JP2596649B2 - ディジタルループ伝送システム及びその回線のテスト回路 - Google Patents
ディジタルループ伝送システム及びその回線のテスト回路Info
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Description
ィジタルループ伝送システム及び終端のファイバリンク
を経て加入者構内に至るペア線のテスト回路に関する。
ミナルとの間のディジタル信号送信に好都合な媒体であ
る。最近、加入者構内もしくはその近傍にディスタント
ターミナルをセットアップし、光ファイバリンクにより
これらディスタントターミナルをリモートターミナルに
接続することにより、電話サービス供給者は光ファイバ
の利用をリモートターミナルより先の部分にも拡げるよ
うになった。このディスタントターミナルは、ファイバ
からのディジタル信号を通常のアナログ信号に変換する
ものである。ディスタントターミナルより先の部分にお
いて、ペア線または「ドロップ」線が顧客構内に延びサ
ービスを提供する。
ディスタントターミナルとの間に光ファイバリンクを設
置することにより、加入者への情報量は飛躍的に増加す
るが、障害状態の測定をする場合に顧客のペア線への電
気的アクセスができないという問題が生じる。
在の方法は、例えば米国特許第4,270、030号明
細書に記載されているように、テストを行う際にセンタ
局とリモートターミナルの間にディジタルリンクをバイ
パスするペア線を設けることである。この方法は、セン
タ局とリモートターミナル間に通常行われているような
何千という顧客にサービスが提供されている場合にも実
施できるものである。しかし、ディスタントターミナル
に至る各ファイバに対して、ペア線を設けると極端にコ
ストが高くなる。本発明は、ディスタントターミナルに
至る光ファイバを使用したディジタルループ伝送システ
ムにおいても顧客構内のペア線をテストできる手段を提
供することを目的とする。
ループ伝送システムを、センタ局ターミナルと、このセ
ンタ局ターミナルに光学的及び電気的に結合されたリモ
ートターミナルと、このリモートターミナルと光学的に
結合されたディスタントターミナルから構成する。
ミナルを経て延びる回線のテスト手段とこのテスト結果
をリモートターミナルに光学的に伝送する手段をディス
タントターミナルに有する。リモートターミナルは、さ
らにテスト結果を特性抵抗に変換する手段を有し、この
特性抵抗をセンタ局ターミナルによって電気的にアクセ
スできるようにする。
ストする回路にある。少なくとも2つの値を有する定電
流を生成する回路手段が備えられている。また、2つの
分枝を有し、この2つの分枝における電圧を比較するた
めの手段を有するブリッジ回路を備えている。さらにこ
の回路は回線の少なくとも1つをブリッジ回路の分枝に
結合する手段を有する。
明する。図1は本発明の一実施例による基本ディジタル
ル−プ伝送システムを示す。図1において、センタ局
は、センタ局スイッチ10とタ−ミナル11からなり、
タ−ミナル11はリモ−トターミナル12と光学的及び
電気的に結合され双方向ディジタル信号伝送を行う。デ
ィジタル信号は一般に光ファイバにより送られるが、ペ
ア線13がタ−ミナル間に設けられて、テストのための
電気的バイパスを提供する。
0、030号明細書に示されているようなペア利得テス
ト制御装置14に結合され、このペア利得テスト制御装
置14は機械化ル−プテスタ(MLT)15により制御
される。リモ−トタ−ミナル12は、光リンク17によ
りディスタントタ−ミナル16に接続される。ディスタ
ントタ−ミナル16はペア線により複数の加入者と結合
される。その1つをここではペア線18として図示す
る。
トモジュ−ル20はディスタントタ−ミナル16にプラ
グイン回路カ−ドとして設けられる。この回路は、以下
に詳述するように、種々の加入者へのペア線、例えばペ
ア線18をテストし、その結果を光デ−タビットの形
で、デ−タリンク21と光電インタフェ−ス22により
ディスタントタ−ミナル16からリモートターミナル1
2へ送り返すように設計されている。
る光電インタフェ−ス24とデ−タリンク23、及びデ
ィスタントタ−ミナル16からのデ−タビットに応答す
るリレ−によりペア線13のチップとリングに結合され
る複数の抵抗で構成される。これによりMLT15はこ
れら、抵抗の形でドロップ線テストの結果に電気的にア
クセスすることができる。
行われるテストシ−ケンスの一例を示す。第1のテスト
(FEMFと称する)はディスタントタ−ミナル16が
切り離されている場合の回線の電圧(外部電圧(foreig
n voltage)と呼ばれる)の大きさを求める。例えば、も
しその電圧が10ボルト以上である場合、回線は故障し
ていると判断され、それ以降のテストは行わない。回線
がそのテストをパスした場合、その回線に漏洩があるか
どうかをテストする。これは次のステップで、ペア線1
8のチップとリングを互いに結合させ、チップとリング
からア−スへの結合抵抗が50kΩより大きいかどうか
を検査することにより行われる。もし50kΩより大き
くない場合、回線はこの第1の漏洩テストに失敗してテ
ストは終了する。もし回線がこのテスト(RR,T-GRD >
50kΩ)にパスした場合、回線はステップ3の第2の
漏洩テストを受ける。
スに結合し、リングツウチップの抵抗を測定する。もし
この抵抗が再び50kΩより大きい場合、回線はテスト
をパスし次のテストに進む。このテストは「連続性テス
ト」としても知られているものであり、顧客のリンガ−
のキャパシタンスを測定することにより、顧客の電話の
リンガ−が接続されているかどうかを検査する。
てのテストをパスすることになる。リンガ−が接続され
ていない場合、回線テストは失敗で「リンガ−無(NO
RINGER)」の表示が与えられる。ステップ3に
おいて、抵抗が50kΩより大きくない場合、回線はさ
らに実際に漏洩があるのかどうか、もしくは顧客の受話
器が外れているのかどうかをテストする必要がある。
トを示す。すなわち、次のテストでは、導線チップを再
び接地して、15ミリアンペアの電流で抵抗を測定す
る。この測定値が650Ω以上の場合、もし受話器が外
れていたとしてもこの抵抗値を示すはずがないので、回
線には漏洩があると判断される。また抵抗値が650Ω
未満の場合、受話器が外れているかもしれないので、回
線を通る電流を1ミリアンペアとしてリングとチップ間
の抵抗を再度測定する。
抗値を示す受話器の外れは同様に有り得ないので回線に
は漏洩があると判断される。またこの抵抗値が200Ω
を超える場合、もう一度1ミリアンペアでの抵抗値が1
5ミリアンペアでの抵抗値より60Ωを超える値だけ大
きいかどうかテストされる。60Ωを超える値だけ大き
い場合、受話器が外れていると判断される。またもしそ
うでないならば、受話器が外れていることは有り得ない
ので、漏洩があると判断される。以上がテストの手順で
ある。
例を図3乃至図5に示す。図3は基本的には回路のドラ
イバ部分を示す。CMOSスイッチ100、101によ
り導線チップとリングからそれぞれ1ミリアンペアまた
は15ミリアンペアのいずれかを交互に送ることができ
る。CMOSスイッチ100、101の出力は、抵抗R
2 とR3 を介して演算増幅器102の反転入力に2.5
ボルトの基準電圧すなわちダイオ−ドD1 の電圧を与え
る。
ている。演算増幅器102のフィ−ドバックル−プは抵
抗R7 、R6 及びR4 ならびに一対のダ−リントン接続
バイポ−ラトランジスタQ1 とQ2 からなる。演算増幅
器102の反転入力の電圧をゼロボルトとするために、
電流は抵抗R6 とトランジスタQ1 及びQ2 を通り流れ
る。この電流は抵抗R8 を通り回路の点Aに現れる。こ
の点Aの印加電圧は−30ボルトである。
ペアの基準電流は、CMOSスイッチ100またはCM
OSスイッチ101のいずれかをイネーブルとすること
により生ずる。この電流をR8 に加えることにより、演
算増幅器103、抵抗R9 、及びダーリントン接続のバ
イポーラトランジスタQ3、Q4 からなる×10電流ミ
ラーを起動する。これにより、1ミリアンペアまたは1
5ミリアンペアの電流が、導線Iソースから抵抗R10を
通り−30ボルトの点Bに流れる。
流を流すと、抵抗R15とR16とが1つの分枝を構成する
ブリッジ回路の1つのノードにおいて電圧Vs を生じ
る。他の分枝はソリッドステートリレー104、105
のいずれかをイネーブルにすることにより、R24または
R25のいずれかとチップ及びリングと表わされた導線上
の顧客装置の負荷抵抗RL とにより形成される。導線チ
ップは、ヒューズF1 、リレー接点K1B、抵抗R42及び
リレー接点K2 を介してR24、R25と接続されたノード
V1 と結合される。
及び抵抗R43を介してノードV1 に接続される。このノ
ードにおける電圧V1 は、一方の分枝がダーリントン接
続のバイポーラトランジスタQ7 、Q8 及び抵抗R18か
らなり、他方の分枝がダーリントン接続のバイポーラト
ランジスタQ9 、Q10及び抵抗R19からなる差動アンプ
により、R15とR16とを結合するノードにおける電圧V
2と比較される。
表わさた部分にハイ電圧もしくはロー電圧として現われ
る。一定電流が、バイポーラトランジスタQ5、Q6 か
らなる定電流源によりこの差動アンプを介して取出され
る。このバイポーラトランジスタQ5 、Q6 は、そのベ
ースが共に抵抗R21に結合され、そのエミッタが抵抗R
22(Q5 に対し)と抵抗R23(Q6 に対し)を介して−
30ボルトの電圧に結合されている。
V)を行うには、CMOSスイッチ100を起動するこ
とにより1ミリアンペアの電流をIソースに生じさせ
る。またソリッドステートリレー106によりIソース
に20ボルトツェーナーダイオードD2 を接続する。こ
のようにして、図4中の導線IソースのノードVs を−
20ボルトにする。ソリッドステートリレー104、1
05の両者をディスエイブルにすればR15とR16は等し
いのでV2 は−10ボルトになる。
1Cを閉とし、リレー接点K2 を開くことにより結合され
る。チップとリングの電圧V1 は前述のトランジスタQ
7 乃至Q10からなる差動アンプにより−10ボルトの電
圧V2 と比較される。そしてV1 <−10ボルトの場
合、差動アンプの電流はQ7 乃至Q8 の分枝を通って流
れ、COMPの出力はハイとなる。これに対してV1 >
−10ボルトの場合、電流はQ9 乃至Q10を通って流
れ、出力はローとなる。
基本的には同じ部分によって同様に行うことができる。
このように、図2に示す第1の漏洩テスト(RT,G -GRD
>50kΩ)では、チップとリングはリレー接点K1B、
K1Cを閉じ、リレー接点K2 を開くことにより再び結合
される。1ミリアンペアの電流を生じさせるために、図
3中のCMOSスイッチ100をイネーブルする。
グに接続するために、図3中のソリッドステートリレー
106をディスエイブルし、ソリッドステートリレー1
04をイネーブルする。従って、加入者回線の抵抗RL
が50kΩ以下の場合、電圧V1 はV2 以上となり、反
対に加入者回線の抵抗RL が50kΩを超える場合、電
圧V1 はV2 未満となる。
合、差動アンプの電流はQ7 乃至Q8 を通って流れ、C
OMPにおける出力はハイとなる。一方V1 がV2 以上
の場合には、電流はQ9 乃至Q10を通って流れ、出力は
ローとなる。第2の漏洩テスト(RTR>50kΩ)は、
リレー接点K2 が閉じられてチップが接地される点以外
は同じ手順で行われる。
Iソースに15ミリアンペアの定電流を生じるよう図3
中のCMOSスイッチ101をイネーブルする。また、
抵抗R25が導線リングに結合されるようソリッドステー
トリレー105をイネーブルし、ソリッドステートリレ
ー104をディスエーブルする。このときチップはリレ
ー接点K2 により接地されたままである。R25は約65
0Ωであるので、前述のように2つの電圧V1 とV2 を
比較するCOMPに生ずる出力は、加入者回線の抵抗が
650Ωより大きいか小さいかを表わす。
リレー117をイネーブルすることにより、R25がチッ
プ及びリングに結合された場合に生ずる電圧V1 が、演
算増幅器107の入力に結合される。演算増幅器107
の出力は、抵抗R32とR33で(この場合は1/15で)
分圧された後、サンプル&ホールド集積回路108に結
合される。その結果得られた電圧は、後の使用のためコ
ンデンサC10により蓄積される。
Iソースの電流は1ミリアンペアに戻され、R25は引き
続き導線チップとリングに結合される。その結果得られ
た電圧V1 は、ソリッドステートリレー117により演
算増幅器107に結合されるが、また演算増幅器107
の出力はコンパレータ109の非反転入力に結合され
る。コンパレータ109は、この入力をR30とR31の
比、たとえば約8、7と比較する。R30とR31を電圧−
5ボルトに結合すると、RL が200オーム以下の場
合、「ショート」と表示された導線にコンパレータ10
9は信号を出力するが、RL が200Ωを超える場合、
信号は出力しない。
は、次のように実施される。すなわち、15ミリアンペ
アで行われた漏洩テスト(RTR<650Ω)によりコン
デンサC10に蓄積された電圧と演算増幅器107の出力
とを比較して実施される。抵抗R35に加えられた+2.
5ボルトの基準電圧は、107の出力から抵抗60Ωに
相当する値を差し引く。
0の反転入力に加えられる一方、コンデンサC10に蓄積
された電圧がサンプル&ホールド回路108を介して非
反転入力に加えられる。反転(−)入力における信号が
非反転(+)入力の値より小さい場合、信号はROHと
表示された導線に現われて受話器外れを表わす。反転入
力における信号が非反転入力の信号以上の場合、ROH
に信号は現れることなく、問題は漏洩であったことを表
わす。
ストは、チップとリングの間の静電容量の測定により行
われる。このテストは高電圧すなわち、コンデンサC3
に蓄えられた約−120ボルトの電圧を使用して行う。
この電圧は、リンギングすなわち図3中の導線「20H
z」に約20HzのAC信号を連続して加え、それをダ
イオードD3 で整流して得る。
をイネーブルにすることによりIソースに放電される
が、負荷に送られるエネルギーはR11により制限され電
話が誤ってリンギングするのを防ぐ。この電圧は、ソリ
ッドステートリレー105を起動することにより、抵抗
R25を介して図4中の顧客回線のリンガー容量CL を充
電する。ツェナーダイオードD4 、D5は回線の電圧を
−75ボルトに制限する。
り、コンデンサとこれに直列接続されたツェナーダイオ
ードを有する電子リンガーの十分な充電が可能となる。
同時に、ソリッドステートリレー111をイネーブルに
することにより、基準コンデンサC18、C8 を同じ電圧
Vs に充電する。ソリッドステートリレー112、10
5、111をディスエイブルにしたとき、コンデンサは
電圧Vs から切り離される。
ルにすると、リンガー容量CL は合成抵抗約50kΩの
抵抗R26、R27を通り放電する。同時に基準コンデンサ
C18、C8 は約50kΩのR16を通り放電する。ある時
間経過後、通常約10ミリ秒の後、電圧V1 、V2 は前
述したようにコンパレータにより比較される。V1 がV
2 を超える場合、回線にリンガーが存在する。
コンポーネントに損害を与え得る導線チップとリングで
の過度のACまたは正の電圧を確実になくすことが望ま
しい。また、この回路には、前述の一連のテストに先だ
って導線チップとリングを高電圧に対してプレスクリー
ニングする手段が設けられている。このプレスクリーニ
ングは、導線チップとリングを図4中のリレー接点K1
B、K1C、抵抗R46、R47、R44R45を介して導線HV
に接続することにより行われる。
バータ120により負の電圧に反転される。また図5に
示されるように、AC信号またはDC信号のピーク値は
負の電圧Vp として現れ、コンパレータ114の反転
(−)入力に加えられる。この電圧Vp は、−5ボルト
の電源に結合された抵抗R49、R50により得られる非反
転(+)入力における電圧と比較される。そして、チッ
プとリングでの電圧の絶対値が10ボルトを超える場
合、コンパレータ114の出力は、プログラマブルアレ
イロジックチップ(PAL)115においてフラッグ
(プレスクリーン)を発生し、テストは終了する。
乃至Q10からなるコンパレ−タを使用して前述のテスト
により得られた導線COMPの信号は、コンパレ−タ1
13に結合されて利得を与え、PAL115により使用
できるように導線COMPインでの論理レベル信号に変
換する。COMPイン信号及び導線ROH、プレスクリ
−ン、ショ−トの信号は、全てPAL115の入力部に
加えられる。
R2、DTR3に1ビットとして現れる。導線DTDO
NEはテストが終了されるときを表わす。出力導線の残
りの部分は図示のように回路のスイッチの1つにそれぞ
れ結合される。リレー1とリレー2と表示された導線
は、それぞれ図4のリレー接点K1B、K1C及びK2 に連
結されたリレーK1AとK2Aのそれぞれを動作させる。ま
た、リンガーテスト中において放電容量のサンプリング
の10ミリ秒のピリオドを形成するために、単安定オシ
レータ116がPAL115と結合されて、PAL11
5の正常なクロッキングを調節する。
スタントターミナルのデータリンク21に結合される。
このデータリンク21は、図6にさらに詳しく示されて
いる。図示のようにドロップテストモジュール20が、
マイクロプロセッサ201により制御される。すなわ
ち、マイクロプロセッサ201は、データバス208上
の正常なディジタルの流れの一部としてセンタ局からの
コマンド(テストコード)を受け取った後、ラッチ20
2を介して導線「テスト」に信号を与えてテストを開始
する。
イクロプロセッサ201に結合され、リモートターミナ
ルからの確認信号(OTR)と共に、チャネル装置20
3のいずれがテストされるべきかを指定する。ドロップ
テストモジュール20は、リレーK10A を作動し接点K
10B を閉じたとき、加入者にサービスするチャネル装置
203を介してドロップ回線に結合される。このリレー
K10A は、マイクロプロセッサ201がリレーに結合さ
れたリレードライバ213とラッチ212を介して信号
を送ったときに作動される。
が図示されているのみであるが、一般には各チャネル装
置にそれぞれ1つ設けられる。ドロップテストモジュー
ル20からのテスト結果は、ラッチ204を介して、マ
イクロプロセッサ201へ導線DTR1、DTR2、D
TR3で別個のビットとして送られる。このテストビッ
トは、次に他のデータと共に別々のラッチ205、20
6、207へそしてデータバス208に送られる。
りデータビットをフレームにし、信号をスクランブルす
る。この信号は、次に標準的な光電インタフェース22
に結合されるが、これはレーザと光検出器を有し、リモ
ートターミナル12に光伝送を行う。図1において、こ
の光データ信号は、光リンク17を経由して、ディスタ
ントターミナル16からリモートターミナル12の光電
インタフェース24及びデータリンク23へ送られる。
ル12は、標準的な光電インタフェース回路24によ
り、光信号を電気信号に変換する。この信号は、標準的
な保護回路302に結合され、入力データをリモートタ
ーミナルにおけるクロック(図示せず)にセットするた
めに、スキューコンペンゼータ303に送られる。スキ
ューコンペンゼータ303は、米国特許第4,839、
907号に記載のプログラマブルアレーロジックチップ
からなるタイプのものでよい。
チプレクサ309の一部のカスタムICのような標準的
なデスクランブル手段304によりデスクランブルさ
れ、プログラマブルアレーロジックチップ305の入力
に結合される。このプログラマブルアレーロジックチッ
プ305は、ドロップテストに関するビットをピックア
ウトし、回線RLY1、RLY2、RLY3にこれらの
ビットを形成するものである。
7Aを作動させる標準的なリレードライバ306に結合さ
れる。これらのリレーは図8に示す接点K4B、K5B、K
6B、K7B、K4C、K5c、K6c及びK7Cを作動させる。こ
こで接点表示の最初の数字は、対応するリレーの最初の
数字と同じある。図7はまたリモートターミナル12か
らディスタントターミナル16への通信パスを示す。バ
ックプレーンアクセス回路307は、センタ局10から
のディジタル信号をデコードし変換する。
トするためのセンタ局からのコマンド(テストコード)
を含み、バス311に送られ、プログラマブルアレーロ
ジックチップ305を通り、バス312でマルチプレク
サ/デマルチプレクサ回路309に送られる。スクラン
ブル回路313によりスクランブルされた信号は、光電
インタフェース24に結合され、ディスタントターミナ
ル16に送られる。
ードはまた入力データからピックオフされ、バンクコン
トローラ装置(BCU)308に送られる。BCU30
8はテストを行なって良いかどうかを判定する。テスト
が進行できる場合、確認信号(OTR)は、BCU30
8によりバックプレーン回路307を通りバス310で
PAL305に送られ、そこでこの信号はバス312で
他の入力信号と結合されてディスタントターミナル16
に送られる。
がドロップテストからのデータにより開閉して、センタ
局へ与えるリモートターミナルのチップとリング間の抵
抗デルタを示す。抵抗R100 、R105 は、一定のリング
ツウグラウンドとチップツウグラウンドの抵抗(本実施
例では約91kΩ)である。抵抗R104 は、本実施例例
では約18kΩであるが、テスト結果にかかわらず最小
抵抗を与える。
施例ではそれぞれ40kΩ、20kΩ及び10kΩであ
り、それぞれスイッチK5C、K7C及びK6Cの状態に応じ
て、チップとリングの間に結合されるかショートアウト
される。これらのスイッチは通常閉じられて、これらの
抵抗をショートアウトする。次に示す表1は、ドロップ
テストモジュール20からの3ビットメッセージを各種
抵抗の結合に基づき表示する一例を示す。
モジュール20が利用できないことを示す。ディスタン
トターミナル16とリモートターミナル12の間の光リ
ンク17が適切に作動していない場合、スイッチK5B、
K6B、及びK7Bを開き、オープン回路がセンタ局10に
提供される。
上の説明は、本発明の一実施例に関するものであり、こ
の技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例が
考え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包
含される。尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は発
明の容易なる理解のためであり、その技術的範囲を制限
するよう解釈されるべきではない。
ィスタントターミナルに至る光ファイバを使用したディ
ジタルループ伝送システムにおいても顧客構内のペア線
をテストできる手段を提供することできる。
システム示すブロック図である。
明するフローチャートである。
する回路の回路図である。
する回路の回路図である。
する回路の回路図である。
回路のブロック図である。
信し、テスト制御情報を送信する回路のブロック図であ
る。
図である。
L) 116 単安定オシレータ 117 ソリッドステートリレー 120 インバータ 201 マイクロプロセッサ 202 ラッチ 203 チャネル装置 204 ラッチ 205 ラッチ 206 ラッチ 207 ラッチ 208 データバス 209 マルチプレクサ 210 ラッチ 212 ラッチ 213 リレードライバ 302 保護回路(プロテクタ) 303 スキューコンペンゼータ 304 デスクランブル回路 305 プログラマブルアレーロジックチップ(PA
L) 306 リレードライバ 307 バックプレーン回路 308 バンクコントローラ装置(BCU) 309 マルチプレクサ/デマルチプレクサ 311 バス 313 スクランブル回路 C コンデンサ D ダイオード F ヒューズ K リレー接点 Q バイポーラトランジスタ R 抵抗
Claims (19)
- 【請求項1】 センタ局ターミナル(11)と、 このセンタ局ターミナルに光学的かつ電気的に結合され
たリモートターミナル(12)と、 このリモートターミナルに光学的に結合されたディスタ
ントターミナル(16)とからなるディジタルループ伝
送システムにおいて、 ディスタントターミナルを経て伸びる電気回線をテスト
し、このテスト結果をリモートターミナルに光学的に伝
送するテスト手段(20、21)をディスタントターミ
ナルに設けたこと、及び 前記テスト結果をループテスタにより電気的にアクセス
され得る特性抵抗に変換する手段(K5c、K6C、K7C、
R101 、R102 、R103 )をリモートターミナルに設け
たこと、 を特徴とするディジタルループ伝送システム。 - 【請求項2】 テスト手段が、前記回線における漏洩、
回線に結合されたリンガー回路の存在、及び回線に結合
された装置のオフフック状態を検出する手段を有するこ
とを特徴とする請求項1記載のディジタルループ伝送シ
ステム。 - 【請求項3】 テスト手段が、2つの異なる値の定電流
を生成する手段(100、101)と、それらの電流値
における回線の抵抗を測定する手段(104、105、
R15、R16、R24、R25、Q7 −Q10)とを有すること
を特徴とする請求項2記載のディジタルループ伝送シス
テム。 - 【請求項4】 テスト手段が、回線の抵抗を既知の抵抗
と比較するブリッジ回路(R15、R16、R24、R25)を
有することを特徴とする請求項1記載のディジタルルー
プ伝送システム。 - 【請求項5】 前記テストに応答して所定のビット長を
有するデータ信号を生成し、このデータ信号とディスタ
ントターミナルからの他のデータとを結合してリモート
ターミナルに伝送する手段(201)を設けたことを特
徴とする請求項1記載のディジタルループ伝送システ
ム。 - 【請求項6】 特性抵抗は、各回線と接地との間に固定
抵抗(R100 、R105 )と2つの回線間の可変抵抗とを
有する抵抗デルタからなることを特徴とする請求項1記
載のディジタルループ伝送システム。 - 【請求項7】 可変抵抗は、2つの回線間に直列接続さ
れた複数の抵抗(R101 乃至R103 )と、この各抵抗に
並列接続された個々のスイッチ(K5C乃至K7C)により
生成され、前記スイッチはテスト手段により送られる信
号に応答して2つの回線間に1つ以上の前記抵抗を電気
的に結合することを特徴とする請求項6記載のディジタ
ルループ伝送システム。 - 【請求項8】 センタ局ターミナル(11)と、このセ
ンタ局ターミナルに光学的かつ電気的に結合されたリモ
ートターミナル(12)と、このリモートターミナルに
光学的に結合されたディスタントターミナル(16)と
からなるディジタルループ伝送システムにおいてディス
タントターミナルを経て伸びる一対の回線を電気的にテ
ストするためのテスト回路であって、 少なくとも2つの値を有する定電流を生成する回路(1
00、101)と、 2つの分枝を有し、かつ回路の2つの分枝の電圧を比較
する電圧比較手段(Q7 乃至Q10)を有するブリッジ回
路(R15、R16、R24、R25)と、 前記回線の少なくとも1つをブリッジ回路の分枝に結合
する手段(K1B、K1C、K2 )とからなることを特徴と
する一対の回線を電気的にテストするテスト回路。 - 【請求項9】 前記回線の少なくとも1つに結合された
ブリッジ回路の分枝に2つの抵抗(R24、R25)を交互
に結合するスイッチ手段(104、105)を有するこ
とを特徴とする請求項8記載のテスト回路。 - 【請求項10】 前記回線の少なくとも1つをブリッジ
回路に結合する前に、回線間の電圧値を所定の最大値と
比較する比較手段(R44−R47、120、114)を有
することを特徴とする請求項8記載のテスト回路。 - 【請求項11】 所定のビット長のディジタル出力信号
を生成する手段(115)を有し、このディジタル出力
信号は前記比較手段の出力の少なくとも一部に基づくこ
とを特徴とする請求項8記載のテスト回路。 - 【請求項12】 定電流を生成する回路は、一方の入力
が接地され他方の入力が基準電圧源に結合された演算増
幅器(102)と、一対のバイポーラトランジスタ(Q
1 、Q2 )からなる前記他方の入力へのフィードバック
ループと、前記トランジスタがイネーブルである場合に
定電流を取出す抵抗(R6 )とを有することを特徴とす
る請求項8記載のテスト回路。 - 【請求項13】 基準電圧源は、出力側に異なる抵抗
(R2 、R3 )を有する一対のスイッチ(100、10
1)を介して交互に与えられることを特徴とする請求項
12記載のテスト回路。 - 【請求項14】 電圧比較手段は、ダーリントン結合バ
イポーラトランジスタ(Q7 、Q8 、Q9 、Q10)及び
抵抗(R18、R19)を含む2つの分枝を有し各分枝が電
流源(Q5 、Q6 )に結合された差動増幅器からなるこ
とを特徴とする請求項8記載のテスト回路。 - 【請求項15】 特定の降伏電圧のツェナーダイオード
(D2 )をブリッジ回路の分枝に結合する手段(10
6)を有することを特徴とする請求項8記載のテスト回
路。 - 【請求項16】 前記2つの抵抗のうち1つがブリッジ
回路の分枝に結合された場合、その分枝で生成される電
圧を蓄積する電圧蓄積手段(C10)を有することを特徴
とする請求項9記載のテスト回路。 - 【請求項17】 回線の抵抗が所定の値を超える場合に
信号を生成するように、一方の入力がスイッチ(11
7)を介してブリッジ回路の分枝に結合され、他方の入
力が一対の抵抗に結合された演算増幅器(107)を有
することを特徴とする請求項16記載のテスト回路。 - 【請求項18】 一方の入力が前記演算増幅器の出力に
結合され、他方の入力が前記電圧蓄積手段に結合された
コンパレータ(110)を有することを特徴とする請求
項17記載のテスト回路。 - 【請求項19】 スイッチ(111)を介して前記ブリ
ッジ回路のノードに結合された基準コンデンサ(C8 、
C18)と、このコンデンサ及び回線の静電容量を同じ電
圧に充電する手段(112)と、蓄積された充電量がブ
リッジ回路の比較手段により比較されるように前記コン
デンサと回線の静電容量を放電させる手段(117、R
26、R27とR16)とを有することを特徴とする請求項8
記載のテスト回路。
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