JPH04226589A - ネマチック型液晶組成物 - Google Patents
ネマチック型液晶組成物Info
- Publication number
- JPH04226589A JPH04226589A JP3221554A JP22155491A JPH04226589A JP H04226589 A JPH04226589 A JP H04226589A JP 3221554 A JP3221554 A JP 3221554A JP 22155491 A JP22155491 A JP 22155491A JP H04226589 A JPH04226589 A JP H04226589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trans
- compounds
- group
- formula
- cyclohexyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 title claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- SRJLZDPWUSOULH-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-(4-propylcyclohexyl)-1-[4-(4-propylcyclohexyl)phenyl]benzene Chemical group C1CC(CCC)CCC1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)C2CCC(CCC)CC2)F)C=C1 SRJLZDPWUSOULH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBQLJTPQQREHML-XHNFJRCUSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(C(C=C(C=C1)CC)F)F Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(C(C=C(C=C1)CC)F)F NBQLJTPQQREHML-XHNFJRCUSA-N 0.000 description 3
- YBYAWEXMHWUUKO-BUKAYNEZSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(CC=C(C=C1)CC)OC(F)(F)F Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(CC=C(C=C1)CC)OC(F)(F)F YBYAWEXMHWUUKO-BUKAYNEZSA-N 0.000 description 3
- FETUQYVMEKODJZ-VRIKDJEHSA-N C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(C(C=C(C=C1)CC)F)F Chemical compound C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(C(C=C(C=C1)CC)F)F FETUQYVMEKODJZ-VRIKDJEHSA-N 0.000 description 3
- VSSWBEGRUSQBOJ-AQUCRIECSA-N C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(CC=C(C=C1)CC)OC(F)(F)F Chemical compound C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1(CC=C(C=C1)CC)OC(F)(F)F VSSWBEGRUSQBOJ-AQUCRIECSA-N 0.000 description 3
- RXBBPIPXHBOXOU-KESTWPANSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(CCC)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(CCC)C=C1 RXBBPIPXHBOXOU-KESTWPANSA-N 0.000 description 3
- VCIVJVKSOMDCMN-SHTZXODSSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(F)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(F)C=C1 VCIVJVKSOMDCMN-SHTZXODSSA-N 0.000 description 3
- ZPNZXIUICNXXNC-QAQDUYKDSA-N C1C[C@@H](CCCCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(F)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(F)C=C1 ZPNZXIUICNXXNC-QAQDUYKDSA-N 0.000 description 3
- LCQAFSNKNAGTOR-WKILWMFISA-N CCCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(F)cc1 Chemical compound CCCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(F)cc1 LCQAFSNKNAGTOR-WKILWMFISA-N 0.000 description 3
- CEYKVAXXLKVHOH-IFSQOONMSA-N CCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 Chemical compound CCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 CEYKVAXXLKVHOH-IFSQOONMSA-N 0.000 description 3
- CBZNJTPIKWQADV-UBBSCCEASA-N CCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 Chemical compound CCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 CBZNJTPIKWQADV-UBBSCCEASA-N 0.000 description 3
- AJQMFUYBFQQAKA-VVPTUSLJSA-N CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 Chemical compound CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 AJQMFUYBFQQAKA-VVPTUSLJSA-N 0.000 description 3
- PBIFTROFCZATFC-OPMHRUBESA-N CC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 Chemical compound CC[C@H]1CC[C@@H](CC1)[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(OC(F)(F)F)cc1 PBIFTROFCZATFC-OPMHRUBESA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEMNYDDCPNUACU-AQUCRIECSA-N CCCCC[C@H](CC1)CC[C@@H]1[C@H](CC1)CC[C@@H]1C1(C=CC(CC)=CC1)F Chemical compound CCCCC[C@H](CC1)CC[C@@H]1[C@H](CC1)CC[C@@H]1C1(C=CC(CC)=CC1)F WEMNYDDCPNUACU-AQUCRIECSA-N 0.000 description 2
- PQNUQJRRXXGAHD-BUKAYNEZSA-N CCC[C@H](CC1)CC[C@@H]1[C@H](CC1)CC[C@@H]1C1(C=CC(CC)=CC1)F Chemical compound CCC[C@H](CC1)CC[C@@H]1[C@H](CC1)CC[C@@H]1C1(C=CC(CC)=CC1)F PQNUQJRRXXGAHD-BUKAYNEZSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000620457 Telestes souffia Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アクティブマトリッ
クスディスプレー（ＡＭＤ；ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉ
ｘ ｄｉｓｐｌａｙ）に使用するネマチック型液晶組成
物に関する。
クスディスプレー（ＡＭＤ；ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉ
ｘ ｄｉｓｐｌａｙ）に使用するネマチック型液晶組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリックスディスプレー（
ＡＭＤ；ａｃｔｉｖｅｍａｔｒｉｘ ｄｉｓｐｌａｙ）
は、商業的に注目されている高情報量ディスプレーとし
て特に好適なものである。ＡＭＤはテレビ受像機のほか
、自動車や航空機用の高情報量ディスプレーとして利用
されている。
ＡＭＤ；ａｃｔｉｖｅｍａｔｒｉｘ ｄｉｓｐｌａｙ）
は、商業的に注目されている高情報量ディスプレーとし
て特に好適なものである。ＡＭＤはテレビ受像機のほか
、自動車や航空機用の高情報量ディスプレーとして利用
されている。
【０００３】ＡＭＤは各画素において集積される非線形
の電気開閉要素を有している。非線形の駆動要素として
は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ； ｔｈｉｎ ｆｉｌ
ｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）［オークボら、ＳＩＤ８２
ダイジェスト、第４０頁〜第４１頁（１９８２年）参照
］またはダイオード、例えば金属絶縁体金属（ＭＩＭ；
ｍｅｔａｌ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ｍｅｔａｌ）［ニ
ワら、ＳＩＤ８４ダイジェスト、第３０４頁〜第３０７
頁（１９８４年）参照］が使用できる。良好な視角（ｖ
ｉｅｗｉｎｇａｎｇｌｅ）特性が得られるならば、これ
らの非線形駆動要素の一様な電気光学特性を用いること
によって電気光学効果を利用することができる。従って
、ねじり角９０°のＴＮ型ＬＣセルが使用できる［シャ
ットおよびヘルフリッヒ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．、第１８巻、第１２７頁（１９７１年）参照］。広
い視角にわたって良好なコントラストを得るためには、
伝送の第一最小値における動作が必要となる［ポール、
アイデンシンク、ピノおよびヴェーバー、ドイツ特許Ｄ
ＢＰ ３０ ２２ ８１８（１９８０年）および米国特
許第４ ３９８ ８０３号（１９８１年）； ポール、
ヴェーバー、アイデンシンク、バウルおよびフェーレン
バッハ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、第３８巻、
第４９７頁（１９８１年）； ヴェーバー、フィンケン
ツェラー、ゲールハール、プラハ、リーガーおよびポー
ル、１９８８年フライブルクで開催された液晶に関する
シンポジウムの要旨集（「リキッド・クリスタル」）参
照］。これらのＡＭＤはテレビ受像機に非常に好適なも
ので、商業的に高い人気の的となっている。これらの利
用分野においては、液晶の特定の物性は、受動的なＴＮ
ディスプレーの場合よりもより重要なものとなる。ＡＭ
Ｄの性能にとって決定的に重要な特性は液晶の抵抗率と
安定性である［トガシ、セキグチ、タナベ、ヤマモト、
ソリマチ、タジマ、ワタナベおよびシミズ、プロシーデ
ィングズ・ユーロディスプレー８４（１９８４年９月、
パリ）、「二段ダイオードリングによって制御されたＡ
２１０−２８８マトリックスＬＣＤ」、第１４１頁以下
； ストローマー、プロシーディングズ・ユーロディス
プレー８４（１９８４年９月、パリ）、「テレビジョン
液晶ディスプレーのマトリックスアドレス用薄膜トラン
ジスターの設計」、第１４５頁以下参照］。
の電気開閉要素を有している。非線形の駆動要素として
は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ； ｔｈｉｎ ｆｉｌ
ｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）［オークボら、ＳＩＤ８２
ダイジェスト、第４０頁〜第４１頁（１９８２年）参照
］またはダイオード、例えば金属絶縁体金属（ＭＩＭ；
ｍｅｔａｌ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ｍｅｔａｌ）［ニ
ワら、ＳＩＤ８４ダイジェスト、第３０４頁〜第３０７
頁（１９８４年）参照］が使用できる。良好な視角（ｖ
ｉｅｗｉｎｇａｎｇｌｅ）特性が得られるならば、これ
らの非線形駆動要素の一様な電気光学特性を用いること
によって電気光学効果を利用することができる。従って
、ねじり角９０°のＴＮ型ＬＣセルが使用できる［シャ
ットおよびヘルフリッヒ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．、第１８巻、第１２７頁（１９７１年）参照］。広
い視角にわたって良好なコントラストを得るためには、
伝送の第一最小値における動作が必要となる［ポール、
アイデンシンク、ピノおよびヴェーバー、ドイツ特許Ｄ
ＢＰ ３０ ２２ ８１８（１９８０年）および米国特
許第４ ３９８ ８０３号（１９８１年）； ポール、
ヴェーバー、アイデンシンク、バウルおよびフェーレン
バッハ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、第３８巻、
第４９７頁（１９８１年）； ヴェーバー、フィンケン
ツェラー、ゲールハール、プラハ、リーガーおよびポー
ル、１９８８年フライブルクで開催された液晶に関する
シンポジウムの要旨集（「リキッド・クリスタル」）参
照］。これらのＡＭＤはテレビ受像機に非常に好適なも
ので、商業的に高い人気の的となっている。これらの利
用分野においては、液晶の特定の物性は、受動的なＴＮ
ディスプレーの場合よりもより重要なものとなる。ＡＭ
Ｄの性能にとって決定的に重要な特性は液晶の抵抗率と
安定性である［トガシ、セキグチ、タナベ、ヤマモト、
ソリマチ、タジマ、ワタナベおよびシミズ、プロシーデ
ィングズ・ユーロディスプレー８４（１９８４年９月、
パリ）、「二段ダイオードリングによって制御されたＡ
２１０−２８８マトリックスＬＣＤ」、第１４１頁以下
； ストローマー、プロシーディングズ・ユーロディス
プレー８４（１９８４年９月、パリ）、「テレビジョン
液晶ディスプレーのマトリックスアドレス用薄膜トラン
ジスターの設計」、第１４５頁以下参照］。
【０００４】ＡＭＤにおいては、非線形の開閉要素は多
重スキーム内でアドレス化処理に付されるので、該要素
が活性な制限時間内において、画素の電極を充電する。 次いで、該開閉要素は、次のサイクルにおいてアドレス
化処理に付されるまで、不活性になる。従って、活性化
、即ち充電された画素の電圧変化は望ましいものではな
いが、この種のディスプレーの決定的に重要な特徴であ
る。画素の放電は２つの要因、即ち、画素電極の容量お
よび電極間の誘電性物質（液晶）の抵抗率によって決定
される。画素における電圧減衰の特性時定数（ＲＣ−時
間）は、２つのアドレスサイクル間の時間（ｔａｄｒ．
）よりも有意に長くなければならない。ＡＭＤの性能を
表示するのに常用されるパラメーターは、次式で表わさ
れる画素の電圧保持比（ＨＲ）である：
重スキーム内でアドレス化処理に付されるので、該要素
が活性な制限時間内において、画素の電極を充電する。 次いで、該開閉要素は、次のサイクルにおいてアドレス
化処理に付されるまで、不活性になる。従って、活性化
、即ち充電された画素の電圧変化は望ましいものではな
いが、この種のディスプレーの決定的に重要な特徴であ
る。画素の放電は２つの要因、即ち、画素電極の容量お
よび電極間の誘電性物質（液晶）の抵抗率によって決定
される。画素における電圧減衰の特性時定数（ＲＣ−時
間）は、２つのアドレスサイクル間の時間（ｔａｄｒ．
）よりも有意に長くなければならない。ＡＭＤの性能を
表示するのに常用されるパラメーターは、次式で表わさ
れる画素の電圧保持比（ＨＲ）である：
【０００５】
【数１】
【０００６】画素における電圧は指数関数的に減衰する
ので、電圧保持比を増加させるためには、非常に高い抵
抗率を有する液晶物質が必要である。ディスプレー内の
液晶の抵抗率に関しては、配向物質のキュア条件や配向
層等のいくつかの重要な要因がある。しかしながら、使
用する液晶の電気的特性も重要な要因である。特にディ
スプレー内の液晶の抵抗率は、画素における電圧降下の
大きさを決定する。従って、ＡＭＤに使用した場合に高
い抵抗率と他の適性な材料特性、極度に低いスメクチッ
ク−ネマチック転移温度で、低温で非結晶化しない、広
いネマチックメソフェーズ幅（ｎｅｍａｔｉｃ ｍｅｓ
ｏｐｈａｓｅ ｒａｎｇｅ）を有するような液晶組成物
の開発が、当該分野においては非常に重要な課題となっ
ている。
ので、電圧保持比を増加させるためには、非常に高い抵
抗率を有する液晶物質が必要である。ディスプレー内の
液晶の抵抗率に関しては、配向物質のキュア条件や配向
層等のいくつかの重要な要因がある。しかしながら、使
用する液晶の電気的特性も重要な要因である。特にディ
スプレー内の液晶の抵抗率は、画素における電圧降下の
大きさを決定する。従って、ＡＭＤに使用した場合に高
い抵抗率と他の適性な材料特性、極度に低いスメクチッ
ク−ネマチック転移温度で、低温で非結晶化しない、広
いネマチックメソフェーズ幅（ｎｅｍａｔｉｃ ｍｅｓ
ｏｐｈａｓｅ ｒａｎｇｅ）を有するような液晶組成物
の開発が、当該分野においては非常に重要な課題となっ
ている。
【０００７】この発明はこのような事情に鑑み、他の要
求にも適うような非常に高い抵抗率を有する液晶組成物
を提供するためになされたものである。
求にも適うような非常に高い抵抗率を有する液晶組成物
を提供するためになされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、末端およ
び側部にフッ素を導入した化合物、一般式（Ｉ）：
び側部にフッ素を導入した化合物、一般式（Ｉ）：
【化
８】 （式中、Ｒ１は炭素原子数５以上の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも３
種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩ）：
８】 （式中、Ｒ１は炭素原子数５以上の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも３
種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩ）：
【化
９】 （式中、Ｒ２は炭素原子数３から５の直鎖アルキル基を
示す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも
２種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩＩ）：
９】 （式中、Ｒ２は炭素原子数３から５の直鎖アルキル基を
示す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも
２種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩＩ）：
【化１０】
（式中、Ｒ３は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも２種の化合物約５〜１５重
量％、一般式（ＩＶ）：
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも２種の化合物約５〜１５重
量％、一般式（ＩＶ）：
【化１１】
（式中、Ｒ４は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも４種の化合物約２０〜３０
重量％、一般式（Ｖ）：
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも４種の化合物約２０〜３０
重量％、一般式（Ｖ）：
【化１２】
（式中、Ｒ５およびＲ６は相互に独立に炭素原子数２〜
５の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化合物群から
選択される少なくとも３種の化合物約５〜１５重量％、
一般式（ＶＩ）：
５の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化合物群から
選択される少なくとも３種の化合物約５〜１５重量％、
一般式（ＶＩ）：
【化１３】
（式中、Ｒ７は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも２
種の化合物約５〜１５％、および一般式（ＶＩＩ）、（
ＶＩＩＩ）：
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも２
種の化合物約５〜１５％、および一般式（ＶＩＩ）、（
ＶＩＩＩ）：
【化１４】
で表わされる化合物群からなる群から選択される２種の
化合物約５〜１５重量％、を含有するネマチック型液晶
組成物に関する。
化合物約５〜１５重量％、を含有するネマチック型液晶
組成物に関する。
【０００９】本発明による液晶組成物はＡＭＤに用いる
のに特に好適なものであり、非常に高いＲＣ時間値がＡ
ＭＤにおいて得られる。これらの組成物は低い粘度を示
し、ＡＭＤにおける伝送の第一最小値（ｆｉｒｓｔ ｍ
ｉｎｉｍｕｍ ｏｆ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）での
動作を可能にし、−３０℃で１０００時間以上、全く結
晶化しなかった。この種の組成物は好ましくは、一般式
（Ｉ）においてＲ１がｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
およびｎ−ヘプチル基である少なくとも３種の化合物を
含有する。
のに特に好適なものであり、非常に高いＲＣ時間値がＡ
ＭＤにおいて得られる。これらの組成物は低い粘度を示
し、ＡＭＤにおける伝送の第一最小値（ｆｉｒｓｔ ｍ
ｉｎｉｍｕｍ ｏｆ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）での
動作を可能にし、−３０℃で１０００時間以上、全く結
晶化しなかった。この種の組成物は好ましくは、一般式
（Ｉ）においてＲ１がｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
およびｎ−ヘプチル基である少なくとも３種の化合物を
含有する。
【００１０】一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）で表わされる化
合物は、ドイツ特許第２６ ３６ ６８４号、ヨーロッ
パ特許第０ ０５１ ７３８号、同第０ １２５ ６５
３号、国際特許出願ＷＯ ８９／０２８８４号、米国特
許第４，３０２，３５２号、同第４，７１０，３１５号
および同第４，４１９，２６４号各明細書に記載された
既知の化合物またはこれらの既知の化合物の製法に準拠
して製造される化合物である。好ましくは一般式（ＩＩ
Ｉ）で表される化合物群から選択される少なくとも４種
の化合物を含有する。
合物は、ドイツ特許第２６ ３６ ６８４号、ヨーロッ
パ特許第０ ０５１ ７３８号、同第０ １２５ ６５
３号、国際特許出願ＷＯ ８９／０２８８４号、米国特
許第４，３０２，３５２号、同第４，７１０，３１５号
および同第４，４１９，２６４号各明細書に記載された
既知の化合物またはこれらの既知の化合物の製法に準拠
して製造される化合物である。好ましくは一般式（ＩＩ
Ｉ）で表される化合物群から選択される少なくとも４種
の化合物を含有する。
【００１１】本発明による組成物は常套の方法によって
調製すればよい。一般的には、より少量使用する所定量
の成分を主成分となる成分に、好ましくは昇温下で溶解
する。溶解温度が主成分の透明点よりも高い場合には、
完全な溶解化を特に容易におこなうことができる。
調製すればよい。一般的には、より少量使用する所定量
の成分を主成分となる成分に、好ましくは昇温下で溶解
する。溶解温度が主成分の透明点よりも高い場合には、
完全な溶解化を特に容易におこなうことができる。
【００１２】しかしながら、適当な有機溶剤例えばアセ
トン、クロロホルムまたはメタノールに各成分を溶解さ
せた溶液を混合し、次いで溶剤を、例えば減圧下での蒸
留によって除去してもよい。この方法を利用する場合に
は、溶剤によって汚染物または望ましくないドーパント
が組成物中に混入しないようにしなければならない。適
当な添加剤を配合することによって本発明による液晶相
は、従来から知られているいずれの種類のＡＭＤにも使
用できるように変性してもよい。
トン、クロロホルムまたはメタノールに各成分を溶解さ
せた溶液を混合し、次いで溶剤を、例えば減圧下での蒸
留によって除去してもよい。この方法を利用する場合に
は、溶剤によって汚染物または望ましくないドーパント
が組成物中に混入しないようにしなければならない。適
当な添加剤を配合することによって本発明による液晶相
は、従来から知られているいずれの種類のＡＭＤにも使
用できるように変性してもよい。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれらに限定されない。以下の％は重量％を表
す。
本発明はこれらに限定されない。以下の％は重量％を表
す。
【００１４】
【実施例１】以下の配合処方によって液晶組成物を調製
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：１０％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：５％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：４％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：６％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：７％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：６％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：７％１０．ｐ−［トランス−４−（
トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−シクロ
ヘキシル］−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−エ
タン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：４％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：４％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １７．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ １８．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：１０％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：５％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：４％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：６％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：７％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：６％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：７％１０．ｐ−［トランス−４−（
トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−シクロ
ヘキシル］−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−エ
タン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：４％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：４％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １７．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ １８．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
【００１５】得られた液晶組成物は透明点９５℃、粘度
１６ｍＰａ・ｓ（２０℃）および複屈折Δｎ ０．０９
１０を示した。この組成物は−４０℃でネマッチク構造
をとり、−３０℃で１０００時間以上結晶化することな
く保存でき、１０１３Ω・ｃｍもしくはそれ以上のオー
ダーの非常に高い抵抗率を有する、ＡＭＤに用いるには
好適な組成物である。
１６ｍＰａ・ｓ（２０℃）および複屈折Δｎ ０．０９
１０を示した。この組成物は−４０℃でネマッチク構造
をとり、−３０℃で１０００時間以上結晶化することな
く保存でき、１０１３Ω・ｃｍもしくはそれ以上のオー
ダーの非常に高い抵抗率を有する、ＡＭＤに用いるには
好適な組成物である。
【００１６】
【実施例２】以下の配合処方によって液晶組成物を調製
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：１０％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：５％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：４％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：４％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：７％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：５％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：７％ １０．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：２％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：３％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １８．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １９．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ ２０．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：１０％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：５％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：４％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：４％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：７％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：５％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：７％ １０．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：２％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：３％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １８．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １９．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ ２０．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
【００１７】得られた液晶組成物は透明点９６℃、およ
び複屈折Δｎ ０．０９２１を示した。この組成物は−
４０℃でネマッチク構造をとり、−３０℃で１０００時
間以上結晶化することなく保存でき、１０１３Ω・ｃｍ
もしくはそれ以上のオーダーの非常に高い抵抗率を示す
、ＡＭＤに用いるのには好適な組成物である。
び複屈折Δｎ ０．０９２１を示した。この組成物は−
４０℃でネマッチク構造をとり、−３０℃で１０００時
間以上結晶化することなく保存でき、１０１３Ω・ｃｍ
もしくはそれ以上のオーダーの非常に高い抵抗率を示す
、ＡＭＤに用いるのには好適な組成物である。
【００１８】
【実施例３】以下の配合処方によって液晶組成物を調製
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：７％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：６％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：６％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：５％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：６％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：６％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：６％ １０．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：２％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：３％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １８．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １９．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ ２０．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
した： １．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルシクロヘキサン：７％、 ２．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
キシルシクロヘキサン：６％、 ３．トランス−１−ｐ−フルオロフェニル−４−ｎ−ヘ
プチルシクロヘキサン：６％、 ４．トランス−１−ｐ−ｎ−プロピルフェニル−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキサン：４％、 ５．トランス−１−ｐ−ｎ−メトキシフェニル−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサン：４％、 ６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメトキ
シベンゼン：５％ ７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメト
キシベンゼン：６％ ８．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロメ
トキシベンゼン：６％ ９．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−トリフルオロ
メトキシベンゼン：６％ １０．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １１．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（３，
４−ジフルオロフェニル）−エタン：９％ １２．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：２％ １３．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）−エタン：３％ １４．４’−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：６％ １５．４’−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）−３，４−ジフルオロビフェニル：５％ １６．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １７．ｐ−［トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（ｐ−
フルオロフェニル）−エタン：３％ １８．４，４’−ビス−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：４％ １９．４，４’−ビス−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−２−フルオロビフェニル：３％ ２０．４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−
２−フルオロフェニル：３％
【００１９】得られた液晶組成物は透明点９６℃、およ
び複屈折Δｎ ０．０９１６を示した。この組成物は−
４０℃でネマッチク構造をとり、−３０℃で１０００時
間以上結晶化することなく保存でき、１０１３Ω・ｃｍ
もしくはそれ以上のオーダーの非常に高い抵抗率を示す
、ＡＭＤに用いるのには好適な組成物である。
び複屈折Δｎ ０．０９１６を示した。この組成物は−
４０℃でネマッチク構造をとり、−３０℃で１０００時
間以上結晶化することなく保存でき、１０１３Ω・ｃｍ
もしくはそれ以上のオーダーの非常に高い抵抗率を示す
、ＡＭＤに用いるのには好適な組成物である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によるネマチック型液晶組成物は
非常に高い抵抗率を有すると共に、他の適性な材料特性
を有するので、特にＡＭＤ用材料として好適である。
非常に高い抵抗率を有すると共に、他の適性な材料特性
を有するので、特にＡＭＤ用材料として好適である。
Claims (1)
- 【請求項１】末端および側部にフッ素を導入した化合物
、一般式（Ｉ）： 【化１】 （式中、Ｒ１は炭素原子数５以上の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも３
種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩ）：【化
２】 （式中、Ｒ２は炭素原子数３から５の直鎖アルキル基を
示す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも
２種の化合物約１５〜２５重量％、一般式（ＩＩＩ）：
【化３】 （式中、Ｒ３は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも２種の化合物約５〜１５重
量％、一般式（ＩＶ）： 【化４】 （式中、Ｒ４は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
し、ＸはＦまたはＯＣＦ３を示す）で表わされる化合物
群から選択される少なくとも４種の化合物約２０〜３０
重量％、一般式（Ｖ）： 【化５】 （式中、Ｒ５およびＲ６は相互に独立に炭素原子数２〜
５の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化合物群から
選択される少なくとも３種の化合物約５〜１５重量％、
一般式（ＶＩ）： 【化６】 （式中、Ｒ７は炭素原子数２〜５の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物群から選択される少なくとも２
種の化合物約５〜１５％、および一般式（ＶＩＩ）、（
ＶＩＩＩ）： 【化７】 で表わされる化合物群からなる群から選択される２種の
化合物約５〜１５重量％、を含有するネマチック型液晶
組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90117072A EP0473821B1 (en) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | Nematic liquid-crystal composition for active matric application |
| DE90117072.0 | 1990-09-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04226589A true JPH04226589A (ja) | 1992-08-17 |
| JP2661633B2 JP2661633B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=8204432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221554A Expired - Lifetime JP2661633B2 (ja) | 1990-09-05 | 1991-09-02 | ネマチック型液晶組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5279763A (ja) |
| EP (1) | EP0473821B1 (ja) |
| JP (1) | JP2661633B2 (ja) |
| KR (1) | KR0180016B1 (ja) |
| DE (1) | DE69015183T2 (ja) |
| TW (1) | TW203096B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01317731A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-22 | Minolta Camera Co Ltd | 樹脂成形部材の結合構造及び方法 |
| WO1997000302A1 (fr) * | 1995-06-16 | 1997-01-03 | Chisso Corporation | Composition de cristaux liquides pour elements d'affichage a cristaux liquides et procede de production de cette composition |
| US5730901A (en) * | 1995-05-11 | 1998-03-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, preparation thereof liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition |
| US6004478A (en) * | 1995-03-16 | 1999-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05255667A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-05 | G T C:Kk | 液晶組成物 |
| US5431850A (en) * | 1993-08-09 | 1995-07-11 | Merck Patent Gensellschaft Mit Beschrankter Haftung | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application |
| TW294714B (ja) * | 1995-03-02 | 1997-01-01 | Merck Patent Gmbh | |
| JP3475648B2 (ja) * | 1996-03-07 | 2003-12-08 | チッソ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| TWI464242B (zh) | 2012-10-26 | 2014-12-11 | Ind Tech Res Inst | 負介電異方性液晶化合物、液晶顯示器、與光電裝置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3042391A1 (de) * | 1980-11-10 | 1982-06-16 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluorhaltige cyclohexylbiphenylderivate, diese enthaltende dielektrika und elektrooptisches anzeigeelement |
| ES2058433T3 (es) * | 1988-10-20 | 1994-11-01 | Merck Patent Gmbh | Indicador matriz de cristal liquido. |
| JP3086228B2 (ja) * | 1989-02-14 | 2000-09-11 | チッソ株式会社 | 液晶組成物 |
| JP2917286B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1999-07-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置 |
| EP0406468B1 (en) * | 1989-07-06 | 1992-10-21 | Sharp Corporation | Nematic-liquid-crystal composition for active matrix application |
| US5171469A (en) * | 1989-08-22 | 1992-12-15 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Liquid-crystal matrix display |
-
1990
- 1990-09-05 EP EP90117072A patent/EP0473821B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-05 DE DE69015183T patent/DE69015183T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3221554A patent/JP2661633B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-04 KR KR1019910015398A patent/KR0180016B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-05 US US07/755,226 patent/US5279763A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-16 TW TW079108510A01A patent/TW203096B/zh active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01317731A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-22 | Minolta Camera Co Ltd | 樹脂成形部材の結合構造及び方法 |
| US6004478A (en) * | 1995-03-16 | 1999-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition |
| US5730901A (en) * | 1995-05-11 | 1998-03-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, preparation thereof liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition |
| WO1997000302A1 (fr) * | 1995-06-16 | 1997-01-03 | Chisso Corporation | Composition de cristaux liquides pour elements d'affichage a cristaux liquides et procede de production de cette composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5279763A (en) | 1994-01-18 |
| DE69015183T2 (de) | 1995-05-04 |
| KR920006480A (ko) | 1992-04-27 |
| EP0473821B1 (en) | 1994-12-14 |
| EP0473821A1 (en) | 1992-03-11 |
| KR0180016B1 (ko) | 1999-04-01 |
| DE69015183D1 (de) | 1995-01-26 |
| JP2661633B2 (ja) | 1997-10-08 |
| TW203096B (ja) | 1993-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5670038B2 (ja) | 液晶媒体 | |
| JP3461815B2 (ja) | ネマチック液晶組成物 | |
| EP0476104B1 (en) | Nematic liquid crystal mixtures and a matrix liquid crystal display | |
| US5064567A (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application | |
| JP4208973B2 (ja) | ネマチック液晶混合物 | |
| JPH04226589A (ja) | ネマチック型液晶組成物 | |
| US5753142A (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application | |
| US5308543A (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application | |
| JP3939768B2 (ja) | ネマチック液晶混合物 | |
| US5330679A (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application | |
| JP4896896B2 (ja) | 液晶混合物 | |
| JP3739420B2 (ja) | ネマチック液晶混合物と弗素化したフルオロターフェニル | |
| US5431850A (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application | |
| JP3939766B2 (ja) | ネマチック液晶混合物 | |
| JPH05105876A (ja) | ネマチツク液晶組成物 | |
| EP0533034B1 (en) | Nematic liquid crystal mixtures | |
| JP4469426B2 (ja) | アクティブマトリックス用のネマティック液晶組成物 | |
| GB2253402A (en) | Terminally and laterally fluorinated components for liquid crystal compositions | |
| JP4004334B2 (ja) | ネマチック液晶混合物および弗素化クロルテルフェニル | |
| JP2007308707A (ja) | ネマチック液晶混合物および該混合物を含む電気光学的液晶ディスプレイ | |
| JPH05194954A (ja) | ネマチック液晶混合物 | |
| WO1997038063A1 (en) | Nematic liquid-crystal composition for active matrix application |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 15 |