JPH04230065A - 冷却構造 - Google Patents
冷却構造Info
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- JPH04230065A JPH04230065A JP2415323A JP41532390A JPH04230065A JP H04230065 A JPH04230065 A JP H04230065A JP 2415323 A JP2415323 A JP 2415323A JP 41532390 A JP41532390 A JP 41532390A JP H04230065 A JPH04230065 A JP H04230065A
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- Japan
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- integrated circuit
- block
- heat dissipation
- refrigerant
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- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 45
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- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷却構造に係り、特に
基板上に実装された集積回路素子（以下、ＬＳＩと称す
る）にスタッドを当接させ、当該スタッドを介して冷媒
との熱伝導を行って当該ＬＳＩの冷却を行う冷却構造に
関するものである。
基板上に実装された集積回路素子（以下、ＬＳＩと称す
る）にスタッドを当接させ、当該スタッドを介して冷媒
との熱伝導を行って当該ＬＳＩの冷却を行う冷却構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は図１０に示すように、基板２０上
にバンプ２２を介して実装されたＬＳＩ２１に対し、そ
の基板２０を図１０図中上方から覆うようにフランジ２
５およびシール材２６を介して放熱ブロック２４を配置
する。そして、基板側と反対の面には、冷媒が流動する
冷媒通路３０をその内部に有するコールドプレート２３
を配置する。尚、コールドプレート２３に形成された冷
媒通路３０の両端には配管接続用のカプラ３１ａ，３１
ｂが形成されていると共に、各別部材の間には密着性を
高めるために図示しないがサーマルコンパウンドが塗布
されている。
にバンプ２２を介して実装されたＬＳＩ２１に対し、そ
の基板２０を図１０図中上方から覆うようにフランジ２
５およびシール材２６を介して放熱ブロック２４を配置
する。そして、基板側と反対の面には、冷媒が流動する
冷媒通路３０をその内部に有するコールドプレート２３
を配置する。尚、コールドプレート２３に形成された冷
媒通路３０の両端には配管接続用のカプラ３１ａ，３１
ｂが形成されていると共に、各別部材の間には密着性を
高めるために図示しないがサーマルコンパウンドが塗布
されている。
【０００３】上記放熱ブロック２４にはスタッド２７が
ＬＳＩ２１の実装位置に対応して設けられる。このスタ
ッド２７は図１１に示されるように、円柱状で一方向に
所定長のスリット２８が形成されており、スリット２８
が形成された面の中心にはテーパネジ穴３２が穿孔され
ており、テーパネジ２９によってスリット２８が形成さ
れ一部分割されたスタッド２７を放熱ブロック２４の壁
面に押圧するようにして、放熱ブロック２４とスタッド
２７の接触面積を確保している。
ＬＳＩ２１の実装位置に対応して設けられる。このスタ
ッド２７は図１１に示されるように、円柱状で一方向に
所定長のスリット２８が形成されており、スリット２８
が形成された面の中心にはテーパネジ穴３２が穿孔され
ており、テーパネジ２９によってスリット２８が形成さ
れ一部分割されたスタッド２７を放熱ブロック２４の壁
面に押圧するようにして、放熱ブロック２４とスタッド
２７の接触面積を確保している。
【０００４】従って、ＬＳＩ２１の冷却を行う時、ＬＳ
Ｉ２１から発された熱はまずスタッド２７に伝わった後
放熱ブロック２４に伝わり、放熱ブロック２４と接触す
るコールドプレート２３の冷媒との間で熱交換が行われ
、ＬＳＩの冷却が行われるようになっている。
Ｉ２１から発された熱はまずスタッド２７に伝わった後
放熱ブロック２４に伝わり、放熱ブロック２４と接触す
るコールドプレート２３の冷媒との間で熱交換が行われ
、ＬＳＩの冷却が行われるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、放熱ブロックとスタッドとが当接する部分は
スリットが形成された付近のみであったため、熱伝導率
が必ずしも良いとはいえなかった。このため、スリッド
の長さを長くすれば放熱ブロックと接触面積の増大を図
ることはできるが、これではモジュールが大型化となっ
てしまうという問題があった。
構造では、放熱ブロックとスタッドとが当接する部分は
スリットが形成された付近のみであったため、熱伝導率
が必ずしも良いとはいえなかった。このため、スリッド
の長さを長くすれば放熱ブロックと接触面積の増大を図
ることはできるが、これではモジュールが大型化となっ
てしまうという問題があった。
【０００６】従って、本発明は、モジュールを大型化を
図ることなく、放熱ブロックとスタッド間の接触面積の
増大を図るようにすることを目的とするものである。
図ることなく、放熱ブロックとスタッド間の接触面積の
増大を図るようにすることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板１上に
実装された集積回路素子２の実装位置に対応してスタッ
ド４を配置し、該集積回路素子２と面接触する該スタッ
ド４を介して冷媒と熱交換を行うことで当該集積回路素
子２を冷却する冷却構造において、前記スタッド４を多
面体とし、該スタッド４を面接触にて収納すると共に、
前記冷媒が流動する冷媒通路７ａを有する放熱ブロック
３を設け、該放熱ブロック３を前記集積回路素子２の実
装位置に対応して配置することで、当該集積回路素子２
の冷却を行うことを特徴とする冷却構造、によって達成
することができる。
実装された集積回路素子２の実装位置に対応してスタッ
ド４を配置し、該集積回路素子２と面接触する該スタッ
ド４を介して冷媒と熱交換を行うことで当該集積回路素
子２を冷却する冷却構造において、前記スタッド４を多
面体とし、該スタッド４を面接触にて収納すると共に、
前記冷媒が流動する冷媒通路７ａを有する放熱ブロック
３を設け、該放熱ブロック３を前記集積回路素子２の実
装位置に対応して配置することで、当該集積回路素子２
の冷却を行うことを特徴とする冷却構造、によって達成
することができる。
【０００８】
【作用】即ち、本発明においては、ＬＳＩと接触するス
タッドを多面体とし、当該スタッドと該スタッドを収納
する放熱ブロックと接触する部分が全て面接触とするこ
とで、熱伝導面積が増大する。よって、冷却能率が向上
することに伴い、モジュールを最小限の大きさに止める
ことができる。
タッドを多面体とし、当該スタッドと該スタッドを収納
する放熱ブロックと接触する部分が全て面接触とするこ
とで、熱伝導面積が増大する。よって、冷却能率が向上
することに伴い、モジュールを最小限の大きさに止める
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施例について図１
乃至図９を用いて詳細に説明する。
乃至図９を用いて詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の第１の実施例を示す図であ
り、図２は放熱ブロック斜視図であり、図３は放熱ブッ
ロク組立平面図であり、図４は本発明の第２の実施例を
示す図であり、図５は放熱ブロック斜視図であり、図６
は放熱ブッロク組立平面図であり、図７は本発明の第３
の実施例を示す図であり、図８は放熱ブロック斜視図で
あり、図９は放熱ブッロク組立平面図である。
り、図２は放熱ブロック斜視図であり、図３は放熱ブッ
ロク組立平面図であり、図４は本発明の第２の実施例を
示す図であり、図５は放熱ブロック斜視図であり、図６
は放熱ブッロク組立平面図であり、図７は本発明の第３
の実施例を示す図であり、図８は放熱ブロック斜視図で
あり、図９は放熱ブッロク組立平面図である。
【００１１】図１乃至図９において、同一符号を付した
ものは同一対象物をそれぞれ示すものである。
ものは同一対象物をそれぞれ示すものである。
【００１２】まず、第１の実施例について図１乃至図３
を用いて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＳＩ２
を実装した基板１に対して、フランジ９およびボルト１
０を介して熱伝導性に優れた材質からなる放熱ブロック
３が取り付けられている。この放熱ブロック３にはその
内部に冷媒の通り道となる冷媒通路７が設けられており
、冷媒通路７の末端には配管接続用のカプラ１１ａ，１
１ｂが形成されている。一方、放熱ブロック３には、基
板１上に実装されたＬＳＩ２の実装位置に対応してスタ
ッド４が設けられ、ネジ１２にて放熱ブロック３と締結
されている。
を用いて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＳＩ２
を実装した基板１に対して、フランジ９およびボルト１
０を介して熱伝導性に優れた材質からなる放熱ブロック
３が取り付けられている。この放熱ブロック３にはその
内部に冷媒の通り道となる冷媒通路７が設けられており
、冷媒通路７の末端には配管接続用のカプラ１１ａ，１
１ｂが形成されている。一方、放熱ブロック３には、基
板１上に実装されたＬＳＩ２の実装位置に対応してスタ
ッド４が設けられ、ネジ１２にて放熱ブロック３と締結
されている。
【００１３】図２は上記放熱ブロックの斜視図であって
、冷媒の通り道となる縦水路７ｂおよび横水路７ａから
なるＨ状の冷媒通路７が形成されている。上記横水路７
ａに関しては、後述説明するスタッド４が収納されない
場所に穿孔されるものであって、その水路７ａの両端に
はセン１５によって封止されている。またこの冷媒通路
７は基板１上に実装されるＬＳＩ２の列方向に対応して
それぞれ一列ずつ設けられるものであるから、横水路７
ａの両端にはシール材１４が取り付けられる。上記放熱
ブロック３はＬＳＩ２の実装位置に対応して凹部を有す
る櫛歯状となっており、この凹部に四角体である熱伝導
性に優れたスタッド４が収納される。このスタッド４と
放熱ブロック３との接点（放熱面３ａ）は面接触が行わ
れるよう互いに平面となっている。またこのスタッド４
はＬＳＩ２と当接する部分（ＬＳＩ当接面４ａ）につて
も面接触が行われるように平面となっている。このスタ
ッド４を放熱ブロック３に取り付けるには、上記放熱面
３ａに垂直となる方向からネジ１２を、スタッド４に穿
孔された長穴８に挿入して締結される。この長穴８に挿
入され、放熱ブロック３に当該スタッド４をネジ１２に
て締結する位置を適宜選択することで、ＬＳＩ２の実装
上のバラツキの許容が行われる。
、冷媒の通り道となる縦水路７ｂおよび横水路７ａから
なるＨ状の冷媒通路７が形成されている。上記横水路７
ａに関しては、後述説明するスタッド４が収納されない
場所に穿孔されるものであって、その水路７ａの両端に
はセン１５によって封止されている。またこの冷媒通路
７は基板１上に実装されるＬＳＩ２の列方向に対応して
それぞれ一列ずつ設けられるものであるから、横水路７
ａの両端にはシール材１４が取り付けられる。上記放熱
ブロック３はＬＳＩ２の実装位置に対応して凹部を有す
る櫛歯状となっており、この凹部に四角体である熱伝導
性に優れたスタッド４が収納される。このスタッド４と
放熱ブロック３との接点（放熱面３ａ）は面接触が行わ
れるよう互いに平面となっている。またこのスタッド４
はＬＳＩ２と当接する部分（ＬＳＩ当接面４ａ）につて
も面接触が行われるように平面となっている。このスタ
ッド４を放熱ブロック３に取り付けるには、上記放熱面
３ａに垂直となる方向からネジ１２を、スタッド４に穿
孔された長穴８に挿入して締結される。この長穴８に挿
入され、放熱ブロック３に当該スタッド４をネジ１２に
て締結する位置を適宜選択することで、ＬＳＩ２の実装
上のバラツキの許容が行われる。
【００１４】図３は上記放熱ブロック３を基板１上のＬ
ＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を示すもの
で、複数の放熱ブロック３・・・を組み合わせることで
（本例では４本）コールドプレート１７が形成される。 カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢印に沿って
各放熱ブロック３・・・内の冷媒通路７（即ち、横水路
７ａおよび縦水路７ｂ）を通ってカプラ１１ｂに排出さ
れる。尚、１６は各放熱ブロック３・・・を締結するボ
ルトであって、図１のボルト穴１３に挿入される。
ＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を示すもの
で、複数の放熱ブロック３・・・を組み合わせることで
（本例では４本）コールドプレート１７が形成される。 カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢印に沿って
各放熱ブロック３・・・内の冷媒通路７（即ち、横水路
７ａおよび縦水路７ｂ）を通ってカプラ１１ｂに排出さ
れる。尚、１６は各放熱ブロック３・・・を締結するボ
ルトであって、図１のボルト穴１３に挿入される。
【００１５】上記の構成において、ＬＳＩ２の冷却はま
ずこのＬＳＩ２と面接触にて当接するスタッド４にサー
マルコンパウンド５を介して伝導され、このスタッド４
と同じく面接触にて当接する放熱ブロック３へと伝導さ
れる。そして、冷媒との熱交換が行われ、かかるＬＳＩ
２の冷却が行われる。
ずこのＬＳＩ２と面接触にて当接するスタッド４にサー
マルコンパウンド５を介して伝導され、このスタッド４
と同じく面接触にて当接する放熱ブロック３へと伝導さ
れる。そして、冷媒との熱交換が行われ、かかるＬＳＩ
２の冷却が行われる。
【００１６】次に、第２の実施例について図４乃至図６
を用いて説明する。尚、第１の実施例と同一構成を有す
る部分についてはその説明を省略する。
を用いて説明する。尚、第１の実施例と同一構成を有す
る部分についてはその説明を省略する。
【００１７】図４および図５に示すように、本実施例が
先の第１の実施例と異なる点は、放熱ブロック３’内に
形成される冷媒通路７が第１の実施例ではスタッド４を
介さず形成されていた点に代えて、その冷媒通路７がス
タッド４’内を通るようにしたことに違いがある。構成
的には、放熱ブロック３’上については、櫛歯状となっ
てスタッド４’を収納する部分を貫通するよう横水路７
ａ’を形成すると共に、スタッド４’についても放熱ブ
ロック３’上の放熱面３ａと平行となる位置に貫通穴を
穿孔する。そして，それら放熱ブロック３’とスタッド
４’との水路となる部分についてはシール対策としてシ
ールミゾ１５が形成され、そのミゾ１５にシール材１４
が取り付けられる。
先の第１の実施例と異なる点は、放熱ブロック３’内に
形成される冷媒通路７が第１の実施例ではスタッド４を
介さず形成されていた点に代えて、その冷媒通路７がス
タッド４’内を通るようにしたことに違いがある。構成
的には、放熱ブロック３’上については、櫛歯状となっ
てスタッド４’を収納する部分を貫通するよう横水路７
ａ’を形成すると共に、スタッド４’についても放熱ブ
ロック３’上の放熱面３ａと平行となる位置に貫通穴を
穿孔する。そして，それら放熱ブロック３’とスタッド
４’との水路となる部分についてはシール対策としてシ
ールミゾ１５が形成され、そのミゾ１５にシール材１４
が取り付けられる。
【００１８】図６は上記放熱ブロック３’・・・を基板
１上のＬＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を
示すもので、複数の放熱ブロック３’・・・を組み合わ
せることで（本例では４本）コールドプレート１７が形
成される。カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢
印に沿って各放熱ブロック３’・・・内の冷媒通路７（
即ち、横水路７ａ’および縦水路７ｂ）を通ってカプラ
１１ｂに排出される。この図をみれば一目瞭然の如く冷
媒の横水路７ａ’となる部分がスタッド４’を貫通して
形成されていることが分かる。尚、１６は各放熱ブロッ
ク３’・・・を締結するボルトであって、図４のボルト
穴１３に挿入される。
１上のＬＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を
示すもので、複数の放熱ブロック３’・・・を組み合わ
せることで（本例では４本）コールドプレート１７が形
成される。カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢
印に沿って各放熱ブロック３’・・・内の冷媒通路７（
即ち、横水路７ａ’および縦水路７ｂ）を通ってカプラ
１１ｂに排出される。この図をみれば一目瞭然の如く冷
媒の横水路７ａ’となる部分がスタッド４’を貫通して
形成されていることが分かる。尚、１６は各放熱ブロッ
ク３’・・・を締結するボルトであって、図４のボルト
穴１３に挿入される。
【００１９】本実施例では、先に説明した第１の実施例
と比較すると、放熱ブロック３’に伝わった熱が冷媒と
熱交換される距離が短くなるので、冷却能力が第１の実
施例と比較すると数段上昇する。
と比較すると、放熱ブロック３’に伝わった熱が冷媒と
熱交換される距離が短くなるので、冷却能力が第１の実
施例と比較すると数段上昇する。
【００２０】最後に第３の実施例を図７乃至図９を用い
て説明する。尚、第１の実施例および第２の実施例と同
一構成を有する部分についてはその説明を省略する。
て説明する。尚、第１の実施例および第２の実施例と同
一構成を有する部分についてはその説明を省略する。
【００２１】図７および図８に示すように、本実施例が
先の第１および第２の実施例と異なる点は、放熱ブロッ
ク５０に形成される冷媒通路７のうち、横水路となる部
分を第１の実施例の部分と第２の実施例の部分とを組み
合わせたものとなっている。従って、構成的にみても第
１の実施例の構成に第２の実施例の構成を付加にしたも
のとなっている。
先の第１および第２の実施例と異なる点は、放熱ブロッ
ク５０に形成される冷媒通路７のうち、横水路となる部
分を第１の実施例の部分と第２の実施例の部分とを組み
合わせたものとなっている。従って、構成的にみても第
１の実施例の構成に第２の実施例の構成を付加にしたも
のとなっている。
【００２２】図９は上記放熱ブロック５０を基板１上の
ＬＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を示すも
ので、複数の放熱ブロック５０・・・を組み合わせるこ
とで（本例では４本）コールドプレート１７が形成され
る。カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢印に沿
って各放熱ブロック５０内の冷媒通路７（即ち、横水路
７ａおよび７ａ’と縦水路７ｂ）を通ってカプラ１１ｂ
に排出される。この図をみれば一目瞭然の如く冷媒の横
水路となる部分がスタッド４’を貫通して形成されてい
る部分と貫通されていない部分に形成されることが分か
る。尚、１６は各放熱ブロック５０・・・を締結するボ
ルトであって、図７のボルト穴１３に挿入される。
ＬＳＩ２の実装位置に対応して組み立てた状態を示すも
ので、複数の放熱ブロック５０・・・を組み合わせるこ
とで（本例では４本）コールドプレート１７が形成され
る。カプラ１１ａから供給された冷媒は、図中矢印に沿
って各放熱ブロック５０内の冷媒通路７（即ち、横水路
７ａおよび７ａ’と縦水路７ｂ）を通ってカプラ１１ｂ
に排出される。この図をみれば一目瞭然の如く冷媒の横
水路となる部分がスタッド４’を貫通して形成されてい
る部分と貫通されていない部分に形成されることが分か
る。尚、１６は各放熱ブロック５０・・・を締結するボ
ルトであって、図７のボルト穴１３に挿入される。
【００２３】本実施４では、先に説明した第１の実施例
と第２の実施例と比較すると、冷媒が通る道が横水路だ
けをみれば２倍となったことから、横水路における冷媒
の流量を単純に２倍にすることができるため、冷却能力
が向上する。これは１枚の基板１に実装されるＬＳＩ数
は代わらなくとも、１個々のＬＳＩ２の発熱量が上昇し
た場合には、非常に有効な手段となる。
と第２の実施例と比較すると、冷媒が通る道が横水路だ
けをみれば２倍となったことから、横水路における冷媒
の流量を単純に２倍にすることができるため、冷却能力
が向上する。これは１枚の基板１に実装されるＬＳＩ数
は代わらなくとも、１個々のＬＳＩ２の発熱量が上昇し
た場合には、非常に有効な手段となる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、モジュール自体を小型化とし、重量を軽くしつつ、
冷却能力を向上することができるため、発明に寄与する
分野に対する影響が大きい。
ば、モジュール自体を小型化とし、重量を軽くしつつ、
冷却能力を向上することができるため、発明に寄与する
分野に対する影響が大きい。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】放熱ブロック斜視図である。
【図３】放熱ブロック組立平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図５】放熱ブロック斜視図である。
【図６】放熱ブロック組立平面図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図８】放熱ブロック斜視図である。
【図９】放熱ブロック組立平面図である。
【図１０】従来例を示す図である。
【図１１】スタッド分解図である。
１：基板
２：集積回路素子（ＬＳＩ） ３，３’，５０：放熱ブロック ４，４’：スタ
ッド７：冷媒通路
７ａ，７ａ’：縦水路 ７ｂ：横水路
８：長穴１２：ネジ
２：集積回路素子（ＬＳＩ） ３，３’，５０：放熱ブロック ４，４’：スタ
ッド７：冷媒通路
７ａ，７ａ’：縦水路 ７ｂ：横水路
８：長穴１２：ネジ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）の実装位置に対応してスタッド（４）を配置し
、該集積回路素子（２）と面接触する該スタッド（４）
を介して冷媒と熱交換を行うことで当該集積回路素子（
２）を冷却する冷却構造において、前記スタッド（４）
を多面体とし、該スタッド（４）を面接触にて収納する
と共に、前記冷媒が流動する冷媒通路（７ａ）を有する
放熱ブロック（３）を設け、該放熱ブロック（３）を前
記集積回路素子（２）の実装位置に対応して前記基板（
１）上に配置することで、当該集積回路素子（２）の冷
却を行うことを特徴とする冷却構造。 - 【請求項２】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）の実装位置に対応してスタッド（４’）を配置
し、該スタッド（４’）を介して冷媒と熱交換を行うこ
とで当該集積回路素子（２）を冷却する冷却構造におい
て、前記スタッド（４’）を多面体とし、該スタッド（
４’）を収納すると共に、前記冷媒が流動する冷媒通路
（７ａ’）が当該スタッド（４’）を介して形成される
放熱ブロック（３’）を設け、該放熱ブロック（３’）
を前記集積回路素子（２）の実装位置に対応して前記基
板（１）上に配置することで、当該集積回路素子（２）
の冷却を行うことを特徴とする冷却構造。 - 【請求項３】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）の実装位置に対応してスタッド（４’）を配置
し、該スタッド（４’）を介して冷媒と熱交換を行うこ
とで当該集積回路素子（２）を冷却する冷却構造におい
て、前記スタッド（４’）を多面体とし、該スタッド（
４’）を収納すると共に、前記冷媒が流動する冷媒通路
が当該スタッド（４’）を介して形成される第１の冷媒
通路（７ａ’）と、当該スタッド（４’）を介さず形成
される第２の冷媒通路（７ａ）とから構成された放熱ブ
ロック（５０）を設け、該放熱ブロック（５０）を前記
集積回路素子（２）の実装位置に対応して配置すること
で当該集積回路素子（２）の冷却を行うことを特徴とす
る冷却構造。 - 【請求項４】 前記スタッド（４），（４’）には長
穴（８）を穿孔し、当該長穴（８）を貫通する締結手段
（１２）をもって前記放熱ブロック（３），（３’），
（５０）に当該スタッド（４），（４’）を固着してな
ることを特徴とする請求項１および請求項２および請求
項３記載の冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415323A JPH04230065A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415323A JPH04230065A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230065A true JPH04230065A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18523698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415323A Withdrawn JPH04230065A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04230065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2392010A (en) * | 2002-06-18 | 2004-02-18 | Bosch Gmbh Robert | Semiconductor module cooling device |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2415323A patent/JPH04230065A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2392010A (en) * | 2002-06-18 | 2004-02-18 | Bosch Gmbh Robert | Semiconductor module cooling device |
| US6822865B2 (en) | 2002-06-18 | 2004-11-23 | Robert Bosch Gmbh | Cooling device for semiconductor modules |
| GB2392010B (en) * | 2002-06-18 | 2005-04-13 | Bosch Gmbh Robert | Cooling device for semiconductor modules |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |