JPH04229757A - ディジタルループ伝送システム及びその回線のテスト回路 - Google Patents

ディジタルループ伝送システム及びその回線のテスト回路

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JPH04229757A
JPH04229757A JP3108111A JP10811191A JPH04229757A JP H04229757 A JPH04229757 A JP H04229757A JP 3108111 A JP3108111 A JP 3108111A JP 10811191 A JP10811191 A JP 10811191A JP H04229757 A JPH04229757 A JP H04229757A
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circuit
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバを用いたデ
ィジタルループ伝送システム及び終端のファイバリンク
を経て加入者構内に至るペア線のテスト回路に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバは、センタ局とリモートター
ミナルとの間のディジタル信号送信に好都合な媒体であ
る。最近、加入者構内もしくはその近傍にディスタント
ターミナルをセットアップし、光ファイバリンクにより
これらディスタントターミナルをリモートターミナルに
接続することにより、電話サービス供給者は光ファイバ
の利用をリモートターミナルより先の部分にも拡げるよ
うになった。このディスタントターミナルは、ファイバ
からのディジタル信号を通常のアナログ信号に変換する
ものである。ディスタントターミナルより先の部分にお
いて、ペア線または「ドロップ」線が顧客構内に延びサ
ービスを提供する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】リモートターミナルと
ディスタントターミナルとの間に光ファイバリンクを設
置することにより、加入者への情報量は飛躍的に増加す
るが、障害状態の測定をする場合に顧客のペア線への電
気的アクセスができないという問題が生じる。
【0004】加入者回線の電気的テストを行うための現
在の方法は、例えば米国特許第4,270、030号明
細書に記載されているように、テストを行う際にセンタ
局とリモートターミナルの間にディジタルリンクをバイ
パスするペア線を設けることである。この方法は、セン
タ局とリモートターミナル間に通常行われているような
何千という顧客にサービスが提供されている場合にも実
施できるものである。しかし、ディスタントターミナル
に至る各ファイバに対して、ペア線を設けると極端にコ
ストが高くなる。本発明は、ディスタントターミナルに
至る光ファイバを使用したディジタルループ伝送システ
ムにおいても顧客構内のペア線をテストできる手段を提
供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、ディジタル
ループ伝送システムを、センタ局ターミナルと、このセ
ンタ局ターミナルに光学的及び電気的に結合されたリモ
ートターミナルと、このリモートターミナルと光学的に
結合されたディスタントターミナルから構成する。
【0006】さらにこのシステムは、ディスタントター
ミナルを経て延びる回線のテスト手段とこのテスト結果
をリモートターミナルに光学的に伝送する手段をディス
タントターミナルに有する。リモートターミナルは、さ
らにテスト結果を特性抵抗に変換する手段を有し、この
特性抵抗をセンタ局ターミナルによって電気的にアクセ
スできるようにする。
【0007】さらに本発明の特徴はペア線を電気的にテ
ストする回路にある。少なくとも2つの値を有する定電
流を生成する回路手段が備えられている。また、2つの
分枝を有し、この2つの分枝における電圧を比較するた
めの手段を有するブリッジ回路を備えている。さらにこ
の回路は回線の少なくとも1つをブリッジ回路の分枝に
結合する手段を有する。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1は本発明の一実施例による基本ディジタル
ル−プ伝送システムを示す。図1において、センタ局は
、センタ局スイッチ10とタ−ミナル11からなり、タ
−ミナル11はリモ−トターミナル12と光学的及び電
気的に結合され双方向ディジタル信号伝送を行う。ディ
ジタル信号は一般に光ファイバにより送られるが、ペア
線13がタ−ミナル間に設けられて、テストのための電
気的バイパスを提供する。
【0009】このペア線13は、米国特許第4、270
、030号明細書に示されているようなペア利得テスト
制御装置14に結合され、このペア利得テスト制御装置
14は機械化ル−プテスタ(MLT)15により制御さ
れる。リモ−トタ−ミナル12は、光リンク17により
ディスタントタ−ミナル16に接続される。ディスタン
トタ−ミナル16はペア線により複数の加入者と結合さ
れる。その1つをここではペア線18として図示する。
【0010】本実施例の主たる特徴であるドロップテス
トモジュ−ル20はディスタントタ−ミナル16にプラ
グイン回路カ−ドとして設けられる。この回路は、以下
に詳述するように、種々の加入者へのペア線、例えばペ
ア線18をテストし、その結果を光デ−タビットの形で
、デ−タリンク21と光電インタフェ−ス22によりデ
ィスタントタ−ミナル16からリモートターミナル12
へ送り返すように設計されている。
【0011】リモ−トタ−ミナル12は、信号を受信す
る光電インタフェ−ス24とデ−タリンク23、及びデ
ィスタントタ−ミナル16からのデ−タビットに応答す
るリレ−によりペア線13のチップとリングに結合され
る複数の抵抗で構成される。これによりMLT15はこ
れら、抵抗の形でドロップ線テストの結果に電気的にア
クセスすることができる。
【0012】図2は、ドロップテストモジュ−ル20で
行われるテストシ−ケンスの一例を示す。第1のテスト
(FEMFと称する)はディスタントタ−ミナル16が
切り離されている場合の回線の電圧(外部電圧(for
eign voltage)と呼ばれる)の大きさを求
める。例えば、もしその電圧が10ボルト以上である場
合、回線は故障していると判断され、それ以降のテスト
は行わない。回線がそのテストをパスした場合、その回
線に漏洩があるかどうかをテストする。これは次のステ
ップで、ペア線18のチップとリングを互いに結合させ
、チップとリングからア−スへの結合抵抗が50kΩよ
り大きいかどうかを検査することにより行われる。もし
50kΩより大きくない場合、回線はこの第1の漏洩テ
ストに失敗してテストは終了する。もし回線がこのテス
ト(RR,T−GRD >50kΩ)にパスした場合、
回線はステップ3の第2の漏洩テストを受ける。
【0013】第2の漏洩テストでは、導線チップをア−
スに結合し、リングツウチップの抵抗を測定する。もし
この抵抗が再び50kΩより大きい場合、回線はテスト
をパスし次のテストに進む。このテストは「連続性テス
ト」としても知られているものであり、顧客のリンガ−
のキャパシタンスを測定することにより、顧客の電話の
リンガ−が接続されているかどうかを検査する。
【0014】リンガ−が接続されている場合、回線は全
てのテストをパスすることになる。リンガ−が接続され
ていない場合、回線テストは失敗で「リンガ−無(NO
  RINGER)」の表示が与えられる。ステップ3
において、抵抗が50kΩより大きくない場合、回線は
さらに実際に漏洩があるのかどうか、もしくは顧客の受
話器が外れているのかどうかをテストする必要がある。
【0015】図2の右側に分枝した部分はこれらのテス
トを示す。すなわち、次のテストでは、導線チップを再
び接地して、15ミリアンペアの電流で抵抗を測定する
。この測定値が650Ω以上の場合、もし受話器が外れ
ていたとしてもこの抵抗値を示すはずがないので、回線
には漏洩があると判断される。また抵抗値が650Ω未
満の場合、受話器が外れているかもしれないので、回線
を通る電流を1ミリアンペアとしてリングとチップ間の
抵抗を再度測定する。
【0016】この抵抗値が200Ω以下の場合、この抵
抗値を示す受話器の外れは同様に有り得ないので回線に
は漏洩があると判断される。またこの抵抗値が200Ω
を超える場合、もう一度1ミリアンペアでの抵抗値が1
5ミリアンペアでの抵抗値より60Ωを超える値だけ大
きいかどうかテストされる。60Ωを超える値だけ大き
い場合、受話器が外れていると判断される。またもしそ
うでないならば、受話器が外れていることは有り得ない
ので、漏洩があると判断される。以上がテストの手順で
ある。
【0017】これらのテストを実施するための回路の一
例を図3乃至図5に示す。図3は基本的には回路のドラ
イバ部分を示す。CMOSスイッチ100、101によ
り導線チップとリングからそれぞれ1ミリアンペアまた
は15ミリアンペアのいずれかを交互に送ることができ
る。CMOSスイッチ100、101の出力は、抵抗R
2 とR3 を介して演算増幅器102の反転入力に2
.5ボルトの基準電圧すなわちダイオ−ドD1 の電圧
を与える。
【0018】演算増幅器102の非反転入力は接地され
ている。演算増幅器102のフィ−ドバックル−プは抵
抗R7 、R6 及びR4 ならびに一対のダ−リント
ン接続バイポ−ラトランジスタQ1 とQ2 からなる
。演算増幅器102の反転入力の電圧をゼロボルトとす
るために、電流は抵抗R6 とトランジスタQ1 及び
Q2 を通り流れる。この電流は抵抗R8 を通り回路
の点Aに現れる。この点Aの印加電圧は−30ボルトで
ある。
【0019】0.1ミリアンペアまたは1.5ミリアン
ペアの基準電流は、CMOSスイッチ100またはCM
OSスイッチ101のいずれかをイネーブルとすること
により生ずる。この電流をR8 に加えることにより、
演算増幅器103、抵抗R9 、及びダーリントン接続
のバイポーラトランジスタQ3、Q4 からなる×10
電流ミラーを起動する。これにより、1ミリアンペアま
たは15ミリアンペアの電流が、導線Iソースから抵抗
R10を通り−30ボルトの点Bに流れる。
【0020】図4に示すように、導線Iソースに一定電
流を流すと、抵抗R15とR16とが1つの分枝を構成
するブリッジ回路の1つのノードにおいて電圧Vs を
生じる。他の分枝はソリッドステートリレー104、1
05のいずれかをイネーブルにすることにより、R24
またはR25のいずれかとチップ及びリングと表わされ
た導線上の顧客装置の負荷抵抗RL とにより形成され
る。導線チップは、ヒューズF1 、リレー接点K1B
、抵抗R42及びリレー接点K2 を介してR24、R
25と接続されたノードV1 と結合される。
【0021】導線リングはヒューズF2 、リレー接点
1C及び抵抗R43を介してノードV1 に接続される
。このノードにおける電圧V1 は、一方の分枝がダー
リントン接続のバイポーラトランジスタQ7 、Q8 
及び抵抗R18からなり、他方の分枝がダーリントン接
続のバイポーラトランジスタQ9 、Q10及び抵抗R
19からなる差動アンプにより、R15とR16とを結
合するノードにおける電圧V2と比較される。
【0022】この差動アンプの出力は、「COMP」と
表わさた部分にハイ電圧もしくはロー電圧として現われ
る。一定電流が、バイポーラトランジスタQ5、Q6 
からなる定電流源によりこの差動アンプを介して取出さ
れる。このバイポーラトランジスタQ5 、Q6 は、
そのベースが共に抵抗R21に結合され、そのエミッタ
が抵抗R22(Q5 に対し)と抵抗R23(Q6 に
対し)を介して−30ボルトの電圧に結合されている。
【0023】図3中の外部電圧テスト(FEMF<10
V)を行うには、CMOSスイッチ100を起動するこ
とにより1ミリアンペアの電流をIソースに生じさせる
。またソリッドステートリレー106によりIソースに
20ボルトツェーナーダイオードD2 を接続する。こ
のようにして、図4中の導線IソースのノードVs を
−20ボルトにする。ソリッドステートリレー104、
105の両者をディスエイブルにすればR15とR16
は等しいのでV2 は−10ボルトになる。
【0024】チップとリングとは、リレー接点K1B、
K1Cを閉とし、リレー接点K2 を開くことにより結
合される。チップとリングの電圧V1 は前述のトラン
ジスタQ7 乃至Q10からなる差動アンプにより−1
0ボルトの電圧V2 と比較される。そしてV1 <−
10ボルトの場合、差動アンプの電流はQ7 乃至Q8
 の分枝を通って流れ、COMPの出力はハイとなる。 これに対してV1 >−10ボルトの場合、電流はQ9
 乃至Q10を通って流れ、出力はローとなる。
【0025】次の漏洩テストは、今まで説明した回路の
基本的には同じ部分によって同様に行うことができる。 このように、図2に示す第1の漏洩テスト(RT,G 
−GRD>50kΩ)では、チップとリングはリレー接
点K1B、K1Cを閉じ、リレー接点K2 を開くこと
により再び結合される。1ミリアンペアの電流を生じさ
せるために、図3中のCMOSスイッチ100をイネー
ブルする。
【0026】一方、約50kΩのR24をチップ及びリ
ングに接続するために、図3中のソリッドステートリレ
ー106をディスエイブルし、ソリッドステートリレー
104をイネーブルする。従って、加入者回線の抵抗R
L が50kΩ以下の場合、電圧V1 はV2 以上と
なり、反対に加入者回線の抵抗RL が50kΩを超え
る場合、電圧V1 はV2 未満となる。
【0027】前述のように、V1 がV2 より小さい
場合、差動アンプの電流はQ7 乃至Q8 を通って流
れ、COMPにおける出力はハイとなる。一方V1 が
V2 以上の場合には、電流はQ9 乃至Q10を通っ
て流れ、出力はローとなる。第2の漏洩テスト(RTR
>50kΩ)は、リレー接点K2 が閉じられてチップ
が接地される点以外は同じ手順で行われる。
【0028】次の漏洩テスト(RTR<650Ω)では
、Iソースに15ミリアンペアの定電流を生じるよう図
3中のCMOSスイッチ101をイネーブルする。また
、抵抗R25が導線リングに結合されるようソリッドス
テートリレー105をイネーブルし、ソリッドステート
リレー104をディスエーブルする。このときチップは
リレー接点K2 により接地されたままである。R25
は約650Ωであるので、前述のように2つの電圧V1
 とV2 を比較するCOMPに生ずる出力は、加入者
回線の抵抗が650Ωより大きいか小さいかを表わす。
【0029】以下のテストのために、ソリッドステート
リレー117をイネーブルすることにより、R25がチ
ップ及びリングに結合された場合に生ずる電圧V1 が
、演算増幅器107の入力に結合される。演算増幅器1
07の出力は、抵抗R32とR33で(この場合は1/
15で)分圧された後、サンプル&ホールド集積回路1
08に結合される。その結果得られた電圧は、後の使用
のためコンデンサC10により蓄積される。
【0030】次の漏洩テスト(RTR>200Ω)では
、Iソースの電流は1ミリアンペアに戻され、R25は
引き続き導線チップとリングに結合される。その結果得
られた電圧V1 は、ソリッドステートリレー117に
より演算増幅器107に結合されるが、また演算増幅器
107の出力はコンパレータ109の非反転入力に結合
される。コンパレータ109は、この入力をR30とR
31の比、たとえば約8、7と比較する。R30とR3
1を電圧−5ボルトに結合すると、RL が200オー
ム以下の場合、「ショート」と表示された導線にコンパ
レータ109は信号を出力するが、RL が200Ωを
超える場合、信号は出力しない。
【0031】最後の漏洩テスト(R1 −R15>60
Ω)は、次のように実施される。すなわち、15ミリア
ンペアで行われた漏洩テスト(RTR<650Ω)によ
りコンデンサC10に蓄積された電圧と演算増幅器10
7の出力とを比較して実施される。抵抗R35に加えら
れた+2.5ボルトの基準電圧は、107の出力から抵
抗60Ωに相当する値を差し引く。
【0032】その結果得られた信号がコンパレータ11
0の反転入力に加えられる一方、コンデンサC10に蓄
積された電圧がサンプル&ホールド回路108を介して
非反転入力に加えられる。反転(−)入力における信号
が非反転(+)入力の値より小さい場合、信号はROH
と表示された導線に現われて受話器外れを表わす。反転
入力における信号が非反転入力の信号以上の場合、RO
Hに信号は現れることなく、問題は漏洩であったことを
表わす。
【0033】顧客回線でのリンガーの有無についてのテ
ストは、チップとリングの間の静電容量の測定により行
われる。このテストは高電圧すなわち、コンデンサC3
 に蓄えられた約−120ボルトの電圧を使用して行う
。 この電圧は、リンギングすなわち図3中の導線「20H
z」に約20HzのAC信号を連続して加え、それをダ
イオードD3 で整流して得る。
【0034】この電圧はソリッドステートリレー112
をイネーブルにすることによりIソースに放電されるが
、負荷に送られるエネルギーはR11により制限され電
話が誤ってリンギングするのを防ぐ。この電圧は、ソリ
ッドステートリレー105を起動することにより、抵抗
R25を介して図4中の顧客回線のリンガー容量CL 
を充電する。ツェナーダイオードD4 、D5は回線の
電圧を−75ボルトに制限する。
【0035】−75ボルトの高電圧を使用することによ
り、コンデンサとこれに直列接続されたツェナーダイオ
ードを有する電子リンガーの十分な充電が可能となる。 同時に、ソリッドステートリレー111をイネーブルに
することにより、基準コンデンサC18、C8 を同じ
電圧Vs に充電する。ソリッドステートリレー112
、105、111をディスエイブルにしたとき、コンデ
ンサは電圧Vs から切り離される。
【0036】ソリッドステートリレー117をイネーブ
ルにすると、リンガー容量CL は合成抵抗約50kΩ
の抵抗R26、R27を通り放電する。同時に基準コン
デンサC18、C8 は約50kΩのR16を通り放電
する。ある時間経過後、通常約10ミリ秒の後、電圧V
1 、V2 は前述したようにコンパレータにより比較
される。V1 がV2 を超える場合、回線にリンガー
が存在する。
【0037】このタイプのテスト回路において、回路の
コンポーネントに損害を与え得る導線チップとリングで
の過度のACまたは正の電圧を確実になくすことが望ま
しい。また、この回路には、前述の一連のテストに先だ
って導線チップとリングを高電圧に対してプレスクリー
ニングする手段が設けられている。このプレスクリーニ
ングは、導線チップとリングを図4中のリレー接点K1
B、K1C、抵抗R46、R47、R44R45を介し
て導線HVに接続することにより行われる。
【0038】HVの正の電圧はいずれも図5に示すイン
バータ120により負の電圧に反転される。また図5に
示されるように、AC信号またはDC信号のピーク値は
負の電圧Vp として現れ、コンパレータ114の反転
(−)入力に加えられる。この電圧Vp は、−5ボル
トの電源に結合された抵抗R49、R50により得られ
る非反転(+)入力における電圧と比較される。そして
、チップとリングでの電圧の絶対値が10ボルトを超え
る場合、コンパレータ114の出力は、プログラマブル
アレイロジックチップ(PAL)115においてフラッ
グ(プレスクリーン)を発生し、テストは終了する。
【0039】さらに、図5に示すように、図4中のQ7
 乃至Q10からなるコンパレ−タを使用して前述のテ
ストにより得られた導線COMPの信号は、コンパレ−
タ113に結合されて利得を与え、PAL115により
使用できるように導線COMPインでの論理レベル信号
に変換する。COMPイン信号及び導線ROH、プレス
クリ−ン、ショ−トの信号は、全てPAL115の入力
部に加えられる。
【0040】テスト結果は、各出力導線DTR1、DT
R2、DTR3に1ビットとして現れる。導線DTDO
NEはテストが終了されるときを表わす。出力導線の残
りの部分は図示のように回路のスイッチの1つにそれぞ
れ結合される。リレー1とリレー2と表示された導線は
、それぞれ図4のリレー接点K1B、K1C及びK2 
に連結されたリレーK1AとK2Aのそれぞれを動作さ
せる。また、リンガーテスト中において放電容量のサン
プリングの10ミリ秒のピリオドを形成するために、単
安定オシレータ116がPAL115と結合されて、P
AL115の正常なクロッキングを調節する。
【0041】PAL115からの出力は、図1中のディ
スタントターミナルのデータリンク21に結合される。 このデータリンク21は、図6にさらに詳しく示されて
いる。図示のようにドロップテストモジュール20が、
マイクロプロセッサ201により制御される。すなわち
、マイクロプロセッサ201は、データバス208上の
正常なディジタルの流れの一部としてセンタ局からのコ
マンド(テストコード)を受け取った後、ラッチ202
を介して導線「テスト」に信号を与えてテストを開始す
る。
【0042】このコマンドは、ラッチ210を介してマ
イクロプロセッサ201に結合され、リモートターミナ
ルからの確認信号(OTR)と共に、チャネル装置20
3のいずれがテストされるべきかを指定する。ドロップ
テストモジュール20は、リレーK10A を作動し接
点K10B を閉じたとき、加入者にサービスするチャ
ネル装置203を介してドロップ回線に結合される。こ
のリレーK10A は、マイクロプロセッサ201がリ
レーに結合されたリレードライバ213とラッチ212
を介して信号を送ったときに作動される。
【0043】ここでは、1つのリレードライバとリレー
が図示されているのみであるが、一般には各チャネル装
置にそれぞれ1つ設けられる。ドロップテストモジュー
ル20からのテスト結果は、ラッチ204を介して、マ
イクロプロセッサ201へ導線DTR1、DTR2、D
TR3で別個のビットとして送られる。このテストビッ
トは、次に他のデータと共に別々のラッチ205、20
6、207へそしてデータバス208に送られる。
【0044】マルチプレクサ209は、公知の方法によ
りデータビットをフレームにし、信号をスクランブルす
る。この信号は、次に標準的な光電インタフェース22
に結合されるが、これはレーザと光検出器を有し、リモ
ートターミナル12に光伝送を行う。図1において、こ
の光データ信号は、光リンク17を経由して、ディスタ
ントターミナル16からリモートターミナル12の光電
インタフェース24及びデータリンク23へ送られる。
【0045】図7に示されるように、リモートターミナ
ル12は、標準的な光電インタフェース回路24により
、光信号を電気信号に変換する。この信号は、標準的な
保護回路302に結合され、入力データをリモートター
ミナルにおけるクロック(図示せず)にセットするため
に、スキューコンペンゼータ303に送られる。スキュ
ーコンペンゼータ303は、米国特許第4,839、9
07号に記載のプログラマブルアレーロジックチップか
らなるタイプのものでよい。
【0046】次にこの信号は、マルチプレクサ/デマル
チプレクサ309の一部のカスタムICのような標準的
なデスクランブル手段304によりデスクランブルされ
、プログラマブルアレーロジックチップ305の入力に
結合される。このプログラマブルアレーロジックチップ
305は、ドロップテストに関するビットをピックアウ
トし、回線RLY1、RLY2、RLY3にこれらのビ
ットを形成するものである。
【0047】これらのビットは、リレー接点K4A乃至
K7Aを作動させる標準的なリレードライバ306に結
合される。これらのリレーは図8に示す接点K4B、K
5B、K6B、K7B、K4C、K5c、K6c及びK
7Cを作動させる。ここで接点表示の最初の数字は、対
応するリレーの最初の数字と同じある。図7はまたリモ
ートターミナル12からディスタントターミナル16へ
の通信パスを示す。バックプレーンアクセス回路307
は、センタ局10からのディジタル信号をデコードし変
換する。
【0048】このビットの流れは、チャネル装置をテス
トするためのセンタ局からのコマンド(テストコード)
を含み、バス311に送られ、プログラマブルアレーロ
ジックチップ305を通り、バス312でマルチプレク
サ/デマルチプレクサ回路309に送られる。スクラン
ブル回路313によりスクランブルされた信号は、光電
インタフェース24に結合され、ディスタントターミナ
ル16に送られる。
【0049】バックプレーン回路307では、テストコ
ードはまた入力データからピックオフされ、バンクコン
トローラ装置(BCU)308に送られる。BCU30
8はテストを行なって良いかどうかを判定する。テスト
が進行できる場合、確認信号(OTR)は、BCU30
8によりバックプレーン回路307を通りバス310で
PAL305に送られ、そこでこの信号はバス312で
他の入力信号と結合されてディスタントターミナル16
に送られる。
【0050】図8に示す回路は、この信号に基づき接点
がドロップテストからのデータにより開閉して、センタ
局へ与えるリモートターミナルのチップとリング間の抵
抗デルタを示す。抵抗R100 、R105 は、一定
のリングツウグラウンドとチップツウグラウンドの抵抗
(本実施例では約91kΩ)である。抵抗R104 は
、本実施例例では約18kΩであるが、テスト結果にか
かわらず最小抵抗を与える。
【0051】抵抗R101 、R102 、及びR10
3 は、本実施例ではそれぞれ40kΩ、20kΩ及び
10kΩであり、それぞれスイッチK5C、K7C及び
K6Cの状態に応じて、チップとリングの間に結合され
るかショートアウトされる。これらのスイッチは通常閉
じられて、これらの抵抗をショートアウトする。次に示
す表1は、ドロップテストモジュール20からの3ビッ
トメッセージを各種抵抗の結合に基づき表示する一例を
示す。
【表1】
【0052】表1における第1の状態はドロップテスト
モジュール20が利用できないことを示す。ディスタン
トターミナル16とリモートターミナル12の間の光リ
ンク17が適切に作動していない場合、スイッチK5B
、K6B、及びK7Bを開き、オープン回路がセンタ局
10に提供される。
【0056】与えられた回路要素の各種数値を含め、以
上の説明は、本発明の一実施例に関するものであり、こ
の技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例が
考え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包
含される。尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は発
明の容易なる理解のためであり、その技術的範囲を制限
するよう解釈されるべきではない。
【0057】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、デ
ィスタントターミナルに至る光ファイバを使用したディ
ジタルループ伝送システムにおいても顧客構内のペア線
をテストできる手段を提供することできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるディジタルループ伝送
システム示すブロック図である。
【図2】本発明の一実施例によるテストシーケンスを説
明するフローチャートである。
【図3】本発明の一実施例によるドロップ回線をテスト
する回路の回路図である。
【図4】本発明の一実施例によるドロップ回線をテスト
する回路の回路図である。
【図5】本発明の一実施例によるドロップ回線をテスト
する回路の回路図である。
【図6】本発明の一実施例によるテスト信号を伝送する
回路のブロック図である。
【図7】本発明の一実施例によるテスト結果の信号を受
信し、テスト制御情報を送信する回路のブロック図であ
る。
【図8】本発明の一実施例による特性抵抗の回路の回路
図である。
【符号の説明】
10  センタ局スイッチ 11  センタ局ターミナル 12  リモートターミナル 13  ペア線 14  ペア利得テスト制御装置 15  機械化ループテスタ 16  ディスタントターミナル 17  光リンク 18  ペア線(ドロップ線) 20  ドロップテストモジュール 21  データリンク 22  光電インタフェース 23  データリンク 24  光電インタフェース 100  CMOSスイッチ 101  CMOSスイッチ 102  演算増幅器 103  演算増幅器 104  ソリッドステートリレー 105  ソリッドステートリレー 106  ソリッドステートリレー 108  サンプル&ホールド集積回路109  コン
パレータ 110  コンパレータ 111  ソリッドステートリレー 113  コンパレータ 114  コンパレータ 115  プログラマブルアレーロジックチップ(PA
L) 116  単安定オシレータ 117  ソリッドステートリレー 120  インバータ 201  マイクロプロセッサ 202  ラッチ 203  チャネル装置 204  ラッチ 205  ラッチ 206  ラッチ 207  ラッチ 208  データバス 209  マルチプレクサ 210  ラッチ 212  ラッチ 213  リレードライバ 302  保護回路(プロテクタ) 303  スキューコンペンゼータ 304  デスクランブル回路 305  プログラマブルアレーロジックチップ(PA
L) 306  リレードライバ 307  バックプレーン回路 308  バンクコントローラ装置(BCU)309 
 マルチプレクサ/デマルチプレクサ311  バス 313  スクランブル回路 C  コンデンサ D  ダイオード F  ヒューズ K  リレー接点 Q  バイポーラトランジスタ R  抵抗

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  センタ局ターミナル(11)と、この
    センタ局ターミナルに光学的かつ電気的に結合されたリ
    モートターミナル(12)と、このリモートターミナル
    に光学的に結合されたディスタントターミナル(16)
    とからなるディジタルループ伝送システムにおいて、デ
    ィスタントターミナルを経て伸びる電気回線をテストし
    、このテスト結果をリモートターミナルに光学的に伝送
    するテスト手段(20、21)をディスタントターミナ
    ルに設けたことを特徴とするディジタルループ伝送シス
    テム。
  2. 【請求項2】  前記テスト結果をループテスタにより
    電気的にアクセスされ得る特性抵抗に変換する手段(K
    5c、K6C、K7C、R101 、R102 、R1
    03 )をリモートターミナルに設けたことを特徴とす
    る請求項1記載のディジタルループ伝送システム。
  3. 【請求項3】  テスト手段が、前記回線における漏洩
    、回線に結合されたリンガー回路の存在、及び回線に結
    合された装置のオフフック状態を検出する手段を有する
    ことを特徴とする請求項1記載のディジタルループ伝送
    システム。
  4. 【請求項4】  テスト手段が、2つの異なる値の定電
    流を生成する手段(100、101)と、それらの電流
    値における回線の抵抗を測定する手段(104、105
    、R15、R16、R24、R25、Q7 −Q10)
    とを有することを特徴とする請求項3記載のディジタル
    ループ伝送システム。
  5. 【請求項5】  テスト手段が、回線の抵抗を既知の抵
    抗と比較するブリッジ回路(R15、R16、R24、
    R25)を有することを特徴とする請求項1記載のディ
    ジタルループ伝送システム。
  6. 【請求項6】  前記テストに応答して所定のビット長
    を有するデータ信号を生成し、このデータ信号とディス
    タントターミナルからの他のデータとを結合してリモー
    トターミナルに伝送する手段(201)を設けたことを
    特徴とする請求項1記載のディジタルループ伝送システ
    ム。
  7. 【請求項7】  特性抵抗は、各回線と接地との間に固
    定抵抗(R100 、R105 )と2つの回線間の可
    変抵抗とを有する抵抗デルタからなることを特徴とする
    請求項1記載のディジタルループ伝送システム。
  8. 【請求項8】  可変抵抗は、2つの回線間に直列接続
    された複数の抵抗(R101 乃至R103 )と、こ
    の各抵抗に並列接続された個々のスイッチ(K5C乃至
    K7C)により生成され、前記スイッチはテスト手段に
    より送られる信号に応答して2つの回線間に1つ以上の
    前記抵抗を電気的に結合することを特徴とする請求項7
    記載のディジタルループ伝送システム。
  9. 【請求項9】  少なくとも2つの値を有する定電流を
    生成する回路(100、101)と、2つの分枝を有し
    、かつ回路の2つの分枝の電圧を比較する電圧比較手段
    (Q7 乃至Q10)を有するブリッジ回路(R15、
    R16、R24、R25)と、前記回線の少なくとも1
    つをブリッジ回路の分枝に結合する手段(K1B、K1
    C、K2 )とからなることを特徴とする一対の回線を
    電気的にテストするテスト回路。
  10. 【請求項10】  前記回線の少なくとも1つに結合さ
    れたブリッジ回路の分枝に2つの抵抗(R24、R25
    )を交互に結合するスイッチ手段(104、105)を
    有することを特徴とする請求項9記載のテスト回路。
  11. 【請求項11】  前記回線の少なくとも1つをブリッ
    ジ回路に結合する前に、回線間の電圧値を所定の最大値
    と比較する比較手段(R44−R47、120、114
    )を有することを特徴とする請求項9記載のテスト回路
  12. 【請求項12】  所定のビット長のディジタル出力信
    号を生成する手段(115)を有し、このディジタル出
    力信号は前記比較手段の出力の少なくとも一部に基づく
    ことを特徴とする請求項9記載のテスト回路。
  13. 【請求項13】  定電流を生成する回路は、一方の入
    力が接地され他方の入力が基準電圧源に結合された演算
    増幅器(102)と、一対のバイポーラトランジスタ(
    Q1 、Q2 )からなる前記他方の入力へのフィード
    バックループと、前記トランジスタがイネーブルである
    場合に定電流を取出す抵抗(R6)とを有することを特
    徴とする請求項9記載のテスト回路。
  14. 【請求項14】  基準電圧源は、出力側に異なる抵抗
    (R2 、R3 )を有する一対のスイッチ(100、
    101)を介して交互に与えられることを特徴とする請
    求項13記載のテスト回路。
  15. 【請求項15】  電圧比較手段は、ダーリントン結合
    バイポーラトランジスタ(Q7 、Q8 、Q9 、Q
    10)及び抵抗(R18、R19)を含む2つの分枝を
    有し各分枝が電流源(Q5 、Q6 )に結合された差
    動増幅器からなることを特徴とする請求項9記載のテス
    ト回路。
  16. 【請求項16】  特定の降伏電圧のツェナーダイオー
    ド(D2 )をブリッジ回路の分枝に結合する手段(1
    06)を有することを特徴とする請求項9記載のテスト
    回路。
  17. 【請求項17】  前記2つの抵抗のうち1つがブリッ
    ジ回路の分枝に結合された場合、その分枝で生成される
    電圧を蓄積する電圧蓄積手段(C10)を有することを
    特徴とする請求項10記載のテスト回路。
  18. 【請求項18】  回線の抵抗が所定の値を超える場合
    に信号を生成するように、一方の入力がスイッチ(11
    7)を介してブリッジ回路の分枝に結合され、他方の入
    力が一対の抵抗に結合された演算増幅器(107)を有
    することを特徴とする請求項17記載のテスト回路。
  19. 【請求項19】  一方の入力が前記演算増幅器の出力
    に結合され、他方の入力が前記電圧蓄積手段に結合され
    たコンパレータ(110)を有することを特徴とする請
    求項18記載のテスト回路。
  20. 【請求項20】  スイッチ(111)を介して前記ブ
    リッジ回路のノードに結合された基準コンデンサ(C8
     、C18)と、このコンデンサ及び回線の静電容量を
    同じ電圧に充電する手段(112)と、蓄積された充電
    量がブリッジ回路の比較手段により比較されるように前
    記コンデンサと回線の静電容量を放電させる手段(11
    7、R26、R27とR16)とを有することを特徴と
    する請求項9記載のテスト回路。
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