 A JPH04231322 A JP H04231322A JP 3209269 A JP3209269 A JP 3209269A JP 20926991 A JP20926991 A JP 20926991A JP H04231322 A JPH04231322 A JP H04231322A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01B17/00—Sulfur; Compounds thereof
- C01B17/96—Methods for the preparation of sulfates in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は平均粒度約０．５ｍｍ程度の硫酸
アンモニウム結晶を、平均粒度が少くとも約１．０ｍｍ
までに増大させる方法および装置に関するものである。
アンモニウム結晶を、平均粒度が少くとも約１．０ｍｍ
までに増大させる方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】硫酸アンモニウムの製造は工業的に重要
な方法であって、厖大な特許文献および非特許文献の対
象となっている。例えば、米国特許１２６６２１２号、
１９１９７０７号、２０４３０６７号、２０９２０７３
号、２０９９０７９号、２１０２１０７号、２１７８０
８２号、２２２６１０１号、２２２８７４２号、２３６
８９０１号、２４２３７９４号、２４２４２０７号、２
５９９０６７号、２６３１０８４号、２６５９６５９号
、２７８２０９７号、２７９５４８７号、２８０５１２
５号、２８７４０２８号および２８９５８００号各明細
書、１９６７年６月３日刊、「インディアン、ケミカル
、エンジニア」９１９−９２０頁におけるパーカッシュ
の論稿「レジデンス、タイムズ、オブ、クリスタルズ、
イン、ア、フリュイダイズド、ベッド、クリスタライザ
ー」、１９６８年１月刊、「インディアン、ケミカル、
エンジニア」３−６頁におけるパーカッシュらによる論
稿「クリスタル、グロウス、イン、フリュイダイズド、
ベッド」、１９７０年２６号“Ｓｂ．Ｎａｎｃｈ．Ｔｖ
．，Ｋｕｚｂａｓ．Ｐｏｌｉｔｅｋｈ．Ｉｎｔ．”にお
けるウラゴフの論稿「インベスティゲイション、オブ、
アンモニアム、サルフェイト、クリスタライゼイション
、イン、ア、プソイド、リクイファイド、レア」、１９
８３年４号“Ｋｏｋｓｉｉ Ｋｈｉｍｉｙａ”２４−
２７頁におけるポストニュフらの論稿「クリスタライゼ
イション、オブ、アンモニウム、サルフェイト、イン、
ア、トウー、サーキット、デバイス、ウイズ、ア、サー
キュレイティング、サスペンジョン」が挙げられる。
な方法であって、厖大な特許文献および非特許文献の対
象となっている。例えば、米国特許１２６６２１２号、
１９１９７０７号、２０４３０６７号、２０９２０７３
号、２０９９０７９号、２１０２１０７号、２１７８０
８２号、２２２６１０１号、２２２８７４２号、２３６
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５号、２８７４０２８号および２８９５８００号各明細
書、１９６７年６月３日刊、「インディアン、ケミカル
、エンジニア」９１９−９２０頁におけるパーカッシュ
の論稿「レジデンス、タイムズ、オブ、クリスタルズ、
イン、ア、フリュイダイズド、ベッド、クリスタライザ
ー」、１９６８年１月刊、「インディアン、ケミカル、
エンジニア」３−６頁におけるパーカッシュらによる論
稿「クリスタル、グロウス、イン、フリュイダイズド、
ベッド」、１９７０年２６号“Ｓｂ．Ｎａｎｃｈ．Ｔｖ
．，Ｋｕｚｂａｓ．Ｐｏｌｉｔｅｋｈ．Ｉｎｔ．”にお
けるウラゴフの論稿「インベスティゲイション、オブ、
アンモニアム、サルフェイト、クリスタライゼイション
、イン、ア、プソイド、リクイファイド、レア」、１９
８３年４号“Ｋｏｋｓｉｉ Ｋｈｉｍｉｙａ”２４−
２７頁におけるポストニュフらの論稿「クリスタライゼ
イション、オブ、アンモニウム、サルフェイト、イン、
ア、トウー、サーキット、デバイス、ウイズ、ア、サー
キュレイティング、サスペンジョン」が挙げられる。
【０００３】硫酸アンモニウム結晶の静置によるケーキ
化傾向が結晶粒度の増大と共に低減されることは古くか
ら知られている。従って、大粒度の、例えば平均約１．
０ｍｍの硫酸アルミニウム結晶をもたらすことが、これ
ら多くの製造方法の最終的な目標であった。このような
結晶粒度の増大は、結晶方法の制御によるのが一般的で
あった。
化傾向が結晶粒度の増大と共に低減されることは古くか
ら知られている。従って、大粒度の、例えば平均約１．
０ｍｍの硫酸アルミニウム結晶をもたらすことが、これ
ら多くの製造方法の最終的な目標であった。このような
結晶粒度の増大は、結晶方法の制御によるのが一般的で
あった。
【０００４】本発明の一般的目的は、硫酸アンモニウム
結晶の粒度を増大させ、これにより結晶の貯蔵の間のケ
ーキ化を低減させる方法を提供することである。
結晶の粒度を増大させ、これにより結晶の貯蔵の間のケ
ーキ化を低減させる方法を提供することである。
【０００５】本発明のさらに具体的な目的は、硫酸アン
モニウム結晶粒度の増大およびこれに次ぐ粒度増大結晶
の乾燥を、処理の複数段階を通じて、加熱気体、例えば
空気の対向流に対向して材料結晶を降下させることによ
り達成する方法および装置を提供することである。
モニウム結晶粒度の増大およびこれに次ぐ粒度増大結晶
の乾燥を、処理の複数段階を通じて、加熱気体、例えば
空気の対向流に対向して材料結晶を降下させることによ
り達成する方法および装置を提供することである。
【０００６】
【発明の要約】しかるに上述した目的ならびにその他の
目的が、（ａ）約０．１５から約０．４５ｍｍの平均粒
度を有する硫酸アンモニウム材料結晶を、９５から１１
０℃の温度で硫酸アンモニウム濃水溶液と共に噴霧し、
供給される結晶の降下速度を減速させる気体向流に対向
して降下する結晶と、硫酸アンモニウム濃水溶液との接
触時間を、硫酸アンモニウム結晶の増大された平均粒度
が少くとも１．０ｍｍになるのに充分な時間とし、かつ
（ｂ）気体向流に対向して降下する、粒度が増大せしめ
られた硫酸アンモニウム結晶を１１０から１２５℃の温
度に加熱して、その含有水分を約１重量％を超えないよ
うに減少させる工程を有する、硫酸アンモニウム結晶粒
度を増大させる方法ならびに（ａ）一方端から硫酸アン
モニウム材料結晶を受領し、他方端から含有水分が比較
的多く、粒度が増大せしめられた硫酸アンモニウム結晶
を排出する第１室、（ｂ）供給される硫酸アンモニウム
の各結晶のなるべく多くが、硫酸アンモニウム水溶液と
接触するように、この硫酸アンモニウム水溶液を上記第
１室内に噴霧する装置、（ｃ）硫酸アンモニウム結晶の
流れに対向する気体流を上記第１室内に生起させる装置
、（ｄ）上記第１室において硫酸アンモニウム材料結晶
を加熱して、少くともこれが硫酸アンモニウム水溶液と
接触したとき、この溶液が供給された材料結晶上におい
て少くとも部分的に乾燥して、粒度が増大せしめられ、
含有水分が比較的多い硫酸アンモニウム結晶をもたらす
装置、（ｅ）一方端において上記第１室から排出された
、粒度が増大せしめられ、含有水分が比較的多い硫酸ア
ンモニウム結晶を受領し、他方端において粒度が増大せ
しめられ、乾燥された硫酸アンモニウム結晶を排出する
第２室、（ｆ）粒度が増大せしめられた硫酸アンモニウ
ム結晶の流れに対向する気体流を上記第２室内に生起さ
せる装置、（ｇ）上記第２室において、粒度が増大せし
められた硫酸アンモニウム結晶を加熱して結晶含有水分
を減少させる装置、（ｈ）一方端において上記第２室か
ら排出された、粒度が増大せしめられ、含有水分が減少
せしめられた硫酸アンモニウム結晶を、気体の装置外部
への著しい漏洩を阻止するに足る量で受領する第３室、
および（ｉ）粒度が増大せしめられ、含有水分が減少せ
しめられた硫酸アンモニウム結晶を上記第３室から搬出
する輸送装置を有する、硫酸アンモニウム結晶粒度を増
大させる装置により達成されることが本発明者らにより
見出された。
目的が、（ａ）約０．１５から約０．４５ｍｍの平均粒
度を有する硫酸アンモニウム材料結晶を、９５から１１
０℃の温度で硫酸アンモニウム濃水溶液と共に噴霧し、
供給される結晶の降下速度を減速させる気体向流に対向
して降下する結晶と、硫酸アンモニウム濃水溶液との接
触時間を、硫酸アンモニウム結晶の増大された平均粒度
が少くとも１．０ｍｍになるのに充分な時間とし、かつ
（ｂ）気体向流に対向して降下する、粒度が増大せしめ
られた硫酸アンモニウム結晶を１１０から１２５℃の温
度に加熱して、その含有水分を約１重量％を超えないよ
うに減少させる工程を有する、硫酸アンモニウム結晶粒
度を増大させる方法ならびに（ａ）一方端から硫酸アン
モニウム材料結晶を受領し、他方端から含有水分が比較
的多く、粒度が増大せしめられた硫酸アンモニウム結晶
を排出する第１室、（ｂ）供給される硫酸アンモニウム
の各結晶のなるべく多くが、硫酸アンモニウム水溶液と
接触するように、この硫酸アンモニウム水溶液を上記第
１室内に噴霧する装置、（ｃ）硫酸アンモニウム結晶の
流れに対向する気体流を上記第１室内に生起させる装置
、（ｄ）上記第１室において硫酸アンモニウム材料結晶
を加熱して、少くともこれが硫酸アンモニウム水溶液と
接触したとき、この溶液が供給された材料結晶上におい
て少くとも部分的に乾燥して、粒度が増大せしめられ、
含有水分が比較的多い硫酸アンモニウム結晶をもたらす
装置、（ｅ）一方端において上記第１室から排出された
、粒度が増大せしめられ、含有水分が比較的多い硫酸ア
ンモニウム結晶を受領し、他方端において粒度が増大せ
しめられ、乾燥された硫酸アンモニウム結晶を排出する
第２室、（ｆ）粒度が増大せしめられた硫酸アンモニウ
ム結晶の流れに対向する気体流を上記第２室内に生起さ
せる装置、（ｇ）上記第２室において、粒度が増大せし
められた硫酸アンモニウム結晶を加熱して結晶含有水分
を減少させる装置、（ｈ）一方端において上記第２室か
ら排出された、粒度が増大せしめられ、含有水分が減少
せしめられた硫酸アンモニウム結晶を、気体の装置外部
への著しい漏洩を阻止するに足る量で受領する第３室、
および（ｉ）粒度が増大せしめられ、含有水分が減少せ
しめられた硫酸アンモニウム結晶を上記第３室から搬出
する輸送装置を有する、硫酸アンモニウム結晶粒度を増
大させる装置により達成されることが本発明者らにより
見出された。
【０００７】
【発明の構成】以下に本発明による硫酸アンモニウム結
晶粒度を増大させる装置の実施例を、これを略図的に示
す図１により具体的に説明する。
晶粒度を増大させる装置の実施例を、これを略図的に示
す図１により具体的に説明する。
【０００８】図１に示されるように、硫酸アンモニウム
結晶の粒度を増大させる装置１０が、３室を有する竪型
カラムとして構成され、硫酸アンモニウム材料結晶１１
は、その頂部ホッパー１２から導入され、粒度が増大せ
しめられ、乾燥された硫酸アンモニウム結晶１３は、そ
の底部排出口１４から排出される。装置１０は、第１室
、すなわち噴霧室１５を有し、ここで原料結晶粒子の増
大が行なわれる。導入弁１８により制御される導入口１
７から上記室１５内に導入され、降下する硫酸アンモニ
ウム原料結晶１１に対向して、硫酸アンモニウム飽和水
溶液は、上方に向けられた環状噴霧ヘッド１６から上方
に向かう溶液小滴として上記室１５内に導入される。 材料結晶の室１５内における平均滞留時間は、ブロワ１
９により生起せしめられる気体、好ましくは空気の向流
の圧力を適宜に制御して調整される。気体向流は、第２
室、すなわち乾燥室２０の底部から導管２１を経て導入
され、第２室２０および第１室１５を上方に向けて通過
し、ブロワ１９の在る帯域２２を経由し、帯域２３から
第２室底部に至る連続的な循環流として維持される。こ
の気体向流は、その循環流に沿う適当な位置において、
適当な手段、例えば本実施例では第２室を包囲する蒸気
蛇管２４により加熱される。この比較的高湿度の気体は
弁２６により制御される導管２５から適宜装置外に排出
され、弁２８により制御される導管２７から比較的低湿
度の気体が導入される。
結晶の粒度を増大させる装置１０が、３室を有する竪型
カラムとして構成され、硫酸アンモニウム材料結晶１１
は、その頂部ホッパー１２から導入され、粒度が増大せ
しめられ、乾燥された硫酸アンモニウム結晶１３は、そ
の底部排出口１４から排出される。装置１０は、第１室
、すなわち噴霧室１５を有し、ここで原料結晶粒子の増
大が行なわれる。導入弁１８により制御される導入口１
７から上記室１５内に導入され、降下する硫酸アンモニ
ウム原料結晶１１に対向して、硫酸アンモニウム飽和水
溶液は、上方に向けられた環状噴霧ヘッド１６から上方
に向かう溶液小滴として上記室１５内に導入される。 材料結晶の室１５内における平均滞留時間は、ブロワ１
９により生起せしめられる気体、好ましくは空気の向流
の圧力を適宜に制御して調整される。気体向流は、第２
室、すなわち乾燥室２０の底部から導管２１を経て導入
され、第２室２０および第１室１５を上方に向けて通過
し、ブロワ１９の在る帯域２２を経由し、帯域２３から
第２室底部に至る連続的な循環流として維持される。こ
の気体向流は、その循環流に沿う適当な位置において、
適当な手段、例えば本実施例では第２室を包囲する蒸気
蛇管２４により加熱される。この比較的高湿度の気体は
弁２６により制御される導管２５から適宜装置外に排出
され、弁２８により制御される導管２７から比較的低湿
度の気体が導入される。
【０００９】第１室１５内の原料結晶がこれと接触する
硫酸アンモニウム飽和水溶液から追加的硫酸アンモニウ
ム結晶を堆積させるに従って、その見掛け密度が増大し
て、材料結晶を室内滞留状態に維持しようとする気体向
流の揚挙作用を凌駕し、その結果粒度が増大せしめられ
、しかも含有水分が比較的多い硫酸アンモニウム結晶が
第１室１５から通路２９を経て第２室２０まで降下し、
ここで加熱気体向流がさらに結晶中の水分を駆出して実
質的にこれを乾燥状態に至らしめるに充分な時間、その
降下速度を減速させる。粒度が増大せしめられ、乾燥さ
れた硫酸アンモニウム結晶は、第２室２０から通路３０
（向流気体入口２１）を経て第３室、すなわち堆積室３
２まで降下する。この第３室３１は円錐状底部３２を有
するのが好ましく、ここに粒度が増大せしめられ、乾燥
された硫酸アンモニウム結晶１３が堆積する。この結晶
の堆積は、加圧向流気体の本発明装置１０からの漏洩を
阻止する。この第３室３１内に硫酸アンモニウムのレベ
ルセンサ３３を設置するのが好ましく、これにより堆積
する生成結晶のレベルを検知して、向流気体の漏洩に対
抗し、これを阻止する最小限度の結晶堆積を維持する。 この堆積結晶レベルがあらかじめ決定されているレベル
以下になると、すなわち第３室３１からの結晶の排出速
度が第２室からの粒度が増大せしめられた乾燥結晶の供
給速度を上廻わると、このセンサは警報信号を出して、
生成結晶搬出コンベアベルト３４の速度を減速して、円
錐状底部３２における生成結晶堆積レベルの回復を待つ
。同様にしてレベルセンサ３３は生成結晶の第３室３１
内における過度の堆積を検知して、コンベアベルト３４
の速度を加速して、結晶堆積が所望のレベルを再達成す
るまで生成結晶１３の排出速度を高める。この場合、信
号発生、処理、制御手段を備えた公知慣用のレベルセン
サ装置を使用するのが好ましい。
硫酸アンモニウム飽和水溶液から追加的硫酸アンモニウ
ム結晶を堆積させるに従って、その見掛け密度が増大し
て、材料結晶を室内滞留状態に維持しようとする気体向
流の揚挙作用を凌駕し、その結果粒度が増大せしめられ
、しかも含有水分が比較的多い硫酸アンモニウム結晶が
第１室１５から通路２９を経て第２室２０まで降下し、
ここで加熱気体向流がさらに結晶中の水分を駆出して実
質的にこれを乾燥状態に至らしめるに充分な時間、その
降下速度を減速させる。粒度が増大せしめられ、乾燥さ
れた硫酸アンモニウム結晶は、第２室２０から通路３０
（向流気体入口２１）を経て第３室、すなわち堆積室３
２まで降下する。この第３室３１は円錐状底部３２を有
するのが好ましく、ここに粒度が増大せしめられ、乾燥
された硫酸アンモニウム結晶１３が堆積する。この結晶
の堆積は、加圧向流気体の本発明装置１０からの漏洩を
阻止する。この第３室３１内に硫酸アンモニウムのレベ
ルセンサ３３を設置するのが好ましく、これにより堆積
する生成結晶のレベルを検知して、向流気体の漏洩に対
抗し、これを阻止する最小限度の結晶堆積を維持する。 この堆積結晶レベルがあらかじめ決定されているレベル
以下になると、すなわち第３室３１からの結晶の排出速
度が第２室からの粒度が増大せしめられた乾燥結晶の供
給速度を上廻わると、このセンサは警報信号を出して、
生成結晶搬出コンベアベルト３４の速度を減速して、円
錐状底部３２における生成結晶堆積レベルの回復を待つ
。同様にしてレベルセンサ３３は生成結晶の第３室３１
内における過度の堆積を検知して、コンベアベルト３４
の速度を加速して、結晶堆積が所望のレベルを再達成す
るまで生成結晶１３の排出速度を高める。この場合、信
号発生、処理、制御手段を備えた公知慣用のレベルセン
サ装置を使用するのが好ましい。
【００１０】上述した硫酸アンモニウム結晶の粒度増大
方法における特定の操作処理条件は、広い範囲で変えら
れることができ、特に臨界的なものではない。これら条
件は、硫酸アンモニウム原料結晶のそれぞれの場合にお
ける粒度、形状および密度ならびに生成物としての結晶
の所望の増大粒度および乾燥度を考慮して、簡単な現場
で常時行なわれる実験により最適のものになされ得る。 平均粒度が約０．２１から約０．４２ｍｍの原料結晶、
すなわち一般的に粒度が過小で不適とされる硫酸アンモ
ニウム結晶が、本発明による方法および装置を使用する
ことにより、粒度が最小限１．０ｍｍ、一般的には最小
限１．３ｍｍ、残留水分が５重量％を超えない、一般的
には１重量％を超えない結晶が容易にもたらされ得る。
方法における特定の操作処理条件は、広い範囲で変えら
れることができ、特に臨界的なものではない。これら条
件は、硫酸アンモニウム原料結晶のそれぞれの場合にお
ける粒度、形状および密度ならびに生成物としての結晶
の所望の増大粒度および乾燥度を考慮して、簡単な現場
で常時行なわれる実験により最適のものになされ得る。 平均粒度が約０．２１から約０．４２ｍｍの原料結晶、
すなわち一般的に粒度が過小で不適とされる硫酸アンモ
ニウム結晶が、本発明による方法および装置を使用する
ことにより、粒度が最小限１．０ｍｍ、一般的には最小
限１．３ｍｍ、残留水分が５重量％を超えない、一般的
には１重量％を超えない結晶が容易にもたらされ得る。
【００１１】結晶粒度増大処理の１実施例において、第
１室１５における気体向流速度を約０．１５から約２．
０ｐｓｉｇ、ことに約０．１６から約０．１８ｐｓｉｇ
の圧力をもたらすように、また第２室２０において約０
．３３から約０．３９ｐｓｉｇ、ことに約０．３５から
約０．３７ｐｓｉｇの圧力をもたらし得るように設定し
た。この範囲の圧力は、従って気体向流速度は、室１５
および２０内における硫酸アンモニウム結晶の降下速度
を減速させて結晶のこれら室内における適当な滞留時間
をもたらした。すなわち第１室１５内において原料結晶
が予定された平均粒度に達成するまでの時間、第２室２
０内において粒度が増大せしめられた結晶を予定された
残存水分割合まで乾燥させ得るまでの時間滞留させるこ
とができた。第１室１５および第２室２０の温度も、加
熱手段、例えば水蒸気蛇管２４により、室１５内の湿潤
結晶から水分を蒸散させ、室２０内において生成結晶１
３をもたらすように結晶を適当に乾燥させるに必要な程
度に制御され得る。室１５内における向流気体温度を約
９５から約１１５℃、ことに約１００から約１１０℃、
室２０内における向流気体温度を約１１０から約１２５
℃、ことに約１００から１１５℃に制御できる。装置１
０の規模により異なるが、毎時生産量を約４５．４ｋｇ
（１００ポンド）から約４５３．６ｋｇ（１０００ポン
ド）、ことに約２２６．８ｋｇ（５００ポンド）から約
３１７．５ｋｇ（７００ポンド）とすることは容易であ
る。
１室１５における気体向流速度を約０．１５から約２．
０ｐｓｉｇ、ことに約０．１６から約０．１８ｐｓｉｇ
の圧力をもたらすように、また第２室２０において約０
．３３から約０．３９ｐｓｉｇ、ことに約０．３５から
約０．３７ｐｓｉｇの圧力をもたらし得るように設定し
た。この範囲の圧力は、従って気体向流速度は、室１５
および２０内における硫酸アンモニウム結晶の降下速度
を減速させて結晶のこれら室内における適当な滞留時間
をもたらした。すなわち第１室１５内において原料結晶
が予定された平均粒度に達成するまでの時間、第２室２
０内において粒度が増大せしめられた結晶を予定された
残存水分割合まで乾燥させ得るまでの時間滞留させるこ
とができた。第１室１５および第２室２０の温度も、加
熱手段、例えば水蒸気蛇管２４により、室１５内の湿潤
結晶から水分を蒸散させ、室２０内において生成結晶１
３をもたらすように結晶を適当に乾燥させるに必要な程
度に制御され得る。室１５内における向流気体温度を約
９５から約１１５℃、ことに約１００から約１１０℃、
室２０内における向流気体温度を約１１０から約１２５
℃、ことに約１００から１１５℃に制御できる。装置１
０の規模により異なるが、毎時生産量を約４５．４ｋｇ
（１００ポンド）から約４５３．６ｋｇ（１０００ポン
ド）、ことに約２２６．８ｋｇ（５００ポンド）から約
３１７．５ｋｇ（７００ポンド）とすることは容易であ
る。
【図１】本発明方法を実施するための装置を示す概略図
である。
である。
１０…本発明装置
１１…硫酸アンモニウム材料結晶
１３…生成結晶
１５…第１室（噴霧室）
１６…環状噴霧ヘッド
１９…ブロワ
２０…第２室（乾燥室）
２４…（加熱用）水蒸気蛇管
３３…（堆積結晶の）レベルセンサ
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）約０．１５から約０．４５ｍｍ
の平均粒度を有する硫酸アンモニウム材料結晶を、９５
から１１０℃の温度で硫酸アンモニウム濃水溶液と共に
噴霧し、供給される結晶の降下速度を減速させる気体向
流に対向して降下する結晶と、硫酸アンモニウム濃水溶
液との接触時間を、硫酸アンモニウム結晶の増大された
平均粒度が少くとも１．０ｍｍになるのに充分な時間と
し、かつ（ｂ）気体向流に対向して降下する、粒度が増
大せしめられた硫酸アンモニウム結晶を１１０から１２
５℃の温度に加熱して、その含有水分を約１重量％を超
えないように減少させる工程を有する、硫酸アンモニウ
ム結晶粒度を増大させる方法。 - 【請求項２】 （ａ）一方端から硫酸アンモニウム材
料結晶を受領し、他方端から含有水分が比較的多く、粒
度が増大せしめられた硫酸アンモニウム結晶を排出する
第１室、（ｂ）供給される硫酸アンモニウムの各結晶の
なるべく多くが、硫酸アンモニウム水溶液と接触するよ
うに、この硫酸アンモニウム水溶液を上記第１室内に噴
霧する装置、（ｃ）硫酸アンモニウム結晶の流れに対向
する気体流を上記第１室内に生起させる装置、（ｄ）上
記第１室において硫酸アンモニウム材料結晶を加熱して
、少くともこれが硫酸アンモニウム水溶液と接触したと
き、この溶液が供給された材料結晶上において少くとも
部分的に乾燥して、粒度が増大せしめられ、含有水分が
比較的多い硫酸アンモニウム結晶をもたらす装置、（ｅ
）一方端において上記第１室から排出された、粒度が増
大せしめられ、含有水分が比較的多い硫酸アンモニウム
結晶を受領し、他方端において粒度が増大せしめられ、
乾燥された硫酸アンモニウム結晶を排出する第２室、（
ｆ）粒度が増大せしめられた硫酸アンモニウム結晶の流
れに対向する気体流を上記第２室内に生起させる装置、
（ｇ）上記第２室において、粒度が増大せしめられた硫
酸アンモニウム結晶を加熱して結晶含有水分を減少させ
る装置、（ｈ）一方端において上記第２室から排出され
た、粒度が増大せしめられ、含有水分が減少せしめられ
た硫酸アンモニウム結晶を、気体の装置外部への著しい
漏洩を阻止するに足る量で受領する第３室、および（ｉ
）粒度が増大せしめられ、含有水分が減少せしめられた
硫酸アンモニウム結晶を上記第３室から搬出する輸送装
置を有する、硫酸アンモニウム結晶粒度を増大させる装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57420590A | 1990-08-28 | 1990-08-28 | |
| US574205 | 1990-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04231322A true JPH04231322A (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=24295123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209269A Ceased JPH04231322A (ja) | 1990-08-28 | 1991-08-21 | 硫酸アンモニウムの結晶粒径を増大させる方法および装置 |
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| JP (1) | JPH04231322A (ja) |
| KR (1) | KR0166374B1 (ja) |
| DE (1) | DE69119516T2 (ja) |
| ES (1) | ES2086446T3 (ja) |
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